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文檔簡介

第二章均勻傳輸系統(tǒng)的電磁場問題1、了解用場的觀點研究均勻傳輸系統(tǒng)的方法2、了解導行波的基本概念和分類3、理解波動方程的物理意義4、掌握均勻傳輸系統(tǒng)的微波傳輸特性§2.0概述*傳輸系統(tǒng):把微波能量從一處傳到另一處的裝置。傳輸系統(tǒng)也叫導波結構或導波系統(tǒng)。微波中常用傳輸系統(tǒng):*傳輸線:由兩根或兩根以上平行導體構成。通常工作在其主模(TEM波)或準TEM波。故又稱為TEM波傳輸線。(含平行雙線、同軸線)*波導管:由單根封閉柱形導體空腔構成。電磁波在管內傳播,簡稱波導。*表面波波導:由單根介質或敷介質層導體構成。電磁波沿其表面?zhèn)鞑ァ?/p>

*均勻傳輸系統(tǒng)或柱形導波系統(tǒng)*縱向的均勻性:傳輸系統(tǒng)橫截面的形狀、尺寸以及材料性質都不隨縱向位置z變化。*傳輸系統(tǒng)特征:低耗傳輸具有一定的功率容量結構簡單、加工方便(經(jīng)濟性)單模傳輸(可靠性)

均勻傳輸系統(tǒng)非均勻傳輸系統(tǒng)§2.1柱行系統(tǒng)中的電磁場

一、ρ=0、j=0的均勻、線性、各向同性、不導電媒質中:其中

*ET、HT稱為電磁場在傳輸系統(tǒng)中橫截面的“分布函數(shù)”(本征函數(shù)),并由對偶原理有:

(2.1.1)

(2.1.2)

(2.1.3)*物理意義:橫向的電(磁)場可以激發(fā)縱向的磁(電)場;全部電磁場對橫向電(磁)場均有貢獻;或者說,縱橫電磁場互相激發(fā)。采用聯(lián)立消去法:令k稱空間相移常數(shù)。由(2.1.3)有:二、波動方程(2.1.4)得標準的標量亥姆霍茲方程:

(2.1.5)其中

*方程的物理意義:體現(xiàn)了傳輸系統(tǒng)(物質性質、系統(tǒng)形狀和幾何尺寸)對導行波(縱向場)的“束縛”作用。橫向場的矢量方程

(2.1.6)

*方程的物理意義:體現(xiàn)了傳輸系統(tǒng)(物質性質、系統(tǒng)形狀和幾何尺寸)對導行波橫向場的“束縛”作用。**只在矩坐標系統(tǒng)中能分解為兩個標準的標量亥姆霍茲方程,在其它坐標系統(tǒng)中則不能。§2.2導行波及其傳輸特性:一、導行波的縱向場分布:(2.1.5)中縱向場分量都是z及橫向坐標T的函數(shù),可用分離變量法求解縱向場分布。令:代入(2.1.5)可得:

(2.2.1)

令(2.2.2)

(2.2.3)

解為:物理意義:表示沿柱形系統(tǒng)軸向(+Z和-Z方向)傳播的兩個行波,即導行波。A+和A-為兩個波的振幅;

為導行波的傳播常數(shù)。則:二、討論1、kc為正實數(shù)時,可能有以下兩種不同情況:(1)傳播狀態(tài)。當λ<λc或等價地f>fc

時,γ=jβ為虛數(shù),β稱為波的“相位常數(shù)”,有:或此時導行波的解為:這種形式的解代表波動過程,其中相位因子中的上下符號分別代表相應于沿±z方向傳播的波。這種狀態(tài)稱為傳播狀態(tài),與此相應的條件:λ<λc或f>fc稱為波的傳播條件。傳播狀態(tài)是我們今后著重研究的狀態(tài)。

(2)截止狀態(tài)。當λ>λc或f<fc時,γ=α為實數(shù),有:此時波動方程的解變?yōu)椋?/p>

這種場的時變規(guī)律是一種“原地振動”的正弦振蕩,其振幅分別沿±z軸以指數(shù)衰減,完全沒有波的向前傳播的特性。這就是傳輸系統(tǒng)的截止狀態(tài),與之相應的條件:λ>λc或f<fc

稱為傳輸系統(tǒng)中波的截止條件,截止波長(或截止頻率)的意義即在于此。當f<fc時,傳輸系統(tǒng)中只有軸向衰減場,沒有波的傳播。這種截止場不能用來有效地傳輸能量,但在解釋波導中不均勻性引起的所謂“近區(qū)場”時,截止場具有重要意義。此外還可以利用截止場做成所謂的“截止式衰減器”。

特定邊界條件下偏微分方程

本征值對應的一系列本征函數(shù),

系統(tǒng)的橫向存在的場分布函數(shù)(模式、場形)。即:是縱向電場在傳輸意義:決定了電磁場在傳輸系統(tǒng)中的模式或場型。這反映了傳輸系統(tǒng)的物質、形狀和幾何尺寸對電磁能量的束縛作用。

特定邊界條件下偏微分方程

本征值對應的一系列本征函數(shù),

系統(tǒng)的橫向存在的場分布函數(shù)(模式、場形)。即:是縱向電場在傳輸意義:決定了電磁場在傳輸系統(tǒng)中的模式或場型。這反映了傳輸系統(tǒng)的物質、形狀和幾何尺寸對電磁能量的束縛作用。

2、

的意義:(傳播狀態(tài))和k決定,這反映了由波源進入的微波信號(ω、λ)在某一確定傳輸系統(tǒng)中的傳輸情況,即反映了導行波的傳播特征。如:縱向場的分布和信號能量縱向推進的快慢。3、描述導行波傳輸特性的幾個參量:導行波相速

(2.2.5)

方程中β由

導波波長:

導行波群速

(2.2.6)

(2.2.7)

4、縱橫向的關系:

(2.2.8)

§2.2導行波的分類

(TEM波情況)3、→橫向波方程為靜場拉普拉斯方程,TEM波的波函數(shù)滿足二維拉氏方程,它與具有同樣邊界條件的二維靜場相同,故處理方法相同。方程分解成的兩個常微分方程,在齊次邊界條件下存在著無窮多個離散的實常數(shù)本征值。

該導行波的特點是相速大于平面波波速,即大于該媒質中的光速,而群速則小于該媒質中的光速,同時導波波長大于空間波長,這是一種快波。(非TEM波)(≤0E(z)≡0無意義)

此時β=0,沿z方向各點電磁場的振幅相同,即沿z方向沒有波的傳播,為直流電磁場,稱該電磁場處于截止狀態(tài)。意義:波源頻率降至臨界頻率或波長增大到臨界波長時,該導行波的傳播過程就停止了。

為虛數(shù)→

=+jβ為純衰減常數(shù),所以:

這種場是一種“原地振動”的正弦振蕩,稱截止狀態(tài)或過截止狀態(tài)。

EZ和HZ不能同時為零:⑴EZ

=0,HZ

≠0TE波或H波(橫電波或磁波);

⑵EZ≠0,HZ

=0TM波或E波(橫磁波或電波)。這種導行波的相速小于無界媒質中的波速,而波長小于無界媒質中的波長,這是一種慢波。

波阻抗:橫向的電場與磁場之比,即與H之比定義為波阻抗,記作η:

必須注意:以上給出的橫向場量之間的關系,只有在單一行波的狀態(tài)下才成立,而上,下符號分別對應于沿+Z和-Z方向傳播的行波。

同軸線(coaxialline):由兩根同軸圓柱導體構成的導行系統(tǒng),內導體外半徑為a,外導體內半徑為b。分類:硬同軸線-兩導體間填充空氣。

軟同軸線-兩導體間填充高頻介質(相對介電常數(shù)為

r)。

主模:TEM模。當同軸線的橫向尺寸可與工作波長比擬時,同軸線中也會出現(xiàn)高次的TE模和TM模。應用:寬頻帶饋線,設計寬帶元件。同軸線的TEM導波場§2.2導行波的分類

(TEM波情況)3、→橫向波方程為靜場拉普拉斯方程,TEM波的波函數(shù)滿足二維拉氏方程,它與具有同樣邊界條件的二維靜場相同,故處理方法相同。方程分解成的兩個常微分方程,在齊次邊界條件下存在著無窮多個離散的實常數(shù)本征值。

該導行波的特點是相速大于平面波波速,即大于該媒質中的光速,而群速則小于該媒質中的光速,同時導波波長大于空間波長,這是一種快波。(非TEM波)(≤0E(z)≡0無意義)

此時β=0,沿z方向各點電磁場的振幅相同,即沿z方向沒有波的傳播,為直流電磁場,稱該電磁場處于截止狀態(tài)。意義:波源頻率降至臨界頻率或波長增大到臨界波長時,該導行波的傳播過程就停止了。

為虛數(shù)→

=+jβ為純衰減常數(shù),所以:

這種場是一種“原地振動”的正弦振蕩,稱截止狀態(tài)或過截止狀態(tài)。

EZ和HZ不能同時為零:⑴EZ

=0,HZ

≠0TE波或H波(橫電波或磁波);

⑵EZ≠0,HZ

=0TM波或E波(橫磁波或電波)。這種導行波的相速小于無界媒質中的波速,而波長小于無界媒質中的波長,這是一種慢波。

波阻抗:橫向的電場與磁場之比,即與H之比定義為波阻抗,記作η:

必須注意:以上給出的橫向場量之間的關系,只有在單一行波的狀態(tài)下才成立,而上,下符號分別對應于沿+Z和-Z方向傳播的行波。

同軸線(coaxialline):由兩根同軸圓柱導體構成的導行系統(tǒng),內導體外半徑為a,外導體內半徑為b。分類:硬同軸線-兩導體間填充空氣。

軟同軸線-兩導體間填充高頻介質(相對介電常數(shù)為

r)。

主模:TEM模。當同軸線的橫向尺寸可與工作波長比擬時,同軸線中也會出現(xiàn)高次的TE模和TM模。應用:寬頻帶饋線,設計寬帶元件。同軸線的TEM導波場同軸線TEM波場解推導采用圓柱坐標系,電場為:標量位函數(shù)因為:有:采用圓柱坐標系表示為:TEM波邊界條件應用分離變量法,即令:有上式欲成立,須常數(shù)kr和k

滿足:這里k

=n必須是整數(shù),因為場沿

方向呈周期性變化。其—般解為而邊界條件不隨

變化,所以位函數(shù)也不應隨

變化,故n必須為零,則kr也必須為零。位函數(shù)為其解為代入邊界條件因此方程簡化為:最后得到解:橫向電場:橫向磁場:波阻抗:同軸線TEM導模場結構單模傳輸條件:(1)相速度和波導波長同軸線TEM導模傳輸特性波導波長:相速度:(2)特性阻抗TEM模:kc=0,

c=∞(3)衰減常數(shù)導體損耗介質損耗損耗最小條件:相應的特性阻抗為:ZC=76.7l

(4)耐壓最高條件ZC=60

內導體耐壓最高條件:相應的特性阻抗為:(5)傳輸功率相應的特性阻抗為:最大功率條件:ZC=30

實際情況兼顧二者:ZC=50

同軸線的高次模在一定尺

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