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文檔簡介

1硅光電倍增管可靠性評估方法本文件適用于硅光電倍增管的可靠性評估，其他類型的雪崩器件可參GB/T4937.4-2012半導(dǎo)體器件.機械和氣候試驗方法.GB/T21194-2007通信設(shè)備用的光電子器件的可靠性GB/T33768-2017通信用光電子器件可3.13.23.33.4ID3.5DCR3.6可靠性reliability3.7試樣在規(guī)定條件下、規(guī)定的時間內(nèi)完成2電壓電流表電壓電流表4.1試驗類型4.2試驗設(shè)備4.3試驗環(huán)境暗室試樣試樣5.2暗計數(shù)率3d)按公式（1）得到試樣在規(guī)定反向偏置電壓下的暗計數(shù)率DCR。Nd6.1光電特性試驗確定在規(guī)定的工作電壓與溫度下試樣是否滿足規(guī)定的光電性能a)電壓電流表、光源、衰減器、示波器、光功率計、讀出電路等；b)試驗條件下能夠監(jiān)視試驗溫度、電壓、電流、輸出波形的裝置；c)能使試樣引出端有可靠的光電連接的光電插座和其他安裝形式。d)測試環(huán)境應(yīng)無影響測量準(zhǔn)確度的機械振動、靜電、電磁等干擾；6.2外部目檢4失效判據(jù)的信息見GB/T33768-26.3機械試驗試驗設(shè)備的信息見GB/T33768-20175試驗條件的信息見GB/T33768-20175試驗步驟的信息見GB/T33768-20175b)按照本文件5.1-5.2規(guī)定的條件試驗條件的信息見GB/T33768-20175試驗步驟的信息見GB/T33768-20175b)按照本文件5.1-5.2規(guī)定的條件6.4環(huán)境試驗5試驗設(shè)備的信息見GB/T33768-2017其中的GB/T33768-2017為規(guī)試驗步驟的信息見GB/T33768-20b)按照本文件5.1-5.2規(guī)定的條件試驗條件的信息見GB/T4937.4-20a)試驗前在規(guī)定的溫度下完成試樣光電特性測試；b)其余試驗步驟的信息見GB/T4937.4-201256b)其余試驗步驟的信息見GB/T4937.13-2012b)電壓電流表、光源、衰減器、示波器、光功率計、讀出電路等；c)試驗條件下能夠監(jiān)視試驗溫度、電壓、電流、輸出波形的裝置；d)能使試樣引出端有可靠的光電連接的光電插座和其他安裝形式。試驗條件的信息見GB/T33768-2017

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