2023-2024學(xué)年高中化學(xué)人教版2019選擇性必修2課后習(xí)題第三章　晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)模塊測(cè)評(píng)

模塊測(cè)評(píng)可能用到的相對(duì)原子質(zhì)量:Be9C12O16S32I127一、選擇題(本題包括10個(gè)小題,每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意。每小題2分,共20分)1.符號(hào)“2p”沒(méi)有給出的信息是()A.能級(jí) B.電子層C.電子云形狀 D.電子云在空間的伸展方向2.某元素基態(tài)原子4s軌道上有1個(gè)電子,則該基態(tài)原子的價(jià)電子排布不可能是()A.3p64s1 B.4s1 C.3d54s1 D.3d104s13.下列晶體的分類正確的是()選項(xiàng)離子晶體共價(jià)晶體分子晶體ANaOHArSO2BH2SO4石墨SCCH3COONa水晶DBa(OH)2金剛石玻璃4.下列說(shuō)法正確的是()A.同一原子中,在離核較遠(yuǎn)的區(qū)域運(yùn)動(dòng)的電子能量較高B.原子核外電子排布,先排滿K層再排L層,然后依次排滿M層再排N層C.同一周期中,隨著核電荷數(shù)的增大,元素的原子半徑逐漸增大D.同一周期中,第ⅡA族與第ⅢA族元素原子的核電荷數(shù)都相差15.下列物質(zhì)在熔融狀態(tài)下能夠?qū)щ姷氖?)A.NaCl B.SiO2 C.Cl2 D.HCl6.利用反應(yīng)CCl4+4NaC(金剛石)+4NaCl可實(shí)現(xiàn)人工合成金剛石。下列關(guān)于該反應(yīng)的說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.C(金剛石)屬于共價(jià)晶體 B.該反應(yīng)利用了Na的強(qiáng)還原性C.CCl4和C(金剛石)中的C的雜化方式相同 D.NaCl晶體中每個(gè)Cl周?chē)?個(gè)Na+7.下列關(guān)于晶體的敘述正確的是()A.晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子B.區(qū)分晶體和非晶體最可靠的方法是對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)C.分子晶體中共價(jià)鍵鍵能越大,熔點(diǎn)和沸點(diǎn)越高D.金屬晶體發(fā)生形變時(shí),內(nèi)部金屬離子與“自由電子”的相互作用消失8.下列有關(guān)比較正確的是()A.熔點(diǎn):CH4>SiH4>GeH4>SnH4 B.熔、沸點(diǎn):NaBr>NaCl>MgOC.鍵的極性:N—H>O—H>F—H D.熱穩(wěn)定性:HF>H2O>NH39.從微粒結(jié)構(gòu)角度分析,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.I3+的空間結(jié)構(gòu)為V形,中心原子的雜化方式為B.ZnCO3中陰離子空間結(jié)構(gòu)為平面三角形,C原子的雜化方式為sp2C.根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型,H2S、SO2、SO3的氣態(tài)分子中,H2S的中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)與其他分子不同D.三氧化硫有單分子氣體和三聚分子固體()兩種存在形式,兩種形式中S原子的雜化軌道類型相同10.下列有關(guān)物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)變化規(guī)律正確的是()A.硬度:LiCl<NaCl<KCl B.沸點(diǎn):HF<HCl<HBrC.酸性:H3PO4>H2SO4>HClO4 D.原子半徑:Na>Mg>Al二、選擇題(本題包括5個(gè)小題,每小題有1~2個(gè)選項(xiàng)符合題意。每小題4分,共20分)11.下列元素或化合物的性質(zhì)變化順序正確的是()A.第一電離能:Cl>S>P>SiB.共價(jià)鍵的極性:HF>HCl>HBr>HIC.價(jià)層電子對(duì)互斥模型中,π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)D.第四周期元素中,錳原子價(jià)電子層中未成對(duì)電子數(shù)最多12.下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)、結(jié)構(gòu)的表述均正確,且存在因果關(guān)系的是()選項(xiàng)表述1表述2A在水中,NaCl的溶解度比I2的溶解度大NaCl晶體中Cl與Na+間的作用力大于碘晶體中分子間的作用力B通常條件下,CH4分子比PbH4分子穩(wěn)定性強(qiáng)Pb的原子半徑比C的大,Pb與H之間的鍵能比C與H之間的鍵能小C在形成化合物時(shí),同一主族元素的化合價(jià)相同同一主族元素原子的最外層電子數(shù)相同DP4O10、C6H12O6溶于水后均不導(dǎo)電P4O10、C6H12O6均屬于共價(jià)化合物13.下列各組物質(zhì)性質(zhì)的比較,結(jié)論正確的是()A.分子的極性:BCl3<NCl3 B.物質(zhì)的硬度:NaI<NaFC.物質(zhì)的沸點(diǎn):HF<HCl D.在CS2中的溶解度:CCl4<H2O14.在冰晶石(Na3AlF6)晶胞中,AlF63-占據(jù)的位置相當(dāng)于NaCl晶胞中Cl占據(jù)的位置,該冰晶石晶胞中含有的原子數(shù)與NaCl晶胞中含有的原子數(shù)之比為A.2∶1 B.3∶2 C.5∶2 D.5∶115.氮化碳結(jié)構(gòu)如圖所示,其中β氮化碳硬度超過(guò)金剛石晶體,成為首屈一指的超硬新材料。下列有關(guān)氮化碳的說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.氮化碳屬于共價(jià)晶體B.氮化碳中碳顯4價(jià),氮顯+3價(jià)C.氮化碳的化學(xué)式為C3N4D.每個(gè)碳原子與4個(gè)氮原子相連,每個(gè)氮原子與3個(gè)碳原子相連三、非選擇題(本題包括5個(gè)小題,共60分)16.(10分)填寫(xiě)下列空白[第(1)~(4)小題用元素符號(hào)填寫(xiě)]。(1)第三周期原子半徑最小的元素為(稀有氣體元素除外)。

(2)第一電離能最大的元素為。

(3)電負(fù)性最大的元素為。

(4)第四周期中第一電離能最小的元素為。

(5)含有8個(gè)質(zhì)子,10個(gè)中子的原子的化學(xué)符號(hào)為。

(6)最外層電子排布為4s24p1的原子的核電荷數(shù)為。

(7)元素周期表中最活潑的非金屬元素原子的軌道表示式為。

(8)某元素的原子核外有3個(gè)電子層,最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的16,該元素原子的電子排布式是(9)銅元素在元素周期表中的位置是,它位于區(qū)。

17.(10分)鈹及其化合物的應(yīng)用正日益被重視。(1)最重要的含鈹?shù)V物是綠柱石,含2%鉻(Cr)的綠柱石即為祖母綠?；鶓B(tài)Cr原子價(jià)電子的軌道表示式為。

(2)鈹與相鄰主族的鋁元素性質(zhì)相似。下列有關(guān)鈹和鋁的敘述正確的有(填字母)。

A.都屬于p區(qū)主族元素 B.電負(fù)性都比鎂大C.第一電離能都比鎂大 D.氯化物的水溶液pH均小于7(3)氯化鈹在氣態(tài)時(shí)存在BeCl2分子(a)和二聚分子(BeCl2)2(b),固態(tài)時(shí)則具有如下圖所示的鏈狀結(jié)構(gòu)(c)。①a屬于(填“極性”或“非極性”)分子。

②二聚分子(BeCl2)2中Be原子的雜化方式相同,且所有原子都在同一平面上。b的結(jié)構(gòu)式為(用箭頭標(biāo)出配位鍵)。

(4)BeO立方晶胞如右圖所示。若BeO晶體的密度為dg·cm3,設(shè)晶胞參數(shù)為anm,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,則a=nm(列出表達(dá)式即可)。

18.(12分)鐵及其化合物在生活中有廣泛應(yīng)用。(1)Fe3+基態(tài)核外電子排布式為。

(2)實(shí)驗(yàn)室用KSCN溶液或苯酚檢驗(yàn)Fe3+。①設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,1mol苯酚分子中含有σ鍵的數(shù)目為。

②類鹵素離子SCN可用于Fe3+的檢驗(yàn),其對(duì)應(yīng)的酸有兩種,分別為硫氰酸()和異硫氰酸(),這兩種酸中沸點(diǎn)較高的是。

(3)氮化鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。該晶體中鐵、氮的微粒個(gè)數(shù)之比為。

圖1圖2(4)某鐵的化合物結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖2所示。①上述化合物中所含有的非金屬元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?用元素符號(hào)表示)。

②上述化合物中氮原子的雜化方式為。

19.(14分)太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。其材料有單晶硅,還有含銅、鍺、鎵、硒等元素的化合物。(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)核外電子排布式為,其電子占據(jù)的原子軌道數(shù)目為。

(2)圖甲表示碳、硅和磷元素的四級(jí)電離能變化趨勢(shì),其中表示磷元素的曲線是(填序號(hào))。

甲乙氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)(3)氮化鎵(GaN)的晶體結(jié)構(gòu)如圖乙所示。常壓下,該晶體熔點(diǎn)為1700℃,故其晶體類型為。

(4)與鎵元素處于同一主族的硼元素可提供空軌道,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4],[B(OH)4]中B原子的雜化軌道類型為。

(5)某光電材料由鍺的氧化物與銅的氧化物按一定比例熔合而成,其中鍺的氧化物晶胞結(jié)構(gòu)如圖丙所示,該物質(zhì)的化學(xué)式為。已知該晶體密度為ρg·cm3,晶胞邊長(zhǎng)為acm,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,則鍺的相對(duì)原子質(zhì)量為(用含ρ和a的關(guān)系式表示)。

丙20.(14分)(2021·廣東卷,20節(jié)選)很多含巰基(—SH)的有機(jī)化合物是重金屬元素汞的解毒劑。例如,解毒劑化合物Ⅰ可與氧化汞生成化合物Ⅱ。ⅠⅡⅢⅣ(1)基態(tài)硫原子價(jià)電子排布式為。

(2)H2S、CH4、H2O的沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)椤?/p>

(3)汞的原子序數(shù)為80,位于元素周期表第周期第ⅡB族。

(4)化合物Ⅲ也是一種汞解毒劑?；衔铫羰且环N強(qiáng)酸。下列說(shuō)法正確的有。

A.在Ⅰ中S原子采取sp3雜化B.在Ⅱ中S元素的電負(fù)性最大C.在Ⅲ中C—C—C鍵角是180°D.在Ⅲ中存在離子鍵與共價(jià)鍵E.在Ⅳ中硫氧鍵的鍵能均相等(5)理論計(jì)算預(yù)測(cè),由汞(Hg)、鍺(Ge)、銻(Sb)形成的一種新物質(zhì)X為潛在的拓?fù)浣^緣體材料。X的晶體可視為Ge晶體(晶胞如圖a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。①圖b為Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一種單元結(jié)構(gòu),它不是晶胞單元,理由是。

②圖c為X的晶胞,X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為;該晶胞中粒子個(gè)數(shù)比Hg∶Ge∶Sb=。

③設(shè)X的最簡(jiǎn)式的式量為Mr,則X晶體的密度為g·cm3(列出算式)。

參考答案模塊測(cè)評(píng)1.D2p表示原子核外第2能層(電子層)中的p能級(jí),電子云形狀為啞鈴形,其中p能級(jí)應(yīng)有3個(gè)不同伸展方向的原子軌道,可分別表示為px、py、pz,“2p”符號(hào)沒(méi)有表示出電子云在空間的伸展方向,D項(xiàng)正確。2.A各能級(jí)電子的能量由小到大的順序?yàn)?1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p……價(jià)電子即為可以參與化學(xué)反應(yīng)的電子,主族元素為最外層電子,如4s1;對(duì)于過(guò)渡元素,常包括次外層d能級(jí)電子及倒數(shù)第三層f能級(jí)電子,如Cr的價(jià)電子排布為3d54s1、Cu的價(jià)電子排布為3d104s1。由于3p能級(jí)與4s能級(jí)能量差別大,化學(xué)反應(yīng)中不可能失去4s能級(jí)中的電子后接著失去3p能級(jí)中的電子,A項(xiàng)錯(cuò)誤。3.C可根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)中粒子及其之間的相互作用判斷晶體的類型。NaOH、CH3COONa、Ba(OH)2都是通過(guò)離子鍵相互結(jié)合的離子晶體,純H2SO4晶體是分子晶體,Ar分子間以范德華力相互結(jié)合為分子晶體,石墨是混合型晶體,水晶(SiO2)與金剛石是共價(jià)晶體,硫和萘()是分子間以范德華力結(jié)合的分子晶體,玻璃為非晶體。4.A能量較高的電子處于離核遠(yuǎn)一些的區(qū)域,A項(xiàng)正確;M層為第三層,含有3s、3p、3d能級(jí),而3d能級(jí)的能量大于4s能級(jí),故電子排滿3p能級(jí)后,接著排4s能級(jí),然后再排3d能級(jí),B項(xiàng)錯(cuò)誤;同一周期中,原子的電子層數(shù)相同,隨著核電荷數(shù)增大,原子核對(duì)核外電子的吸引能力增強(qiáng),導(dǎo)致原子半徑減小,C項(xiàng)錯(cuò)誤;第二、三周期中第ⅡA族與第ⅢA族元素的核電荷數(shù)相差1,但是第四、五周期中由于中間隔了過(guò)渡元素,所以第ⅡA族與第ⅢA族元素的核電荷數(shù)相差11,第六、七周期中還含有鑭系和錒系,所以第ⅡA族與第ⅢA族元素的核電荷數(shù)相差25,D項(xiàng)錯(cuò)誤。5.ANaCl為離子晶體,熔融狀態(tài)下能形成自由移動(dòng)的鈉離子和氯離子,可以導(dǎo)電,A項(xiàng)正確;SiO2為共價(jià)晶體,熔融狀態(tài)下沒(méi)有離子生成,不能導(dǎo)電,B項(xiàng)錯(cuò)誤;Cl2為分子晶體,在液態(tài)時(shí)沒(méi)有離子生成,不能導(dǎo)電,C項(xiàng)錯(cuò)誤;HCl為分子晶體,在液態(tài)時(shí)沒(méi)有離子生成,不能導(dǎo)電,D項(xiàng)錯(cuò)誤。6.D金剛石為共價(jià)晶體,A項(xiàng)正確;反應(yīng)中Na的化合價(jià)升高,作為還原劑,B項(xiàng)正確;CCl4和金剛石中C原子均形成四個(gè)單鍵,故C原子均為sp3雜化,C項(xiàng)正確;NaCl晶體中每個(gè)Cl周?chē)?個(gè)Na+,分別位于Cl的上、下、左、右、前、后,D項(xiàng)錯(cuò)誤。7.B金屬晶體是由金屬陽(yáng)離子和自由電子組成的,A項(xiàng)錯(cuò)誤;分子晶體的熔、沸點(diǎn)由范德華力或氫鍵決定,與分子內(nèi)的共價(jià)鍵無(wú)關(guān),C項(xiàng)錯(cuò)誤;金屬晶體中的金屬鍵無(wú)方向性,當(dāng)發(fā)生形變時(shí),金屬鍵并未被破壞,D項(xiàng)錯(cuò)誤。8.DA項(xiàng)中物質(zhì)形成的晶體均為分子晶體,其熔點(diǎn)和范德華力有關(guān),且相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大,故A項(xiàng)錯(cuò)誤;離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,離子晶體的離子鍵越強(qiáng),所以熔、沸點(diǎn):NaBr<NaCl<MgO,B項(xiàng)錯(cuò)誤;由于電負(fù)性:N<O<F,所以鍵的極性:N—H<O—H<F—H,C項(xiàng)錯(cuò)誤;由于非金屬性:F>O>N,故熱穩(wěn)定性:HF>H2O>NH3,D項(xiàng)正確。9.DI3+中I原子為中心原子,則其孤電子對(duì)數(shù)為12×(712)=2,且其形成了2個(gè)σ鍵,中心原子采取sp3雜化,I3+空間結(jié)構(gòu)為V形,A正確;CO32-中C原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+12×(4+26)=3,因此C原子為sp2雜化,CO32-的空間結(jié)構(gòu)為平面三角形,B正確;根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型可知,H2S、SO2、SO3三種分子中S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)分別為4、3、3,因此H2S中S原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)不同于其他兩種分子,C正確;SO3的中心原子S的孤電子對(duì)數(shù)為6-2×32=0,S形成3個(gè)σ鍵,S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為0+3=3,S原子為sp210.D組成相似的離子化合物,離子半徑越小,離子鍵越強(qiáng),晶體硬度越大,所以硬度:LiCl>NaCl>KCl,A項(xiàng)錯(cuò)誤;液態(tài)HF分子間存在氫鍵,所以其沸點(diǎn)比HBr、HCl高;HBr、HCl分子結(jié)構(gòu)相似,相對(duì)分子質(zhì)量越大沸點(diǎn)越高,所以沸點(diǎn):HF>HBr>HCl,B項(xiàng)錯(cuò)誤;同一周期從左往右,元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性增強(qiáng),所以酸性H3PO4<H2SO4<HClO4,C項(xiàng)錯(cuò)誤;同一周期從左往右,主族元素原子半徑依次減小,D項(xiàng)正確。11.BCSi、P、S、Cl處于同一周期,同一周期從左到右,元素的第一電離能呈增大趨勢(shì),因P的3p能級(jí)為半充滿狀態(tài),導(dǎo)致其第一電離能較大,故第一電離能由大到小的順序?yàn)镃l>P>S>Si,A項(xiàng)錯(cuò)誤;F、Cl、Br、I的非金屬性逐漸減弱,所以HF、HCl、HBr、HI的共價(jià)鍵極性逐漸減弱,B項(xiàng)正確;價(jià)層電子對(duì)數(shù)只計(jì)σ鍵電子對(duì)和孤電子對(duì),不計(jì)π鍵電子對(duì),C項(xiàng)正確;Mn原子的價(jià)電子排布式為3d54s2,含有5個(gè)未成對(duì)電子,而同周期Cr原子的價(jià)電子排布式為3d54s1,含有6個(gè)未成對(duì)電子,D項(xiàng)錯(cuò)誤。12.BNaCl是離子晶體,I2是非極性分子,故I2比NaCl在水中的溶解度小,A錯(cuò)誤;分子的穩(wěn)定性與鍵能有關(guān),而鍵能與鍵長(zhǎng)有關(guān),鍵長(zhǎng)又與原子半徑有關(guān),B正確;同主族元素形成的化合物中,元素化合價(jià)不一定相同,C錯(cuò)誤;P4O10溶于水生成電解質(zhì)H3PO4,溶液可以導(dǎo)電,C6H12O6溶于水不導(dǎo)電,故表述1不正確,1和2不存在因果關(guān)系,D錯(cuò)誤。13.ABBCl3分子中的B原子采用sp2雜化,分子為平面正三角形,所以BCl3是非極性分子;NCl3中的N原子采取sp3雜化,NCl3空間結(jié)構(gòu)為三角錐形,是極性分子,分子極性為BCl3<NCl3,A項(xiàng)正確;NaI和NaF都是離子晶體,離子半徑F<I,所以離子鍵NaI<NaF,硬度NaI<NaF,B項(xiàng)正確;由于HF分子間能形成氫鍵,而HCl不能,故沸點(diǎn)HF>HCl,C項(xiàng)錯(cuò)誤;CS2、CCl4為非極性分子,而H2O為極性分子,根據(jù)“相似相溶”原理,在CS2中的溶解度應(yīng)為:CCl4>H2O,D項(xiàng)錯(cuò)誤。14.D根據(jù)已知條件,AlF63-占據(jù)的位置相當(dāng)于NaCl晶胞中Cl占據(jù)的位置,如下圖所示白球位置,則在冰晶石晶胞中,AlF63-的個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4,由冰晶石的化學(xué)式可知Na+的個(gè)數(shù)為AlF63-的3倍,即為12個(gè),所以冰晶石晶胞中原子個(gè)數(shù)分別為鈉原子12個(gè)、鋁原子4個(gè)、氟原子24個(gè),一共40個(gè);NaCl晶胞中含有的鈉原子為4個(gè),氯原子4個(gè),一共15.B由題圖示可知氮化碳為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),硬度超過(guò)金剛石晶體,則氮化碳晶體為共價(jià)晶體;每個(gè)碳原子和4個(gè)氮原子形成共價(jià)鍵,每個(gè)氮原子與3個(gè)碳原子相連,所以氮化碳的化學(xué)式為C3N4;由于N的非金屬性比碳強(qiáng),所以氮化碳中碳顯+4價(jià),氮顯3價(jià),B項(xiàng)符合題目要求。16.答案(1)Cl(2)He(3)F(4)K(5)818(7)(8)1s22s22p63s2或[Ne]3s2(9)第四周期第ⅠB族ds17.答案(1)(2)BD(3)①非極性②(4)3100d×解析(1)Cr為24號(hào)元素,其基態(tài)原子價(jià)層電子排布式為3d54s1,則基態(tài)Cr原子價(jià)電子的軌道表示式為。(2)鈹屬于s區(qū)元素,而鋁屬于p區(qū)元素,故A錯(cuò)誤;金屬越活潑,電負(fù)性越小,Mg比Be、Al活潑,則Be、Al兩金屬電負(fù)性都比鎂大,故B正確;Be的第一電離能比鎂大,而Mg因s軌道全充滿,第一電離能比Al大,故C錯(cuò)誤;Be2+和Al3+在溶液中均水解,則氯化物的水溶液pH均小于7,故D正確。(3)①BeCl2分子中Be原子形成2個(gè)Be—Cl,Be原子的雜化軌道數(shù)為2,故Be原子采取sp雜化,是直線形結(jié)構(gòu),屬于非極性分子。②在二聚分子(BeCl2)2中Be原子有空軌道,Cl原子有孤電子對(duì),則配位鍵中電子對(duì)由氯原子提供,b的結(jié)構(gòu)式為。(4)BeO立方晶胞如題圖所示,則晶胞中Be2+數(shù)目為4,O2-數(shù)目為8×18+6×12=4,晶胞中含有4個(gè)BeO,晶胞的質(zhì)量為4×25NAg,晶胞的邊長(zhǎng)為anm,則晶胞的體積為(a×107)3cm3,晶胞的密度dg·cm3=4×18.答案(1)[Ar]3d5或1s22s22p63s23p63d5(2)①13NA或13×6.02×1023②異硫氰酸或(3)4∶1(4)①O>N>C>H②sp3和sp2解析(1)Fe為26號(hào)元素,則基態(tài)Fe3+的核外電子排布式為[Ar]3d5或1s22s22p63s23p63d5。(2)苯酚的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為,1個(gè)苯酚分子中有13個(gè)單鍵和一個(gè)大π鍵;硫氰酸分子間無(wú)法形成氫鍵,異硫氰酸分子間可形成氫鍵,因此異硫氰酸的沸點(diǎn)較高。(3)N原子在體心,因此晶胞中含1個(gè)N原子,Fe原子數(shù)目為8×18+6×12=4,因此Fe、N微粒個(gè)數(shù)之比為4∶(4)電負(fù)性大小順序?yàn)镺>N>C>H,氮原子有的形成3個(gè)單鍵,有的形成雙鍵,因此氮原子的雜化方式有sp2和sp3兩種。19.答案(1)1s22s22p63s23p63d10(或[Ar]3d10)14(2)b(3)共價(jià)晶體(4)sp3(5)GeO14ρa(bǔ)3NA解析(1)Cu為29號(hào)元素,Cu原子失去最外層1個(gè)電子得到Cu+,則基態(tài)Cu+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d10,其電子占據(jù)的原子軌道數(shù)目為1+1+3+1+3+5=14。(2)同主族元素自上而下第一電離能逐漸減小,P元素原子的3p軌道為半充滿的穩(wěn)定狀態(tài),第一電離能高于同周期相鄰元素,故Si的第一電離能最小,由圖甲中第一電離能大小可知,曲線c代表硅元素的電離能;P原子失去第3個(gè)電子后,3p軌道為全空的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),第四電離能對(duì)應(yīng)為失去3s軌道中的1個(gè)電子,與第三電離能相差較大,可知曲線b代表磷元素的電離能,曲線a代表碳元素的電離能。(3)常壓下,GaN晶體熔點(diǎn)為1700℃,故其晶體類型為共價(jià)晶體。(4)[B(OH)4]中B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4,其雜化軌道類型為sp3。(5)晶胞中含有氧原子數(shù)目為8×18+6×12=4,鍺原子數(shù)目為4,故該物質(zhì)的化學(xué)式為GeO;設(shè)鍺的相對(duì)原子質(zhì)量為x,則GeO的相對(duì)分子質(zhì)量為x+16,可得4(x+16)g·mol1=ρg·cm3×(acm)3×NA