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文檔簡(jiǎn)介
Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹TFT-LCD簡(jiǎn)介1.何謂TFT-LCD:
TFT─ThinFilmTransistor薄膜晶體管
LCD─LiquidCrystalDisplay
液晶顯示器
2.應(yīng)用:由于TFT-LCD具有體積小、重量輕、低輻射、低耗電量、全彩化等優(yōu)點(diǎn),故已廣泛使用于各類(lèi)顯示器材上天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹數(shù)碼相機(jī)數(shù)碼攝錄影機(jī)汽車(chē)導(dǎo)航顯示器數(shù)碼影音光碟機(jī)筆記型電腦桌上型顯示器液晶電視天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹廠商地區(qū)尺寸投產(chǎn)日期2002200320042005設(shè)計(jì)產(chǎn)能LG.PhilipsLCD韓國(guó)龜尾第5代1000X12001季度6萬(wàn)/月韓國(guó)龜尾第5代1100X12501季度6萬(wàn)/月韓國(guó)龜尾第6代1500X18504季度9萬(wàn)/月三星電子韓國(guó)天安第5代1100X12504季度10萬(wàn)/月韓國(guó)天安第5代1100X13004季度10萬(wàn)/月韓國(guó)牙山第7代1870X22001季度7萬(wàn)/月友達(dá)光電臺(tái)灣龍?zhí)兜?代1100X12502季度5萬(wàn)/月臺(tái)灣龍?zhí)兜?代1100X13002季度7萬(wàn)/月奇美電子臺(tái)灣臺(tái)南第5代1100X13001季度>6萬(wàn)/月中華映管中國(guó)臺(tái)灣第4.5代730X9202季度7萬(wàn)/月瀚宇彩晶臺(tái)灣臺(tái)南第5代1200X13001季度6萬(wàn)/月廣輝電子臺(tái)灣桃園第5代1100X13002季度6萬(wàn)/月群創(chuàng)光電中國(guó)臺(tái)灣第5代1100X12502季度3.5萬(wàn)/月夏普日本第6代1500X18001季度4.5萬(wàn)/月日本第6代1500X18002季度1.5萬(wàn)/月京東方中國(guó)北京第5代1100X12501季度6萬(wàn)/月上廣電-NEC中國(guó)上海第5代1100X13004季度4.5萬(wàn)/月上天馬中國(guó)上海第4.5代730X9202007.3季度3萬(wàn)/月天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹解析度:顯示器上水平方向、垂直方向畫(huà)素(pixel)之?dāng)?shù)目天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹Cell工程Module工程[信號(hào)基板][驅(qū)動(dòng)IC][LCDPanel][BLU][LCDModule][連接電路][保護(hù)板]検査裝配綁定[LCDPanel]液晶滴下真空貼合
切割[CF][TFT基板]TFT工程成膜[膜][Glass基板][PR]塗布曝光[Mask]現(xiàn)像刻蝕剝離[TFT基板]重復(fù)[Glass基板]天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹PhotoProcess–ResistCoatingSpincoatingSlit(extrusion)coating天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹薄膜生長(zhǎng)制程天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹PVD天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)—濕刻
將顯影后所產(chǎn)生的光阻圖案轉(zhuǎn)印到光阻下的材質(zhì)上,形成由光刻技術(shù)定義的圖形.刻蝕利用等離子體電漿去除薄膜未被光阻覆蓋的部分—干刻天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹EtchingtypeSubstrateChemicalIsotropicPlasmaIsotropic+AnisotropicWetetchDryetchPRPR膜膜基板基板PR膜基板IsotropicAnisotropicEtchant等方向浸入造成SideEtch天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹EtchingtypeselectionPEP1Mo/AlNdwetetchPEP2SiNx/α-Si/n+-SidryetchPEP3Mo/Al/Mo;α-Si/n+-Siwet/dryetchPEP4SiNxdryetchPEP5ITOwetetch天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹干刻用氣體
反應(yīng)方程:Cl2+SF6+Si→SiF4↑+SiS2↑+其他
Cl2:Cl元素的供給源,刻蝕a-Si的主要?dú)怏w。
SF6:F元素的供給源,用來(lái)與a-Si發(fā)生反應(yīng),提高刻蝕速率。a-Si的刻蝕反應(yīng)方程:SF6+He+SiN→SiF4↑+SiS2↑+其他
SF6:F元素的供給源。
He:使等離子體均一化
2.SiN的刻蝕3.PR灰化(Ashing)反應(yīng)方程:PR+O2→O2:利用等離子體方法去除PRO2:有利于形成Taper角天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹濕刻M1:Mo/AlNdM2:Mo/Al/MoITO草酸(H2C2O4)HNO3+CH3COOH+H3PO4天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹EtchingmodeSpray噴淋Spray+DipDip浸入GoodtapershapeFasterEtchingrateStep1:SprayStep2:Dip天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹AOI
←2160mm→←2400mm→
3GB×44unit=132GBG8SizeTheCCDsensordetectthesubstrate,Imagebytheprocessunit.DefectcanbereviewedpreciselyAOI–Autoopticalinspection天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹TEGproberandTester天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹Arraylaserrepair天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹AfterStriperAfterlaserrepairInlayerrepair(PEP1)DatafromAOIExample:MetalAl/ND:532nm天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹DefecttypeRepairmethodMetalresidueMetalresidueGCshort用Blocklaser將殘留metal打掉用Blocklaser將殘留metal打掉Metalresidue用Blocklaser將殘留metal打掉波長(zhǎng)選擇532nm天馬微-Array制程與檢測(cè)介紹技術(shù)名稱(chēng)優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)半反射半透射技術(shù)
(Transflective)省電、室外顯示效果好制程復(fù)雜、良率降低多疇垂直取向/電極圖形垂直取向技術(shù)(MVA/PVA)視角廣、對(duì)比度高、響應(yīng)時(shí)間短、不需要摩擦制程制程復(fù)雜、良率降低平面內(nèi)轉(zhuǎn)換技術(shù)(IPS)視角廣、低色移制程復(fù)雜、良率降低、透過(guò)率低、耗電量高光學(xué)補(bǔ)償彎曲排列技術(shù)
(OCB)響應(yīng)速度快(包括低溫情況)、視角廣制程復(fù)雜、良率降低、需要預(yù)置電壓有機(jī)膜高開(kāi)口率技術(shù)
(HAR)開(kāi)口率高、透過(guò)率高制
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