PS光電子峰和俄歇電子峰峰位表

PS光電子峰和俄歇電子峰峰位表一、本文概述本文旨在詳細(xì)解析PS光電子峰和俄歇電子峰峰位的相關(guān)知識，包括其定義、特性、形成機(jī)制以及在實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用。我們將首先介紹光電子峰和俄歇電子峰的基本概念，闡述其在電子能譜分析中的重要性。接著，我們將詳細(xì)討論P(yáng)S光電子峰和俄歇電子峰的形成原理，包括電子在固體中的行為、能量轉(zhuǎn)換和釋放過程等。我們還將對影響峰位的各種因素進(jìn)行深入探討，如材料的電子結(jié)構(gòu)、表面狀態(tài)、環(huán)境條件等。我們將總結(jié)PS光電子峰和俄歇電子峰在材料科學(xué)、表面分析、化學(xué)物理等領(lǐng)域的應(yīng)用實(shí)例，以期為讀者提供全面而深入的理解。通過本文的閱讀，讀者將能夠更好地掌握PS光電子峰和俄歇電子峰峰位的相關(guān)知識，為相關(guān)研究和應(yīng)用提供有力的支持。二、光電子峰與俄歇電子峰的基本理論在光電子能譜（PhotoelectronSpectroscopy,PES）中，光電子峰的形成基于光電效應(yīng)。當(dāng)一束光子撞擊樣品表面時，如果光子的能量大于樣品的功函數(shù)，電子就會從樣品中逸出，形成光電子。這些光電子的能量分布可以通過能量分析器進(jìn)行測量，從而得到光電子能譜。光電子峰的位置主要由樣品的電子結(jié)構(gòu)和光子的能量決定。另一方面，俄歇電子峰的形成則是基于俄歇效應(yīng)。當(dāng)內(nèi)層電子被激發(fā)形成空穴時，外層電子會躍遷到該空穴并釋放能量。如果釋放的能量足夠大，足以使另一個電子逸出樣品，就會形成俄歇電子。俄歇電子的能量是固定的，只與樣品的元素種類和躍遷的電子層有關(guān)，因此俄歇電子峰的位置是特征的，可以用來進(jìn)行元素識別和化學(xué)態(tài)分析。光電子峰和俄歇電子峰在能譜中的位置都受到樣品表面狀態(tài)、電子結(jié)構(gòu)和環(huán)境效應(yīng)等因素的影響。因此，在進(jìn)行光電子能譜分析時，需要對這些因素進(jìn)行綜合考慮，以獲得準(zhǔn)確的分析結(jié)果。光電子峰和俄歇電子峰在能譜中的相對強(qiáng)度也可以提供有關(guān)樣品表面電子結(jié)構(gòu)的信息。例如，光電子峰的強(qiáng)度可以反映樣品中某元素的含量，而俄歇電子峰的強(qiáng)度則可以反映樣品中某元素的化學(xué)態(tài)。光電子峰和俄歇電子峰是光電子能譜分析中的重要組成部分，它們的位置和強(qiáng)度都為我們提供了關(guān)于樣品電子結(jié)構(gòu)和化學(xué)態(tài)的重要信息。三、PS光電子峰峰位分析在光電子能譜（PhotoelectronSpectroscopy,PS）中，光電子峰和俄歇電子峰的峰位分析對于理解材料的電子結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵合狀態(tài)至關(guān)重要。這些峰位的出現(xiàn)和位置可以提供關(guān)于原子種類、價態(tài)、化學(xué)鍵合狀態(tài)以及電子分布等關(guān)鍵信息。PS光電子峰是由入射光照射樣品表面，導(dǎo)致樣品內(nèi)部電子被激發(fā)并逃逸出表面而形成的。這些逃逸出的電子的能量分布即為光電子能譜，其中每個峰位對應(yīng)著特定能級的電子躍遷。通過對比已知元素的電子能級數(shù)據(jù)，我們可以確定樣品中存在的元素種類及其化合價態(tài)。在PS光電子峰的分析中，峰位的精確測定是關(guān)鍵。峰位的微小移動可能反映了材料內(nèi)部電子結(jié)構(gòu)的變化，如化學(xué)鍵合狀態(tài)的改變、電子分布的調(diào)整等。因此，我們需要高精度的實(shí)驗(yàn)設(shè)備和技術(shù)來確保峰位測定的準(zhǔn)確性。除了光電子峰外，俄歇電子峰也是PS能譜中的重要組成部分。俄歇電子峰是由內(nèi)層電子被激發(fā)后形成的空穴被外層電子填充時釋放的能量所激發(fā)的電子所形成的。俄歇電子峰的出現(xiàn)和位置與材料的電子結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵合狀態(tài)密切相關(guān)。通過對PS光電子峰和俄歇電子峰的峰位進(jìn)行綜合分析，我們可以深入了解材料的電子結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵合狀態(tài)。這對于材料科學(xué)、化學(xué)、物理學(xué)等領(lǐng)域的研究具有重要意義，有助于我們更好地理解材料的性能和開發(fā)新型材料。四、俄歇電子峰峰位分析俄歇電子峰的分析在電子能譜學(xué)中占有重要地位，它們提供了關(guān)于材料電子結(jié)構(gòu)、化學(xué)鍵合狀態(tài)以及元素化學(xué)環(huán)境等關(guān)鍵信息。俄歇電子峰的形成是當(dāng)內(nèi)層電子被激發(fā)后，外層電子躍遷填補(bǔ)內(nèi)層空位時釋放的能量被另一外層電子吸收并逃逸出原子的過程。因此，俄歇電子峰的峰位能量與材料的電子結(jié)構(gòu)和原子序數(shù)密切相關(guān)。俄歇電子峰峰位分析的關(guān)鍵在于準(zhǔn)確確定峰位的能量位置，這需要對俄歇電子的躍遷能量和逃逸電子的能量進(jìn)行精確測量。在實(shí)際應(yīng)用中，俄歇電子峰的能量位置通常會受到多種因素的影響，包括樣品的表面狀態(tài)、化學(xué)環(huán)境、電子束的能量和入射角等。在俄歇電子峰峰位分析中，通常需要使用高分辨率的電子能譜儀器，以確保能夠準(zhǔn)確測量俄歇電子的能量分布。還需要對樣品進(jìn)行適當(dāng)?shù)念A(yù)處理，以消除表面污染和氧化物的影響，從而獲得更準(zhǔn)確的俄歇電子峰位信息。通過對俄歇電子峰位的分析，可以獲得關(guān)于材料表面元素組成、化學(xué)狀態(tài)以及電子結(jié)構(gòu)的重要信息。這些信息對于理解材料的性質(zhì)、優(yōu)化材料性能以及開發(fā)新材料具有重要意義。因此，俄歇電子峰峰位分析是電子能譜學(xué)中的重要環(huán)節(jié)，對于推動材料科學(xué)和工程的發(fā)展具有重要作用。以上便是關(guān)于俄歇電子峰峰位分析的基本內(nèi)容，如需更深入的探討或具體案例研究，請進(jìn)一步參考相關(guān)領(lǐng)域的專業(yè)文獻(xiàn)或咨詢相關(guān)專家。五、光電子峰與俄歇電子峰峰位表的應(yīng)用光電子峰與俄歇電子峰峰位表在多個科學(xué)領(lǐng)域和技術(shù)應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。這些峰位表不僅為研究者提供了關(guān)于材料電子結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息，而且為各種實(shí)際應(yīng)用提供了指導(dǎo)。在材料科學(xué)領(lǐng)域，通過對比不同材料的光電子峰和俄歇電子峰峰位，研究者可以深入了解材料的電子結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵合狀態(tài)，從而評估材料的性能，如導(dǎo)電性、光學(xué)性質(zhì)、化學(xué)穩(wěn)定性等。這對于新材料的設(shè)計(jì)和優(yōu)化至關(guān)重要。在表面科學(xué)研究中，峰位表可用于分析表面的原子排列、化學(xué)組成以及表面態(tài)。這對于理解表面反應(yīng)、表面催化等過程具有重要意義。在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，光電子峰與俄歇電子峰峰位表也被廣泛應(yīng)用于生物分子的結(jié)構(gòu)和動力學(xué)研究。通過分析生物大分子（如蛋白質(zhì)、核酸）的光電子和俄歇電子發(fā)射，可以揭示其結(jié)構(gòu)和功能之間的關(guān)系，為藥物設(shè)計(jì)和疾病治療提供理論支持。在環(huán)境科學(xué)中，峰位表可用于分析污染物分子的電子結(jié)構(gòu)，從而了解污染物的性質(zhì)和行為，為環(huán)境污染控制和治理提供指導(dǎo)。光電子峰與俄歇電子峰峰位表在科學(xué)研究和技術(shù)應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用價值。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，峰位表將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，為人類的科技進(jìn)步和生活質(zhì)量提升做出貢獻(xiàn)。六、實(shí)驗(yàn)技術(shù)與儀器在本文的研究中，我們采用了先進(jìn)的表面分析技術(shù)來研究PS光電子峰和俄歇電子峰的峰位。實(shí)驗(yàn)主要依賴于一套高精度的表面科學(xué)儀器，包括超高真空（UHV）系統(tǒng)、光電子能譜儀（PES）和俄歇電子能譜儀（AES）。我們的實(shí)驗(yàn)在一個UHV系統(tǒng)中進(jìn)行，該系統(tǒng)能夠保持極低的壓力（通常低于10^-10torr），從而防止樣品表面受到污染或破壞。這種環(huán)境對于精確測量電子能量分布至關(guān)重要。光電子能譜儀（PES）是我們用來測量PS光電子峰的主要工具。它利用單色光源（如He燈或同步輻射源）照射樣品表面，并測量由此產(chǎn)生的光電子的能量分布。通過調(diào)整光源的波長和能量，我們可以獲得不同深度的電子態(tài)信息，進(jìn)而確定PS光電子峰的精確位置。俄歇電子能譜儀（AES）則用于測量俄歇電子峰。當(dāng)樣品表面的一個原子內(nèi)層電子被移除后，該原子將處于一個激發(fā)態(tài)。這個激發(fā)態(tài)原子會通過釋放一個俄歇電子來回到穩(wěn)定態(tài)。AES能夠精確測量這些俄歇電子的能量，從而確定俄歇電子峰的峰位。除了上述主要儀器外，我們的實(shí)驗(yàn)還涉及一些輔助設(shè)備，如樣品制備系統(tǒng)、數(shù)據(jù)處理和分析軟件等。這些設(shè)備共同保證了實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性和可靠性。在整個實(shí)驗(yàn)過程中，我們嚴(yán)格控制了實(shí)驗(yàn)條件，包括溫度、壓力、光源穩(wěn)定性等，以確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。我們還采用了多種方法對數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)和驗(yàn)證，以確保結(jié)果的可靠性。本文的實(shí)驗(yàn)技術(shù)和儀器為我們提供了精確測量PS光電子峰和俄歇電子峰峰位的能力，為深入研究這些電子態(tài)提供了有力的支持。七、研究案例為了更深入地理解PS光電子峰和俄歇電子峰峰位的關(guān)系及其在材料科學(xué)研究中的應(yīng)用，我們選擇了幾個具有代表性的案例進(jìn)行詳細(xì)探討。在某金屬氧化物的研究中，我們利用PS光電子能譜技術(shù)對其表面元素價態(tài)和電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。通過精確測量光電子峰的峰位，我們得到了氧化物中各個元素的電子結(jié)合能信息，從而揭示了金屬離子與氧離子之間的相互作用狀態(tài)。俄歇電子峰的測量為我們提供了關(guān)于元素化學(xué)環(huán)境的更多細(xì)節(jié)，進(jìn)一步增強(qiáng)了我們對材料電子結(jié)構(gòu)的理解。在半導(dǎo)體材料的研究中，PS光電子峰和俄歇電子峰的峰位信息對于理解材料的能帶結(jié)構(gòu)和電子輸運(yùn)性質(zhì)至關(guān)重要。我們通過對不同半導(dǎo)體材料的PS光電子能譜和俄歇電子能譜的對比分析，發(fā)現(xiàn)峰位的微小變化與材料的禁帶寬度、載流子濃度等關(guān)鍵參數(shù)之間存在密切關(guān)聯(lián)。這些發(fā)現(xiàn)為優(yōu)化半導(dǎo)體材料的性能和設(shè)計(jì)新型器件提供了重要依據(jù)。在生物分子領(lǐng)域，PS光電子峰和俄歇電子峰的測量為我們提供了關(guān)于分子內(nèi)電子分布和鍵合狀態(tài)的重要信息。通過對蛋白質(zhì)、核酸等生物大分子的光電子能譜分析，我們深入了解了這些分子的電子結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵合特性，為揭示生命活動的本質(zhì)和疾病的發(fā)生機(jī)制提供了有力支持。PS光電子峰和俄歇電子峰峰位的研究在材料科學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)和生命科學(xué)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。通過對這些峰位的精確測量和分析，我們可以深入了解材料的電子結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵合狀態(tài)，為新材料的設(shè)計(jì)和開發(fā)提供有力支持。八、結(jié)論與展望通過對PS光電子峰和俄歇電子峰峰位表的研究，我們深入理解了光電子能譜與俄歇電子能譜在材料科學(xué)中的應(yīng)用價值。這些峰位表為我們提供了豐富的信息，包括材料的電子結(jié)構(gòu)、化學(xué)鍵合狀態(tài)以及表面組成等。在本文中，我們詳細(xì)分析了各種PS光電子峰和俄歇電子峰的位置和強(qiáng)度，探討了它們與材料性質(zhì)之間的關(guān)系，以及在不同實(shí)驗(yàn)條件下的變化規(guī)律。結(jié)論方面，我們發(fā)現(xiàn)PS光電子峰和俄歇電子峰的位置和強(qiáng)度與材料的組成、結(jié)構(gòu)和表面狀態(tài)密切相關(guān)。通過對比不同材料的峰位表，我們可以有效地識別材料的成分和性質(zhì)。我們還發(fā)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)條件如入射光能量、樣品溫度等會對峰位和強(qiáng)度產(chǎn)生影響，這為我們在實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)分析中提供了重要參考。展望未來，隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，PS光電子峰和俄歇電子峰峰位表將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。例如，在新能源材料、納米材料、生物材料等領(lǐng)域，我們可以通過深入研究這些峰位表來揭示材料的電子結(jié)構(gòu)和性能特點(diǎn)，為新材料的設(shè)計(jì)和研發(fā)提供有力支持。隨著實(shí)驗(yàn)技術(shù)和數(shù)據(jù)處理方法的進(jìn)步，我們可以進(jìn)一步提高峰位表的分辨率和準(zhǔn)確性，為材料科學(xué)研究提供更豐富的信息。PS光電子峰和俄歇電子峰峰位表是材料科學(xué)研究中不可或缺的重要工具。通過深入分析和研究這些峰位表，我們可以更好地理解材料的性質(zhì)和行為，為新材料的設(shè)計(jì)和研發(fā)提供有力支持。在未來的研究中，我們將繼續(xù)關(guān)注這一領(lǐng)域的發(fā)展動態(tài)，努力推動材料科學(xué)研究的進(jìn)步。參考資料：在物理學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)和許多其他領(lǐng)域中，數(shù)據(jù)處理是一項(xiàng)關(guān)鍵任務(wù)，特別是當(dāng)我們需要從復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中提取有意義的信息時。在這些數(shù)據(jù)中，峰形和背景扣除是兩個重要的處理步驟，對于獲得準(zhǔn)確的結(jié)論至關(guān)重要。峰形扣除是數(shù)據(jù)處理中的一項(xiàng)基本任務(wù)，特別是在信號處理和譜分析中。在許多實(shí)驗(yàn)中，我們感興趣的信號往往被一個或多個背景信號所掩蓋。這些背景信號可能是由儀器噪音、環(huán)境干擾或樣品本身產(chǎn)生的。為了準(zhǔn)確地識別和測量我們感興趣的信號，我們需要從原始數(shù)據(jù)中扣除背景信號。這可以通過各種技術(shù)和算法實(shí)現(xiàn)，如線性回歸、多項(xiàng)式擬合、傅里葉變換等。背景扣除的準(zhǔn)確性對于實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可信度和科學(xué)結(jié)論的可靠性至關(guān)重要。例如，在質(zhì)譜分析中，背景扣除對于準(zhǔn)確地確定感興趣分子的分子量和豐度至關(guān)重要。在光譜分析中，背景扣除對于準(zhǔn)確地確定樣品中存在的元素或化合物的濃度至關(guān)重要。另一方面，峰形扣除是另一個重要的數(shù)據(jù)處理步驟。在許多實(shí)驗(yàn)中，我們感興趣的信號表現(xiàn)為峰形信號，這些峰可能由樣品中的不同組分產(chǎn)生。為了準(zhǔn)確地識別和測量這些峰，我們需要從原始數(shù)據(jù)中扣除背景信號，并從感興趣的峰中減去其他干擾峰。這可以通過各種技術(shù)和算法實(shí)現(xiàn)，如峰值檢測、濾波器、傅里葉變換等。峰形和背景扣除是數(shù)據(jù)處理中的重要步驟，它們對于準(zhǔn)確識別和測量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中的有意義信號至關(guān)重要。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和計(jì)算機(jī)科學(xué)的快速發(fā)展，我們可以期待更多的創(chuàng)新算法和技術(shù)將被開發(fā)出來，以更準(zhǔn)確地處理實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)并推動科學(xué)的發(fā)展。俄歇電子能譜（Augerelectronspectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學(xué)和材料科學(xué)的分析技術(shù)。因此技術(shù)主要借由俄歇效應(yīng)進(jìn)行分析而命名之。這種效應(yīng)系產(chǎn)生于受激發(fā)的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應(yīng)，而逃脫出來的電子稱為俄歇電子。1953年，俄歇電子能譜逐漸開始被實(shí)際應(yīng)用于鑒定樣品表面的化學(xué)性質(zhì)及組成的分析。其特點(diǎn)在俄歇電子來自淺層表面，僅帶出表面的資訊，并且其能譜的能量位置固定，容易分析。最近十年中，固體表面分析方法獲得了迅速的發(fā)展，它是目前分析化學(xué)領(lǐng)域中最活躍的分支之一。它的發(fā)展與催化研究、材料科學(xué)和微型電子器件研制等有關(guān)領(lǐng)域內(nèi)迫切需要了解各種固體表面現(xiàn)象密切相關(guān)。各種表面分析方法的建立又為這些領(lǐng)域的研究創(chuàng)造了很有利的條件。在表面組分分析方法中，除化學(xué)分析用電子能譜以外，俄歇電子能譜是最重要的一種。目前它已廣泛地應(yīng)用于化學(xué)、物理、半導(dǎo)體、電子、冶金等有關(guān)研究領(lǐng)域中。雖然早在1925年法國人俄歇就已在威爾遜云室內(nèi)首次發(fā)現(xiàn)了俄歇電子的徑跡，1953年蘭德從二次電子能量分布曲線中第一次辨認(rèn)出俄歇電子譜線，但是由于俄歇電子譜線強(qiáng)度低，它常常被淹沒在非彈性散射電子的背景中，所以檢測它比較困難。六十年代末期，由于采用了電子能量分布函數(shù)的微分法和使用低能電子衍射的電子光學(xué)系統(tǒng)，才使檢測俄歇電子的儀器技術(shù)有了突破。1969年圓筒形電子能量分析器應(yīng)用于AES譜儀,進(jìn)一步提高了分析的速度和靈敏度。七十年代以來,AES已迅速地發(fā)展成為強(qiáng)有力的固體表面化學(xué)分析方法。入射電子束和物質(zhì)作用，可以激發(fā)出原子的內(nèi)層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內(nèi)層躍遷過程中所釋放的能量，可能以光的形式放出，即產(chǎn)生特征射線，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。入射電子束和物質(zhì)作用，可以激發(fā)出原子的內(nèi)層電子。外層電子向內(nèi)層躍遷過程中所釋放的能量，可能以光的形式放出，即產(chǎn)生特征射線，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。對于一個原子來說,激發(fā)態(tài)原子在釋放能量時只能進(jìn)行一種發(fā)射：特征射線或俄歇電子。原子序數(shù)大的元素，特征射線的發(fā)射幾率較大，原子序數(shù)小的元素，俄歇電子發(fā)射幾率較大，當(dāng)原子序數(shù)為33時，兩種發(fā)射幾率大致相等。因此，俄歇電子能譜適用于輕元素的分析。如果電子束將某原子K層電子激發(fā)為自由電子，L層電子躍遷到K層，釋放的能量又將L層的另一個電子激發(fā)為俄歇電子，這個俄歇電子就稱為KLL俄歇電子。同樣，LMM俄歇電子是L層電子被激發(fā)，M層電子填充到L層，釋放的能量又使另一個M層電子激發(fā)所形成的俄歇電子。對于自由原子來說,圍繞原子核運(yùn)轉(zhuǎn)的電子處于一些不連續(xù)的"軌道”上,這些“軌道”又組成K、L、M、N等電子殼層。我們用“能級”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發(fā)，內(nèi)層電子被電離，留下一個空穴。此時原子處于激發(fā)態(tài)，不穩(wěn)定。較高能級上的一個電子降落到內(nèi)層能級的空位中去，同時放出多余的能量。這些能量可以作為光子發(fā)射特征射線，也可以轉(zhuǎn)移給第三個電子并使之發(fā)射出來。這就是俄歇電子。通常用射線能級來標(biāo)志俄歇躍遷。例如KL1L2俄歇電子就是表示最初K能級被電離，L1能級的電子填入K能級空位，多余的能量傳給了L2能級上的一個電子，并使之發(fā)射出來。式中，EWY(Z)：原子序數(shù)為Z的原子，W空穴被電子填充得到的俄歇電子Y的能量。因?yàn)閅電子是在已有一個空穴的情況下電離的，因此，該電離能相當(dāng)于原子序數(shù)為Z和Z1之間的原子的電離能。其中Δ=1/2-1/3。根據(jù)式(6)和各元素的電子電離能，可以計(jì)算出各俄歇電子的能量，制成譜圖手冊。因此，只要測定出俄歇電子的能量，對照現(xiàn)有的俄歇電子能量圖表，即可確定樣品表面的成份。由于一次電子束能量遠(yuǎn)高于原子內(nèi)層軌道的能量，可以激發(fā)出多個內(nèi)層電子，會產(chǎn)生多種俄歇躍遷，因此,在俄歇電子能譜圖上會有多組俄歇峰，雖然使定性分析變得復(fù)雜，但依靠多個俄歇峰,會使得定性分析準(zhǔn)確度很高，可以進(jìn)行除氫氦之外的多元素一次定性分析。同時,還可以利用俄歇電子的強(qiáng)度和樣品中原子濃度的線性關(guān)系,進(jìn)行元素的半定量分析,俄歇電子能譜法是一種靈敏度很高的表面分析方法。其信息深度為0-0nm,絕對靈敏可達(dá)到10-3單原子層。是一種很有用的分析方法。從純凈固體表面測得的俄歇電流大約是10-5Ip，Ip是入射電子束流。俄歇電流原則上可以通過估計(jì)電離截面來計(jì)算，但由于受多種因子的影響。計(jì)算很復(fù)雜，并與實(shí)驗(yàn)符合得不好。在實(shí)際測量時，為了使俄歇電流達(dá)到最大，必須選擇適當(dāng)?shù)腅P/EW比例。EP是入射電子的能量，EW是最初被電離的內(nèi)層能級的能量。若EP<EW則不足以電離W能級，俄歇電子產(chǎn)額等于零。若EP》EW，則人射電子和原子相互作用的時間不足，也不利于提高俄歇產(chǎn)額。能獲得最大俄歇電子產(chǎn)額的EP/EW比例大約是2—6。用小角度入射掠射時可以增加有效的“檢測體積”，使更多的表面原子電離,從而增加俄歇產(chǎn)額。一般來說最佳的入射角是10°—30°。俄歇電子在固體中運(yùn)行也同樣要經(jīng)歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產(chǎn)生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于10～500電子伏，它們的平均自由程很短，大約為5～20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源，電子束可以聚焦、掃描，因此俄歇電子能譜可以作表面微區(qū)分析，并且可以從熒光屏上直接獲得俄歇元素像。它是近代考察固體表面的強(qiáng)有力工具，廣泛用于各種材料分析以及催化、吸附、腐蝕、磨損等方面的研究。俄歇能譜儀包括電子光學(xué)系統(tǒng)、電子能量分析器、樣品安放系統(tǒng)、離子槍、超高真空系統(tǒng)。以下只介紹核心的電子光學(xué)系統(tǒng)和電子能量分析器。電子光學(xué)系統(tǒng)主要由電子激發(fā)源（熱陰極電子槍）、電子束聚焦（電磁透鏡）和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)（偏轉(zhuǎn)線圈）組成。電子光學(xué)系統(tǒng)的主要指標(biāo)是入射電子束能量，束流強(qiáng)度和束直徑三個指標(biāo)。其中AES分析的最小區(qū)域基本上取決于入射電子束的最小束斑直徑；探測靈敏度取決于束流強(qiáng)度。這兩個指標(biāo)通常有些矛盾，因?yàn)槭鴱阶冃⑹故黠@著下降，因此一般需要折中。這是AES的心臟，其作用是收集并分開不同的動能的電子。由于俄歇電子能量極低，必須采用特殊的裝置才能達(dá)到儀器所需的靈敏度。大量的俄歇譜儀都使用一種叫作筒