JJF電子0061─2021半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件校準(zhǔn)規(guī)范

JJF（電子）XXXX─XXXX半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件校準(zhǔn)規(guī)范1范圍本規(guī)范適用于施加偏置電壓0.1V～3kV、偏置電流≤30A、偏置（脈沖）電流≤500A，準(zhǔn)確度在0.5%～10%的二極管、雙極晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管等半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件的直流參數(shù)的校準(zhǔn)。2概述半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件，是通過(guò)老化、篩選等流程挑選出來(lái)的半導(dǎo)體器件或模擬器件，其導(dǎo)電性介于導(dǎo)電體與絕緣體之間，是利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定參數(shù)驗(yàn)證的電子元器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。3計(jì)量特性3.1直流參數(shù)量值3.1.1二極管直流參數(shù)a）擊穿電壓VR電壓范圍：30V~3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。b）反向漏電流IR電流范圍：10μA～10mA，電壓范圍：30V~3kV，最大允許誤差：±（3～10）%。c）正向結(jié)電壓VF電壓范圍：0.1V～30V，電流范圍：10μA～1200A，最大允許誤差：±（3～10）%。d）穩(wěn)定電壓VZ（穩(wěn)壓二極管）電壓范圍：0.1V～30V，電流范圍：10μA～10A，最大允許誤差：±（3～10）%。3.1.2雙極型晶體管直流參數(shù)a）集電極-基極擊穿電壓VCBO電壓范圍：30V~3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。b）發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。c）集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。d）集電極-基極漏電流ICBO電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10uA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。e）集電極-發(fā)射極截止電流ICEO電壓范圍：30V~3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。f）發(fā)射極-基極截止電流IEBO電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。g）共發(fā)射極正向電流傳輸比hFE電壓VCE范圍：0.1V～30V，電流IC范圍：10A～1000A；電流IB范圍:10μA～10A，最大允許誤差：±（3～10）%。h）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat電壓VCE范圍：0.1V～30V；電壓VBE范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流IC范圍:10A～1000A；電流IB范圍:10μA～10A，最大允許誤差：±（3～10）%。i）基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat電壓VCE范圍：0.1V～30V；電壓VBE范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流IC范圍：10A～1000A；電流IB范圍:10μA～10A，最大允許誤差：±（3～10）%。3.1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體管直流參數(shù)a）閾值電壓VGS(th)電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10uA～10A，最大允許誤差：±（1～10）%。b）源極通態(tài)漏極電流ID(on)漏-源極電壓VDS范圍：0.1V～30V，柵-源極電壓VGS范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，漏極電流ID范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（1～10）%。c）靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻RDS(on)漏-源極電壓VDS范圍：0.1V～30V，柵-源極電壓VGS范圍，-30V～-0.1V，0.1V～30V，漏極電流ID范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（1～10）%。d）漏-源“通態(tài)”電壓VDS(on)漏-源極電壓VDS范圍：0.1V～30V，柵-源極電壓VGS范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，漏極電流ID范圍：10A～1000A；柵極電流IG范圍:10μA～10A，最大允許誤差：±（1～10）%。e）正向跨導(dǎo)gm漏-源極電壓VDS范圍：0.1V～30V；柵-源極電壓VGS范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，漏極電流ID范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（1～10）%。f）漏-源擊穿電壓V(BR)DSS電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。g）柵-源擊穿電壓V(BR)GSS電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。h）零柵壓漏極電流IDSS電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。i）柵極正向漏電流IGSSF電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。j）柵-源反向截止電流IGSSR電壓范圍：-30V～-0.1V，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。k）二極管正向壓降VSD漏-源極電壓VDS范圍：0.1V～30V，漏極電流ID范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（1～10）%。3.1.4絕緣柵雙極晶體管直流參數(shù)a）柵極閾電壓VGE(th)電壓范圍：0.1V～30V，電流范圍：10μA～10A，最大允許誤差：±（3～10）%。b）集電極-發(fā)射極的飽和電壓VCEsat電壓VCE范圍：0.1V～30V，電壓VGE范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流IC范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（3～10）%。c）零柵壓時(shí)的集電極電流ICES電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。d）柵極-發(fā)射極的漏電流IGES電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10uA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。e）正向跨導(dǎo)gm電壓VCE范圍：0.1V～30V；電壓VGE范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，漏極電流IC范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（3～10）%。f）集電極-發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CES電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。3.2短期穩(wěn)定性短期穩(wěn)定性考核，用表示，如無(wú)特殊規(guī)定，每隔24h測(cè)試一次，重復(fù)測(cè)量6次，測(cè)量二極管、雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管等半導(dǎo)體器件的直流參數(shù)，最大允許誤差為±3%。4校準(zhǔn)條件4.1環(huán)境條件4.1.1環(huán)境溫度：23℃±5℃；4.1.2相對(duì)濕度：≤75%；4.1.3電源要求：(220±22)V、(50±1)Hz；4.1.4周?chē)鸁o(wú)影響儀器正常工作的電磁干擾和機(jī)械振動(dòng)；4.1.5保證校準(zhǔn)過(guò)程中對(duì)靜電有嚴(yán)格的防護(hù)措施，以免損害儀器和被校二極管、雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管等半導(dǎo)體器件。4.2測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)4.2.1半導(dǎo)體器件直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)（以下簡(jiǎn)稱測(cè)試系統(tǒng)）a）直流電壓源范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，最大允許誤差：±0.5%；b）直流高壓源范圍：30V～3kV，最大允許誤差：±（0.5%～1%）；c）直流電流源范圍：1mA～10A，最大允許誤差：±0.5%；d）脈沖電流源范圍：10A～500A，脈沖寬度典型值300μs，最大允許誤差：±0.5%；e）漏電流測(cè)量范圍：100nA量程，最大允許誤差：±1%；±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%。針對(duì)不同的半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件，測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)指標(biāo)如下：a）二極管校準(zhǔn)參數(shù)電壓范圍及指標(biāo)電流范圍及指標(biāo)反向擊穿電壓VR30V~3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%反向漏電流IR30V~3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%正向結(jié)電壓VF0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%1mA～1200A技術(shù)指標(biāo)：±0.5%穩(wěn)定電壓VZ0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%1mA～10A技術(shù)指標(biāo)：±0.5%b）雙極型晶體管校準(zhǔn)參數(shù)電壓范圍及指標(biāo)電流范圍及指標(biāo)集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO30V～3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%10發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±1%100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO30V～3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%集電極-基極截止電流ICBO30V～3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%集電極-發(fā)射極截止電流ICEO30V～3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%發(fā)射極-基極截止電流IEBO-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%共發(fā)射極正向電流傳輸比hFEVCE:0.1V～+30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%IC:10A～1000A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%IB:1mA～10A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsatVCE:0.1V～+30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%VBE:-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%IC:10A～1000A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%IB:1mA～10A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsatVCE:0.1V～+30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%VBE:-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%IC:10A～1000A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%IB:1mA～10A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%c）場(chǎng)效應(yīng)晶體管校準(zhǔn)參數(shù)電壓范圍及指標(biāo)電流范圍及指標(biāo)柵—源閾值電壓VGS(th)-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%1mA～10A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%源極通態(tài)電流ID(on)VDS:0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%VGS:-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%ID:10A～1000A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%IG:1mA～10A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%靜態(tài)漏—源通態(tài)電阻rDS(on)VDS:0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%VGS:-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%ID:10A～1000A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%IG:1mA～10A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%漏—源“通態(tài)”電壓VDS(on)VDS:0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%VGS:-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%ID:10A～1000A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%IG:1mA～10A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%正向跨導(dǎo)gmVDS:0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±±0.5%VGS:-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%ID:10A～1000A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%漏—源擊穿電壓V(BR)DSS30V～3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）10μA、100μA、1mA、10mA技術(shù)指標(biāo)：±1%柵—源擊穿電壓V(BR)GSS30V～3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%柵—源短路時(shí)的漏極電流IDSS30V～3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%柵極正向漏電流IGSSF-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%柵極反向漏電流IGSSR-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%二極管正向電壓降VSDVDS:0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±0.5%ID:10A～1200A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%d）絕緣柵雙極晶體管校準(zhǔn)參數(shù)電壓范圍及指標(biāo)電流范圍及指標(biāo)柵極閾電壓VGE(th)0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±1%1mA～10A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%集電極—發(fā)射極的飽和電壓VCEsatVCE:0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±1%VGE:-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±1%IC:10A～1200A，技術(shù)指標(biāo)：±2%零柵壓時(shí)的集電極電流ICES30V～3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%柵極—發(fā)射極的漏電流IGES-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±1%100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%正向跨導(dǎo)gmVCE:0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±1%VGE:-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標(biāo)：±1%IC:10A～1000A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%集電極—發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CES30V～3kV技術(shù)指標(biāo)：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%二極管電壓VECVDS:0.1V～30V技術(shù)指標(biāo)：±1%ID:10A～1200A，技術(shù)指標(biāo)：±0.5%5校準(zhǔn)項(xiàng)目和校準(zhǔn)方法5.1外觀及工作正常性檢查5.1.1被校半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件應(yīng)外觀完好，不應(yīng)有影響正常工作的機(jī)械碰傷及接觸不良的現(xiàn)象，并記錄于附錄A.1中；5.1.2被校半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件產(chǎn)品名稱、制造廠家等均應(yīng)明確標(biāo)記，并記錄于附錄A.1中；5.1.3校準(zhǔn)人員應(yīng)按要求穿防靜電工作服，佩戴防靜電手環(huán)等，檢查被校半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件是否完好無(wú)損，并記錄于附錄A.1中。5.2校準(zhǔn)方法5.2.1直流參數(shù)量值5.2.1.1二極管直流參數(shù)a）開(kāi)啟測(cè)試系統(tǒng)，連接二極管測(cè)量夾具，如圖1所示；圖1二極管驗(yàn)證件校準(zhǔn)示意圖b）具備自檢功能的測(cè)試系統(tǒng)，按要求自檢并預(yù)熱，除有特殊規(guī)定外，預(yù)熱時(shí)間不低于0.5h；c）根據(jù)被校二極管驗(yàn)證件的管腳配置和封裝形式，選擇合適的測(cè)量夾具，將被校二極管驗(yàn)證件放入二極管測(cè)量夾具；d）啟動(dòng)測(cè)量軟件，根據(jù)被校二極管驗(yàn)證件型號(hào)及計(jì)量特性，選擇或新建運(yùn)行測(cè)量程序，測(cè)量程序應(yīng)涵蓋被校二極管的擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向結(jié)電壓VF、穩(wěn)定電壓VZ等參數(shù)；e）導(dǎo)入測(cè)量程序，短時(shí)間內(nèi)連續(xù)重復(fù)測(cè)量6次，按公式（1）計(jì)算得到算術(shù)平均值，并作為測(cè)量結(jié)果，記錄于附錄A表A.2中。……（1）其中：——二極管驗(yàn)證件直流參數(shù)的測(cè)量平均值；——二極管驗(yàn)證件直流參數(shù)的測(cè)量值；i——測(cè)量次數(shù)。按公式（2）計(jì)算得到標(biāo)準(zhǔn)樣管的相對(duì)誤差，并記入附錄A表A.2中。……（2）式中：—二極管驗(yàn)證件直流參數(shù)的相對(duì)誤差；—二極管驗(yàn)證件直流參數(shù)的算術(shù)平均值；y0—二極管驗(yàn)證件直流參數(shù)的參考值。5.2.1.2雙極型晶體管直流參數(shù)a）開(kāi)啟測(cè)試系統(tǒng)，連接雙極型晶體管測(cè)量夾具，如圖2示；圖2雙極型晶體管校準(zhǔn)示意圖b）具備自檢功能的測(cè)試系統(tǒng)，按要求自檢并預(yù)熱，除有特殊規(guī)定外，預(yù)熱時(shí)間不低于0.5h；c）根據(jù)被校雙極型晶體管驗(yàn)證件的管腳配置和封裝形式，選擇合適的測(cè)量夾具，將被校被校雙極型晶體管驗(yàn)證件放入雙極型晶體管測(cè)量夾具；d）啟動(dòng)測(cè)量軟件，根據(jù)被校雙極型晶體管驗(yàn)證件型號(hào)及計(jì)量特性，選擇或新建運(yùn)行測(cè)量程序，測(cè)量程序應(yīng)涵蓋被校雙極型晶體管的集電極-基極擊穿電壓VCBO、發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO、集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-基極漏電流ICBO、集電極-發(fā)射極截止電流ICEO、發(fā)射極-基極截止電流IEBO、共發(fā)射極正向電流傳輸比hFE、集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat、基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat等參數(shù)；e）導(dǎo)入測(cè)量程序，短時(shí)間內(nèi)連續(xù)重復(fù)測(cè)量6次，按公式（3）計(jì)算得到算術(shù)平均值，并作為測(cè)量結(jié)果，記錄于附錄A表A.3中?！?）其中：——雙極型晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的測(cè)量平均值；——雙極型晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的測(cè)量值；i——測(cè)量次數(shù)。按公式（4）計(jì)算得到標(biāo)準(zhǔn)樣管的相對(duì)誤差，并記入附錄A表A.3中?！?）式中：—雙極型晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的相對(duì)誤差；—雙極型晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的算術(shù)平均值；y0—雙極型晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的參考值。5.2.1.3場(chǎng)效應(yīng)晶體管直流參數(shù)a）開(kāi)啟測(cè)試系統(tǒng)，連接場(chǎng)效應(yīng)晶體管測(cè)量夾具，如圖3示；圖3場(chǎng)效應(yīng)晶體管校準(zhǔn)示意圖b）具備自檢功能的測(cè)試系統(tǒng)，按要求自檢并預(yù)熱，除有特殊規(guī)定外，預(yù)熱時(shí)間不低于0.5h；c）根據(jù)被校場(chǎng)效應(yīng)晶體管驗(yàn)證件的管腳配置和封裝形式，選擇合適的測(cè)量夾具，將被校被校場(chǎng)效應(yīng)晶體管驗(yàn)證件放入場(chǎng)效應(yīng)晶體管測(cè)量夾具；d）啟動(dòng)測(cè)量軟件，根據(jù)被校場(chǎng)效應(yīng)晶體管驗(yàn)證件型號(hào)及計(jì)量特性，選擇或新建運(yùn)行測(cè)量程序，測(cè)量程序應(yīng)涵蓋被校場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓VGS(th)、源極通態(tài)漏極電流ID(on)、靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻RDS(on)、漏-源“通態(tài)”電壓VDS(on)、正向跨導(dǎo)gm、漏-源擊穿電壓V(BR)DSS、柵-源擊穿電壓V(BR)GSS、零柵壓漏極電流IDSS、柵極正向漏電流IGSSF、柵-源反向截止電流IGSSR、二極管正向壓降VSD等參數(shù)；e）導(dǎo)入測(cè)量程序，短時(shí)間內(nèi)連續(xù)重復(fù)測(cè)量6次，按公式（5）計(jì)算得到算術(shù)平均值，并作為測(cè)量結(jié)果，記錄于附錄A表A.4中。……（5）其中：——場(chǎng)效應(yīng)晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的測(cè)量平均值；——場(chǎng)效應(yīng)晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的測(cè)量值；i——測(cè)量次數(shù)。按公式（6）計(jì)算得到標(biāo)準(zhǔn)樣管的相對(duì)誤差，并記入附錄A表A.4中?！?）式中：—場(chǎng)效應(yīng)晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的相對(duì)誤差；—場(chǎng)效應(yīng)晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的算術(shù)平均值；y0—場(chǎng)效應(yīng)晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的參考值。5.2.1.4絕緣柵雙極晶體管直流參數(shù)a）開(kāi)啟測(cè)試系統(tǒng)，連接絕緣柵雙極晶體管測(cè)量夾具，如圖4示；圖4絕緣柵雙極晶體管校準(zhǔn)示意圖b）具備自檢功能的測(cè)試系統(tǒng)，按要求自檢并預(yù)熱，除有特殊規(guī)定外，預(yù)熱時(shí)間不低于0.5h；c）根據(jù)被校絕緣柵雙極晶體管驗(yàn)證件的管腳配置和封裝形式，選擇合適的測(cè)量夾具，將被校被校絕緣柵雙極晶體管驗(yàn)證件放入絕緣柵雙極晶體管測(cè)量夾具；d）啟動(dòng)測(cè)量軟件，根據(jù)被校絕緣柵雙極晶體管驗(yàn)證件型號(hào)及計(jì)量特性，選擇或新建運(yùn)行測(cè)量程序，測(cè)量程序應(yīng)涵蓋被校絕緣柵雙極晶體管的柵極閾電壓VGE(th)、集電極-發(fā)射極的飽和電壓VCEsat、零柵壓時(shí)的集電極電流ICES、柵極-發(fā)射極的漏電流IGES、正向跨導(dǎo)gm、集電極-發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CES等參數(shù)；e）導(dǎo)入測(cè)量程序，短時(shí)間內(nèi)連續(xù)重復(fù)測(cè)量6次，按公式（7）計(jì)算得到算術(shù)平均值，并作為測(cè)量結(jié)果，記錄于附錄A表A.5中?！?）其中：——絕緣柵雙極晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的測(cè)量平均值；——絕緣柵雙極晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的測(cè)量值；i——測(cè)量次數(shù)。按公式（8）計(jì)算得到標(biāo)準(zhǔn)樣管的相對(duì)誤差，并記入附錄A表A.5中。……（8）式中：—絕緣柵雙極晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的相對(duì)誤差；—絕緣柵雙極晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的算術(shù)平均值；y0—絕緣柵雙極晶體管驗(yàn)證件直流參數(shù)的參考值。5.2.2短期穩(wěn)定性按圖1連接設(shè)備。按照被校半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件產(chǎn)品規(guī)范或產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)的要求，每間隔24h對(duì)器件施加規(guī)定條件，測(cè)量驗(yàn)證件（二極管、雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管）的直流參數(shù)，重復(fù)測(cè)量6次，進(jìn)行短期穩(wěn)定性的驗(yàn)證。被校半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件的短期穩(wěn)定性按式（9）計(jì)算，并記錄在附錄A表A.6中：……………（9）式中：——被校半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件的短期穩(wěn)定性，；——規(guī)定的時(shí)間間隔內(nèi)被校半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件的最大直流參數(shù)值；——被校半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件平均直流參數(shù)值；——測(cè)量次數(shù)。6校準(zhǔn)結(jié)果表達(dá)校準(zhǔn)后，出具校準(zhǔn)證書(shū)。校準(zhǔn)證書(shū)至少應(yīng)包含以下信息：a）標(biāo)題：“校準(zhǔn)證書(shū)”；b）實(shí)驗(yàn)室名稱和地址；c）進(jìn)行校準(zhǔn)的地點(diǎn)（如果與實(shí)驗(yàn)室的地址不同）；d）證書(shū)的唯一性標(biāo)識(shí)（如編號(hào)），每頁(yè)及總頁(yè)數(shù)的標(biāo)識(shí)；e）客戶的名稱和地址；f）被校對(duì)象的描述和明確標(biāo)識(shí)；g）進(jìn)行校準(zhǔn)的日期，如果與校準(zhǔn)結(jié)果的有效性和應(yīng)用有關(guān)時(shí)，應(yīng)說(shuō)明被校對(duì)象的接收日期；h）如果與校準(zhǔn)結(jié)果的有效性應(yīng)用有關(guān)時(shí)，應(yīng)對(duì)被校樣品的抽樣程序進(jìn)行說(shuō)明；i）校準(zhǔn)所依據(jù)的技術(shù)規(guī)范的標(biāo)識(shí)，包括名稱及代號(hào)；j）本次校準(zhǔn)所用測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的溯源性及有效性說(shuō)明；k）校準(zhǔn)環(huán)境的描述；l）校準(zhǔn)結(jié)果及其測(cè)量不確定度的說(shuō)明；m）對(duì)校準(zhǔn)規(guī)范的偏離的說(shuō)明；n）校準(zhǔn)證書(shū)簽發(fā)人的簽名、職務(wù)或等效標(biāo)識(shí)；o）校準(zhǔn)結(jié)果僅對(duì)被校對(duì)象有效的說(shuō)明；p）未經(jīng)實(shí)驗(yàn)室書(shū)面批準(zhǔn)，不得部分復(fù)制證書(shū)的聲明。7復(fù)校時(shí)間間隔一般推薦為1年。由于復(fù)校時(shí)間間隔的長(zhǎng)短是由被校驗(yàn)證件的使用情況、使用者、本身質(zhì)量等諸因素所決定的，因此，送校單位可根據(jù)實(shí)際使用情況自主決定復(fù)校時(shí)間間隔。

附錄A原始記錄格式外觀及工作正常性檢查表A.1外觀檢查記錄表外觀檢查：合格□不合格□：半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件直流參數(shù)量值表A.2二極管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測(cè)量條件測(cè)量值平均值參考值誤差測(cè)量不確定度（k=2）反向擊穿電壓VR反向漏電流IR正向結(jié)電壓VF穩(wěn)定電壓VZ表A.3雙極型晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測(cè)量條件測(cè)量值平均值參考值誤差測(cè)量不確定度（k=2）集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO集電極-基極截止電流ICBO集電極-發(fā)射極截止電流ICEO發(fā)射極-基極截止電流IEBO共發(fā)射極正向電流傳輸比hFE集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat表A.4場(chǎng)效應(yīng)晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測(cè)量條件測(cè)量值平均值參考值最大允許誤差測(cè)量不確定度（k=2）柵—源閾值電壓VGS(th)源極通態(tài)電流ID(on)靜態(tài)漏—源通態(tài)電阻rDS(on)漏—源“通態(tài)”電壓VDS(on)正向跨導(dǎo)gm漏—源擊穿電壓V(BR)DSS柵—源擊穿電壓V(BR)GSS柵—源短路時(shí)的漏極電流IDSS柵極正向漏電流IGSSF柵極反向漏電流IGSSR二極管電壓VSD表A.5絕緣柵雙極晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測(cè)量條件測(cè)量值平均值參考值最大允許誤差測(cè)量不確定度（k=2）柵極閾電壓VGE(th)集電極—發(fā)射極的飽和電壓VCEsat零柵壓時(shí)的集電極電流ICES柵極—發(fā)射極的漏電流IGES正向跨導(dǎo)gm集電極—發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CES二極管正向電壓降VEC短期穩(wěn)定性表A.6半導(dǎo)體驗(yàn)證件直流參數(shù)短期穩(wěn)定性記錄表測(cè)量條件測(cè)量時(shí)間半導(dǎo)體驗(yàn)證件直流參數(shù)值產(chǎn)品規(guī)范或說(shuō)明書(shū)規(guī)定值短期穩(wěn)定性S測(cè)量不確定度（k=2）___________________________

附錄B校準(zhǔn)證書(shū)內(nèi)頁(yè)格式外觀及工作正常性檢查表A.1外觀檢查記錄表外觀檢查：合格□不合格□：半導(dǎo)體直流參數(shù)驗(yàn)證件直流參數(shù)量值表B.2二極管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測(cè)量條件測(cè)量值平均值參考值誤差測(cè)量不確定度（k=2）反向擊穿電壓VR反向漏電流IR正向結(jié)電壓VF穩(wěn)定電壓VZ表B.3雙極型晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測(cè)量條件測(cè)量值平均值參考值誤差測(cè)量不確定度（k=2）集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO集電極-基極截止電流ICBO集電極-發(fā)射極截止電流ICEO發(fā)射極-基極截止電流IEBO共發(fā)射極正向電流傳輸比hFE集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat表B.4場(chǎng)效應(yīng)晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測(cè)量條件測(cè)量值平均值參考值最大允許誤差測(cè)量不確定度（k=2）柵—源閾值電壓VGS(th)源極通態(tài)電流ID(on)靜態(tài)漏—源通態(tài)電阻rDS(on)漏—源“通態(tài)”電壓VDS(on)正向跨導(dǎo)gm漏—源擊穿電壓V(BR)DSS柵—源擊穿電壓V(BR)GSS柵—源短路時(shí)的漏極電流IDSS柵極正向漏電流IGSSF柵極反向漏電流IGSSR二極管電壓VSD表B.5絕緣柵雙極晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測(cè)量條件測(cè)量值平均值參考值最大允許誤差測(cè)量不確定度（k=2）柵極閾電壓VGE(th)集電極—發(fā)射極的飽和電壓VCEsat零柵壓時(shí)的集電極電流ICES柵極—發(fā)射極的漏電流IGES正向跨導(dǎo)gm集電極—發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CES二極管正向電壓降VEC短期穩(wěn)定性表B.6半導(dǎo)體驗(yàn)證件直流參數(shù)短期穩(wěn)定性記錄表測(cè)量條件測(cè)量時(shí)間半導(dǎo)體驗(yàn)證件直流參數(shù)值產(chǎn)品規(guī)范或說(shuō)明書(shū)規(guī)定值短期穩(wěn)定性S測(cè)量不確定度（k=2）____________________________

附錄C測(cè)量不確定度評(píng)定示例C.1概述用直接測(cè)量法對(duì)FLM5359-4F進(jìn)行校準(zhǔn)。標(biāo)準(zhǔn)器為半導(dǎo)體直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。C.2測(cè)量模型C.2.1柵源極之間的夾斷電壓VGSoff的測(cè)量模型設(shè)被校驗(yàn)證件柵源極之間的夾斷電壓為，半導(dǎo)體直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)或功率半導(dǎo)體器件直流參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)裝置測(cè)量值為，則：…………（C.1）C.2.2柵源極之間的漏電流IGSS的測(cè)量模型設(shè)被校驗(yàn)證件柵源極之間的漏電流IGSS為，半導(dǎo)體直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)或功率半導(dǎo)體器件直流參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)裝置的測(cè)量值為，則：…………（C.2）C.2.3漏極飽和電流IDSS的測(cè)量模型漏極飽和電流IDSS的測(cè)量模型同C.2.2。C.2.4跨導(dǎo)gm的測(cè)量模型設(shè)被校驗(yàn)證件柵源極之間的電壓首次超過(guò)漏極飽和電流典型值的80%時(shí)的電壓值為V1、漏源極之間電流值為I1，柵源極之間的電壓值以固定步長(zhǎng)繼續(xù)增加，直到首次超過(guò)典型值時(shí)停止，記錄此時(shí)VGS兩端電壓值為V2、漏源極之間電流值為I2，則：…………（C.3）C.3標(biāo)準(zhǔn)不確定度評(píng)定C.3.1柵源極之間的夾斷電壓VGSoff測(cè)量不確定度C.3.1.1漏極電壓源電壓輸出不準(zhǔn)引入的不確定度分量按B類評(píng)定。漏極電壓源的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認(rèn)為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.1.2漏流測(cè)量單元測(cè)量不準(zhǔn)引入的不確定度分量按B類評(píng)定。漏流測(cè)量單元的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認(rèn)為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.1.3數(shù)字多用表測(cè)量不準(zhǔn)引入的不確定度分量按B類評(píng)定。數(shù)字多用表的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認(rèn)為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.1.4測(cè)量重復(fù)性等隨機(jī)因素引入的不確定度分量按A類評(píng)定。對(duì)被定值器件允許的測(cè)量范圍進(jìn)行重復(fù)測(cè)量，測(cè)量次數(shù)n=10，重復(fù)性測(cè)試數(shù)據(jù)見(jiàn)下表。根據(jù)下式，則為：表18重復(fù)性測(cè)試數(shù)據(jù)（單位：mV）次數(shù)Vgs=-2.5Vgs=-3Vgs=-3.51-2085-2090-20902-2090-2090-20903-2085-2090-20904-2085-2090-20905-2085-2090-20906-2085-2090-20907-2090-2090-20908-2085-2090-20909-2085-2090-209010-2090-2090-2090-2087.5-2090-20900.1%00.1%C.3.1.5測(cè)量不確定度分量一覽表不確定度分量一覽表見(jiàn)下表。表19各不確定度分量一覽表不確定度分量來(lái)源評(píng)定方法分布標(biāo)準(zhǔn)不確定度分量漏極電壓源電壓輸出不準(zhǔn)引入B類均勻0.3%漏流測(cè)量單元測(cè)量不準(zhǔn)引入B類均勻0.3%數(shù)字多用表測(cè)量不準(zhǔn)引入B類均勻0.3%測(cè)量重復(fù)性等隨機(jī)因素引入A類//0.1%C.3.1.6合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度以上各不確定度分量獨(dú)立不相關(guān)，則合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度可計(jì)算得到：根據(jù)計(jì)算結(jié)果得到：0.53%。C.3.1.7擴(kuò)展不確定度值取=2，根據(jù)，則擴(kuò)展不確定度為：1.06%，=2。C.3.2柵源極之間的漏電流IGSS測(cè)量不確定度C.3.2.1漏極電壓源電壓輸出不準(zhǔn)引入的不確定度分量按B類評(píng)定。漏極電壓源的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認(rèn)為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.2.2漏流測(cè)量單元測(cè)量不準(zhǔn)引入的不確定度分量按B類評(píng)定。漏流測(cè)量單元的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認(rèn)為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.2.3柵極雙極性電壓源測(cè)量不準(zhǔn)引入的不確定度分量按B類評(píng)定。數(shù)字多用表的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認(rèn)為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.2.4測(cè)量重復(fù)性引入的不確定度分量由測(cè)量重復(fù)性等隨機(jī)因素引入的不確定度分量按A類評(píng)定。對(duì)被定值器件允許的測(cè)量范圍進(jìn)行重復(fù)測(cè)量，測(cè)量次數(shù)n=10，重復(fù)性測(cè)試數(shù)據(jù)見(jiàn)下表。根據(jù)下式，則為：表20重復(fù)性測(cè)試數(shù)據(jù)（單位：μA）次數(shù)Vgs=5V10.01156320.01155830.01160440.01155850.01156160.01148270.01148480.01151590.011522100.0114520.0115290.39%C.3.2.5測(cè)量不確定度分量一覽表不確定度分量一覽表見(jiàn)下表。表21各不確定度分量一覽表不確定度分量來(lái)源評(píng)定方法分布標(biāo)準(zhǔn)不確定度分量漏極電壓源電壓輸出不準(zhǔn)引入B類均勻0.3%漏流測(cè)量單元測(cè)量不準(zhǔn)引入B類均勻0.3%柵極雙極性電壓源測(cè)量不準(zhǔn)引入B類均勻0.3%測(cè)量重復(fù)性等隨機(jī)因素引入A類//0.39%C.3.2.6合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度以上各不確定度分量獨(dú)立不相關(guān)，則合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度可計(jì)算得到：根據(jù)計(jì)算結(jié)果得到：0.65%。C.3.2.7擴(kuò)展不確定度值取=2，根據(jù)，則擴(kuò)展不確定度為：1.30%，=2。C.3.3漏極飽和電流IDSS測(cè)量不確定度C.3.3.1漏極電壓源電壓輸出不準(zhǔn)引入的不確定度分量按B類評(píng)定。漏極電壓源的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認(rèn)為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.3.2漏流測(cè)量單元測(cè)量不準(zhǔn)引入的不確定度分量按B類評(píng)定。漏流測(cè)量單元的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認(rèn)為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.3.3柵極雙極性電壓源測(cè)量不準(zhǔn)引入的不確定度分量按B類評(píng)定。數(shù)字多用表的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認(rèn)為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入