2023-2024學(xué)年蘇教版新教材選擇性必修二 專題3第一單元 金屬鍵 金屬晶體 作業(yè)

專題3第一單元金屬鍵、金屬晶體一、單選題1.下列有關(guān)金屬鍵的敘述錯(cuò)誤的是()A.金屬鍵沒有飽和性和方向性

B.金屬鍵是金屬陽離子和自由電子之間強(qiáng)烈的靜電吸引作用

C.金屬鍵中的自由電子屬于整塊金屬

D.金屬的性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵有關(guān)2.下列有關(guān)晶體的認(rèn)識(shí)不正確的是()A.可以用射線衍射鑒別晶體與非晶體

B.晶體具有各向異性和自范性

C.晶體中只要有陽離子就一定有陰離子

D.金剛石中含有鍵的數(shù)目為為阿伏加德羅常數(shù)3.晶體是一類非常重要的材料，在很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。我國(guó)現(xiàn)已能夠拉制出直徑為毫米的大直徑硅單晶，晶體硅大量用于電子產(chǎn)業(yè)。下列對(duì)晶體硅的敘述中正確的是A.形成晶體硅的速率越大越好

B.晶體硅沒有固定的熔、沸點(diǎn)

C.可用射線衍射實(shí)驗(yàn)來鑒別晶體硅和玻璃

D.晶體硅的形成與晶體的自范性有關(guān)，而與各向異性無關(guān)4.下列有關(guān)晶體常識(shí)的敘述錯(cuò)誤的是A.水晶屬于晶體，有固定的熔點(diǎn)，而玻璃無固定的熔點(diǎn)，屬于非晶體

B.當(dāng)單一波長(zhǎng)的射線通過晶體時(shí)可以看到明顯的分立的斑點(diǎn)或者譜線

C.晶體都具有自范性。自范性是晶體的本質(zhì)屬性

D.晶體都具有規(guī)則的幾何外形，而非晶體都不具有規(guī)則的幾何外形5.有四種不同堆積方式的金屬晶體的晶胞如圖所示，有關(guān)說法正確的是()

A.為簡(jiǎn)單立方堆積為六方最密堆積為體心立方堆積為面心立方最密堆積

B.晶胞中原子的配位數(shù)分別為：

C.晶胞中含有的原子個(gè)數(shù)分別為：個(gè)個(gè)個(gè)個(gè)

D.空間利用率的大小關(guān)系為：6.銀晶體的晶胞如圖所示。設(shè)銀原子的半徑為，用表示阿伏加德羅常數(shù)，表示銀的摩爾質(zhì)量。則下列說法錯(cuò)誤的是()

A.銀晶體每個(gè)晶胞中含有個(gè)銀原子 B.配位數(shù)是

C.一個(gè)晶胞的體積是 D.晶體的密度是7.如圖所示，鐵有、、三種同素異形體，三種晶體在不同溫度下能發(fā)生轉(zhuǎn)化。下列說法不正確的是()

A.晶胞中含有個(gè)鐵原子，與每個(gè)鐵原子等距離且最近的鐵原子有個(gè)

B.晶體的空間利用率：

C.設(shè)晶胞中鐵原子的半徑為，則晶胞的體積是

D.已知鐵的相對(duì)原子質(zhì)量為，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為，晶體的密度為，則鐵原子的半徑8.下列說法正確的是()A.熔融狀態(tài)的不能導(dǎo)電，的稀溶液有弱的導(dǎo)電能力且可作手術(shù)刀的消毒液，從不同角度分類是一種共價(jià)化合物、非電解質(zhì)、鹽、分子晶體

B.某單質(zhì)熔點(diǎn)，是熱和電的良導(dǎo)體，該晶體最可能是分子晶體

C.含有陰離子的晶體中一定含有陽離子，含有陽離子的晶體中不一定含有陰離子

D.固態(tài)金屬單質(zhì)都是金屬晶體，金屬晶體含有金屬鍵；非金屬單質(zhì)晶體都是分子晶體，分子晶體主要含有共價(jià)鍵、范德華力，有些分子晶體還含有氫鍵9.幾種晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知：、均為立方晶胞。下列說法錯(cuò)誤的是

A.相同條件下，熔點(diǎn)：

B.另一種晶胞結(jié)構(gòu)中，當(dāng)處于體心時(shí)，則處于棱心

C.晶胞中點(diǎn)原子坐標(biāo)參數(shù)為，則點(diǎn)原子坐標(biāo)參數(shù)為

D.三種晶體中，的配位數(shù)均為10.鐵鎂合金是目前已發(fā)現(xiàn)的儲(chǔ)氫密度較高的儲(chǔ)氫材料之一，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示黑球代表，白球代表。則下列說法不正確的是

A.鐵鎂合金的化學(xué)式為

B.晶體中存在的化學(xué)鍵類型為共價(jià)鍵

C.晶格能：氧化鎂氧化鈣

D.該晶胞的質(zhì)量是表示阿伏加德羅常數(shù)的值11.閱讀下列材料，完成題。含氰廢水中氰化物的主要形態(tài)是和，具有較強(qiáng)的配位能力，能與形成一種無限長(zhǎng)鏈離子，其片段為；結(jié)合能力弱于。氰化物濃度較低時(shí)，可在堿性條件下用或?qū)⑵滢D(zhuǎn)化為；濃度較高時(shí)，可加入、和溶液反應(yīng)生成溶液。下列說法正確的是A.基態(tài)核外電子排布式為

B.中的配位數(shù)為

C.與形成的離子的化學(xué)式為

D.某鐵晶體晶胞如右圖所示中與每個(gè)緊鄰的數(shù)為12.納米為無定形非晶態(tài)白色粉末，顆粒尺寸小、微孔多、比表面積大、對(duì)紫外線反射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。下列關(guān)于納米的說法正確的是A.對(duì)光有各向異性

B.熔點(diǎn)與晶體相同

C.與晶體互為同分異構(gòu)體

D.可用射線衍射實(shí)驗(yàn)區(qū)分納米與晶體13.下圖是種固體的微觀示意圖，下列說法正確的是

A.Ⅰ有各向異性

B.Ⅱ有固定的容點(diǎn)

C.Ⅰ、Ⅱ的射線衍射圖譜相同

D.Ⅰ、Ⅱ在一定條件下，都會(huì)自發(fā)形成有規(guī)則外形的晶體14.硫化鋅是一種優(yōu)良的寬帶隙半導(dǎo)體鋰離子電池負(fù)極材料，具有在充電的同時(shí)合金化反應(yīng)的特點(diǎn)。在充電過程中負(fù)極材料晶胞的組成變化如下圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是A.轉(zhuǎn)化為是非氧化還原反應(yīng)

B.每個(gè)晶胞中的個(gè)數(shù)為

C.若的晶胞參數(shù)為，則間的距離為

D.在晶胞體對(duì)角線的一維空間上會(huì)出現(xiàn)“”的排布規(guī)律15.鋰的某些化合物是性能優(yōu)異的材料。如圖是某電動(dòng)汽車電池正極材料的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，其化學(xué)式為

A. B. C. D.二、實(shí)驗(yàn)題16.可用于制防污涂料，其可由熱的銅在硫蒸氣或中反應(yīng)制得．

銅元素在元素周期表中的位置為______，的核外電子排布式為______，基態(tài)銅原子核外電子共有______種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)．

在一定條件下可被氧化為．

在中原子的雜化軌道類型為______；、與互為______；其中、、第一電離能由大到小順序?yàn)開_____；

硅酸鹽與二氧化硅一樣，都是以硅氧四面體作為基本結(jié)構(gòu)單元，硅氧四面體可以用圖表示，圖中、是硅氧四面體結(jié)合成環(huán)狀結(jié)構(gòu)的兩個(gè)例子，若在環(huán)狀結(jié)構(gòu)中硅的原子數(shù)為，寫出環(huán)狀結(jié)構(gòu)中硅酸根離子的通式______．

甲醇中的羥基被硫羥基取代生成甲硫醇，二者部分物理性質(zhì)如表：物質(zhì)熔點(diǎn)沸點(diǎn)水溶液甲醇互溶甲硫醇不溶甲醇和甲硫醇在熔沸點(diǎn)和水溶性方面性質(zhì)差異的原因是______．

某化合物由、、三種元素組成，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞上下底面為正方形，側(cè)面與底面垂直，則該晶體的密度______保留三位有效數(shù)字．17.砷是生命的第七元素，可形成多種重要的化合物。回答下列問題：

基態(tài)砷原子電子層中的成對(duì)電子與單電子的數(shù)量比為______。的第一電離能比大的原因是______。

雄黃和雌黃在自然界中共生，是提取砷的主要礦物原料，其結(jié)構(gòu)如圖所示，雄黃與反應(yīng)生成，轉(zhuǎn)移電子，則另一種產(chǎn)物為______。雌黃中的雜化方式為______。

亞砷酸可以用來治療白血病，為三元弱酸，試推測(cè)的空間構(gòu)型為______。其酸性弱于砷酸的原因是______。

砷化鎵是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料。其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，若沿體對(duì)角線方向進(jìn)行投影則得到如圖，請(qǐng)?jiān)趫D中將原子的位置涂黑______。晶體中原子周圍與其距離最近的原子的個(gè)數(shù)為______，若原子的半徑為，原子的半徑為，則最近的兩個(gè)原子的距離為______。

簡(jiǎn)答題18.不銹鋼是生活中常見的一種不銹鋼，業(yè)內(nèi)也叫做不銹鋼，指必須含有以上的鉻，以上的鎳的不銹鋼?；卮鹣铝袉栴}：基態(tài)鉻原子的價(jià)電子排布式為_______________________________________，排布時(shí)能量最高的電子所占能級(jí)的原子軌道有_________________個(gè)伸展方向。鉻和鎳能形成多種配合物。如為正四面體構(gòu)型，為正方形構(gòu)型，、為正八面體構(gòu)型等。下列說法正確的是_____________________填選項(xiàng)字母。A.在形成配合物時(shí)其配位數(shù)只能為，在形成配合物時(shí)其配位數(shù)只能為B.的空間構(gòu)型為正四面體形C.與互為等電子體，其中分子內(nèi)鍵和鍵的個(gè)數(shù)比為D.和中，鎳原子均為雜化年月，云南一化工廠發(fā)生鉻污染致數(shù)萬立方米水質(zhì)變差、牲畜接連死亡的消息引發(fā)社會(huì)各界的極大關(guān)注。與、互為等電子體，六價(jià)鉻屬于強(qiáng)致突變物質(zhì)，可誘發(fā)肺癌和鼻咽癌，的空間構(gòu)型為_______________________________________。的晶體結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉相同，相關(guān)離子半徑如下表所示：晶胞中的配位數(shù)為______________________________，的熔點(diǎn)比高的原因是_______________________________________。與處于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都比金屬高，原因?yàn)開_______________________。區(qū)分晶體和非晶體的最可靠的科學(xué)方法為_______________________________________。某鉻鎳合金的晶胞如圖所示，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為，該晶體的密度___________用含、、的代數(shù)式表示。

19.鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}。和屬于同一周期，且基態(tài)原子核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬的熔點(diǎn)比金屬低，試解釋原因。晶體是一種性能良好的光學(xué)材料，其晶胞為立方體，棱長(zhǎng)為，晶胞中、、分別處于頂點(diǎn)、體心、面心位置，如圖所示。與原子緊鄰的原子有幾個(gè)？試說明分析思路。計(jì)算晶體中原子與原子間的最短距離。

答案和解析1.【答案】【解析】金屬鍵是金屬陽離子和自由電子之間的強(qiáng)烈的相互作用，自由電子不專屬于某個(gè)特定的金屬陽離子，而是在整塊固態(tài)金屬中自由移動(dòng)，所以金屬鍵沒有方向性和飽和性，、C正確；

金屬鍵是金屬陽離子和自由電子之間強(qiáng)烈的靜電作用，既包括吸引作用也包括排斥作用，B錯(cuò)誤；

金屬晶體中的金屬鍵決定了金屬的性質(zhì)和金屬固體的形成，D正確。2.【答案】【解析】【分析】

本題考查晶體的有關(guān)知識(shí)，題目難度不大，掌握晶體的特點(diǎn)及各類晶體的構(gòu)成粒子是解題關(guān)鍵。

【解答】

A.可以用射線衍射鑒別晶體與非晶體，故A正確；

B.晶體具有各向異性和自范性，故B正確；

C.金屬晶體中有陽離子和自由電子，故C錯(cuò)誤；

D.利用均攤法，金剛石中含有鍵的數(shù)目為故D正確

故選C。3.【答案】【解析】【分析】

本題主要考查了晶體硅的性質(zhì)，較為基礎(chǔ)，注意晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和物理性質(zhì)，難度不大。

【解答】

A.晶體的形成都要有一定的形成條件，如溫度、壓強(qiáng)、結(jié)晶速率等，并不是說結(jié)晶速率越快越好，速率太快可能導(dǎo)致晶體質(zhì)量下降，故A錯(cuò)誤；

B.晶體有固定熔沸點(diǎn)，故B錯(cuò)誤；

C.射線衍射實(shí)驗(yàn)?zāi)軌驕y(cè)出物質(zhì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，根據(jù)微粒是否有規(guī)則的排列就能區(qū)分出晶體與非晶體，故C正確；

D.晶體的形成與晶體的自范性和各向異性都有密切關(guān)系，故D錯(cuò)誤。

故選C。4.【答案】【解析】【分析】

本題考查晶體的有關(guān)性質(zhì)，難度不大，解答該題要熟練的掌握晶體和非晶體的特性。

【解答】

A.水晶屬于晶體，有固定的熔點(diǎn)，普通玻璃屬于非晶體，沒有固定熔點(diǎn)，故A正確；

B.當(dāng)單一波長(zhǎng)的射線通過晶體時(shí)，會(huì)在記錄儀上看到分立的斑點(diǎn)或譜線，而同一條件下攝取的非晶體圖譜中看不到分立的斑點(diǎn)或明銳的譜線，故B正確；

C.晶體都具有自范性，自范性是晶體的本質(zhì)屬性，故C正確；

D.某些非晶體經(jīng)人工加工也可能呈現(xiàn)規(guī)則的幾何外形，如玻璃，故D錯(cuò)誤；

故選D。5.【答案】【解析】【分析】

本題考查金屬晶胞的識(shí)別，側(cè)重考查學(xué)生空間想象能力、計(jì)算能力，知道每種堆積模型中典型金屬，難點(diǎn)是計(jì)算配位數(shù)，題目難度中等。

【解答】

A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知為簡(jiǎn)單立方堆積，為體心立方堆積，為六方最密堆積，為面心立方最密堆積，故A錯(cuò)誤；

B.晶胞中原子的配位數(shù)應(yīng)為，故B錯(cuò)誤；

C.每個(gè)晶胞含有的原子數(shù)分別為，，，，故C正確；

D.四種晶體的空間利用率分別為、、、，則空間利用率的大小關(guān)系為：，故D錯(cuò)誤。

故選C。6.【答案】【解析】根據(jù)晶胞圖可知，銀原子處于頂點(diǎn)與面心上，晶胞中含有的銀原子數(shù)目為，A正確；

銀晶體中，根據(jù)晶胞圖可知，采用沿、、三軸切割的方法知，每個(gè)平面上銀原子的配位數(shù)是，三個(gè)面共有個(gè)銀原子，銀原子配位數(shù)是，B正確；

在立方體的各個(gè)面的對(duì)角線上個(gè)銀原子彼此兩兩相切，銀原子的半徑為，故面對(duì)角線長(zhǎng)為，則棱長(zhǎng)為，故晶胞的體積為，C正確；

每個(gè)晶胞中含有個(gè)原子，故晶胞質(zhì)量為，晶胞的體積為，故晶體密度為，D錯(cuò)誤。7.【答案】【解析】【分析】本題考查晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算，關(guān)鍵是明確原子在晶胞中的位置，理解原子半徑與晶胞棱長(zhǎng)的關(guān)系，需要學(xué)生具有一定的數(shù)學(xué)計(jì)算能力，掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算。

【解答】

A.根據(jù)切割法，晶胞中含有原子的個(gè)數(shù)為；由圖可知，與每個(gè)鐵原子等距離且最近的鐵原子有個(gè)，A正確。

B.設(shè)原子的半徑為，晶胞的棱長(zhǎng)為，晶胞含有原子的個(gè)數(shù)為，由其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可得，則，其空間利用率為；晶胞中含有原子的個(gè)數(shù)為，因其有原子位于面心，則有，解得，其空間利用率為；晶胞中含有原子的個(gè)數(shù)為，則有，其空間利用率為；故晶體的空間利用率：，B錯(cuò)誤。

C.若晶胞中鐵原子的半徑為，則晶胞的面對(duì)角線長(zhǎng)為，所以晶胞的棱長(zhǎng)為，則該晶胞的體積為，C正確。

D.晶胞中含有原子的個(gè)數(shù)為，則該晶胞的體積為，其棱長(zhǎng)為，該晶胞的體對(duì)角線長(zhǎng)為棱長(zhǎng)的倍，也是原子半徑的倍，即，解得，D正確。8.【答案】【解析】【分析】

本題考查了晶體的類型和晶體的性質(zhì)，題目難度不大，注意在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的化合物一定是離子晶體。

【解答】

A、的稀溶液有弱的導(dǎo)電能力，說明是弱電解質(zhì)，故A錯(cuò)誤；

B、分子晶體不導(dǎo)電，而該單質(zhì)是熱和電的良導(dǎo)體，所以不是分子晶體，故B錯(cuò)誤；

C、晶體呈電中性，有陰離子的晶體中一定有陽離子，但是有陽離子的晶體中不一定含有陰離子，比如金屬晶體沒有陰離子而含有電子，故C正確；

D、金剛石、晶體硅是非金屬單質(zhì)晶體，但不是分子晶體，故D錯(cuò)誤；

故選：。9.【答案】【解析】A.半徑小于，的離子鍵強(qiáng)于的，熔點(diǎn)更高，項(xiàng)正確；B.另一種晶胞結(jié)構(gòu)中，當(dāng)處于體心時(shí)，處于頂角、處于棱心，項(xiàng)正確；C.由晶胞結(jié)構(gòu)及點(diǎn)原子坐標(biāo)參數(shù)為，可知點(diǎn)原子坐標(biāo)參數(shù)為，，項(xiàng)正確；D.中的配位數(shù)為，項(xiàng)錯(cuò)誤；故答案為：。10.【答案】【解析】【分析】本題考查金屬晶體堆積模型，為高頻考點(diǎn)，側(cè)重考查學(xué)生分析及空間想象能力，難點(diǎn)是配位數(shù)的判斷及空間利用率計(jì)算，注意晶胞中哪些原子緊挨著，為易錯(cuò)點(diǎn)。【解答】A.位于面心和頂點(diǎn)，數(shù)目為：；原子位于晶胞內(nèi)，數(shù)目為，化學(xué)式為：，故A正確；B.晶體中存在的化學(xué)鍵類型為金屬鍵，故B錯(cuò)誤；C.鈣離子半徑大于鎂離子半徑，則晶格能：氧化鎂氧化鈣，故C正確；D.該晶胞中有個(gè)鐵原子和個(gè)鎂原子，則該晶胞的質(zhì)量為：，故D正確。故選B。11.【答案】【解析】略12.【答案】【解析】【分析】本題考查的內(nèi)容為納米材料的特性，題目不難，掌握納米材料和一般晶體的區(qū)別即可解答。【解答】A.納米對(duì)光沒有各向異性，故錯(cuò)誤；

B.熔點(diǎn)與晶體不相同，故錯(cuò)誤；

C.納米二氧化硅與晶體均沒有分子式，故錯(cuò)誤；

D.可用射線衍射實(shí)驗(yàn)區(qū)分納米與晶體，故正確。13.【答案】【解析】【分析】

本題考查晶體和非晶體，難度不大，理解晶體特征是解題關(guān)鍵。

【解答】由圖可知，Ⅰ中微粒呈周期性有序排布，Ⅱ中微粒排列不規(guī)則，則Ⅰ為晶體，Ⅱ?yàn)榉蔷w即無定型二氧化硅；A.Ⅰ形成的固體為晶體，具有各向異性，故A正確；B.晶體具有固定熔點(diǎn)，非晶體沒有固定熔點(diǎn)，Ⅱ?yàn)榉蔷w，沒有固定熔點(diǎn)，故B錯(cuò)誤；C.射線衍射可用于區(qū)分晶體和非晶體，則Ⅰ、Ⅱ的射線衍射圖譜不相同，故C錯(cuò)誤；D.晶體有規(guī)則的幾何外形，非晶體沒有規(guī)則的幾何外形，Ⅰ會(huì)形成有規(guī)則外形的晶體，Ⅱ不會(huì)，故D錯(cuò)誤；故選A。14.【答案】【解析】【分析】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生對(duì)信息的分析以及晶胞結(jié)構(gòu)、計(jì)算的掌握情況，試題難度一般?！窘獯稹緼.均攤法分析，晶胞中：個(gè)，個(gè)，化學(xué)式，完全轉(zhuǎn)化為時(shí)，可當(dāng)作立方晶胞計(jì)算原子數(shù)晶胞中：個(gè)，：個(gè)，化學(xué)式，化合價(jià)未改變是非氧化還原反應(yīng)，故A正確；

B.每個(gè)晶胞中個(gè)，個(gè)離子、在四面體間隙，根據(jù)化合價(jià)代數(shù)和為，可知每個(gè)晶胞中的個(gè)數(shù)為，故B正確；

C.若的晶胞參數(shù)為，則間的距離為，故C錯(cuò)誤；

D.根據(jù)結(jié)構(gòu)，體對(duì)角線的一維空間上會(huì)出現(xiàn)“”的排布規(guī)律，故D正確；

故選C。15.【答案】【解析】略16.【答案】第四周期Ⅰ族；或；；

；等電子體；；

；

與分子、與水分子間易形成氫鍵，導(dǎo)致其熔沸點(diǎn)較高，且易溶于水；而中的電負(fù)性小，不能形成氫鍵；

?！窘馕觥俊痉治觥勘绢}是對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查，涉及核外電子排布、等電子體、雜化方式、氫鍵、晶胞計(jì)算等，是對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)主干知識(shí)的考查，中計(jì)算為易錯(cuò)點(diǎn)，題目計(jì)算量大，關(guān)鍵是計(jì)算晶胞中原子數(shù)目。

原子核外電子數(shù)為，第四周期Ⅰ族，根據(jù)能量最低原理書寫核外電子排布式；基態(tài)銅原子核外電子共有種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；

離子中含有個(gè)鍵，沒有孤電子對(duì)，所以其立體構(gòu)型是正四面體，硫原子采取雜化；、與三者原子數(shù)是，電子總數(shù)是，所以三者互為等電子體；同一周期元素，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而增大，但第族、第族元素第一電離能大于其相鄰元素，據(jù)此判斷第一電離能大小順序；根據(jù)、的化學(xué)式找出規(guī)律，然后推斷硅原子數(shù)目為時(shí)含有的氧原子、硅原子數(shù)目及所帶電荷數(shù)，從而確定其化學(xué)式；

從分子間形成氫鍵角度分析解答；

根據(jù)均攤法計(jì)算晶胞中各原子數(shù)目，進(jìn)而計(jì)算晶胞質(zhì)量，再根據(jù)計(jì)算晶胞密度。

【解答】原子核外電子數(shù)為，第四周期Ⅰ族，的核外電子排布式為；有個(gè)電子就有種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，故答案為：第四周期Ⅰ族；或；；

離子中含有個(gè)鍵，沒有孤電子對(duì)，所以其立體構(gòu)型是正四面體，硫原子采取雜化；、與三者原子數(shù)是，電子總數(shù)是，所以三者互為等電子體；同一周期元素，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而增大，但第族、第族元素第一電離能大于其相鄰元素，據(jù)此判斷第一電離能大小順序，所以、、第一電離能由大到小順序?yàn)椋蚀鸢笧椋?；等電子體；；

中含有個(gè)四面體結(jié)構(gòu)，所以含有個(gè)原子，含有的氧原子數(shù)為，含有氧原子數(shù)比個(gè)硅酸根離子少個(gè)，帶有的電荷為：；根據(jù)圖示可知：若一個(gè)單環(huán)狀離子中原子數(shù)為，則含有個(gè)四面體結(jié)構(gòu)，含有的氧原子比個(gè)硅酸根離子恰好少個(gè)原子，即：含有個(gè)，則含有個(gè)，帶有的負(fù)電荷為：，其化學(xué)式為：，故答案為：；

氧的非金屬性強(qiáng)于硫，所以甲醇與甲醇分子與分間，甲醇與水分子間易形成氫鍵，導(dǎo)致熔沸點(diǎn)異常的高，故答案為：與分子、與水分子間易形成氫鍵，導(dǎo)致其熔沸點(diǎn)較高，且易溶于水；而中的電負(fù)性小，不能形成氫鍵；

晶胞中原子數(shù)目為，原子數(shù)目為，原子數(shù)目為，故晶胞的質(zhì)量為，該晶體的密度，

故答案為：。17.【答案】：的軌道為半充滿，穩(wěn)定，較大三角錐形結(jié)構(gòu)中有個(gè)非羥基氧原子而沒有，非羥基氧原子越多，酸性越強(qiáng)或【解析】解：是號(hào)元素，其基態(tài)原子的核外電子排布式為：，故基態(tài)砷原子電子層中的成對(duì)電子與單電子的數(shù)量比為：，的軌道為半充滿，故A更穩(wěn)定，較大，

故答案為：：；的軌道為半充滿，穩(wěn)定，較大；

依據(jù)提示雄黃與反應(yīng)生成，轉(zhuǎn)移電子，即與反應(yīng)，依據(jù)提示可知反應(yīng)方程式為：，由圖中可知，雌黃中與在周圍的個(gè)原子形成了個(gè)鍵，孤電子對(duì)數(shù)為，故其價(jià)層電子對(duì)數(shù)為，故雌黃中的雜化方式為，

故答案為：；；

中與在周圍的個(gè)原子形成了個(gè)鍵，孤電子對(duì)數(shù)為，故其價(jià)層電子對(duì)數(shù)為，故A的空間構(gòu)型為三角錐形，由于結(jié)構(gòu)中有個(gè)非羥基氧原子而沒有，非羥基氧原子越多，酸性越強(qiáng)，故其酸性弱于砷酸，

故答案為：三角錐形；結(jié)構(gòu)中有個(gè)非羥基氧原子而沒有，非羥基氧原子越多，酸性越強(qiáng)；

分析晶胞結(jié)構(gòu)可知，若沿體對(duì)角線方向進(jìn)行投影則得到如圖，則在圖中將原子的位置涂黑為：或，由砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，晶體中原子周圍與其距離最近的原子的個(gè)數(shù)為，而中和原子個(gè)數(shù)比為：，故兩原子的配位數(shù)相等，故A原子周圍與其距離最近的原子的個(gè)數(shù)為，若原子的半徑為，原子的半徑為，則晶胞的邊長(zhǎng)為：，而最近的兩個(gè)原子的距離為面對(duì)角線的一半，故為，

故答案為：或；；。

是號(hào)元素，其基態(tài)原子的核外電子排布式為：，據(jù)此分析成對(duì)單子與成單電子數(shù)目及比例，的軌道為半充滿，為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；

雄黃與反應(yīng)生成，轉(zhuǎn)移電子，即與反應(yīng)，據(jù)此書寫方程式，由圖中可知，雌黃中與在周圍的個(gè)原子形成了個(gè)鍵，計(jì)算價(jià)層電子對(duì)數(shù)和孤電子對(duì)數(shù)，進(jìn)而判斷構(gòu)型；

中與在周圍的個(gè)原子形成了個(gè)鍵，計(jì)算價(jià)層電子對(duì)數(shù)和孤電子對(duì)數(shù)，進(jìn)而判斷構(gòu)型，分析兩者非羥基氧原子數(shù)目，非羥基氧原子越多，酸性越強(qiáng)；

根據(jù)砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，若沿體對(duì)角線方向進(jìn)行投影則得到如圖，則在圖中將原子的位置涂黑為：或，由砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，晶體中原子周圍與其距離最近的原子的個(gè)數(shù)為，而中和原子個(gè)數(shù)比為：，進(jìn)而判斷配位數(shù)，依據(jù)均攤法計(jì)算原子數(shù)目，結(jié)合密度公式求算晶胞邊長(zhǎng)，進(jìn)而分析最近的兩個(gè)原子的距離。

本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，涉及晶胞計(jì)算、微?？臻g構(gòu)型等知識(shí)點(diǎn)，明確原