《電動(dòng)汽車(chē)用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊環(huán)境試驗(yàn)要求及試驗(yàn)方法》

ICS43.040

T35

QC

中華人民共和國(guó)汽車(chē)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

QC/TXXXXX—XXXX

電動(dòng)汽車(chē)用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊

環(huán)境試驗(yàn)要求及試驗(yàn)方法

Environmentaltestrequirementsandtestmethodsof

IGBTModuleforelectricvehicles

（征求意見(jiàn)稿）

QC/TXXXXX—XXXX

電動(dòng)汽車(chē)用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊環(huán)境試驗(yàn)要求及試驗(yàn)方

法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電動(dòng)汽車(chē)用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊環(huán)境適應(yīng)性要求和試驗(yàn)方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電動(dòng)汽車(chē)用IGBT模塊，其他半導(dǎo)體器件模塊可參考使用。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本

文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

GB/T755旋轉(zhuǎn)電機(jī)定額和性能

GB/T2423.1電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)A：低溫

GB/T2423.2電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)B：高溫

GB/T2423.5電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)防范試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則：沖擊

GB/T2423.10電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc：振動(dòng)（正弦）

GB/T2423.22電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)N：溫度變化

GB/T2423.28電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)T：錫焊

GB/T2423.56電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fh：寬帶隨機(jī)振動(dòng)（數(shù)字控制）

和導(dǎo)則

GB/T28046.3—2011道路車(chē)輛電氣及電子設(shè)備的環(huán)境條件和試驗(yàn)第3部分：機(jī)械負(fù)荷

GB/T29332半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

IEC60749-34半導(dǎo)體器件機(jī)械和環(huán)境試驗(yàn)方法第34部分：功率循環(huán)（Semiconductor

devices-MechanicalandclimatictestmethodsPart:PowerCycling）

3術(shù)語(yǔ)和定義

GB/T29332界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

IGBT模塊IGBTmodule

將兩個(gè)或兩個(gè)以上IGBT和二極管分立器件或IGBT和二極管芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相連接，用絕緣

材料灌封在一個(gè)封閉的外殼內(nèi)的模塊。

4符號(hào)和縮略語(yǔ)

下列符號(hào)和縮略語(yǔ)適用于本文件。

Tjop_max：運(yùn)行狀態(tài)下最高工作結(jié)溫。

Tstgmin：貯存最低溫度。

Tstgmax：貯存最高溫度。

Tj：結(jié)溫。

Ta：環(huán)境溫度。

1

QC/TXXXXX—XXXX

VGES：柵極-發(fā)射極間電壓。

IGES：柵極-發(fā)射極間電流。

VCES：集電極-發(fā)射極間電壓（可施加最大電壓）。

ICES：集電極-發(fā)射極間電流。

VGE(th)：柵極-發(fā)射極間閾值電壓。

VCEsat：集電極-發(fā)射極間飽和電壓。

Rth：熱阻。

VF：正向直流電壓。

IF：正向直流電流。

IC：集電極電流。

ton：導(dǎo)通時(shí)間。

toff：關(guān)斷時(shí)間。

Ta：試驗(yàn)箱溫度。

VCE：集電極-發(fā)射極電壓。

VGE：柵極-發(fā)射極電壓。

ICN：集電極標(biāo)稱(chēng)電流。

USL：規(guī)范手冊(cè)上限。

LSL：規(guī)范手冊(cè)下限。

DUT：測(cè)試樣件（DeviceUnderTest）。

PSD：功率譜密度（PowerSpectralDensity）。

5環(huán)境適應(yīng)性要求

5.1外觀要求

試驗(yàn)裝配前與試驗(yàn)拆卸后的主要檢查項(xiàng)目和要求包括：

a)IGBT模塊殼體無(wú)破損；

b)IGBT模塊連接端子無(wú)變形、無(wú)氧化；

c)IGBT模塊的連接可靠；

d)IGBT模塊緊固件無(wú)松脫現(xiàn)象。

5.2特性參數(shù)要求

接受判定特性、接受判據(jù)和測(cè)量條件見(jiàn)表1。

表1接受判據(jù)

序號(hào)特性參數(shù)接受判據(jù)測(cè)量條件

1ICES＜USL規(guī)定的VCE

2IGES＜USL規(guī)定的VGE

＞LSL

3VGE(th)規(guī)定的VCE和IC

＜USL

4VCEsat＜USL規(guī)定的IC

5VF＜USL規(guī)定的IF

6Rth＜USL規(guī)定的IC

注：由于某些失效機(jī)理引起的特性變化可完全或部分地被其他測(cè)量的影響掩蓋，宜以表2列出的順序測(cè)量特性。

這些特性通常在公開(kāi)的詳細(xì)規(guī)范中給出。它們可能超出初始產(chǎn)品試驗(yàn)規(guī)定值。

5.3環(huán)境適用性試驗(yàn)項(xiàng)目

5.3.1掃頻振動(dòng)

2

QC/TXXXXX—XXXX

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行掃頻振動(dòng)試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.2的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.2隨機(jī)振動(dòng)

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.3的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.3機(jī)械沖擊

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行機(jī)械沖擊試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.4的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.4高溫阻斷

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行高溫阻斷試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.5的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.5高溫柵極偏置

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行高溫柵極偏置試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.6的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.6高溫高濕阻斷

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行高溫高濕阻斷試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.7的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.7功率循環(huán)

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行功率循環(huán)試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.8的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.8溫度沖擊

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行溫度沖擊試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.9的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.9溫度循環(huán)

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行溫度循環(huán)試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.10的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.10高溫貯存

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行高溫貯存試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.11的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.11低溫貯存

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行低溫貯存試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.12的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要求。

5.3.12錫焊焊接溫度

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行錫焊焊接溫度試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.13的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足5.1和5.2的要

求。

5.3.13錫焊可焊性

IGBT模塊應(yīng)進(jìn)行錫焊可焊性試驗(yàn)，試驗(yàn)按照6.14的規(guī)定進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后應(yīng)滿足GB/T2423.28規(guī)

定要求。

6試驗(yàn)方法

6.1試驗(yàn)條件和誤差

6.1.1試驗(yàn)條件

如無(wú)特殊規(guī)定，所有試驗(yàn)應(yīng)在下列環(huán)境條件下進(jìn)行：

3

QC/TXXXXX—XXXX

——溫度：18℃～28℃

——相對(duì)濕度：45%～75%

——?dú)鈮海?6kPa～106kPa

——海拔：不超過(guò)1000m，若超過(guò)1000m，應(yīng)按GB/T755的有關(guān)規(guī)定修正。

6.1.2試驗(yàn)設(shè)定值誤差

試驗(yàn)設(shè)定值誤差不低于表2的規(guī)定，并滿足實(shí)際測(cè)量參數(shù)的精度要求。

表2設(shè)定值誤差

參數(shù)數(shù)值

頻率±1%

溫度±2℃

濕度±5%

電壓±2%

電流±2%

時(shí)間﹢5%

6.2掃頻振動(dòng)試驗(yàn)

6.2.1試驗(yàn)條件

IGBT模塊應(yīng)經(jīng)受X、Y和Z三個(gè)方向的掃頻振動(dòng)試驗(yàn)，若無(wú)特殊規(guī)定，根據(jù)安裝部位，IGBT模塊掃頻

振動(dòng)的嚴(yán)酷度和試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間應(yīng)參照GB/T28046.3-2011的規(guī)定。

6.2.2試驗(yàn)程序

掃頻振動(dòng)試驗(yàn)方法按GB/T2423.10執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表2中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)選定振動(dòng)方向，將DUT按數(shù)據(jù)手冊(cè)安裝要求固定在安裝夾具上；

c)按照振動(dòng)條件，設(shè)定好振動(dòng)頻率、加速度、時(shí)間等參數(shù)；

d)啟動(dòng)振動(dòng)臺(tái)，讓DUT開(kāi)始在一個(gè)方向上進(jìn)行振動(dòng)試驗(yàn)；

e)第一個(gè)方向振動(dòng)結(jié)束后，變化DUT的安裝方向，重復(fù)b）～d）步驟，直至X、Y、Z三個(gè)方向試驗(yàn)

結(jié)束；

f)在24h～48h之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表2中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記

錄表見(jiàn)附錄A。

6.3隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)

6.3.1試驗(yàn)條件

IGBT模塊應(yīng)經(jīng)受X，Y，Z三個(gè)方向的隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)，若無(wú)特殊規(guī)定，根據(jù)安裝部位，IGBT模塊的隨

機(jī)振動(dòng)嚴(yán)酷度和試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間應(yīng)參照GB/T28046.3-2011的規(guī)定。

6.3.2試驗(yàn)程序

隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)方法按GB/T2423.56執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)選定沖擊方向，將DUT固定在安裝夾具上；

c)按照隨機(jī)振動(dòng)條件，設(shè)定好頻率、加速度、持續(xù)時(shí)間等參數(shù)；

d)啟動(dòng)振動(dòng)臺(tái)，讓DUT開(kāi)始在一個(gè)方向上進(jìn)行隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)；

e)第一個(gè)方向隨機(jī)振動(dòng)結(jié)束后，變化DUT的安裝方向，重復(fù)b～d步驟，直至X、Y、Z三個(gè)方向試驗(yàn)

結(jié)束；

4

QC/TXXXXX—XXXX

f)在24～48小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記

錄表見(jiàn)附錄A。

6.4機(jī)械沖擊試驗(yàn)

6.4.1試驗(yàn)條件

模塊應(yīng)經(jīng)受±X,±Y,±Z六個(gè)方向的機(jī)械沖擊試驗(yàn)，若無(wú)特殊規(guī)定，根據(jù)安裝部位，IGBT模塊的機(jī)

械沖擊嚴(yán)酷程度和沖擊次數(shù)應(yīng)參照GB/T28046.3—2011的規(guī)定。

6.4.2試驗(yàn)程序

機(jī)械沖擊試驗(yàn)方法按GB/T2423.5執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)選定沖擊方向，將DUT固定在安裝夾具上；

c)按照機(jī)械沖擊條件，設(shè)定好加速度、時(shí)間、次數(shù)等參數(shù)；

d)啟動(dòng)振動(dòng)臺(tái)，讓DUT開(kāi)始在一個(gè)方向上進(jìn)行沖擊試驗(yàn)；

e)第一個(gè)方向沖擊結(jié)束后，變化DUT的安裝方向，重復(fù)b～d步驟，直至X、Y、Z三個(gè)方向試驗(yàn)結(jié)束；

f)在24～48小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記

錄表見(jiàn)附錄A。

6.5高溫阻斷試驗(yàn)

6.5.1試驗(yàn)條件

高溫阻斷試驗(yàn)應(yīng)在下列條件下進(jìn)行：

——電壓：VCE≥0.8*VCES，VGE=0V；

——溫度：Tj=Tjop_max；

——時(shí)間：≥1000h。

6.5.2試驗(yàn)程序

高溫阻斷試驗(yàn)方法按GB/T29332執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)將樣品進(jìn)行柵極、發(fā)射極短接，按照GB/T29332接線方法將DUT接入測(cè)試回路；

c)設(shè)置規(guī)定的試驗(yàn)電壓及溫度，當(dāng)達(dá)到設(shè)定值后，試驗(yàn)開(kāi)始計(jì)時(shí)并實(shí)施；

d)試驗(yàn)達(dá)到規(guī)定時(shí)間后，關(guān)閉直流電源及烘箱，樣品自然冷卻至室溫；

e)在24～48小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記

錄表見(jiàn)附錄A。

6.6高溫柵極偏置試驗(yàn)

6.6.1試驗(yàn)條件

高溫柵極試驗(yàn)應(yīng)在下列條件下進(jìn)行：

——電壓：VGE=±VGES；

——溫度：Tj=Tjop_max；

——時(shí)間：≥1000h。

6.6.2試驗(yàn)程序

高溫柵極試驗(yàn)方法按GB/T29332執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)將樣品進(jìn)行集電極、發(fā)射極短接，按照GB/T29332接線方法將DUT接入測(cè)試回路；

5

QC/TXXXXX—XXXX

c)設(shè)置規(guī)定的試驗(yàn)電壓及溫度，當(dāng)達(dá)到設(shè)定值后，試驗(yàn)開(kāi)始計(jì)時(shí)并實(shí)施；

d)試驗(yàn)達(dá)到規(guī)定時(shí)間后，關(guān)閉直流電源及烘箱，取出樣品自然冷卻至室溫；

e)在24～48小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記

錄表見(jiàn)附錄A。

6.6高溫高濕阻斷試驗(yàn)

6.7.1試驗(yàn)條件

高溫高濕阻斷試驗(yàn)應(yīng)在下列條件下進(jìn)行：

——電壓：VCE≥0.8*VCES，VGE=0V；

——濕度：85%RH；

——溫度：85℃；

——時(shí)間：≥1000h。

注：如電壓VCE無(wú)法滿足，可按VCE=80V測(cè)試，以上測(cè)試條件需供需雙方認(rèn)可。

6.7.2試驗(yàn)程序

高溫高濕阻斷試驗(yàn)方法按GB/T2423.5執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)將樣品進(jìn)行柵極、發(fā)射極短接，按照GB/T29332接線方法將DUT接入測(cè)試回路；

c)將接好線的DUT放置于恒溫恒濕箱中，設(shè)置規(guī)定的試驗(yàn)電壓、溫度及濕度，當(dāng)達(dá)到設(shè)定值后，

試驗(yàn)開(kāi)始計(jì)時(shí)；

d)試驗(yàn)達(dá)到規(guī)定時(shí)間到，關(guān)閉直流電源及恒溫恒濕箱，取出樣品自然冷卻至室溫，靜置兩小時(shí)以

上；

e)在24～48小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記

錄表見(jiàn)附錄A。

6.8功率循環(huán)試驗(yàn)

6.8.1試驗(yàn)條件

功率循環(huán)試驗(yàn)條件1：

——起始溫度：Tjop_max-100℃；

——溫度：△Tj=100℃；

——負(fù)載電流：第一循環(huán)≥0.85ICN，第二循環(huán)可≤0.85ICN；

——循環(huán)數(shù)：≥30000次；

——循環(huán)時(shí)間：ton≤5s,toff≤15s；

——壽命終止判斷：VCEsat增加≥5%；VF增加≥5%；Rth增加≥20%。

試驗(yàn)條件1曲線見(jiàn)圖1。

Tjop_max

Tjop_max-100

0

≤5s≤15s

CycleCycle

圖1條件1循環(huán)示意圖

功率循環(huán)試驗(yàn)條件2：

6

QC/TXXXXX—XXXX

——起始溫度：Tjop_max-100℃；

——溫度：△Tj=100℃；

——負(fù)載電流：第一循環(huán)≥0.85ICN，第二循環(huán)可≤0.85ICN；

——循環(huán)數(shù)：≥10000次；

——循環(huán)時(shí)間：ton≥1.5min，toff≤4.5min；

——壽命終止判斷：VCEsat增加≥5%；VF增加≥5%；Rth增加≥20%。

試驗(yàn)條件2曲線見(jiàn)圖2。

Tjop_max

Tjop_max-100

0

≥1.5min4.5≤min

CycleCycle

圖2條件2循環(huán)示意圖

6.8.2試驗(yàn)程序

功率循環(huán)試驗(yàn)方法按IEC60749-34執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)按照GB/T29332接線方法將DUT接入試驗(yàn)回路，并將DUT需固定在散熱器上，安裝完畢后，檢查

線路；

c)給DUT施加小的電流，確認(rèn)試驗(yàn)臺(tái)及試驗(yàn)回路是否工作正常；

d)確認(rèn)正常后，按試驗(yàn)條件施加大的電流及設(shè)定冷卻水水溫，依次分別反復(fù)調(diào)節(jié)使其達(dá)到規(guī)定的

試驗(yàn)條件1和條件2；

e)試驗(yàn)過(guò)程中需要監(jiān)控VCEsat、VF、和Rth，當(dāng)VCEsat增加≥5%、VF增加≥5%、Rth增加≥20%任一條件滿

足時(shí)終止試驗(yàn)，并記錄循環(huán)次數(shù)；

f)在24～48小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記

錄表見(jiàn)附錄A。

6.9溫度沖擊試驗(yàn)

6.9.1試驗(yàn)條件

溫度沖擊試驗(yàn)應(yīng)在下列條件下進(jìn)行：

——溫度：Tstgmin-Tstgmax；

——循環(huán)：≥1000次；

——高溫存儲(chǔ)時(shí)間：≥30min；

——低溫存儲(chǔ)時(shí)間：≥30min；

——溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間：＞5s且＜30s；

——被測(cè)樣件：不帶電工作狀態(tài)。

試驗(yàn)條件曲線見(jiàn)圖3。

7

QC/TXXXXX—XXXX

＞5s，＜30s＞5s，＜30s

Tstgmax+10℃

Tstgmin

≥30min≥30min

1cycle

圖3工況循環(huán)

6.9.2試驗(yàn)程序

溫度沖擊試驗(yàn)方法按GB/T2423.22執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)將樣品放置在溫度沖擊試驗(yàn)箱中；

c)根據(jù)要求的試驗(yàn)條件設(shè)置好高低溫度、駐留時(shí)間以及循環(huán)數(shù)等參數(shù)后實(shí)施試驗(yàn)；

d)試驗(yàn)結(jié)束后，24～48小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，整理報(bào)告，相

應(yīng)報(bào)告記錄表見(jiàn)附錄A。

6.10溫度循環(huán)試驗(yàn)

6.10.1試驗(yàn)條件

溫度循環(huán)試驗(yàn)應(yīng)在下列條件下進(jìn)行：

——溫度：Tstgmin-Tstgmax；

——循環(huán)：≥1000次；

——高溫存儲(chǔ)時(shí)間：≥30min；

——低溫存儲(chǔ)時(shí)間：≥30min；

——溫度變換速率：≥18℃/min。

試驗(yàn)條件曲線見(jiàn)圖4。

≥18℃/min≥18℃/min

Tstgmax+10℃

0℃

Tstgmin

≥30min≥30min

1cycle

圖4工況循環(huán)

6.10.2試驗(yàn)程序

溫度循環(huán)試驗(yàn)方法按GB/T2423.22執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試件于試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)將樣品放置在溫度循環(huán)試驗(yàn)箱中；

c)根據(jù)要求的試驗(yàn)條件設(shè)置好高低溫、溫度變換速率以及村換數(shù)等參數(shù)后實(shí)施試驗(yàn)；

d)試驗(yàn)結(jié)束后，24～48小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，整理報(bào)告，相

應(yīng)報(bào)告記錄表見(jiàn)附錄A。

6.11高溫貯存試驗(yàn)

6.11.1試驗(yàn)條件

8

QC/TXXXXX—XXXX

高溫貯存試驗(yàn)應(yīng)在下列條件下進(jìn)行：

——溫度：Ta＝Tstgmax；

——時(shí)間：≥1000h。

6.11.2試驗(yàn)程序

高溫貯存試驗(yàn)方法按GB/T2423.2執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)按規(guī)定設(shè)定好試驗(yàn)溫度，將產(chǎn)品置于耐高溫托盤(pán)上，放置于高溫烘箱中；

c)高溫烘箱開(kāi)始升溫，到達(dá)設(shè)定溫度后，試驗(yàn)開(kāi)始計(jì)時(shí)；

d)試驗(yàn)達(dá)到規(guī)定時(shí)間后，關(guān)閉高溫烘箱，取出樣品自然冷卻至室溫；

e)在24～48小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記

錄表見(jiàn)附錄A。

6.12低溫貯存試驗(yàn)

6.12.1試驗(yàn)條件

低溫貯存試驗(yàn)應(yīng)在下列條件下進(jìn)行：

——溫度：Ta＝Tstgmin；

——時(shí)間：≥1000h。

6.12.2試驗(yàn)程序

低溫貯存試驗(yàn)方法按GB/T2423.1執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)按規(guī)定設(shè)定好試驗(yàn)溫度，將產(chǎn)品置于托盤(pán)中，放置于低溫箱中；

c)低溫箱開(kāi)始降溫，當(dāng)?shù)竭_(dá)設(shè)定溫度后，試驗(yàn)開(kāi)始計(jì)時(shí)；

d)試驗(yàn)達(dá)到規(guī)定時(shí)間后，關(guān)閉低溫箱，取出樣品自然升溫至室溫；

e)在24～48小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記

錄表見(jiàn)附錄A。

6.13錫焊焊接溫度試驗(yàn)

6.13.1試驗(yàn)條件

錫焊焊接溫度試驗(yàn)應(yīng)在下列條件下進(jìn)行：

——溫度：260±5℃；

——時(shí)間：10s±1s。

6.13.2試驗(yàn)程序

錫焊焊接溫度試驗(yàn)方法按GB/T2423.28執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并記錄數(shù)據(jù)；

b)將焊錫爐升溫至規(guī)定溫度；

c)待焊錫爐中焊錫完全熔化后，將焊接端子浸入焊錫中規(guī)定的時(shí)間；

d)將進(jìn)行過(guò)焊接的樣品靜置于室溫環(huán)境1個(gè)小時(shí)以上；

e)在24小時(shí)之內(nèi)，按照GB/T29332對(duì)表1中的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記錄表

見(jiàn)附錄A。

6.14錫焊可焊性試驗(yàn)

6.14.1試驗(yàn)條件

9

QC/TXXXXX—XXXX

錫焊可焊性試驗(yàn)應(yīng)在下列條件下進(jìn)行：

——溫度：235±5℃；

——等級(jí)：老化等級(jí)3。

6.14.2試驗(yàn)程序

錫焊可焊性試驗(yàn)方法按GB/T2423.28執(zhí)行，試驗(yàn)程序如下：

a)試驗(yàn)前對(duì)樣品進(jìn)行編號(hào)；

b)將焊錫爐升溫至規(guī)定溫度；

c)待焊錫爐中焊錫完全熔化后，將焊接端子浸入焊錫中規(guī)定的時(shí)間；

d)取出樣品，將焊接端子放在放大鏡下觀察上錫面積；

e)整理報(bào)告，相應(yīng)報(bào)告記錄表見(jiàn)附錄A。

10

QC/TXXXXX—XXXX

A

附錄A

（資料性附錄）

試驗(yàn)報(bào)告記錄表

所有試驗(yàn)項(xiàng)目需進(jìn)行以下參數(shù)檢查，試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)記錄在表A.1中。

表A.1報(bào)告記錄表

時(shí)間

測(cè)試人員模塊編號(hào)

地點(diǎn)

試驗(yàn)參數(shù)條件試驗(yàn)前數(shù)據(jù)試驗(yàn)后數(shù)據(jù)評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)結(jié)果

VCEsat

VGE(th)

ICES

IGES

Rth

VF

外觀

_________________________________

1

QC/TXXXXX—XXXX

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC114）提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：。

I

QC/TXXXXX—XXXX

A

附錄A

（資料性附錄）

試驗(yàn)報(bào)告記錄表

所有試驗(yàn)項(xiàng)目需進(jìn)行以下參數(shù)檢查，試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)記錄在表A.1中。

表A.1報(bào)告記錄表

時(shí)間

測(cè)試人員模塊編號(hào)

地點(diǎn)

試驗(yàn)參數(shù)條件試驗(yàn)前數(shù)據(jù)試驗(yàn)后數(shù)據(jù)評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)結(jié)果

VCEsat

VGE(th)

ICES

IGES

Rth

VF