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碳化硅柵氧界面態(tài)測(cè)定—非接觸電容電壓法本文件規(guī)定了非接觸電容電壓法測(cè)試碳化硅柵氧界面態(tài)的方法。本文件適用于碳化硅柵氧界面態(tài)密度的測(cè)試,測(cè)試范圍為1×1010cm-2.eV-1~1×1013cm-2.eV-1。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語3術(shù)語和定義GB/T14264確立的術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。3.1界面態(tài)密度Dit:?jiǎn)挝荒芰繂挝幻娣e的界面陷阱數(shù)目(cm-2.eV-1)3.2F函數(shù)(F(Vsb,)):描述表面勢(shì)壘與表面電荷凈值關(guān)系的空間電荷函數(shù)。4原理本標(biāo)準(zhǔn)的原理是利用電暈放電在碳化硅/氧化硅表面沉積一定量的電荷(Qc),即相當(dāng)于施加不同柵壓,使半導(dǎo)體的表面歷經(jīng)多子堆積、耗盡、反型等狀態(tài)。并通過開爾文探針測(cè)得表面勢(shì)Vsb與Qsc之間的函數(shù)關(guān)系,進(jìn)而算得界面態(tài)密度Dit。25干擾因素5.1樣品制備、測(cè)試儀器操作、測(cè)試機(jī)臺(tái)維護(hù)后的調(diào)試,均對(duì)測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性有很大影響,相關(guān)的測(cè)試人員應(yīng)經(jīng)過嚴(yán)格的培訓(xùn);5.2樣品表面的沾污,會(huì)影響樣品表面的狀態(tài),造成測(cè)試誤差;5.3新鮮的樣品,可能表面帶有靜電,造成測(cè)量誤差5.4用于校準(zhǔn)儀器的質(zhì)量監(jiān)控片應(yīng)定期校準(zhǔn)。6儀器設(shè)備非接觸CV測(cè)試儀7樣品制備首先對(duì)碳化硅外延片進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)的RCA清洗,清洗完成后,再使用高溫氧化爐機(jī)臺(tái)進(jìn)行柵氧工藝,形成碳化硅柵氧界面態(tài)。8測(cè)試程序8.1將待測(cè)片放在指定位置,由機(jī)械傳輸將樣品移到測(cè)試區(qū);8.2設(shè)置相應(yīng)的測(cè)試參數(shù)和測(cè)試點(diǎn)。8.3測(cè)試點(diǎn)應(yīng)均勻地分布在晶片的表面,并應(yīng)去除樣品表面的邊緣部分;8.4掃描結(jié)束,得到Dit與Vsb的關(guān)系圖。39試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理分別在無光照和光照條件下,測(cè)得樣品表面接觸電勢(shì)差Vcpd(dark)和Vcpd(light),進(jìn)而得到表面勢(shì)壘Vsb。并通過開爾文探針測(cè)得表面勢(shì)Vsb與Qsc之間的函數(shù)關(guān)系,進(jìn)而算得界面態(tài)密度Dit。表面勢(shì)壘(Vsb)的測(cè)量:Vcpd(dark)=Vox+VsbVcpd(light)=VoxVsb=Vcpd(dark)-Vcpd(light)界面態(tài)電荷(Qit)的測(cè)量:Qc+Qsc+Qit=0Qsc=±TF(Vsb,)界面態(tài)密度的計(jì)算:Dit=式中:Vcpd(dark)——黑暗條件下測(cè)得樣品表面接觸電勢(shì)差,單位為伏特(VVcpd(light)——光照條件下測(cè)得樣品表面接觸電勢(shì)差,單位為伏特(VVox——氧化層勢(shì)壘,單位為伏特(V);Vsb——樣品表面勢(shì)類,單位為伏特(V);Qc——電暈電荷,單位為庫(kù)倫(C);Qsc——半導(dǎo)體空間電荷,單位為庫(kù)倫(C);Qit——界面陷阱電荷,單位為庫(kù)倫(C);q——電子電荷,單位為庫(kù)倫(C);Dit——界面態(tài)密度,單位為每平方厘米每電子伏特(cm-2.eV-110精密度為確保測(cè)試重復(fù)性與準(zhǔn)確性,測(cè)試過程中樣品固定在樣品臺(tái)上,通過設(shè)置X、Y坐標(biāo)進(jìn)行下一測(cè)試點(diǎn)界面態(tài)密度測(cè)試。在重復(fù)性條件下,本方法測(cè)量界面態(tài)密度結(jié)果相對(duì)偏差小于5.0%。11測(cè)試報(bào)告測(cè)試報(bào)告,包括但不限于如下內(nèi)容:a)樣品信息:送樣單位名稱、樣品編號(hào)、樣品尺寸、規(guī)格型號(hào);4b)樣品柵氧界面
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