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文檔簡介

4.3只讀存儲器ROM存儲內(nèi)容掉電不丟失，根據(jù)ROM信息寫入的方式，ROM分為5種：ROM1.掩膜型ROM，廠家兩次光刻制造，用于大批量生產(chǎn)2.可編程只讀存儲器PROM，利用某種方式將存儲單元的熔絲燒斷3.可擦除可編程只讀存儲器EPROM，利用特定電壓寫入數(shù)據(jù)，利用紫外線擦除數(shù)據(jù)4.電可擦除的可編程只讀存儲器EEPROM，采用高電壓擦除數(shù)據(jù)5.閃存FLASHMEMORY，一是NOR閃存，有完整地址和數(shù)據(jù)接口，用作系統(tǒng)芯片，如BIOS，二是NAND，只允許連續(xù)讀取和擦除，適合做存儲卡、優(yōu)盤、SSDEPROM例子－Intel2764(8K×8)EPROM2764引腳說明：A12~A0地址線，存儲單元個數(shù)213=8KO7~O0數(shù)據(jù)線，讀出時為輸出，編程時為輸入/CE芯片允許端，低有效/OE輸出允許，低有效PGM編程脈沖控制Vpp編程電壓輸入，不同模式下不同Vcc工作電壓，+5VGND地EPROM例子－Intel2764EPROM2764只讀方式：A12~A0地址線，選擇存儲單元O7~O0數(shù)據(jù)線，輸出數(shù)據(jù)/CE芯片允許端，接低電平/OE輸出允許，接低電平PGM接低電平，無編程信號Vpp編程電壓輸入，+5VVcc工作電壓，+5VGND地EPROM例子－Intel2764EPROM2764編程方式：A12~A0地址線，選擇存儲單元O7~O0數(shù)據(jù)線，寫入數(shù)據(jù)/CE接+5V/OE接+5VPGM每寫一次，輸入50ms正脈沖Vpp隨型號不同，+12V~25VVcc工作電壓，+5VGND地OE

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