【化學(xué)】不同聚集狀態(tài)的物質(zhì)與性質(zhì)檢測題 2023-2024學(xué)年高二下魯科版（2019）選擇性必修二

第三章《不同聚集狀態(tài)的物質(zhì)與性質(zhì)》檢測題一、單選題（共20題）1．膽礬可寫成，其結(jié)構(gòu)示意圖如下：下列有關(guān)說法正確的是A．膽礬是分子晶體B．通常比更易與銅離子形成配位鍵C．在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，存在的化學(xué)鍵有配位鍵、極性鍵、非極性鍵D．中，每個與5個形成配位鍵2．下列關(guān)于晶體的說法正確的是A．將飽和硫酸銅溶液降溫，析出的固體不是晶體B．石蠟和玻璃都是非晶體，但它們都有固定的熔點C．假寶石往往是玻璃仿造的，可以用劃痕的方法鑒別寶石和玻璃制品D．藍(lán)寶石在不同方向上的硬度一定相同3．下列有關(guān)晶體的說法不正確的是①晶體和非晶體最大的區(qū)別在于是否有固定的熔沸點②晶體中存在陽離子就必定存在陰離子③羰基鐵常溫下是一種黃色油狀液體，該物質(zhì)中含有配位鍵，屬于分子晶體④含2.4g碳原子的金剛石晶體中共價鍵個數(shù)為0.4⑤正交晶型黑磷晶體與石墨類似，從其中剝離出單層黑磷需要破壞化學(xué)鍵⑥晶體(結(jié)構(gòu)模型如圖)中每個分子周圍與它最近且等距的分子有12個A．①②⑤ B．①②⑥ C．②④⑤⑥ D．①③⑤4．下列說法正確的是A．HF、HCl、HBr、HI的穩(wěn)定性逐漸減弱，而熔沸點逐漸升高B．Ba(OH)2晶體不導(dǎo)電，但熔化后可以導(dǎo)電C．干冰屬于原子晶體，熔化破壞共價鍵和分子間作用力D．干冰升華時，分子內(nèi)共價鍵會發(fā)生斷裂5．2001年報道硼和鎂形成的化合物刷新了金屬化合物超導(dǎo)的最高紀(jì)錄。右圖示意的是該化合物的晶體結(jié)構(gòu)：鎂原子間形成正六棱柱，且棱柱的上下底面還各有一個鎂原子；6個硼原子位于棱柱側(cè)面上。則該化合物的化學(xué)式為

A．MgB B．Mg3B2C．Mg2B D．Mg2B26．聯(lián)氨()又稱肼，無色油狀液體，具有腐蝕性和強(qiáng)還原性。肼和水能以任意比互溶，形成穩(wěn)定的水合肼()。水合肼是二元弱堿，可由反應(yīng)制備。堿性條件下，水合肼與銅氨溶液反應(yīng)生成：。下列說法正確的是A．中配體為，配位原子為NB．反應(yīng)中+2價銅得到的1個電子填充在4s軌道上C．每生成，反應(yīng)轉(zhuǎn)移的電子數(shù)D．的晶胞如圖所示，一個晶胞中原子的數(shù)目為27．據(jù)文獻(xiàn)報道：的氧缺陷可以有效促進(jìn)氫氣在催化加氫過程中的活化。圖1為理想晶胞，圖2為缺陷晶胞，若晶胞參數(shù)為，下列說法正確的是A．圖1晶胞面對角線切面上的離子數(shù)目有8個B．圖2中與的數(shù)目之比為C．理想晶胞中的配位數(shù)為4D．理想晶胞的體積8．下列說法正確的是A．分子晶體中一定存在共價鍵B．BF3、CCl4中每個原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)C．硫難溶于水，微溶于酒精，易溶于CS2，說明極性：H2O>C2H5OH>CS2D．I2低溫下就能升華，說明碘原子間的共價鍵較弱9．(CH3NH3)PbI3是鈣鈦礦太陽能電池的重要吸光材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，Walsh提出H2O降解(CH3NH3)PbI3的機(jī)理如圖2所示。下列說法不正確的是A．H3O+的鍵角小于H2O的鍵角 B．1個(CH3NH3)PbI3晶胞含有3個I-C．機(jī)理中的反應(yīng)均為非氧化還原反應(yīng) D．H2O可與CH3NH反應(yīng)生成H3O+和CH3NH210．X、Y、Z、W四種短周期元素，原子序數(shù)依次增大且總和為22，X與Y、Z、W不同周期。基態(tài)Y原子核外電子有4種空間運(yùn)動狀態(tài)，下列說法不正確的是A．X、Y、Z能形成直線形分子B．X、Y、W能形成酸性(同溫同濃度下)比醋酸強(qiáng)的二元酸C．Z與X能形成分子晶體，但不能形成離子晶體D．W和原子序數(shù)為52的Q元素位于同一族，Q可用于制造半導(dǎo)體材料11．晶胞模型如圖所示，在胞中，下列說法錯誤的是A．該晶胞中陽離子半徑與陰離子半徑之比小于1B．平均每個晶胞中含有4個和4個C．晶胞中每個周圍與它距離最近且相等的共有12個D．每個周圍同時吸引6個，每個周圍同時吸引著8個12．Cu2-xSe是一種鈉離子電池正極材料，充放電過程中正極材料立方晶胞(示意圖)的組成變化如圖所示，晶胞內(nèi)和化學(xué)式中均未標(biāo)出因放電產(chǎn)生的0價Cu原子。下列說法錯誤的是

A．每個Cu2-xSe晶胞中Cu+個數(shù)為8-8xB．每個Cu2-xSe晶胞完全轉(zhuǎn)化為Na2Se晶胞，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為8C．NayCu2-xSe轉(zhuǎn)化為NaCuSe的電極反應(yīng)式為：NayCu2-xSe-(1-y)e--+(1-y)Na+=NaCuSe+(1-x)CuD．當(dāng)NaCuSe轉(zhuǎn)化為Na2Se時，每轉(zhuǎn)移1mol電子，產(chǎn)生1molCu原子13．用低品銅礦(主要含CuS、FeO)制備Cu2O的一種工藝流程如下：下列說法正確的是A．“酸浸”過程中CuS發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為：S2-＋MnO2＋4H+Mn2+＋S＋2H2OB．“酸浸”所得溶液中的陽離子主要有H+、Mn2+、Cu2+和Fe2+C．1個Cu2O晶胞(如圖)中含4個氧原子D．水合肼濃度過大，Cu2O產(chǎn)率下降，可能的原因是Cu2O進(jìn)一步被還原成單質(zhì)銅14．物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論推出：金屬鍵越強(qiáng)，其金屬的硬度越大，熔、沸點越高。且研究表明，一般來說，金屬陽離子半徑越小，所帶電荷越多，則金屬鍵越強(qiáng)，由此判斷下列說法錯誤的是A．硬度：Mg＞Al B．熔點：Mg＞CaC．硬度：Mg＞K D．熔點：Ca＞K15．下列說法正確的是A．二氧化硅的結(jié)構(gòu)式：O=Si=OB．H2O沸點高于NH3，是因為H2O分子間存在氫鍵而NH3分子間不存在氫鍵C．含有金屬離子的晶體一定是離子晶體D．分子晶體中一定存在分子間作用力，不一定存在共價鍵16．納米ZnS具有獨特的光電效應(yīng)。以工業(yè)廢渣鋅灰(主要成分為Zn、ZnO，還含有、FeO、CuO等雜質(zhì))為原料制備納米ZnS的工業(yè)流程如下：下列說法正確的是A．“酸浸”時FeO反應(yīng)的離子方程式為B．“還原”的目的是將轉(zhuǎn)化為C．“沉淀”的離子方程式為D．ZnS晶胞(如圖所示)中每個周圍距離最近的有4個17．中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院宣布成功在極端高溫高壓下獲得了流體金屬氫和氘，并且將成果發(fā)表在《先進(jìn)科學(xué)》上。金屬氫是一種以氫離子和自由電子為基本單位的晶體，下列關(guān)于金屬氫的推測錯誤的是A．可能具有很好的導(dǎo)電性B．與氫氣互為同素異形體C．與氫氣所含化學(xué)鍵類型不同D．制造金屬氫的過程中物質(zhì)狀態(tài)改變，屬于物理變化18．下列排序正確的是A．熔點：碳化硅>硅>鍺B．分解溫度：C．酸性：D．鍵角：19．如圖為甲、乙、丙三種晶體的晶胞：下列說法正確的是A．甲晶體化學(xué)式(X為陽離子)為XYB．乙晶體中A、B、C三種微粒的個數(shù)比是1：2：1C．丙晶體中每個D周圍結(jié)合E的個數(shù)是4D．乙晶體中每個A周圍結(jié)合B的個數(shù)為1220．鈦酸鈣是典型的鈣鈦礦型化合物，該類化合物具有特殊的理化性質(zhì)，比如吸光性、電催化性等，其晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法不正確的是A．鈦酸鈣的化學(xué)式為B．鈦與鈣是同一周期元素C．基態(tài)鈦原子價電子排布式是D．晶胞中與每個距離最近且相等的有6個二、非選擇題（共5題）21．(1)用一個離子方程式表示CO結(jié)合H+能力比AlO弱。(2)分子式為HSCN的物質(zhì)，已知S、C、N均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，請寫出一種可能的結(jié)構(gòu)式。(3)純金屬內(nèi)所有原子的大小和形狀都是相同的，原子的排列十分規(guī)整，加入或大或小的其他元素的原子后，改變了金屬原子有規(guī)則的層狀排列，使原子層之間的相對滑動變得困難，所以合金的硬度一般都較大。請解釋合金的熔點一般都小于其組分金屬(或非金屬)熔點的原因。22．最近發(fā)現(xiàn)，只含鎂、鎳和碳三種元素的晶體竟然也具有超導(dǎo)性，因這三種元素都是常見元素，從而引起廣泛關(guān)注。該新型超導(dǎo)晶體的一個晶胞如圖所示，則該晶體的化學(xué)式為。23．常用CH3CHO+NaOH+2Cu(OH)2CH3COONa+Cu2O↓+3H2O檢驗醛類。（1）Cu2+基態(tài)核外電子排布式為。（2）CH3COONa中碳原子軌道的雜化類型是，1molCH3COONa中含有σ鍵的數(shù)目為。（3）與OH-離子互為等電子體的陰離子為。（4）沸點高低：乙酸鈉＞乙酸＞乙醛，這是因為。（5）Cu2O晶體結(jié)構(gòu)可能是（填字母）。（6）SO32-的空間構(gòu)型為。24．磷青銅晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶體中P原子位于由銅原子形成的的空隙中。若晶體密度為ag·cm-3，則P與最近的Cu原子的核間距為nm(用含NA的代數(shù)式表示)。25．碳元素在生產(chǎn)生活中具有非常重要的作用，在新物質(zhì)的制備中也發(fā)揮了舉足輕重的作用。（1）與碳同周期，且基態(tài)原子的核外未成對電子數(shù)相等的元素是(寫出元素符號)。（2）石墨烯是目前人們制造的新物質(zhì)，該物質(zhì)是由單層碳原子六邊形平鋪而成的，像一張紙一樣(如圖甲)，石墨烯中碳原子的雜化方式為；常溫條件下丙烯是氣態(tài)，而相對分子質(zhì)量比丙烯小的甲醇，常溫條件下卻呈液態(tài)，出現(xiàn)這種現(xiàn)象的原因是。（3）二氧化硅結(jié)構(gòu)跟金剛石結(jié)構(gòu)相似，即二氧化硅的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于在硅晶體結(jié)構(gòu)中每個硅與硅的化學(xué)鍵之間插入一個O原子。觀察圖乙中金剛石的結(jié)構(gòu)，分析二氧化硅的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，Si、O形成的最小環(huán)上O原子數(shù)目是。（4）圖丙是C60的晶胞模型(一個小黑點代表一個C60分子)，圖中顯示出的C60分子數(shù)為14個。實際上一個C60晶胞中含有個C60分子。參考答案：1．BA．膽礬是五水硫酸銅，膽礬是由水合銅離子及硫酸根離子構(gòu)成的，屬于離子晶體，A錯誤；B．往硫酸銅溶液中加入過量氨水，可生成配離子，故比更易與銅離子形成配位鍵，B正確；C．在題述結(jié)構(gòu)示意圖中，存在O→Cu配位鍵，H-O、S-O極性共價鍵和配離子與硫酸根離子之間形成離子鍵，C錯誤；D．根據(jù)圖示結(jié)構(gòu)，每個與4個形成配位鍵，D錯誤；故選B。2．CA．得到晶體一般有三條途徑：①熔融態(tài)物質(zhì)凝固；②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華)；③溶質(zhì)從溶液中析出，所以將飽和硫酸銅溶液降溫，析出的固體是晶體，A錯誤；B．晶體具有固定的熔沸點，而非晶體沒有固定熔沸點，而是在一定溫度范圍內(nèi)熔化，石蠟和玻璃都是非晶體，故它們都沒有固定的熔點，B錯誤；C．硬度是衡量固體軟硬程度的指標(biāo)，一般寶石的硬度較大，玻璃制品的硬度較小，故可以用劃痕的方法鑒別寶石和玻璃制品，C正確；D．晶體具有各向異性的性質(zhì)，藍(lán)寶石屬于晶體，在不同方向上硬度有一些差異，D錯誤；綜上所述答案為C。3．A①晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別在于是否有自范性，微粒在微觀空間是否呈現(xiàn)周期性的有序排列，故錯誤；②在金屬晶體中存在自由電子和陽離子，沒有陰離子，故錯誤；③羰基鐵常溫下是一種黃色油狀液體，熔沸點較低，故屬于分子晶體，正確；④根據(jù)金剛石的結(jié)構(gòu)可知，在金剛石晶體中每個碳原子以4個共價鍵與其他4個碳原子結(jié)合形成三維骨架結(jié)構(gòu)，根據(jù)均攤法可知每個碳原子分得的共價鍵數(shù)目為2，含2.4g(0.2mol)碳原子的金剛石晶體中共價鍵的個數(shù)為0.4，故正確；⑤石墨晶體中，層與層之間的作用力為分子間作用力，從石墨中剝離石墨烯需要破壞分子間作用力，故從其中剝離出單層黑磷需要破壞分子間作用力，故錯誤；⑥以晶胞頂點上的C60為例，與之距離最近的分子在經(jīng)過該點的面的面心上，這樣的面有12個，所以這樣的分子也有12個，故正確；故選A。4．BA．由于H-F、H-Cl、H-Br、H-I的鍵能依次減小，故HF、HCl、HBr、HI的穩(wěn)定性逐漸減弱，但由于HF中存在分子間氫鍵，導(dǎo)致其熔沸點反常升高，則熔沸點為HF＞HI＞HBr＞HCl，A錯誤；B．Ba(OH)2晶體為離子晶體，由于晶體中的陰、陽離子不能自由移動而不導(dǎo)電，但熔化后中的陰、陽離子可以自由移動，則可以導(dǎo)電，B正確；C．干冰即固體CO2，是CO2分子通過范德華力作用形成的分子晶體，熔化是只要克服分子間作用力，而不需要破壞共價鍵，C錯誤；D．由C項分析可知，干冰為分子晶體，則干冰升華時，只要克服分子間作用力，而不需要破壞共價鍵，D錯誤；故答案為：B。5．A利用均攤法計算晶胞的微粒個數(shù)可知，鎂原子間形成正六棱柱，且棱柱的上下底面還各有一個鎂原子，故一個晶胞中鎂原子的個數(shù)為：；6個硼原子位于棱柱側(cè)面上，故硼原子的個數(shù)為：，所以晶胞中鎂原子和硼原子的個數(shù)比為：1：1，故化學(xué)式為MgB，故答案為：A。6．AA．中配體為，N原子有孤對電子，則配位原子為N，A正確；B．Cu2+的核外電子排布式為[Ar]3d9，則反應(yīng)中+2價銅得到的1個電子填充在3d軌道上，B錯誤；C．未標(biāo)明是標(biāo)準(zhǔn)狀況下，無法計算，C錯誤；D．由圖中，該晶胞中白色球位于頂點和體內(nèi)，其個數(shù)=，黑色球位于體內(nèi)，其個數(shù)為4，則白色球和黑色球個數(shù)之比=2:4=1:2，根據(jù)化學(xué)式知黑色球表示Cu原子，則一個晶胞中原子的數(shù)目為4，D錯誤；故答案為A。7．CA．由圖1可知晶胞面對角線切面上的離子數(shù)目有10個：6個小黑球，4個小白球，A錯誤；B．由均攤法可知，圖2中全在內(nèi)部，個數(shù)為7，的個數(shù)為：，與的數(shù)目之比為，B錯誤；C．理想晶胞中，位于構(gòu)成的小四面體的中心，配位數(shù)為4，C正確；D．晶胞參數(shù)為，故理想晶胞的體積，D錯誤；故選C。8．CA．分子晶體中不一定存在共價鍵，如He、Ne、Ar等惰性氣體形成的分子晶體中只存在分子間作用力，不存在任何化學(xué)鍵，A錯誤；B．BF3中B周圍不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，CCl4中每個原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，B錯誤；C．硫難溶于水，微溶于酒精，易溶于CS2，根據(jù)“相似相溶原理”可知，說明極性：H2O>C2H5OH>CS2，C正確；D．I2是分子晶體，其升華是僅克服分子間作用力，沒有化學(xué)鍵的斷裂，則I2低溫下就能升華，不能說明碘原子間的共價鍵較弱，D錯誤；故答案為：C。9．AA．H3O+中只有一對孤電子對，H2O中有2對孤電子對。孤電子對越多，排斥力越大鍵角越小，因此鍵角H3O+＞H2O，A錯誤；B．在1個(CH3NH3)PbI3晶胞中，含有黑球：1個，白球：6×=3個，含有陰影球：8×=1個，因此1個(CH3NH3)PbI3晶胞含有3個I-，B正確；C．根據(jù)圖示可知：機(jī)理中的反應(yīng)在反應(yīng)過程中元素化合價不變，因此這些反應(yīng)均為非氧化還原反應(yīng)，C正確；D．H2O分子中的O原子上含有孤對電子能夠與H+形成配位鍵結(jié)合形成H3O+，因此H2O可與CH3NH反應(yīng)生成H3O+和CH3NH2，D正確；故合理選項是A。10．CX、Y、Z、W四種短周期元素，基態(tài)Y原子核外電子有4種空間運(yùn)動狀態(tài)，Y的電子排布式為1s22s22p2，Y為C元素；X與Y、Z、W不同周期，X位于第一周期，X為H元素；X、Y、Z、W原子序數(shù)依次增大且總和為22，則Z和W原子序數(shù)和為22-6-1=15，Z為N元素，W為O元素，以此解答。A．H、C、N能形成直線形分子HCN，故A正確；B．H、C、O能形成酸性(同溫同濃度下)比醋酸強(qiáng)的二元酸H2C2O4，故B正確；C．N和H能形成分子晶體NH3，也能形成離子晶體NH4H，故C錯誤；D．原子序數(shù)為52的Q元素為Te，O和Te在同一族，Te可用于制造半導(dǎo)體材料，故D正確；故選C。11．DA．該晶胞中陽離子與陰離子分別為Na+、Cl-，r(Na+)小于r(Cl-),故該晶胞中陽離子半徑與陰離子半徑之比小于1，A正確；B．由圖中可知，Na+位于12條棱上和1個體心上，Cl-位于8個頂點和6個面心上，故平均每個晶胞中含有4個和4個，B正確；C．由圖中可知，晶胞中每個周圍與它距離最近且相等的位于面對角線上，3個相互垂直的面上，每個面4個，共有12個，C正確；D．由圖中可知，每個周圍同時吸引6個，每個周圍同時吸引著6個，D錯誤；故答案為：D。12．CA．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點和面心的硒離子個數(shù)為8+6=4，位于體內(nèi)的銅離子和亞銅離子的個數(shù)之和為8，設(shè)晶胞中的銅離子和亞銅離子的個數(shù)分別為a和b，則a+b=8-4x，由化合價代數(shù)和為0可得2a+b=4×2，解得a=4x，b=8-8x，Cu+個數(shù)為8-8x，故A正確；B．由題意可知，Na2Se轉(zhuǎn)化為Cu2-xSe的電極反應(yīng)式為Na2Se-2e-+(2-x)Cu=Cu2-xSe+2Na+，由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點和面心的硒離子個數(shù)為8+6=4，則每個晶胞中含有4個Na2Se，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為8，故B正確；C．由題意可知，NayCu2-xSe轉(zhuǎn)化為NaCuSe的電極反應(yīng)式為：NayCu2-xSe+(1-y)e--+(1-y)Na+=NaCuSe+(1-x)Cu，故C錯誤；D．當(dāng)NaCuSe轉(zhuǎn)化為Na2Se時，Cu由+1價下降為0價，每轉(zhuǎn)移1mol電子，產(chǎn)生1molCu原子，故D正確；故選C。13．D由題給流程可知，低品銅礦用稀硫酸、二氧化錳酸浸時，硫化銅與稀硫酸和二氧化錳反應(yīng)生成硫酸銅、硫酸錳、硫和水，氧化亞鐵與與稀硫酸和二氧化錳反應(yīng)生成硫酸鐵、硫酸錳、硫和水，向反應(yīng)后的溶液中加入合適的試劑調(diào)節(jié)溶液pH，將鐵離子轉(zhuǎn)化為氫氧化鐵沉淀，過濾得到含有硫、氫氧化鐵的濾渣和含有錳離子和銅離子的濾液；向濾液中加入合適的試劑將錳離子轉(zhuǎn)化為沉淀，過濾得到錳渣和含有銅離子的濾液；向濾液中加入水合肼將銅離子轉(zhuǎn)化為氧化亞銅。A．酸浸過程中硫化銅發(fā)生的反應(yīng)為硫化銅與稀硫酸和二氧化錳反應(yīng)生成硫酸銅、硫酸錳、硫和水，反應(yīng)的離子方程式為CuS＋MnO2＋4H+=Cu2+＋Mn2+＋S＋2H2O，故A錯誤；B．由分析可知，酸浸所得溶液中的陽離子主要有H+、Mn2+、Cu2+和Fe3+，故B錯誤；C．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于頂點和體心的白球的個數(shù)為8×+1=2，位于體內(nèi)的黑球為4，由化學(xué)式可知，白球為氧原子，則晶胞中氧原子個數(shù)為2，故C錯誤；D．若水合肼濃度過大，水合肼與溶液中的銅離子反應(yīng)生成銅，會導(dǎo)致氧化亞銅的產(chǎn)率降低，故D正確；故選D。14．AA．Mg2+半徑比Al3+大，帶電荷數(shù)比Al3+少，則金屬鍵能Mg＜Al，硬度：Mg＜Al，A錯誤；B．Mg2+半徑比Ca2+小，帶電荷數(shù)相同，則金屬鍵能Mg＞Ca，熔點：Mg＞Ca，B正確；C．Mg2+半徑比K+小，帶電荷數(shù)比K+多，則金屬鍵能Mg＞K，硬度：Mg＞K，C正確；D．Ca2+半徑比K+小，帶電荷數(shù)比K+多，則金屬鍵能Ca＞K，熔點：Ca＞K，D正確；故選A。15．DA．二氧化硅晶體中存在Si-O鍵，結(jié)構(gòu)模型為，A錯誤；B．NH3分子間存在氫鍵，但水中含有的氫鍵數(shù)目較多，沸點較高，故B錯誤；C．金屬晶體由金屬陽離子和電子構(gòu)成，故C錯誤；D．惰性氣體單質(zhì)為分子晶體，為單原子分子，不存在共價鍵，D正確。16．D鋅灰（主要成分為Zn、ZnO，還含有Fe2O3、FeO、CuO等雜質(zhì)）加入稀硝酸溶解，根據(jù)硝酸的強(qiáng)氧化性則所得溶液中含有F、Zn2+、Cu2+，再加入氧化鋅調(diào)節(jié)pH值，先使三價鐵以氫氧化鐵沉淀而過濾除去，再加鋅置換溶液中銅而過濾除去，再往濾液中通入硫化氫得到ZnS沉淀，據(jù)此分析解答。A．稀硝酸具有強(qiáng)氧化性，與FeO發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成Fe(NO3)3、NO和H2O，離子方程式為3FeO+10H++NO=3Fe3++NO↑+5H2O，A錯誤；B．根據(jù)分析，“還原”的目的是用鋅置換出溶液中的銅過濾除去，B錯誤；C．根據(jù)分析，“沉淀”過程中，往濾液里通入硫化氫氣體得到ZnS沉淀，反應(yīng)的離子方程式為，C錯誤；D．由ZnS晶胞圖可知，考慮面心的，每個周圍距離最近的有4個，D正確；故選D。17．DA．金屬氫具有金屬晶體的特點，因此可能具有很好的導(dǎo)電性，A項正確；B．金屬氫與氫氣是氫元素的兩種不同單質(zhì)，因此互為同素異形體，B項正確；C．金屬氫中含有氫離子和自由電子，不含共價鍵，C項正確；D．制造金屬氫的過程中有新物質(zhì)生成，為化學(xué)變化，D項錯誤；故選：D。18．AA．因為原子半徑C<Si<Ge，則鍵長C-Si<Si-Si<Ge-Ge，共價鍵鍵長越長鍵能越小，則熔點越低，即熔點:碳化硅>硅>鍺，A正確；B．碳酸鹽分解實際過程是晶體中陽離子結(jié)合碳酸根離子中氧離子，使碳酸根離子分解為二氧化碳的過程，陽離子所帶電荷相同時，陽離子半徑越小，其結(jié)合氧離子能力越強(qiáng)，對應(yīng)的碳酸鹽就越容易分解，熱分解溫度:MgCO3<CaCO3<BaCO3，B錯誤；C．Cl元素的化合價越高，對應(yīng)的氧化物的水化物的酸性越強(qiáng)，故酸性，C錯誤；D．為直線形結(jié)構(gòu)，鍵角為1800，水為V型分子，鍵角為1050，氨氣為三角錐型，鍵角為1070，所以鍵角大小，D錯誤；故選A。19．DA．據(jù)圖可知Y位于4個頂點，根據(jù)均攤法可知Y的個數(shù)為=，X的個數(shù)為1，所以化學(xué)式為X2Y，故A錯誤；B．根據(jù)均攤法，A的個數(shù)為=1，B的個數(shù)為=3，C的個數(shù)為1，所以A、B、C的粒子個數(shù)比為1：3：1，故B錯誤；C．D位于頂點，頂點被8個晶胞共用，每個晶胞的體心都有一個E與其結(jié)合，所以每個D周圍結(jié)合E的個數(shù)是8，故C錯誤；D．A位于頂點，A周圍結(jié)合的B位于面心，每個頂點被8個晶胞共用，所以每個A周圍結(jié)合B的個數(shù)為=12，故D正確；綜上所述答案為D。20．DA．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)分析得到Ca、Ti、O的個數(shù)分別為、1、，則鈦酸鈣的化學(xué)式為，故A正確；B．鈦為22號元素，與鈣是都是第四周期元素，故B正確；C．鈦為22號元素，基態(tài)鈦原子電子排布式為[Ar]，價電子排布式是，故C正確；D．所在的橫截面有3個，每個橫截面與Ca2+距離最近且相等的有4個，因此晶胞中與每個距離最近且相等的有12個，故D錯誤；綜上所述，答案為D。21．H2O+HCO+AlO=Al(OH)3↓+COH—S—C≡N(S=C=N—H)同一種金屬原子結(jié)合時，粒子分布均勻，作用力相對較強(qiáng)，當(dāng)加入其他原子時，金屬內(nèi)部粒子分布不均勻，作用力減弱，熔點降低(1)偏鋁酸鈉和碳酸氫鈉溶液反應(yīng)生成氫氧化鋁和碳酸鈉，說明CO結(jié)合H+能力比AlO弱，離子方程式為H2O+HCO+AlO=Al(OH)3↓+CO。(2)分子式為HSCN的物質(zhì)，已知S、C、N均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則可能的結(jié)構(gòu)式為H－S－C≡N或S=C=N－H。(3)由于同一種金屬原子結(jié)合時，粒子分布均勻，作用力相對較強(qiáng)，當(dāng)加入其他原子時，金屬內(nèi)部粒子分布不均勻，作用力減弱，熔點降低，所以合金的熔點一般都小于其組分金屬(或非金屬)熔點。22．MgCNi3依圖，鎂原子位于立方體的頂點，鎳原子位于立方體的面心，碳原子位于立方體的體心。根據(jù)均攤法可知：該晶體的結(jié)構(gòu)單元中含鎂原子個數(shù)為8×=1；含鎳原子個數(shù)為6×=3；含碳原子個數(shù)為1?；瘜W(xué)式為：MgCNi3故答案為：MgCNi3。23．[Ar]3d9sp3、sp26molHS－乙酸鈉是離子晶體，乙酸和乙醛是分子晶體，乙酸分子間存在氫鍵C三角錐形(1)Cu的基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1，形成離子時失去最外層電子。(2)可根據(jù)碳原子的成鍵類型判斷雜化方式。飽和碳原子為sp3雜化，雙鍵碳原子為sp2雜化。共價單鍵為σ鍵，共價雙鍵中有一個σ鍵和一個π鍵，由此計算CH3COONa中含有σ鍵的數(shù)目。(3)將OH-中的O原子進(jìn)行同主族替換，可得到與其互為等電子體的陰離子。(4)不同晶體熔沸點的比較，一般情況下：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體。分子晶體比較熔沸點時除考慮分子間作用力外，還有考慮是否存在氫鍵。(5)A是分子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)。用均攤法計算B和C晶胞中各離子的數(shù)目進(jìn)行判斷。(6)根據(jù)價層電子對數(shù)和孤電子對數(shù)判斷空間構(gòu)型。：(1)核外電子排布式要遵循構(gòu)造原理，當(dāng)原子軌道電子排布為全滿、半滿或全空時，能量最低。故Cu的基態(tài)原子的核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1，當(dāng)原子失去電子形成陽離子時，失電子的順序則從最外層開始，故Cu2