北京航空航天大學《電子電路i》第一章-隨堂小測試

第一章集成電路元、器件基礎二極管：特性，用途，交流直流電阻三極管：特性曲線，工作區(qū)，電流間關系，微變等效模型FET：各種類型的FET特性曲線，特性方程2021/7/131第一章集成電路元、器件基礎二極管：特性，用途，交流直流電阻

二極管的伏安特性曲線：UI死區(qū)電壓硅管0.6V,鍺管0.2V。導通壓降:硅管0.6~0.8V,鍺管0.2~0.3V。反向擊穿電壓VBR2021/7/132二極管的伏安特性曲線：UI死區(qū)電壓硅管0.6V,鍺管0.二極管的電阻直流等效電阻RD：交流（動態(tài)）電阻rd：2021/7/133二極管的電阻直流等效電阻RD：交流（動態(tài)）電阻rd：20共射（共E）BJT工作原理以發(fā)射極（E極）作為公共端，EB結(jié)正偏，CB結(jié)反偏。令：則：β是共射BJT輸出交流短路下的交流電流增益2021/7/134共射（共E）BJT工作原理以發(fā)射極（E極）作為公共端，EB結(jié)共射BJT的伏安特性曲線共射BJT的輸出特性曲線2021/7/135共射BJT的伏安特性曲線共射BJT的輸出特性曲線2021/7IC(mA)1234VCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中:IB=0,IC=ICEO,VBE<死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。1.截止區(qū)iE=0

iB=-ICBO集電結(jié)反偏

發(fā)射結(jié)反偏2021/7/136IC(mA)1234VCE(V)36912IB=0202.擊穿區(qū)vCE>V(BR)后，iC開始劇增的區(qū)域，

iB=0對應的V(BR)為V(BR)CEO；

iE=0對應的V(BR)為V(BR)CBO；

V(BR)CBO>V(BR)CEO。

輸出特性上的擊穿都是集電結(jié)雪崩擊穿。參見P12圖1.3.42021/7/1372.擊穿區(qū)vCE>V(BR)后，iC開始劇增的區(qū)域，

iB3.飽和區(qū)IC(mA)1234VCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中VCE

VBE,集電結(jié)正偏，IB>IC，VCE0.3V稱為飽和區(qū)。vCE<vBE

vCB<0集電結(jié)正偏

發(fā)射結(jié)正偏VCE(sat)

稱為飽和壓降

硅管：0.4V~0.8V

鍺管：0.1V~0.3V2021/7/1383.飽和區(qū)IC(mA)1234VCE(V)36912IIC(mA)1234VCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域滿足IC≈

IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。4.放大區(qū)當VCE大于一定的數(shù)值時，IC主要與IB有關，IC≈

IB。iB>0vCE≥vBE發(fā)射結(jié)合適正偏

集電結(jié)反偏2021/7/139IC(mA)1234VCE(V)36912IB=020小信號等效模型是在小信號條件下，描述BJT極間交流

（動態(tài)）電壓與電流關系的線性電路。2021/7/1310小信號等效模型是在小信號條件下，描述BJT極考慮溝道長度調(diào)制效應以后的JFET大信號特性方程：N溝道JFET：P溝道JFET：上面兩式適用于耗盡型JFET工作在恒流區(qū)。2021/7/1311考慮溝道長度調(diào)制效應以后的JFET大信號特性方程：N溝道JF第二章模擬集成基本單元電路基礎直流交流通路分析方法電流源：輸出電流、輸出電阻三種組態(tài)放大電路：共射、共基、共集，共源、共柵、共漏Ri,Ro,Av,微變等效電路差動放大器：（差模、共模）Rid,Rod,Avd,Ric,Roc,Acc,

乙類推挽放大器：工作原理，Po,Pe,效率2021/7/1312第二章模擬集成基本單元電路基礎直流交流通路分析方法2021直流通路通常的計算方法：直流通路的計算主要用于確定半導體器件的工作點，從而為進一步的小信號分析提供依據(jù)。一般來說，計算工作點是通過近似的方法得到的，通?？梢越疲ū仨毷窃诳梢越频臈l件下）的有：二極管的PN結(jié)正向?qū)妷海?.6－0.7V穩(wěn)壓管的兩端的電壓：穩(wěn)壓值三極管的BE結(jié)正向?qū)妷海?.6－0.7V三極管的Ib電流：忽略三極管的Ie和Ic：近似相等FET的柵級流入的電流：忽略對于BJT，根據(jù)偏置（電阻和電流源）計算出三極管的Ic。對于FET，根據(jù)偏置（Id,Vgs的傳輸方程）計算出Id,Vgs2021/7/1313直流通路通常的計算方法：直流通路的計算主要電流傳輸特性動態(tài)輸出電阻基本電流鏡接入共集管的電流鏡串接電流鏡威爾遜電流源比例電流源微電流源主要鏡像電流源書P702021/7/1314電流傳輸特性動態(tài)輸出電阻基本電流鏡接入共集管的電流鏡串接電流三種基本組態(tài)放大電路特性與分析三種組態(tài)為：BJT的共射、共基、共集

FET的共源、共柵、共漏BJTFET差放共射共射（帶反饋Re）共集共基共源共漏共柵差模共模微變等效電路p74RiRoAv2021/7/1315三種基本組態(tài)放大電路特性與分析三種組態(tài)為：BJT的共射、共基共射小信號（微變）等效分析輸入電阻、輸出電阻和增益共射放大器的Ri一般比較大電壓放大倍數(shù)為負數(shù)（反向），一般比較大共射放大器的Ro一般比較小2021/7/1316共射小信號（微變）等效分析輸入電阻、輸出電阻和增益共射放大器共集（射隨器）的微變等效分析共集放大器的Ri比共射大很多電壓放大倍數(shù)接近于1（小于1）因此稱為射隨器共集放大器的Ro比共射的小很多2021/7/1317共集（射隨器）的微變等效分析共集放大器的Ri比共射大很多電壓共基小信號（微變）等效分析共基Ri比共射低很多，比較小vo和vi同相，其值和共射放大器的Av相同共基輸出電阻大于rce，比較大2021/7/1318共基小信號（微變）等效分析共基Ri比共射低很多，比較小vo和串接放大電路與達林頓組態(tài)JFET放大電路對應存在三種組態(tài)： 共源－－－－－共射 共柵－－－－－共集 共漏－－－－－共基

2021/7/1319串接放大電路與達林頓組態(tài)JFET放大電路對應存在三種組態(tài)：基本共射差放理想對稱時的微變等效分析2021/7/1320基本共射差放理想對稱時的微變等效分析2021/7/1320共射對稱差放雙端輸出時的Avd等于半邊差模等效電路（即單管共射電路）的電壓增益。如果差放帶有負反饋電阻Re，分析方法和帶有負反饋電阻Re的共射放大器一樣單端時：低頻差模特性2021/7/1321共射對稱差放雙端輸出時的Avd等于半邊差模等效電路單端時：低可見，Rcm只對共模有很強的負反饋，對差模無負反饋故稱Rcm為共模負反饋電阻，Rcm越大共模干擾抑制能力越強，因此要盡量增大Rcm低頻共模特性共模-共模抑制比：2021/7/13