任務四 影響沉淀純度的主要因素

項目六稱量分析法和沉淀滴定法任務一稱量分析法概述任務二沉淀的溶解度及其影響因素任務三沉淀的類型和沉淀的形成過程任務四影響沉淀純度的主要因素任務五沉淀條件的選擇任務六稱量分析中的換算因數(shù)及計算任務七沉淀滴定法及應用任務四 影響沉淀純度的主要因素在稱量分析中，要求獲得的沉淀是純凈的。但是，沉淀是從溶液中析出的，總會或多或少地夾雜溶液中的其他組分。因此，必須了解沉淀生成過程中混入雜質(zhì)的各種情況，找出減少雜質(zhì)混入的方法，以獲得符合稱量分析要求的沉淀。在進行沉淀反應時，某些可溶性雜質(zhì)同時沉淀下來的現(xiàn)象,叫做共沉淀現(xiàn)象。產(chǎn)生共沉淀現(xiàn)象的原因是由于表面吸附、生成混晶和吸留所造成。其中主要的是表面吸附。一、共沉淀現(xiàn)象表面吸附是在沉淀的表面上吸附了雜質(zhì)。產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因，是由于晶體表面上離子電荷的不完全等衡所引起的。例如在測定含有Ba2+、Fe3+溶液中的Ba2+時，加入沉淀劑稀H2SO4，則生成BaSO4晶形沉淀。從靜電引力的作用來說，在溶液中任何帶相反電荷的離子都同樣有被吸附的可能性。表面吸附是有選擇性的。1.表面吸附

吸附層吸附的選擇性是：構晶離子首先被吸附，其次，是與構晶離子大小相近，電荷相同的離子容易被吸附。擴散層吸附的選擇性是：離子的價數(shù)越高越容易被吸附,與構晶離子生成難溶化合物或離解度較小的化合物的離子也容易被吸附。

吸附雜質(zhì)量的多少，還與下列因素有關：沉淀的總表面積雜質(zhì)離子的濃度溶液的溫度如果雜質(zhì)離子與構晶離子的半徑相近，電子層結構相同，而且所形成的晶體結構也相同，則它們能生成混晶體。常見的混晶有BaSO4和PbSO4，AgC1和AgBr，MgNH4PO4·6H2O和MgNH4AsO4·6H2O等。用洗滌或陳化的方法凈化沉淀，效果不顯著。為避免混晶的生成，最好事先先將這類雜質(zhì)分離除去。2.生成混晶在沉淀過程中，當沉淀劑的濃度比較大、加入比較快時沉淀迅速長大，則先被吸附在沉淀表面的雜質(zhì)離子來不及離開沉淀，于是就陷入沉淀晶體內(nèi)部，這種現(xiàn)象稱為吸留。如留在沉淀內(nèi)部的是母液，則稱為包夾。這種現(xiàn)象造成的沉淀不純是無法洗去的，因此，在進行沉淀時應盡量避免此種現(xiàn)象的發(fā)生。3.吸留和包夾溶液中某些組分析出沉淀之后，另一種本來難以析出沉淀的組分，在該沉淀表面繼續(xù)析出沉淀的現(xiàn)象，稱為后沉淀現(xiàn)象。二、后沉淀現(xiàn)象在含有Cu2+、Zn2+等離子的酸性溶液中，通入H2S時最初得到的CuS沉淀中并不夾雜ZnS。但是如果沉淀與溶液長時間地接觸、則由于CuS沉淀表面上從溶液中吸附了S2-，而使沉淀表面上S2-濃度大大增加，致使S2-濃度與Zn2+濃度的乘積大于ZnS的溶度積常數(shù)，于是在CuS沉淀的表面上，就析出ZnS沉淀。后沉淀所引入的雜質(zhì)量比共沉淀要多，且隨著沉淀放置時間的延長而增多。因此為防止后沉淀現(xiàn)象的發(fā)生，某些沉淀的陳化時間不宜過久。1.選擇適當?shù)姆治霾襟E2.選擇適當?shù)某恋韯?.改變雜質(zhì)的存在形式以降低其濃度4.改善沉淀條件