MOOC 光學薄膜與制備技術-中國礦業(yè)大學 中國大學慕課答案

MOOC光學薄膜與制備技術-中國礦業(yè)大學中國大學慕課答案1.1隨堂測驗1、問題：本課程所研究的薄膜是。選項：A、氣體薄膜B、液體薄膜C、固體薄膜單體D、襯底上的固體薄膜正確答案:【襯底上的固體薄膜】2、問題：薄膜按形態(tài)可以分為哪些類型？選項：A、氣體薄膜B、液體薄膜C、固體薄膜D、等離子體正確答案:【氣體薄膜#液體薄膜#固體薄膜】3、問題：常見的固體薄膜有哪些類型？選項：A、氣體薄膜B、固體薄膜單體C、液體薄膜D、襯底上的固體薄膜正確答案:【固體薄膜單體#襯底上的固體薄膜】4、問題：光學薄膜就是能夠產(chǎn)生光的干涉效應的薄膜。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】1.2隨堂測驗1、問題：光學薄膜所具有的功能有哪些？選項：A、分光作用B、增透作用C、光信息存儲D、防偽作用正確答案:【分光作用#增透作用#光信息存儲#防偽作用】2、問題：根據(jù)光譜相應的不同，光學薄膜可以分成哪些類型？選項：A、增透膜B、增反膜C、濾光片D、分光膜正確答案:【增透膜#增反膜#濾光片#分光膜】3、問題：薄膜光學研究的是光橫穿過膜層傳播的規(guī)律。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：薄膜光學研究的是光在分層媒質中傳播規(guī)律的學科選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】1.3隨堂測驗1、問題：第一批減反膜是在年制備出來的。選項：A、1650年B、1817年C、1801年D、1873年正確答案:【1817年】2、問題：對物理光學基礎建立起到最初作用的是。選項：A、《論電與磁》的出版B、油擴散泵的出現(xiàn)C、楊氏雙縫干涉的提出D、第一批減反膜的制成正確答案:【楊氏雙縫干涉的提出】3、問題：對薄膜的應用迅速拓展起到最初推動作用的是。選項：A、《論電與磁》的出版B、油擴散泵的出現(xiàn)C、楊氏雙縫干涉的提出D、第一批減反膜的制成正確答案:【油擴散泵的出現(xiàn)】4、問題：與鍍膜技術密切相關的產(chǎn)業(yè)有哪些？選項：A、投影顯示B、舞臺燈光C、幕墻玻璃D、光通信領域正確答案:【投影顯示#舞臺燈光#幕墻玻璃#光通信領域】5、問題：薄膜最早期的應用只局限于抗腐蝕和制造鏡面。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】1.4隨堂測驗1、問題：兩束光產(chǎn)生干涉的條件是選項：A、頻率相同B、振幅相同C、振動方向一致D、相位差恒定正確答案:【頻率相同#振動方向一致#相位差恒定】2、問題：普通光源發(fā)光的特點是選項：A、獨立性B、隨機性C、間歇性D、相干性正確答案:【獨立性#隨機性#間歇性】3、問題：薄膜會對空間位置坐標進行光能的重新分配。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4、問題：薄膜與厚膜的本質區(qū)別在于能否產(chǎn)生光的干涉現(xiàn)象。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】1.5隨堂測驗1、問題：薄膜的基本假定認為光學薄膜是選項：A、各向同性的B、折射率均勻連續(xù)C、橫向有限D、折射率在界面發(fā)生突變正確答案:【各向同性的#折射率均勻連續(xù)#折射率在界面發(fā)生突變】2、問題：真實薄膜精確計算需要考慮的因素有選項：A、薄膜的各向異性B、光學常數(shù)的經(jīng)時效應C、光學常數(shù)的色散D、薄膜的非均勻性正確答案:【薄膜的各向異性#光學常數(shù)的經(jīng)時效應#光學常數(shù)的色散#薄膜的非均勻性】3、問題：薄膜表面的粗糙程度會影響光學薄膜的光學特性。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：薄膜制備條件的不穩(wěn)定不會對薄膜產(chǎn)生任何影響。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】1.6隨堂測驗1、問題：我們通常所說的薄膜厚度有選項：A、幾何厚度B、光學厚度C、位相厚度D、質量厚度正確答案:【幾何厚度#光學厚度#位相厚度#質量厚度】2、問題：膜系的性能通常用反射光譜曲線或者透射光譜曲線來表示。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】3、問題：一個膜系可以只有一層膜。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】1.7隨堂測驗1、問題：膜系的性能通常用反射光譜曲線或者透射光譜曲線來表示。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】2、問題：常見的膜系有周期性膜系和非周期性膜系。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】3、問題：薄膜系統(tǒng)也可以分為規(guī)整膜系和非規(guī)整膜系。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第1章單元作業(yè)1第1章單元作業(yè)2第1章單元測驗1、問題：對物理光學基礎建立起到最初作用的是。選項：A、《論電與磁》的出版B、楊氏雙縫干涉的提出C、油擴散泵的出現(xiàn)D、第一批減反膜的制成正確答案:【楊氏雙縫干涉的提出】2、問題：第一批減反膜是在年制備出來的。選項：A、1650年B、1801年C、1817年D、1873年正確答案:【1817年】3、問題：根據(jù)光譜相應的不同，光學薄膜可以分成哪些類型？選項：A、增透膜B、增反膜C、濾光片D、分光膜正確答案:【增透膜#增反膜#濾光片#分光膜】4、問題：我們通常所說的薄膜厚度有選項：A、幾何厚度B、光學厚度C、位相厚度D、質量厚度正確答案:【幾何厚度#光學厚度#位相厚度#質量厚度】5、問題：光學薄膜就是能夠產(chǎn)生光的干涉效應的薄膜。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：薄膜光學研究的是光橫穿過膜層傳播的規(guī)律。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：薄膜最早期的應用只局限于抗腐蝕和制造鏡面。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：薄膜會對空間位置坐標進行光能的重新分配。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】9、問題：一個膜系可以只有一層膜。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】2.1隨堂測驗1、問題：麥克斯韋方程組中的每個方程所對應的電磁定理是選項：A、電場高斯定理B、磁場高斯定理C、法拉第電磁感應定理D、全電流定理正確答案:【電場高斯定理#磁場高斯定理#法拉第電磁感應定理#全電流定理】2、問題：麥克斯韋方程組的積分形式只適用于有限大小的電磁場。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】3、問題：要確定某一給定點的電磁場必須采用麥克斯韋方程組的積分形式。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4、問題：在處理介質對電磁場的影響時，必須考慮介質的微觀結構。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第2章單元作業(yè)1第2章單元作業(yè)2第2章單元測驗1、問題：在p偏振時，有效光學導納為。選項：A、NcosθB、N/cosθC、NsinθD、N/sinθ正確答案:【N/cosθ】2、問題：在s偏振時，有效光學導納為。選項：A、NcosθB、N/cosθC、NsinθD、N/sinθ正確答案:【Ncosθ】3、問題：麥克斯韋方程組中的每個方程所對應的電磁定理是選項：A、電場高斯定理B、磁場高斯定理C、法拉第電磁感應定理D、全電流定理正確答案:【電場高斯定理#磁場高斯定理#法拉第電磁感應定理#全電流定理】4、問題：電磁場邊界條件包含哪些？選項：A、Et1=Et2B、Hn1=Hn2C、Dt1=Dt2D、Bn1=Bn2正確答案:【Et1=Et2#Bn1=Bn2】5、問題：麥克斯韋方程組的積分形式只適用于有限大小的電磁場。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：在處理介質對電磁場的影響時，必須考慮介質的微觀結構。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】7、問題：在靜磁場中界面兩側磁感應矢量的法向分量連續(xù)。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：電磁矢量都是時間、空間的函數(shù)，所以邊界條件對任意時刻、界面上任意位置都成立選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：介質的光學導納是磁場強度與電場強度的比值選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第3章單元作業(yè)第3章單元測驗1、問題：電磁波傳播的方向和速度與電磁波能量的傳播方向和速度是一致的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】2、問題：電磁波所傳遞的能量與其振幅成正比。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】3、問題：任何一個復雜的薄膜系統(tǒng)，其反射率的計算問題都可以通過其等效界面對應的等效光學導納進行計算。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：光學厚度相差為某半波長的整數(shù)倍的同一材料的單層介質膜，對同一波長有相同的反射率選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】5、問題：虛設層對膜系所有波段的有效光學導納和反射率都沒有任何影響。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4.4隨堂測驗1、問題：對推動技術光學發(fā)展來說。在所有的光學薄膜中起著最重要的作用。選項：A、減反膜B、高反膜C、分光片D、濾光片正確答案:【減反膜】2、問題：第一批減反膜是用方法制備出來的。選項：A、電鍍法B、真空蒸發(fā)法C、濺射鍍膜法D、化學腐蝕法正確答案:【化學腐蝕法】3、問題：單層減反膜的主要缺陷有。選項：A、剩余反射率高B、可用材料少C、破壞色中心D、制備困難正確答案:【剩余反射率高#破壞色中心】4、問題：克服單層膜缺陷常用的方法有。選項：A、增加折射率B、采用漸變膜C、改變膜厚D、制備多層膜正確答案:【采用漸變膜#制備多層膜】5、問題：多層減反膜中的虛設層通常起著平滑膜系反射特性的作用。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4.5隨堂測驗1、問題：金屬膜中從紫外區(qū)到紅外區(qū)都有很高反射率的材料是。選項：A、金膜B、銀膜C、鋁膜D、鎘膜正確答案:【鋁膜】2、問題：在紅外區(qū)反射率很高，常用來制作紅外反射鏡的是。選項：A、金膜B、銀膜C、鋁膜D、鎘膜正確答案:【金膜】3、問題：金屬膜的缺點是比較軟，容易損壞。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：金屬膜表面通常都鍍制一層保護膜，為了起到保護作用，保護膜材料的折射率越高越好。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4.10隨堂測驗1、問題：要想使鍍制的單層薄膜的反射率增加，則膜層的折射率要比襯底的折射率。選項：A、相同B、大C、小D、接近正確答案:【大】2、問題：光學厚度均為四分之一波長的介質高反射膜，其高反射帶的寬度取決于。選項：A、膜層層數(shù)多少B、高、低折射率的比值C、中心波長位置D、反射率極限值正確答案:【高、低折射率的比值】3、問題：多層介質高反膜具有的反射特性有。選項：A、反射率隨層數(shù)增加B、高反射寬度有限C、反射帶寬度與層數(shù)無關D、透射區(qū)的振蕩與層數(shù)有關正確答案:【反射率隨層數(shù)增加#高反射寬度有限#反射帶寬度與層數(shù)無關#透射區(qū)的振蕩與層數(shù)有關】4、問題：鋁膜能夠廣泛應用的原因是。選項：A、反射率高的波段寬B、容易鍍制C、牢固穩(wěn)定D、價格低廉正確答案:【反射率高的波段寬#牢固穩(wěn)定】5、問題：λ/4-λ/4雙層減反膜系通常也稱為W形膜。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】6、問題：在基片上交替鍍制光學厚度為四分之一波長的高、低折射率材料，就一定能滿足我們對薄膜光譜特性的需要。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4.11隨堂測驗1、問題：本課程講述的濾光片主要有。選項：A、二向分色濾光片B、長波通濾光片C、反射濾光片D、短波通濾光片正確答案:【長波通濾光片#短波通濾光片】2、問題：選擇一個滿足要求的截止濾光片需要考慮的因素有。選項：A、截止區(qū)波長范圍B、截止區(qū)最小透過率C、透射區(qū)最大透過率D、透射區(qū)波長范圍正確答案:【截止區(qū)波長范圍#透射區(qū)波長范圍】3、問題：四分之一膜堆最外側的兩層用高折射率材料八分之一光學厚度可以減少長波側的波紋選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：在重疊多個四分之一膜系時，要把工作波長區(qū)吸收大的高反膜安排在入射光一側。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4.15隨堂測驗1、問題：截止濾光片主要的類型有。選項：A、吸收型濾光片B、薄膜干涉型濾光片C、彩色濾光片D、吸收干涉組合型濾光片正確答案:【吸收型濾光片#薄膜干涉型濾光片#吸收干涉組合型濾光片】2、問題：一個周期性的對稱多層膜系在數(shù)學上可以等效為一個雙層膜。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】3、問題：一個周期性對稱膜系通帶中的等效折射率是其基本周期等效折射率的S倍（S為周期數(shù)）。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4、問題：截止濾光片通帶波紋的產(chǎn)生是因為等效層的等效折射率與入射介質及基片匹配不好引起的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第4章單元作業(yè)1第4章單元作業(yè)2第4章單元作業(yè)3第4章單元測驗1、問題：對推動技術光學發(fā)展來說。在所有的光學薄膜中起著最重要的作用。選項：A、減反膜B、高反膜C、分光膜D、濾光片正確答案:【減反膜】2、問題：在玻璃表面上鍍制一層薄膜達到減反射的目的應該鍍制的材料是。選項：A、硫化鋅B、氟化鎂C、單晶硅D、方解石正確答案:【氟化鎂】3、問題：常用來防腐和鍍制鏡面的材料是。選項：A、金膜B、鋁膜C、銀膜D、鎘膜正確答案:【銀膜】4、問題：表面反射對光學系統(tǒng)造成的嚴重后果有。選項：A、光能損失B、像亮度降低C、分辨率下降D、像的襯度降低正確答案:【光能損失#像亮度降低#分辨率下降#像的襯度降低】5、問題：選擇一個滿足要求的截止濾光片需要考慮的因素有。選項：A、透射區(qū)允許的最大透過率B、截止區(qū)允許的最大透過率C、截止區(qū)允許的最小透過率D、透射區(qū)允許的最小透過率正確答案:【截止區(qū)允許的最大透過率#透射區(qū)允許的最小透過率】6、問題：/4-/2雙層減反膜系通常也稱為v形膜。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】7、問題：在重疊多個四分之一膜系時，要把工作波長區(qū)吸收大的高反膜安排在入射光一側。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：在基片上交替鍍制光學厚度為四分之一波長的高、低折射率材料，就一定能滿足我們對薄膜光譜特性的需要。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】9、問題：/4-/2雙層減反膜系通常也稱為W形膜。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】5.1隨堂測驗1、問題：金屬的熱處理一般都在區(qū)域進行的。選項：A、粗真空B、低真空C、高真空D、超高真空正確答案:【低真空】2、問題：電容器生產(chǎn)中所采用的真空浸漬工藝所需要的真空度在區(qū)域。選項：A、粗真空B、低真空C、高真空D、超高真空正確答案:【粗真空】3、問題：通常的真空蒸發(fā)鍍膜所采用的真空區(qū)域是。選項：A、粗真空B、低真空C、高真空D、超高真空正確答案:【高真空】4、問題：采用超高真空的用途通常是。選項：A、進行蒸發(fā)鍍膜B、進行濺射鍍膜C、獲得純凈固體表面D、得到純凈氣體正確答案:【進行濺射鍍膜#獲得純凈固體表面#得到純凈氣體】5、問題：可以用來度量真空的參量有。選項：A、真空度B、壓強C、氣體分子數(shù)密度D、氣體平均自由程正確答案:【真空度#壓強#氣體分子數(shù)密度#氣體平均自由程】5.3隨堂測驗1、問題：決定一個真空泵是否滿足真空度要求的性能指標是。選項：A、真空室的大小B、真空泵抽氣空間大小C、真空泵的極限壓強D、真空泵的抽氣速率正確答案:【真空泵的極限壓強】2、問題：決定一個真空泵效率的性能指標是。選項：A、真空室的大小B、真空泵抽氣空間大小C、真空泵的極限壓強D、真空泵的抽氣速率正確答案:【真空泵的抽氣速率】3、問題：典型的真空系統(tǒng)包括。選項：A、真空室B、真空泵C、真空計D、真空管正確答案:【真空室#真空泵#真空計】4、問題：衡量一個真空系統(tǒng)是否滿足要求的性能指標有。選項：A、極限壓強B、腔體大小C、抽氣速率D、工作原理正確答案:【極限壓強#抽氣速率】5.4隨堂測驗1、問題：真空計按照測量原理分為。選項：A、壓縮式真空計B、放電真空計C、絕對真空計D、相對真空計正確答案:【絕對真空計#相對真空計】2、問題：下列屬于相對真空計的是。選項：A、壓縮式真空計B、放電真空計C、熱傳導真空計D、電離真空計正確答案:【放電真空計#熱傳導真空計#電離真空計】3、問題：能夠測出氣體壓強的真空計都是絕對真空計。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4、問題：通過測量與壓強有關的物理量，并與絕對真空計比較后得到壓強值的真空計就是相對真空計。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】隨堂測驗1、問題：真空蒸發(fā)鍍膜一般不包括過程。選項：A、加熱蒸發(fā)過程B、分離過程C、源-基輸運過程D、沉積過程正確答案:【分離過程】2、問題：真空蒸發(fā)鍍膜時為了抑制或避免薄膜原材料與蒸發(fā)加熱器發(fā)生化學反應，應該采用。選項：A、反應蒸發(fā)法B、電子束加熱法C、耐熱陶瓷坩堝D、多源蒸發(fā)法正確答案:【耐熱陶瓷坩堝】3、問題：真空蒸發(fā)鍍膜時為了制造成分復雜或多層復合薄膜，應該采用。選項：A、耐熱陶瓷坩堝B、電子束加熱法C、多源蒸發(fā)法D、反應蒸發(fā)法正確答案:【多源蒸發(fā)法】隨堂測驗1、問題：不能采用電阻加熱法進行鍍膜的是。選項：A、金膜B、鋁膜C、鎘膜D、鎢膜正確答案:【鎢膜】2、問題：在真空蒸發(fā)鍍膜過程中，為了制備出滿足要求的薄膜，需要確定的參數(shù)有。選項：A、真空室的腔體大小B、真空室的真空度C、真空室的形狀D、蒸發(fā)溫度正確答案:【真空室的真空度#蒸發(fā)溫度】3、問題：下列屬于物理氣相沉積薄膜的方法有。選項：A、真空蒸發(fā)鍍膜B、濺射鍍膜C、電鍍D、離子鍍正確答案:【真空蒸發(fā)鍍膜#濺射鍍膜#離子鍍】4、問題：物質的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而減小。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】隨堂測驗1、問題：在濺射鍍膜過程中，靶材通常是放在區(qū)進行的。選項：A、阿斯頓暗區(qū)B、陰極輝光區(qū)C、負輝光區(qū)D、克魯克斯暗區(qū)正確答案:【負輝光區(qū)】2、問題：影響濺射率的因素有。選項：A、靶材料B、入射離子能量C、入射離子種類D、入射離子入射角正確答案:【靶材料#入射離子能量#入射離子種類#入射離子入射角】3、問題：面心立方結構靶材的濺射率比六方晶格結構靶材的濺射率低。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4、問題：滿殼層元素具有最小的濺射率。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】隨堂測驗1、問題：在濺射鍍膜過程中，靶材通常是放在區(qū)進行的。選項：A、阿斯頓暗區(qū)B、陰極輝光區(qū)C、負輝光區(qū)D、克魯克斯暗區(qū)正確答案:【負輝光區(qū)】2、問題：下面哪一種濺射方式的靶材可以是絕緣材料。選項：A、二級濺射B、射頻濺射C、磁控濺射D、對靶濺射正確答案:【射頻濺射】3、問題：描述濺射鍍膜特性的物理量有。選項：A、濺射閾值B、濺射產(chǎn)額C、濺射原子的能量D、濺射原子的方向正確答案:【濺射閾值#濺射產(chǎn)額#濺射原子的能量#濺射原子的方向】4、問題：用單晶材料為靶材進行濺射鍍膜時，濺射出來的原子基本上遵循余弦規(guī)則。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】隨堂測驗1、問題：在進行膜層厚度的分布計算時，我們往往認為。選項：A、蒸氣分子無碰撞B、到達基片全凝結C、蒸發(fā)特性不改變D、殘余氣體無影響正確答案:【蒸氣分子無碰撞#到達基片全凝結#蒸發(fā)特性不改變#殘余氣體無影響】2、問題：常用的膜厚監(jiān)控方法有。選項：A、極值法B、石英晶體振蕩法C、觸針法D、表面法正確答案:【極值法#石英晶體振蕩法#觸針法】3、問題：極值法測得的膜厚是質量厚度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4、問題：采用小平面蒸發(fā)源蒸發(fā)鍍膜時要想在球面夾具上得到均勻的薄膜，應該把小平面蒸發(fā)源放在球面上。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第5章單元作業(yè)1第5章單元作業(yè)2第5章單元作業(yè)3隨堂測驗1、問題：薄膜的形成過程一般包含。選項：A、凝結過程B、核形成過程C、島的形成過程D、島的結合與生長過程正確答案:【凝結過程#核形成過程#島的形成過程#島的結合與生長過程】2、問題：熱力學表面能理論和原子聚集體理論的相同點包括。選項：A、基本概念B、速率公式形式C、采用的能量D、適用的范圍正確答案:【基本概念#速率公式形式】3、問題：薄膜形成過程中，氣相原子或分子到達基板表面上首先發(fā)生的是化學吸附選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4、問題：固體表面與體內(nèi)在晶體結構上的重大差異是固體表面具有許多不飽和鍵。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】隨堂測驗1、問題：薄膜的生長模式一般包含??????。選項：A、核生長型B、層生長型C、層－核生長型D、核－層生長型正確答案:【核生長型#層生長型#層－核生長型】2、問題：電子顯微鏡和理論分析表明，核生長型薄膜的生長過程分為??????階段。選項：A、小島階段B、結合階段C、溝道階段D、連續(xù)薄膜階段正確答案:【小島階段#結合階段#溝道階段#連續(xù)薄膜階段】3、問題：層生長型生長方式發(fā)生的主要原因是蒸發(fā)原子間的結合能大于基片原子與蒸發(fā)原子間的結合能。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4、問題：在基體和薄膜原子間相互作用特別強的情況下容易發(fā)生核生長型。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】隨堂測驗1、問題：根據(jù)研究對象的不同薄膜的結構分為??????????。選項：A、組織結構B、表面結構C、晶體結構D、組成結構正確答案:【組織結構#表面結構#晶體結構】2、問題：形成無定形薄膜的主要方法是???????。選項：A、降低基體溫度B、引入反應氣體C、提高基體溫度D、引入雜質正確答案:【降低基體溫度#引入反應氣體#引入雜質】3、問題：無定形結構的顯著特點是進程有序，遠程無序。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：形成無定形薄膜的條件就是降低吸附原子的表面擴散速率。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】隨堂測驗1、問題：位錯的基本類型有。選項：A、刃位錯B、螺位錯C、混合位錯D、正位錯正確答案:【刃位錯#螺位錯#混合位錯】2、問題：影響晶粒尺寸的因素有。選項：A、薄膜厚度B、基板溫度C、退火溫度D、沉積速率正確答案:【薄膜厚度#基板溫度#退火溫度#沉積速率】3、問題：絕大多數(shù)位錯是在溝道和空洞階段產(chǎn)生的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第6章單元作業(yè)1第6章單元作業(yè)2第6章單元測驗1、問題：氣相原子或分子到達基片表面可能會發(fā)生以下現(xiàn)象。選項：A、反射B、吸附C、重蒸發(fā)D、二次蒸發(fā)正確答案:【反射#吸附#重蒸發(fā)#二次蒸發(fā)】2、問題：影響晶粒尺寸的因素有。選項：A、薄膜厚度B、基板溫度C、退火溫度D、沉積速率正確答案:【薄膜厚度#基板溫度#退火溫度#沉積速率】3、問題：面缺陷常見的典型構型有。選項：A、晶界B、層錯C、孿晶面D、表面正確答案:【晶界#層錯#孿晶面#表面】4、問題：電子顯微鏡和理論分析表明，核生長型薄膜的生長過程分為??????階段。選項：A、小島階段B、結合階段C、溝道階段D、連續(xù)薄膜階段正確答案:【小島階段#結合階段#溝道階段#連續(xù)薄膜階段】5、問題：層生長型生長方式發(fā)生的主要原因是基片原子與蒸發(fā)原子間的結合能接近于蒸發(fā)原子間的結合能。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：核生長型生長方式發(fā)生的主要原因是蒸發(fā)原子間的結合能大于基片原子與蒸發(fā)原子間的結合能。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：我們可以使用電子顯微鏡來直接觀察和研究點缺陷。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：絕大多數(shù)位錯是在溝道和空洞階段產(chǎn)生的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】2021-2022-2光學薄膜與制備技術在線期末考試卷1、問題：本課程所研究的薄膜是。選項：A、氣體薄膜B、液體薄膜C、固體薄膜單體D、襯底上的固體薄膜正確答案:【襯底上的固體薄膜】2、問題：對物理光學基礎建立起到最初作用的是。選項：A、《論電與磁》的出版B、楊氏雙縫干涉的提出C、油擴散泵的出現(xiàn)D、第一批減反膜的制成正確答案:【楊氏雙縫干涉的提出】3、問題：對薄膜的應用迅速拓展起到最初推動作用的是。選項：A、《論電與磁》的出版B、楊氏雙縫干涉的提出C、油擴散泵的出現(xiàn)D、第一批減反膜的制成正確答案:【油擴散泵的出現(xiàn)】4、問題：第一批減反膜是在年制備出來的。選項：A、1650年B、1801年C、1817年D、1873年正確答案:【1817年】5、問題：在p偏振時，有效光學導納為。選項：A、NcosθB、N/cosθC、NsinθD、N/sinθ正確答案:【N/cosθ】6、問題：在s偏振時，有效光學導納為。選項：A、NcosθB、N/cosθC、NsinθD、N/sinθ正確答案:【Ncosθ】7、問題：對推動技術光學發(fā)展來說。在所有的光學薄膜中起著最重要的作用。選項：A、減反膜B、高反膜C、分光膜D、濾光片正確答案:【減反膜】8、問題：第一批減反膜是用方法制備出來的。選項：A、真空蒸發(fā)法B、濺射鍍膜法C、化學腐蝕法D、電鍍法正確答案:【化學腐蝕法】9、問題：在玻璃表面上鍍制一層薄膜達到減反射的目的應該鍍制的材料是。選項：A、硫化鋅B、氟化鎂C、單晶硅D、方解石正確答案:【氟化鎂】10、問題：金屬膜中從紫外區(qū)到紅外區(qū)都有很高反射率的材料是。選項：A、金膜B、鋁膜C、銀膜D、鎘膜正確答案:【鋁膜】11、問題：常用來防腐和鍍制鏡面的材料是。選項：A、金膜B、鋁膜C、銀膜D、鎘膜正確答案:【銀膜】12、問題：在紅外區(qū)反射率很高，常用來制作紅外反射鏡的是。選項：A、金膜B、鋁膜C、銀膜D、鎘膜正確答案:【金膜】13、問題：要想使鍍制的單層薄膜的反射率增加，則膜層的折射率要比襯底的折射率。選項：A、小B、相等C、接近D、大正確答案:【大】14、問題：要想使鍍制的單層薄膜起到增透作用，則膜層的折射率要比襯底的折射率。選項：A、小B、相等C、接近D、大正確答案:【小】15、問題：光學厚度均為四分之一波長的介質高反射膜，其高反射帶的寬度取決于。選項：A、膜層層數(shù)多少B、高、低折射率比值C、中心波長位置D、反射率極限值正確答案:【高、低折射率比值】16、問題：電容器生產(chǎn)中所采用的真空浸漬工藝所需要的真空度在區(qū)域。選項：A、低真空B、粗真空C、高真空D、超高真空正確答案:【粗真空】17、問題：金屬的熱處理一般都在區(qū)域進行的。選項：A、低真空B、粗真空C、高真空D、超高真空正確答案:【低真空】18、問題：在區(qū)域氣體的熱傳導和內(nèi)摩擦與壓強無關。選項：A、低真空B、粗真空C、高真空D、超高真空正確答案:【高真空】19、問題：通常的真空蒸發(fā)鍍膜所采用的真空區(qū)域是。選項：A、低真空B、粗真空C、高真空D、超高真空正確答案:【高真空】20、問題：通常的濺射鍍膜所采用的真空區(qū)域是。選項：A、低真空B、粗真空C、高真空D、超高真空正確答案:【高真空】21、問題：采用低真空的主要目的是。選項：A、得到純凈氣體B、獲得純凈固體表面C、改變氣體空間的性質D、獲得壓力差正確答案:【獲得壓力差】22、問題：決定一個真空泵是否滿足真空度要求的性能指標是。選項：A、真空室的大小B、真空泵抽氣空間大小C、真空泵的極限壓強D、真空泵的抽氣速率正確答案:【真空泵的極限壓強】23、問題：決定一個真空泵效率的性能指標是。選項：A、真空室的大小B、真空泵抽氣空間大小C、真空泵的極限壓強D、真空泵的抽氣速率正確答案:【真空泵的抽氣速率】24、問題：真空蒸發(fā)鍍膜時為了蒸發(fā)低蒸氣壓物質，應該采用。選項：A、耐熱陶瓷坩堝B、電子束加熱法C、多源蒸發(fā)法D、反應蒸發(fā)法正確答案:【電子束加熱法】25、問題：真空蒸發(fā)鍍膜時為了抑制或避免薄膜原材料與蒸發(fā)加熱器發(fā)生化學反應，應該采用。選項：A、耐熱陶瓷坩堝B、電子束加熱法C、多源蒸發(fā)法D、反應蒸發(fā)法正確答案:【耐熱陶瓷坩堝】26、問題：真空蒸發(fā)鍍膜時為了制造成分復雜或多層復合薄膜，應該采用。選項：A、耐熱陶瓷坩堝B、電子束加熱法C、多源蒸發(fā)法D、反應蒸發(fā)法正確答案:【多源蒸發(fā)法】27、問題：真空蒸發(fā)鍍膜時為了制備化合物薄膜或抑制薄膜成分對原材料的偏離，應該采用。選項：A、耐熱陶瓷坩堝B、電子束加熱法C、多源蒸發(fā)法D、反應蒸發(fā)法正確答案:【反應蒸發(fā)法】28、問題：不能采用電阻加熱法進行鍍膜的是。選項：A、鋁膜B、金膜C、鎘膜D、鎢膜正確答案:【鎢膜】29、問題：電容器生產(chǎn)中所采用的真空浸漬工藝所需要的真空度在區(qū)域。選項：A、低真空B、粗真空C、高真空D、超高真空正確答案:【粗真空】30、問題：金屬的熱處理一般都在區(qū)域進行的。選項：A、低真空B、粗真空C、高真空D、超高真空正確答案:【低真空】31、問題：在區(qū)域氣體的熱傳導和內(nèi)摩擦與壓強無關。選項：A、低真空B、粗真空C、高真空D、超高真空正確答案:【高真空】32、問題：通常的真空蒸發(fā)鍍膜所采用的真空區(qū)域是。選項：A、低真空B、粗真空C、高真空D、超高真空正確答案:【高真空】33、問題：通常的濺射鍍膜所采用的真空區(qū)域是。選項：A、低真空B、粗真空C、高真空D、超高真空正確答案:【高真空】34、問題：采用低真空的主要目的是。選項：A、得到純凈氣體B、獲得純凈固體表面C、改變氣體空間的性質D、獲得壓力差正確答案:【獲得壓力差】35、問題：決定一個真空泵是否滿足真空度要求的性能指標是。選項：A、真空室的大小B、真空泵抽氣空間大小C、真空泵的極限壓強D、真空泵的抽氣速率正確答案:【真空泵的極限壓強】36、問題：決定一個真空泵效率的性能指標是。選項：A、真空室的大小B、真空泵抽氣空間大小C、真空泵的極限壓強D、真空泵的抽氣速率正確答案:【真空泵的抽氣速率】37、問題：真空蒸發(fā)鍍膜時為了蒸發(fā)低蒸氣壓物質，應該采用。選項：A、耐熱陶瓷坩堝B、電子束加熱法C、多源蒸發(fā)法D、反應蒸發(fā)法正確答案:【電子束加熱法】38、問題：真空蒸發(fā)鍍膜時為了抑制或避免薄膜原材料與蒸發(fā)加熱器發(fā)生化學反應，應該采用。選項：A、耐熱陶瓷坩堝B、電子束加熱法C、多源蒸發(fā)法D、反應蒸發(fā)法正確答案:【耐熱陶瓷坩堝】39、問題：真空蒸發(fā)鍍膜時為了制造成分復雜或多層復合薄膜，應該采用。選項：A、耐熱陶瓷坩堝B、電子束加熱法C、多源蒸發(fā)法D、反應蒸發(fā)法正確答案:【多源蒸發(fā)法】40、問題：真空蒸發(fā)鍍膜時為了制備化合物薄膜或抑制薄膜成分對原材料的偏離，應該采用。選項：A、耐熱陶瓷坩堝B、電子束加熱法C、多源蒸發(fā)法D、反應蒸發(fā)法正確答案:【反應蒸發(fā)法】41、問題：不能采用電阻加熱法進行鍍膜的是。選項：A、鋁膜B、金膜C、鎘膜D、鎢膜正確答案:【鎢膜】42、問題：在濺射鍍膜過程中，靶材通常是放在區(qū)進行的。選項：A、阿斯頓暗區(qū)B、陰極輝光區(qū)C、負輝光區(qū)D、克魯克斯暗區(qū)正確答案:【負輝光區(qū)】43、問題：下面哪一種濺射方式的靶材可以是絕緣材料。選項：A、二級濺射B、射頻濺射C、磁控濺射D、對靶濺射正確答案:【射頻濺射】44、問題：下面哪一種鍍膜技術稱作輝光放電中的蒸發(fā)法。選項：A、化學鍍B、磁控濺射C、真空蒸發(fā)D、離子鍍正確答案:【離子鍍】45、問題：下面哪一種濺射方式的靶材可以是強磁性材料。選項：A、二級濺射B、射頻濺射C、磁控濺射D、對靶濺射正確答案:【對靶濺射】46、問題：鍍制薄膜時膜厚與下列哪些因素有關。選項：A、蒸發(fā)源特性B、基片形狀C、蒸發(fā)源形狀D、源基配置方式正確答案:【蒸發(fā)源特性#基片形狀#蒸發(fā)源形狀#源基配置方式】47、問題：在進行膜層厚度的分布計算時，我們往往認為。選項：A、蒸氣分子無碰撞B、到達基片全凝結C、蒸發(fā)特性不改變D、殘余氣體無影響正確答案:【蒸氣分子無碰撞#到達基片全凝結#蒸發(fā)特性不改變#殘余氣體無影響】48、問題：薄膜按形態(tài)可以分為哪些類型？選項：A、氣體薄膜B、液體薄膜C、固體薄膜D、等離子體正確答案:【氣體薄膜#液體薄膜#固體薄膜】49、問題：與鍍膜技術密切相關的產(chǎn)業(yè)有哪些？選項：A、投影顯示B、舞臺燈光C、幕墻玻璃D、光通信領域正確答案:【投影顯示#舞臺燈光#幕墻玻璃#光通信領域】50、問題：薄膜的形成過程一般包含。選項：A、凝結過程B、核形成過程C、島的形成過程D、島的結合與生長過程正確答案:【凝結過程#核形成過程#島的形成過程#島的結合與生長過程】51、問題：氣相原子或分子到達基片表面可能會發(fā)生以下現(xiàn)象。選項：A、反射B、吸附C、重蒸發(fā)D、二次蒸發(fā)正確答案:【反射#吸附#重蒸發(fā)#二次蒸發(fā)】52、問題：下列屬于臨界核長大的方式有。選項：A、入射原子直接碰撞B、均勻成核生長C、吸附原子擴散碰撞D、非均勻成核生長正確答案:【入射原子直接碰撞#吸附原子擴散碰撞】53、問題：形核過程一般可以分成以下類型。選項：A、入射原子直接碰撞B、均勻成核生長C、吸附原子擴散碰撞D、非均勻成核生長正確答案:【均勻成核生長#非均勻成核生長】54、問題：薄膜的生長模式一般包含??????。選項：A、核生長型B、層生長型C、層－核生長型D、核－層生長型正確答案:【核生長型#層生長型#層－核生長型】55、問題：臨界核形成初期的吞并結合機制有?????。選項：A、奧斯瓦爾多吞并機制B、熔結機制C、原子團遷移機制D、生長機制正確答案:【奧斯瓦爾多吞并機制#熔結機制#原子團遷移機制】56、問題：熱力學表面能理論和原子聚集體理論的不相同點包括。選項：A、基本概念B、速率公式形式C、采用的能量D、適用的范圍正確答案:【采用的能量#適用的范圍】57、問題：薄膜的組織結構可以分為??????????????。選項：A、無定形結構B、晶體結構C、纖維結構D、單晶結構正確答案:【無定形結構#晶體結構#纖維結構#單晶結構】58、問題：形成無定形薄膜的主要方法是???????。選項：A、降低基體溫度B、引入反應氣體C、提高基體溫度D、引入雜質正確答案:【降低基體溫度#引入反應氣體#引入雜質】59、問題：多晶結構的薄膜可以分為選項：A、無序多晶薄膜B、錐形結構薄膜C、柱狀結構薄膜D、纖維結構薄膜正確答案:【無序多晶薄膜#錐形結構薄膜#柱狀結構薄膜#纖維結構薄膜】60、問題：表面反射對光學系統(tǒng)造成的嚴重后果有。選項：A、光能損失B、像亮度降低C、分辨率下降D、像的襯度降低正確答案:【光能損失#像亮度降低#分辨率下降#像的襯度降低】61、問題：常見的熱缺陷類型有。選項：A、肖特基缺陷B、點缺陷C、弗倫克爾缺陷D、線缺陷正確答案:【肖特基缺陷#弗倫克爾缺陷】62、問題：單層減反膜的主要缺陷有。選項：A、剩余反射率高B、可用材料少C、破壞色中心D、制備困難正確答案:【剩余反射率高#破壞色中心】63、問題：克服單層膜缺陷常用的方法有。選項：A、增加折射率B、漸變膜C、改變膜厚D、多層膜正確答案:【漸變膜#多層膜】64、問題：面缺陷常見的典型構型有。選項：A、晶界B、層錯C、孿晶面D、表面正確答案:【晶界#層錯#孿晶面#表面】65、問題：影響晶粒尺寸的因素有。選項：A、薄膜厚度B、基板溫度C、退火溫度D、沉積速率正確答案:【薄膜厚度#基板溫度#退火溫度#沉積速率】66、問題：按缺陷在三維空間幾何形狀和涉及的范圍，缺陷可以分為?????????????。選項：A、點缺陷B、面缺陷C、線缺陷D、體缺陷正確答案:【點缺陷#面缺陷#線缺陷#體缺陷】67、問題：選擇一個滿足要求的截止濾光片需要考慮的因素有。選項：A、截止區(qū)波長范圍B、截止區(qū)最小透過率C、透射區(qū)最大透過率D、透射區(qū)波長范圍正確答案:【截止區(qū)波長范圍#透射區(qū)波長范圍】68、問題：描述濺射鍍膜特性的物理量有。選項：A、濺射閾值B、濺射產(chǎn)額C、濺射率D、濺射系數(shù)正確答案:【濺射閾值#濺射產(chǎn)額#濺射率#濺射系數(shù)】69、問題：影響濺射率的因素有。選項：A、靶材料B、入射離子能量C、入射離子種類D、入射離子入射角正確答案:【靶材料#入射離子能量#入射離子種類#入射離子入射角】70、問題：普通二極直流濺射中工作氣體壓強必須保持在1～10Pa范圍內(nèi)，如果壓強低于1Pa，輝光放電就不能自持而無法濺射。而卻能在低壓下進行濺射鍍膜。選項：A、三級濺射B、射頻濺射C、磁控濺射D、對靶濺射正確答案:【三級濺射#磁控濺射】71、問題：與蒸發(fā)和濺射相比，離子鍍所具有的優(yōu)點是選項：A、膜層附著力強B、膜層密度高C、繞射性能好D、沉積速率高正確答案:【膜層附著力強#膜層密度高#繞射性能好#沉積速率高】72、問題：真空就是壓力低于一個大氣壓的任何氣體空間。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】73、問題：碰撞與固體表面的分子，它們飛離表面的方向與原來入射方向無關選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】74、問題：能夠測出氣體壓強的真空計都是絕對真空計。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】75、問題：物質的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增加。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】76、問題：輝光放電是濺射鍍膜的基礎。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】77、問題：面心立方結構靶材的濺射率比六方晶格結構靶材的濺射率低。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】78、問題：入射離子的能量高于某一值的時候才能發(fā)生濺射。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】79、問題：用單晶材料為靶材進行濺射鍍膜時，濺射出來的原子基本上遵循余弦規(guī)則。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】80、問題：石英晶體振蕩器測得的膜厚是光學厚度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】81、問題：薄膜光學研究的是光橫穿過膜層傳播的規(guī)律。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】82、問題：薄膜與厚膜的本質區(qū)別在于能否產(chǎn)生光的干涉現(xiàn)象。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】83、問題：觸針法測得的膜厚是光學厚度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】84、問題：麥克斯韋方程組的積分形式只適用于有限大小的電磁場。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】85、問題：要確定某一給定點的電磁場必須采用麥克斯韋方程組的積分形式。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】86、問題：在處理介質對電磁場的影響時，必須考慮介質的微觀結構。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】87、問題：采用點蒸發(fā)源蒸發(fā)鍍膜時要想在球面夾具上得到均勻的薄膜，應該把點蒸發(fā)源放在球心上。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】88、問題：采用小平面蒸發(fā)源蒸發(fā)鍍膜時要想在球面夾具上得到均勻的薄膜，應該把小平面蒸發(fā)源放在球心上。選項：A、正確B、錯誤正確答