MOOC 集成電路版圖設(shè)計(jì)-江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院 中國大學(xué)慕課答案

MOOC集成電路版圖設(shè)計(jì)-江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院中國大學(xué)慕課答案第一章單元測(cè)驗(yàn)1、問題：晶圓尺寸通常用英寸表示，十二英寸晶圓是指選項(xiàng)：A、晶圓半徑300mmB、晶圓直徑300mmC、晶圓半徑240mmD、晶圓直徑240mm正確答案:【晶圓直徑300mm】2、問題：芯片制造步驟的產(chǎn)品為選項(xiàng)：A、掩膜B、GDSII文件C、晶圓D、電路正確答案:【晶圓】3、問題：集成電路版圖設(shè)計(jì)屬于集成電路設(shè)計(jì)的選項(xiàng)：A、前端B、后端C、中端D、輔助環(huán)節(jié)正確答案:【后端】4、問題：chiplogic系列軟件中主要用于數(shù)據(jù)保存的是選項(xiàng)：A、chiplayeditorB、chipanalyzerC、chipmanagerD、chipdatacenter正確答案:【chipdatacenter】5、問題：LVS驗(yàn)證其主要功能是選項(xiàng)：A、驗(yàn)證版圖是否有電氣規(guī)則錯(cuò)誤B、驗(yàn)證版圖是否符合設(shè)計(jì)規(guī)則C、驗(yàn)證版圖和電路是否一致D、驗(yàn)證寄生效應(yīng)的影響正確答案:【驗(yàn)證版圖和電路是否一致】6、問題：集成電路設(shè)計(jì)階段通常分為兩大步驟，它們是選項(xiàng)：A、流程設(shè)計(jì)B、電路設(shè)計(jì)C、PCB設(shè)計(jì)D、版圖設(shè)計(jì)正確答案:【電路設(shè)計(jì)#版圖設(shè)計(jì)】7、問題：同種工藝下，不同MOS管版圖形狀區(qū)別也很大，其主要的原因是因?yàn)檫x項(xiàng)：A、MOS管寬度參數(shù)不同B、MOS管長度參數(shù)不同C、MOS管襯底不同D、MOS管柵極電壓不同正確答案:【MOS管寬度參數(shù)不同#MOS管長度參數(shù)不同】8、問題：集成電路版圖正向設(shè)計(jì)主要用到的工具軟件有選項(xiàng)：A、chiplogic系列軟件B、cadencevirtuoso工具C、spectre仿真工具D、calibre驗(yàn)證工具正確答案:【cadencevirtuoso工具#spectre仿真工具#calibre驗(yàn)證工具】9、問題：下列運(yùn)行在unix平臺(tái)下的設(shè)計(jì)工具軟件有選項(xiàng)：A、chiplogicB、tennerC、cadencevirtuosoD、華大九天empyrean正確答案:【cadencevirtuoso#華大九天empyrean】10、問題：數(shù)字集成電路由CMOS器件構(gòu)成，模擬集成電路由雙極型器件構(gòu)成。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】11、問題：數(shù)?；旌霞呻娐樊a(chǎn)品以Bi-CMOS產(chǎn)品居多。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】12、問題：設(shè)計(jì)相同電路的版圖，全定制設(shè)計(jì)通常比半定制設(shè)計(jì)占用更多面積。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】13、問題：標(biāo)準(zhǔn)單元版圖其主要是用于大規(guī)模數(shù)字集成電路版圖的自動(dòng)布局布線。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】14、問題：CadenceSE主要用于集成電路版圖自動(dòng)布局布線。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】15、填空題：集成電路版圖是一組的圖形，各層版圖對(duì)應(yīng)不同工藝步驟。正確答案:【相互套合##%_YZPRLFH_%##相互嵌套】16、填空題：全定制設(shè)計(jì)和半定制設(shè)計(jì)相比，設(shè)計(jì)的自動(dòng)化程度更高。正確答案:【半定制】17、填空題：DRC中文含義是。正確答案:【設(shè)計(jì)規(guī)則檢查##%_YZPRLFH_%##設(shè)計(jì)規(guī)則驗(yàn)證】18、填空題：EDA的含義是：。正確答案:【電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化】第二章單元測(cè)試1、問題：能夠運(yùn)行在個(gè)人電腦上的操作系統(tǒng)有選項(xiàng)：A、windowsB、unixC、安卓D、dos正確答案:【windows】2、問題：能夠運(yùn)行集成電路設(shè)計(jì)軟件cadence的操作系統(tǒng)有選項(xiàng)：A、windowsB、LinuxC、安卓D、dos正確答案:【Linux】3、問題：linux中用于改變路徑的命令是選項(xiàng)：A、cdB、pwdC、mkdirD、cp正確答案:【cd】4、問題：linux中用于復(fù)制文件的命令是選項(xiàng)：A、cdB、pwdC、mkdirD、cp正確答案:【cp】5、問題：vi編輯器中保存退出的命令是選項(xiàng)：A、wq!B、wqC、:wqD、:q!正確答案:【:wq】6、問題：版圖設(shè)計(jì)所用的圖形工作站的硬件架構(gòu)和普通電腦基本一樣。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】7、問題：通常公司工作站服務(wù)器用于存放cadence軟件，PC服務(wù)器用于存放chiplogic軟件。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】8、問題：xmanager軟件是用于PC訪問unix服務(wù)器操作的。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】9、問題：關(guān)閉linux系統(tǒng)可以直接點(diǎn)擊右上方的叉來關(guān)閉。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】10、問題：虛擬機(jī)中的文件若轉(zhuǎn)存到本地windows下需要轉(zhuǎn)換格式。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】11、問題：linux系統(tǒng)中terminal中所輸入的命令都是小寫。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】12、問題：vi編輯器進(jìn)去編輯模式可以用insert進(jìn)行插入編輯選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第三章單元測(cè)驗(yàn)1、問題：當(dāng)cadence啟動(dòng)完成后，terminal不再使用，可以直接關(guān)閉。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】2、問題：cadence的主界面不僅用來選取操作菜單，也是主要信息顯示界面。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問題：名為schematic的視圖代表的是該單元的版圖選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4、問題：添加已有庫的界面需要先進(jìn)入librarypatheditor后才能進(jìn)入。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】5、問題：刪除庫中單元需要先進(jìn)入librarypatheditor后才能進(jìn)行刪除操作。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】6、問題：CIW中的warning字體以黃色表示，存在warning設(shè)計(jì)操作仍可進(jìn)行。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第四章單元測(cè)驗(yàn)1、問題：金屬、多晶、N+摻雜層、N阱四種材料制備的電阻中方塊電阻最小的是選項(xiàng)：A、金屬B、多晶C、N+摻雜層D、N阱正確答案:【金屬】2、問題：MOS做電容使用時(shí)比較適合的工作狀態(tài)是選項(xiàng)：A、反型B、積累C、耗盡D、以上都不是正確答案:【積累】3、問題：二極管版圖外圍環(huán)狀開缺口的原因是選項(xiàng)：A、圖形對(duì)稱B、方便走線C、方便繪制D、增大電流正確答案:【方便走線】4、問題：三極管結(jié)構(gòu)中埋層的作用是選項(xiàng)：A、增大放大倍率B、避免整流效應(yīng)C、減小體電阻D、使圖形對(duì)稱正確答案:【減小體電阻】5、問題：之所以同工藝中相同類型MOS管版圖圖形還有很大差異主要是因?yàn)檫x項(xiàng)：A、襯底類型不同B、設(shè)計(jì)規(guī)則要求不同C、工作電壓不同D、器件的參數(shù)不同正確答案:【器件的參數(shù)不同】6、問題：為減少失配，版圖上電阻條的寬度應(yīng)該選項(xiàng)：A、采用適中尺寸B、采用較窄尺寸C、采用較寬尺寸D、根據(jù)實(shí)際采用不同尺寸正確答案:【采用較寬尺寸】7、問題：方塊電阻越大的材料制備的電阻阻值越大。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】8、問題：所有多晶電阻不管圖形如何變化，其方塊電阻阻值都不變。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】9、問題：若用于信號(hào)耦合雙多晶電容比MOS電容更為合適。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】10、問題：二極管版圖通常做成環(huán)狀的原因是為了使電流流向比較均勻選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】11、問題：通常三極管版圖圖形比二極管版圖圖形要多一環(huán)選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】12、問題：P型增強(qiáng)型MOS管當(dāng)柵極加上正向偏壓后溝道出現(xiàn)，MOS管導(dǎo)通。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】13、問題：版圖中MOS管溝道長度等于多晶的寬度。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】14、問題：版圖中串聯(lián)MOS管的連接可以采用直接合并有源區(qū)來進(jìn)行連接。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】15、問題：版圖中并聯(lián)MOS管的連接通常采用叉指方式進(jìn)行連接。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第五章單元測(cè)驗(yàn)1、問題：創(chuàng)建電路圖文件時(shí)，其視圖類型應(yīng)選擇以下哪種類型選項(xiàng)：A、SchematicB、LayoutC、symbolD、以上都不是正確答案:【Schematic】2、問題：在建立版圖文件時(shí)，視圖類型是什么選項(xiàng)：A、SchematicB、layoutC、symbolD、以上都不是正確答案:【layout】3、問題：版圖進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則驗(yàn)證（DRC）的目的是什么選項(xiàng)：A、檢查是否有短路、斷路及懸空節(jié)點(diǎn)B、檢查是否違反設(shè)計(jì)規(guī)則C、檢查版圖和電路圖是否一致D、檢查設(shè)計(jì)原理是否正確正確答案:【檢查是否違反設(shè)計(jì)規(guī)則】4、問題：進(jìn)行LVS時(shí)，與電路文件進(jìn)行比較是是哪種視圖文件選項(xiàng)：A、電路文件B、版圖文件C、符號(hào)圖文件D、提取文件正確答案:【提取文件】5、問題：DRC驗(yàn)證結(jié)果顯示“Metal1toMetal1spacing0.5”，是違反了哪類設(shè)計(jì)規(guī)則選項(xiàng)：A、最小寬度B、最小間距C、最小間隙D、最小交疊正確答案:【最小間距】6、問題：在繪制版圖時(shí)，版圖的面積越小越好，所以要將NMOS管和PMOS管可以無限靠近選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】7、問題：建立版圖文件的命令和新建電路圖文件相同，都是File-New-Cellview選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】8、問題：版圖中MOS管的溝道長由多晶硅柵的寬度確定選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】9、問題：建立設(shè)計(jì)單元庫的目的是為了避免重復(fù)繪制那些反復(fù)在電路中用到的版圖單元選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】10、問題：LVS結(jié)果保存在si.out文件中，文件分別把版圖和電路圖的元器件、端口和連線的數(shù)目顯示出來，并顯示匹配情況。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第六章單元測(cè)驗(yàn)1、問題：用DIVA進(jìn)行與非門LVS驗(yàn)證時(shí)，是用與非門的電路圖直接和版圖進(jìn)行比較。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】2、問題：添加Pin端口時(shí)需要在LSW中選擇相應(yīng)的圖層，否則無法正確添加端口選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問題：或非門版圖中NMOS管并聯(lián)，PMOS管串聯(lián)選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】4、問題：CMOS電路可以直接得到與門邏輯選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、問題：繪制復(fù)合邏輯門電路時(shí)，通過邏輯式化簡可能用一級(jí)電路就可以實(shí)現(xiàn)該邏輯選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】6、問題：NMOS管的襯底電位不可以直接加在圓片的P型襯底上，而是要繪制一個(gè)P型有源區(qū)，將引線孔放在P型有源區(qū)上選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】7、問題：PMOS管的襯底電位可以直接加在器件所在的N型阱區(qū)上。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】8、問題：圖層的顏色決定了圖層的性質(zhì)和作用選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】9、問題：版圖布局布線時(shí)，可以考慮用有源區(qū)、多晶等材料完成布線選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】10、問題：Dracula的DRC驗(yàn)證是對(duì)版圖gds文件進(jìn)行驗(yàn)證，因此在進(jìn)行Dracula驗(yàn)證之前先生成版圖的GDS文件選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】11、問題：LVS驗(yàn)證完成后，需在版圖設(shè)計(jì)窗口選擇Launch-DraculaInteractive命令后，在新增的LVS菜單中選擇Setup命令，并輸入完整的LVS驗(yàn)證路徑才能查看LVS驗(yàn)證的錯(cuò)誤信息選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第七章單元測(cè)驗(yàn)1、問題：電路符號(hào)可以告訴我們電路功能和特性，不能說明內(nèi)部結(jié)構(gòu)選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】2、問題：D觸發(fā)器是雙穩(wěn)態(tài)電路，可以存儲(chǔ)1位二進(jìn)制數(shù)選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問題：CMOS傳輸門是由一個(gè)NMOS管構(gòu)成的選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4、問題：功能仿真必須要在電路圖模式下進(jìn)行選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、問題：DRC是驗(yàn)證版圖與電路圖是否匹配選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】6、問題：修改LVS錯(cuò)誤時(shí)，一般先修改port錯(cuò)誤，再修改instance錯(cuò)誤選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第八章單元測(cè)驗(yàn)1、問題：同一種工藝中，標(biāo)準(zhǔn)單元的高度應(yīng)該都相同選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】2、問題：標(biāo)準(zhǔn)單元的寬度應(yīng)該是網(wǎng)格間距的整數(shù)倍選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問題：標(biāo)準(zhǔn)單元中端口的引出只可以用通孔引出選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4、問題：若要統(tǒng)一網(wǎng)格尺寸，一般采用芯片上尺寸要求最小的那個(gè)工藝層上的尺寸選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、問題：標(biāo)準(zhǔn)單元的高度應(yīng)該由一鋁的Pitch來決定選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】6、問題：標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)部常用金屬2來做互連選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】7、問題：每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)都必須設(shè)置襯底接觸孔選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第九章單元測(cè)驗(yàn)1、問題：晶閘管整流器ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)中，PNPN結(jié)構(gòu)內(nèi)有NPN和PNP之間的負(fù)反饋，提供了良好ESD泄流通路，具有明顯的ESD保護(hù)性能選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】2、問題：場管做ESD保護(hù)的最大優(yōu)點(diǎn)是可以節(jié)省芯片面積選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問題：場管的ESD能力跟其漏端面積有主要的關(guān)系，漏端面積越大其ESD能力越小選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4、問題：全芯片ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)和其他幾種保護(hù)相比，ESD保護(hù)能力較弱，但是面積較小。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、問題：單元寬度超過整數(shù)個(gè)pitch單元（比如N個(gè)）一點(diǎn)，但又不到N+1個(gè)，那么還是要調(diào)用N+1個(gè)pitch單元選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】6、問題：反相器單元的P管的寬長比一般為N管的兩倍。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】7、問題：與非門中，P管是并聯(lián)連接的，N管是串聯(lián)連接的選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】8、問題：為了布局布線更加方便，通常我們將與非門的各端口放在一直線上選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】9、問題：或非門中，P管是并聯(lián)連接的，N管是串聯(lián)連接的選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】10、問題：在設(shè)計(jì)與或非門標(biāo)準(zhǔn)單元時(shí)，輸出走線可能需要作一些改動(dòng)選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】11、問題：在設(shè)計(jì)與或非門標(biāo)準(zhǔn)單元時(shí)，為滿足DRC要求，通孔與多晶孔的擺放可能需要進(jìn)行修改選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】12、問題：或與非門通常和與或非門具有相同的pitch個(gè)數(shù)選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】13、問題：或與非的邏輯和與或非門類似，因此版圖設(shè)計(jì)時(shí)通?？梢詤⒖歼x項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】14、問題：鎖存器是一種對(duì)脈沖邊沿敏感的存儲(chǔ)單元電路，它們可以在特定輸入脈沖邊沿作用下改變狀態(tài)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】15、問題：對(duì)于觸發(fā)器等比較大的數(shù)字單元，為了節(jié)省面積，版圖設(shè)計(jì)可以將同類型的串聯(lián)或并聯(lián)的MOS管進(jìn)行源/漏共享接法選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】16、問題：觸發(fā)器器是一種對(duì)脈沖邊沿敏感的存儲(chǔ)單元電路，它們可以在特定輸入脈沖邊沿作用下改變狀態(tài)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】17、問題：DRC的作用是與原理圖進(jìn)行對(duì)比，以檢查在版圖中實(shí)際形成的電路的與原理圖中的電路是否一致。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】18、問題：分頻器版圖設(shè)計(jì)時(shí)，所有觸發(fā)器最好就近布局選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】19、問題：移位寄存器版圖設(shè)計(jì)時(shí)，所有觸發(fā)器最好就近布局選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】20、問題：移位寄存器中的觸發(fā)器大小對(duì)整個(gè)移位寄存器的版圖沒有什么影響選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】21、問題：三八譯碼器版圖設(shè)計(jì)時(shí)通常進(jìn)行單元的布局，然后根據(jù)線路連接關(guān)系進(jìn)行連線選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】期末試卷1、問題：P襯底接觸的英文縮寫為Ptap，該圖形應(yīng)畫在P襯底上，其摻雜類型為什么類型。選項(xiàng)：A、P+型B、N+型C、P-型D、N-型正確答案:【P+型】2、問題：反相器版圖中，NMOS管和PMOS管的柵極多晶層通常連接在一起，對(duì)應(yīng)反相器電路的什么端口？選項(xiàng)：A、輸入B、輸出C、電源D、地正確答案:【輸入】3、問題：當(dāng)繪制某個(gè)完整的模擬單元版圖時(shí)，通常要求最終的完成的整體版圖接近呈現(xiàn)什么形狀？選項(xiàng)：A、矩形B、圓形C、三角形D、任意正確答案:【矩形】4、問題：不用做標(biāo)準(zhǔn)單元版圖內(nèi)部的器件間主要互連線的圖層是：選項(xiàng)：A、金屬1B、金屬2C、多晶D、有源區(qū)正確答案:【金屬2】5、問題：模擬版圖中，即使DRC、LVS完全通過，也不代表版圖就一定能付諸實(shí)際生產(chǎn)，還需要考慮版圖哪些問題？選項(xiàng)：A、寄生B、匹配C、冗余D、以上都是正確答案:【以上都是】6、問題：物理驗(yàn)證時(shí)，錯(cuò)誤條目顯示為金屬間距不滿足最小尺寸，則該錯(cuò)誤屬于哪種錯(cuò)誤范疇。選項(xiàng)：A、DRCB、LVSC、ERCD、EXT正確答案:【DRC】7、問題：LVS錯(cuò)誤類型中顯示MOS管“propertyerrors”與版圖中MOS管的哪個(gè)參數(shù)無關(guān)。選項(xiàng)：A、溝道寬度B、溝道長度C、溝道類型D、以上都不是正確答案:【溝道類型】8、問題：常用的版圖驗(yàn)證工具主要有DIVA、DRACULA、calibre以及ASSURA等，其中mentor公司的驗(yàn)證工具是：選項(xiàng)：A、DIVAB、DRACULAC、caliberD、Assura正確答案:【caliber】9、問題：下列哪個(gè)圖層不屬于組成N保護(hù)環(huán)所用到的圖層？選項(xiàng)：A、N阱B、有源區(qū)C、多晶D、金屬1正確答案:【多晶】10、問題：集成電路設(shè)計(jì)按分一般可分為雙極集成電路設(shè)計(jì)、MOS集成電路設(shè)計(jì)。選項(xiàng)：A、自動(dòng)化程度B、器件類型C、電路類型D、工藝類型正確答案:【器件類型】11、問題：下列可以運(yùn)行cadence設(shè)計(jì)軟件運(yùn)行的操作系統(tǒng)是：選項(xiàng)：A、win7B、win10C、solarisD、DOS正確答案:【solaris】12、問題：cadence中顯示標(biāo)尺的快捷鍵是：選項(xiàng)：A、qB、kC、wqD、r正確答案:【k】13、問題：下列哪個(gè)命令是用來對(duì)調(diào)用的symbol視圖進(jìn)行的下級(jí)電路查看和修改的？選項(xiàng)：A、descendeditB、descendreadC、returnD、returntotop正確答案:【descendedit】14、問題：下列版圖中顯示的圖層不會(huì)被制成掩膜版的是：選項(xiàng)：A、多晶層B、電阻標(biāo)識(shí)層C、有源區(qū)層D、金屬層正確答案:【電阻標(biāo)識(shí)層】15、問題：版圖設(shè)計(jì)中下述那個(gè)不是金屬2和金屬3之間的通孔所用到的圖層主要是：選項(xiàng)：A、金屬2B、金屬3C、孔2D、孔3正確答案:【孔3】16、問題：電路原理錯(cuò)誤能被cadence中文件菜單欄的“checksave”命令所檢查出來。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】17、問題：版圖設(shè)計(jì)中用于繪制端口的圖層類型應(yīng)使用的圖層類型是text類型。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】18、問題：某硅柵工藝設(shè)計(jì)中，與孔1（接觸孔）沒有連接關(guān)系的圖層是多晶層。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】19、問題：庫的名稱不是建庫要素之一。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】20、問題：多晶電阻是模擬版圖設(shè)計(jì)中使用的常用電阻。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】21、問題：同種工藝下，不同MOS管版圖形狀區(qū)別也很大，其主要的原因是MOS管類型和參數(shù)各不相同。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】22、問題：大規(guī)模集成電路一般都采用CMOS電路的原因是因?yàn)檫@種電路的理論靜態(tài)功耗為0。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】23、問題：在版圖繪制時(shí)繪制源漏區(qū)域的摻雜層圖層時(shí)可以繪制一個(gè)完全包圍有源區(qū)的圖形，并可以和多晶層交疊，而不是分別在源、漏各繪制一個(gè)摻雜層，其主要原因是因?yàn)樵诠に囍胁捎米詫?duì)準(zhǔn)工藝。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】24、問題：在MOS管的版圖繪制中，若有兩個(gè)MOS管有源區(qū)共用，則可以判定這2個(gè)MOS管是串聯(lián)關(guān)系。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】25、問題：版圖中有源區(qū)和場區(qū)的關(guān)系是互補(bǔ)關(guān)系。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】26、問題：一個(gè)MOS管其參數(shù)中fingerwidth為3.3um，finger為4，則其width為13.2um。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】27、問題：版圖的布局主要的思路有引線驅(qū)動(dòng)、模塊驅(qū)動(dòng)、信號(hào)驅(qū)動(dòng)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】28、問題：在標(biāo)準(zhǔn)單元版圖自動(dòng)布線時(shí)，一般第1、3、5等層金屬走線方向總體相同，相鄰兩層金屬的走線方向總體要求是相互垂直。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】29、問題：模擬版圖繪制中為了增加匹配程度，通常會(huì)增加一些電路中不存在的器件，這些器件在版圖上也不做任何連接，僅僅放置在實(shí)際器件附近，這些額外的器件稱dummy。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】30、問題：電路圖與版圖對(duì)比一致驗(yàn)證的縮寫是DRC。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】31、問題：在calibre做LVS驗(yàn)證時(shí)，RVE界面顯示的錯(cuò)誤大類主要有端口錯(cuò)誤、器件錯(cuò)誤、線網(wǎng)錯(cuò)誤和參數(shù)錯(cuò)誤。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】32、問題：使用calibre工具做LVS驗(yàn)證時(shí)，需要用到設(shè)計(jì)規(guī)則文件。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】33、問題：N阱內(nèi)放置的保護(hù)環(huán)類型是N+摻雜類型。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】34、問題：全定制設(shè)計(jì)和半定制設(shè)計(jì)相比，半定制設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)要求更高。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】35、問題：linux中命令輸完以空格結(jié)尾。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】36、填空題：載流子在電場的作用下，產(chǎn)生的定向運(yùn)動(dòng)稱為正確答案:【漂移】37、填空題：1.解決鋁互連中肖特基接觸的方法是在電極引出部分進(jìn)行摻雜。正確答案:【重##%_YZPRLFH_%##高】38、填空題：降低半導(dǎo)體材料中的少子壽命τ，可以PN結(jié)二極管的開關(guān)速度。正確答案:【提高##%_YZPRLFH_%##增加##%_YZPRLFH_%##提升##%_YZPRLFH_%##增大#