MOOC 集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-華中科技大學(xué) 中國大學(xué)慕課答案

MOOC集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-華中科技大學(xué)中國大學(xué)慕課答案知識(shí)點(diǎn)1-3摩爾定律隨堂測試1、問題：摩爾定律之后，集成電路發(fā)展有三條主線，以下不是集成電路發(fā)展主線的是：。選項(xiàng)：A、MoreMooreB、MorethanMooreC、BeyondCMOSD、SoC正確答案:【SoC】2、問題：摩爾定律是指集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔：個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。選項(xiàng)：A、12B、18C、24D、36正確答案:【18】第一部分第一次測驗(yàn)1、問題：題1-1-1中國高端芯片聯(lián)盟正式成立時(shí)間是：。選項(xiàng)：A、2016年7月B、2017年7月C、2016年9月D、2017年9月正確答案:【2016年7月】2、問題：題1-1-2如下不是集成電路產(chǎn)業(yè)特性的是：。選項(xiàng)：A、資本密集B、技術(shù)密集C、低風(fēng)險(xiǎn)D、高風(fēng)險(xiǎn)正確答案:【低風(fēng)險(xiǎn)】3、問題：題1-1-3摩爾定律是指集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔：個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。選項(xiàng)：A、12B、18C、24D、36正確答案:【18】4、問題：題1-1-4摩爾定律之后，集成電路發(fā)展有三條主線，以下不是集成電路發(fā)展主線的是：。選項(xiàng)：A、MoreMooreB、MorethanMooreC、BeyondCMOSD、SoC正確答案:【SoC】5、問題：題1-1-5單個(gè)芯片上集成約50萬個(gè)器件，按照規(guī)模劃分，該芯片為：。選項(xiàng)：A、LSIB、VLSIC、ULSID、SoC正確答案:【VLSI】6、問題：題1-1-6年發(fā)明了世界上第一個(gè)點(diǎn)接觸型晶體管。選項(xiàng)：A、1947B、1948C、1957D、1958正確答案:【1947】7、問題：題1-1-7年發(fā)明了世界上第一塊集成電路。選項(xiàng)：A、1957B、1958C、1959D、1960正確答案:【1958】8、問題：題1-1-8FinFET等多種新結(jié)構(gòu)器件的發(fā)明人是：。選項(xiàng)：A、基爾比B、摩爾C、張忠謀D、胡正明正確答案:【胡正明】9、問題：題1-1-9集成電路代工產(chǎn)業(yè)的締造者：。選項(xiàng)：A、基爾比B、摩爾C、張忠謀D、胡正明正確答案:【張忠謀】10、問題：題1-1-10世界第一塊集成電路發(fā)明者：。選項(xiàng)：A、基爾比B、摩爾C、張忠謀D、胡正明正確答案:【基爾比】第二部分第一次測驗(yàn)1、問題：MOS管一旦出現(xiàn)現(xiàn)象，此時(shí)的MOS管將進(jìn)入飽和區(qū)。選項(xiàng)：A、夾斷B、反型C、導(dǎo)電D、耗盡正確答案:【夾斷】2、問題：MOS管從不導(dǎo)通到導(dǎo)通過程中，最先出現(xiàn)的是。選項(xiàng)：A、反型B、夾斷C、耗盡D、導(dǎo)通正確答案:【耗盡】3、問題：在CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)中，我們一般讓MOS管工作在區(qū)。選項(xiàng)：A、亞閾值區(qū)B、深三極管區(qū)C、飽和區(qū)D、三極管區(qū)正確答案:【飽和區(qū)】4、問題：PMOS管的導(dǎo)電溝道中依靠導(dǎo)電。選項(xiàng)：A、電子B、空穴C、正電荷D、負(fù)電荷正確答案:【空穴】5、問題：載流子溝道在柵氧層下形成，源和漏之間“導(dǎo)通”。選項(xiàng)：A、夾斷層B、反型層C、導(dǎo)電層D、耗盡層正確答案:【反型層】6、問題：下圖中的MOS管工作在區(qū)（假定Vth=0.7V）。選項(xiàng)：A、截止區(qū)B、深三極管區(qū)C、三極管區(qū)D、飽和區(qū)正確答案:【飽和區(qū)】7、問題：在NMOS中，若選項(xiàng)：,會(huì)使閾值電壓。A、增大B、不變C、減小D、可大可小正確答案:【增大】8、問題：題2-1-8、如果MOS管的柵源過驅(qū)動(dòng)電壓給定，L越，輸出電流越理想。選項(xiàng)：A、大B、小C、近似于WD、精確正確答案:【大】9、問題：表征了MOS器件的靈敏度，即檢測輸入電壓轉(zhuǎn)換為輸出電流的能力。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】10、問題：MOS管的小信號(hào)輸出電阻B、在一定程度上，與該MOS管的過驅(qū)動(dòng)電壓成反比C、與MOS尺寸無關(guān)D、與MOS管電流無關(guān)正確答案:【與MOS管電流無關(guān)】5、問題：下圖中的MOS管工作在區(qū)（假定Vth=0.7V）。選項(xiàng)：A、亞閾值區(qū)B、深三極管區(qū)C、三極管區(qū)D、飽和區(qū)正確答案:【飽和區(qū)】6、問題：工作在飽和區(qū)的MOS管，可以被看作是一個(gè)。選項(xiàng)：A、恒壓源B、電壓控制電流源C、恒流源D、電流控制電壓源正確答案:【電壓控制電流源】7、問題：MOS管的小信號(hào)模型中，體現(xiàn)溝長調(diào)制效應(yīng)的參數(shù)是（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】8、問題：模擬集成電路設(shè)計(jì)中可使用大信號(hào)分析方法的是（）。選項(xiàng)：A、增益B、輸出電阻C、輸出擺幅D、輸入電阻正確答案:【輸出擺幅】9、問題：模擬集成電路設(shè)計(jì)中可使用小信號(hào)分析方法的是。選項(xiàng)：A、增益B、電壓凈空C、輸出擺幅D、輸入偏置正確答案:【增益】10、問題：畫小信號(hào)等效電路時(shí)，恒定電流源視為。選項(xiàng)：A、電阻B、受控電流源C、短路D、開路正確答案:【開路】第四單元第一次測驗(yàn)1、問題：題4-1-1、隨著微電子工藝水平提高,特征尺寸不斷減小,這時(shí)電路的工作電壓通常會(huì)（）。選項(xiàng)：A、不斷提高B、不變C、可大可小D、不斷降低正確答案:【不斷降低】2、問題：題4-1-2、在當(dāng)今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC最容易實(shí)現(xiàn)尺寸的按比例縮小。選項(xiàng)：A、MOSB、CMOSC、BipolarD、BiCMOS正確答案:【CMOS】3、問題：題4-1-3、最常見的集成電路通常采用（）工藝制造。選項(xiàng)：A、MOSB、CMOSC、BipolarD、BiCMOS正確答案:【CMOS】4、問題：題4-1-4、電阻負(fù)載共源級(jí)放大器中，下列措施不能提高放大器小信號(hào)增益的是（）。選項(xiàng)：A、增大器件寬長比B、增大負(fù)載電阻C、降低輸入信號(hào)直流電平D、增大器件的溝道長度L正確答案:【增大器件的溝道長度L】5、問題：題4-1-5、下面幾種電路中增益線性度最好的是（）。選項(xiàng)：A、電阻負(fù)載共源級(jí)放大器B、電流源負(fù)載共源級(jí)放大器C、二極管負(fù)載共源級(jí)放大器D、源極負(fù)反饋共源級(jí)放大器正確答案:【二極管負(fù)載共源級(jí)放大器】6、問題：題4-1-6、下面放大器的增益錯(cuò)誤的是（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】7、問題：題4-1-7、下圖中的選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】8、問題：題4-1-8、不能確定輸出直流電壓的共源極放大器是（）的共源極放大器。選項(xiàng)：A、電阻負(fù)載B、二極管連接負(fù)載C、電流源負(fù)載D、二極管和電流源并聯(lián)負(fù)載正確答案:【電流源負(fù)載】9、問題：題4-1-9、下面放大器的小信號(hào)增益為（）。選項(xiàng)：A、B、C、1D、理論上無窮大正確答案:【】10、問題：題4-1-10、下面放大器的小信號(hào)增益為（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、1正確答案:【】第四單元第二次測驗(yàn)1、問題：題4-2-1、源極跟隨器通常不能用作（）。選項(xiàng)：A、緩沖器B、放大器C、電平移動(dòng)D、驅(qū)動(dòng)器正確答案:【放大器】2、問題：題4-2-2、小信號(hào)輸出電阻相對(duì)最小的放大器是（）。選項(xiàng)：A、共源級(jí)放大器B、源級(jí)跟隨器C、共柵級(jí)放大器D、共源共柵級(jí)放大器正確答案:【源級(jí)跟隨器】3、問題：題4-2-3、電流源可以起一個(gè)電阻的作用，而且不消耗（）的電壓余度。選項(xiàng)：A、過高B、過低C、恒定D、變化正確答案:【過高】4、問題：題4-2-4、下圖電路中，源極跟隨器的作用是（）。選項(xiàng)：A、信號(hào)放大B、信號(hào)變換C、電平轉(zhuǎn)移D、輸出緩沖正確答案:【輸出緩沖】5、問題：題4-2-5、小信號(hào)輸入電阻最小的放大器是（）。選項(xiàng)：A、共源級(jí)放大器B、源級(jí)跟隨器C、共柵級(jí)放大器D、共源共柵級(jí)放大器正確答案:【共柵級(jí)放大器】6、問題：題4-2-6、P襯N阱CMOS工藝中，Cascode放大器中兩個(gè)尺寸相同且均工作在飽和區(qū)的NMOS管具有不相同的（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】7、問題：題4-2-7、共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要特性就是輸出阻抗（）。選項(xiàng)：A、低B、一般C、高D、很高正確答案:【很高】8、問題：題4-2-8、下圖放大電路的小信號(hào)增益為（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】9、問題：題4-2-9、圖中元器件和電壓均相同時(shí)，下面兩個(gè)電路的增益關(guān)系是（）。選項(xiàng)：A、兩個(gè)相等B、左邊的比右邊的大C、左邊的比右邊的小D、無法比較正確答案:【左邊的比右邊的小】10、問題：題4-2-10、（）放大器的電源抑制比最好。A．電阻負(fù)載的共源極放大器B.電流源負(fù)載的共源極放大器D.共源共柵極負(fù)載的共源共柵極放大器C．共柵極放大器答案：C選項(xiàng)：A、共源共柵極負(fù)載的共源共柵極放大器B、電阻負(fù)載的共源極放大器C、電流源負(fù)載的共源極放大器D、共柵極放大器正確答案:【共源共柵極負(fù)載的共源共柵極放大器】第四單元第三次測驗(yàn)1、問題：題4-3-1、差分放大器中，共模輸入電平的變化不會(huì)引起差動(dòng)輸出的改變的因素是（）。選項(xiàng)：A、尾電流源輸出阻抗為有限值B、輸入MOS管不完全對(duì)稱C、負(fù)載不完全對(duì)稱D、輸入對(duì)管工作在飽和區(qū)正確答案:【輸入對(duì)管工作在飽和區(qū)】2、問題：題4-3-2、下列不是基本差分對(duì)電路中尾電流的作用的是（）。選項(xiàng)：A、為放大器管提供固定偏置B、為放大管提供電流通路C、減小放大器的共模增益D、提高放大器的增益正確答案:【提高放大器的增益】3、問題：題4-3-3、有源電流鏡負(fù)載差分放大器中，（）時(shí)其小信號(hào)增益最大。選項(xiàng)：A、輸入差分信號(hào)幾乎相同B、輸入差分信號(hào)相差較大C、共模增益為0D、忽略非理想因素正確答案:【輸入差分信號(hào)幾乎相同】4、問題：題4-3-4、下面電路的差模小信號(hào)增益為（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】5、問題：題4-3-5、基本差分對(duì)電路中對(duì)共模增益影響最顯著的因素是（）。選項(xiàng)：A、尾電流源的小信號(hào)輸出阻抗為有限值B、負(fù)載不匹配C、輸入MOS不匹配D、電路制造中的誤差正確答案:【輸入MOS不匹配】6、問題：題4-3-6、模擬電路中，精度最高的電阻是（）。選項(xiàng)：A、金屬電阻B、比例電阻C、多晶硅電阻D、阱電阻正確答案:【比例電阻】7、問題：題4-3-7、圖中電路不能正常工作的最重要原因是（）。選項(xiàng)：A、MOS管可能截止B、輸出端可能出現(xiàn)嚴(yán)重失真C、輸入信號(hào)的共模電平影響電路性能D、電路不對(duì)稱正確答案:【輸入信號(hào)的共模電平影響電路性能】8、問題：題4-3-8、下列電路的輸出直流電平不能確定的是（）。選項(xiàng)：A、電阻負(fù)載共源極放大器B、電流源負(fù)載共源極放大器C、二極管負(fù)載共源極放大器D、電阻負(fù)載的源極跟隨器正確答案:【電流源負(fù)載共源極放大器】9、問題：題4-3-9、理想電流源負(fù)載的差分放大器，當(dāng)差分對(duì)和負(fù)載均有理想的匹配時(shí)，則共模抑制比為（）。選項(xiàng)：A、無窮大B、0C、某一個(gè)確定值D、無法確定正確答案:【某一個(gè)確定值】10、問題：題4-3-10、在差分放大器中，我們最關(guān)心的是（）的增益。選項(xiàng)：A、共模輸入到共模輸出B、共模輸入到差模輸出C、差模輸入到共模輸出D、差模輸入到差模輸出正確答案:【差模輸入到差模輸出】第四單元第四次測驗(yàn)1、問題：題4-4-1、下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計(jì)算該電路的等效輸入電阻為（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】2、問題：題4-4-2、下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計(jì)算該電路的等效輸出電阻為（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】3、問題：題4-4-3、下列結(jié)構(gòu)中不可以采用密勒效應(yīng)進(jìn)行分析的電路是（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】4、問題：題4-4-4、下圖電路中與X結(jié)點(diǎn)相關(guān)聯(lián)的極點(diǎn)頻率為（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】5、問題：題4-4-5、下列結(jié)構(gòu)中密勒效應(yīng)最顯著的是（）。選項(xiàng)：A、共源級(jí)放大器B、源級(jí)跟隨器C、共柵級(jí)放大器D、共源共柵級(jí)放大器正確答案:【共源級(jí)放大器】6、問題：題4-4-6、密勒效應(yīng)是（）。選項(xiàng)：A、有害的B、有利的C、可以被我們利用來解決電路設(shè)計(jì)中的問題D、實(shí)際不起作用正確答案:【可以被我們利用來解決電路設(shè)計(jì)中的問題】7、問題：題4-4-7、伯特圖的頻率坐標(biāo)采用（）刻度。選項(xiàng)：A、10進(jìn)制B、線性C、對(duì)數(shù)D、指數(shù)正確答案:【對(duì)數(shù)】8、問題：題4-4-8、假定A1為理想運(yùn)放，下圖的傳遞函數(shù)是（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】9、問題：題4-4-9、電阻負(fù)載的共源極放大器的主極點(diǎn)在（）。選項(xiàng)：A、輸入節(jié)點(diǎn)B、輸出節(jié)點(diǎn)C、既可能是輸入節(jié)點(diǎn)，也可能是輸出節(jié)點(diǎn)D、取決于電路的具體情況E、MOS上正確答案:【既可能是輸入節(jié)點(diǎn)，也可能是輸出節(jié)點(diǎn)#取決于電路的具體情況】10、問題：題4-4-10、為達(dá)到較好的穩(wěn)定狀態(tài)和響應(yīng)速度，反饋系統(tǒng)的相位裕度一般?。ǎ┒?。選項(xiàng)：A、30B、60C、90D、180正確答案:【60】第四單元第五次測驗(yàn)1、問題：題4-5-1、鏡像電流源一般要求相同的（）。選項(xiàng)：A、制造工藝B、器件寬長比C、器件寬度WD、器件長度L正確答案:【器件長度L】2、問題：題4-5-2、某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應(yīng)。要使和嚴(yán)格相等，應(yīng)取為（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】3、問題：題4-5-3、下圖電流鏡的輸出電壓最小值為（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】4、問題：題4-5-4、共源共柵電流鏡是為了（）。選項(xiàng)：A、利用襯偏效應(yīng)B、消耗較低的電壓余度C、抑制溝長調(diào)制效應(yīng)D、降低電路漏電流正確答案:【抑制溝長調(diào)制效應(yīng)】5、問題：題4-5-5、下圖電流鏡的輸出電壓最小值為（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】6、問題：題4-5-6、下圖中電路的小信號(hào)增益是（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】7、問題：題4-5-7、共源共柵電流源具有高的（）。選項(xiàng)：A、輸出小信號(hào)電阻B、輸出電壓余度C、小信號(hào)增益D、信噪比正確答案:【輸出小信號(hào)電阻】8、問題：題4-5-8、下圖電路中，存在（）組電流鏡。選項(xiàng)：A、1B、2C、3D、4正確答案:【3】9、問題：題4-5-9、下圖電路中，M3管的電路組態(tài)是（）。選項(xiàng)：A、共源管B、共柵管C、共漏管D、共源共漏管正確答案:【共柵管】10、問題：題4-5-10、下圖是改進(jìn)型WilsonMOS電流鏡，滿足的條件是（）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】第五單元第一次測驗(yàn)1、問題：5-1-1、如下不是數(shù)字信號(hào)的主要特點(diǎn)的是：。選項(xiàng)：A、易于存儲(chǔ)B、易于傳輸C、易于處理D、抗干擾能力差正確答案:【抗干擾能力差】2、問題：5-1-2、數(shù)字集成電路自上而下的設(shè)計(jì)流程中，如下最底層的設(shè)計(jì)是：。選項(xiàng)：A、系統(tǒng)級(jí)B、門級(jí)C、晶體管級(jí)D、模塊級(jí)正確答案:【晶體管級(jí)】3、問題：5-1-3、數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中，不屬于高端工藝對(duì)高性能設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)的是：。選項(xiàng)：A、低電壓電源分布網(wǎng)絡(luò)B、系統(tǒng)級(jí)建模技術(shù)C、ESD/閂鎖等可靠性問題D、高頻時(shí)鐘互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)正確答案:【系統(tǒng)級(jí)建模技術(shù)】4、問題：5-1-4、下圖所示的晶體管級(jí)電路是：。選項(xiàng)：A、反相器B、傳輸門C、與非門D、或非門正確答案:【反相器】5、問題：5-1-5、按功能劃分，通常一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)都不包括：。選項(xiàng)：A、數(shù)據(jù)通路B、控制模塊C、存儲(chǔ)器D、傳感器正確答案:【傳感器】6、問題：5-1-6、集成電路成本中，如下不屬于固定成本的是：。選項(xiàng)：A、研發(fā)成本B、IP及EDA成本C、封裝成本D、掩膜成本正確答案:【封裝成本】7、問題：5-1-7、集成電路成本中，如下不屬于可變成本的是：。選項(xiàng)：A、研發(fā)成本B、測試成本C、封裝成本D、掩膜成本正確答案:【研發(fā)成本】8、問題：5-1-8、如下不是控制集成電路成本直接措施的是：。選項(xiàng)：A、縮小面積B、增加片內(nèi)測試PADC、減少工藝復(fù)雜性D、提高良率正確答案:【增加片內(nèi)測試PAD】9、問題：5-1-9、如下不是數(shù)字設(shè)計(jì)的質(zhì)量評(píng)價(jià)的指標(biāo)是：。選項(xiàng)：A、成本B、性能C、功耗D、管腳數(shù)量正確答案:【管腳數(shù)量】10、問題：5-1-10、不是CMOS反相器的基本特性的是：。選項(xiàng)：A、是有比電路B、是無比電路C、有上拉網(wǎng)絡(luò)和下拉網(wǎng)絡(luò)D、輸出反相正確答案:【是有比電路】第五單元第二次測驗(yàn)1、問題：題5-2-1：如下反相器電路中，當(dāng)0≤Vin≤VTN，則：。選項(xiàng)：A、NMOS管工作在線性區(qū)B、PMOS管工作在線性區(qū)C、NMOS管工作在飽和區(qū)D、PMOS管工作在飽和區(qū)正確答案:【PMOS管工作在線性區(qū)】2、問題：題5-2-2：如下反相器電路中，當(dāng)Vout+VTP≤Vin≤Vout+VTN，則：。選項(xiàng)：A、NMOS飽和，PMOS飽和B、NMOS飽和，PMOS截止C、NMOS截止，PMOS飽和D、NMOS截止，PMOS截止正確答案:【NMOS飽和，PMOS飽和】3、問題：題5-2-3：數(shù)字邏輯門的高電平噪聲容限的表達(dá)式是。選項(xiàng)：A、VIH-VOHB、VOL-VOHC、VOH-VOLD、VOH-VIH正確答案:【VOH-VIH】4、問題：題5-2-4：如下不是CMOS反相器的負(fù)載電容的是。選項(xiàng)：A、MOS管的漏-襯底pn結(jié)電容CDBN和CDBPB、下級(jí)電路的輸入電容CinC、MOS管的結(jié)電容D、互連線引起的寄生電容Cl正確答案:【MOS管的結(jié)電容】5、問題：題5-2-5：反相器的傳播延時(shí)為。選項(xiàng)：A、tpLHB、tpHLC、tpLH+tpHLD、0.5*（tpLH+tpHL）正確答案:【0.5*（tpLH+tpHL）】6、問題：題5-2-6：如果將反相器的轉(zhuǎn)換閾值Vit做為允許的輸入高電平和低電平極限，則如下關(guān)于反相器的噪聲容限的表述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、VNLM與VNHM中較小的決定最大直流噪聲容限B、VNLM=VitC、VNHM=VDD-VitD、VNLM與VNHM中較小的決定最大直流噪聲容限正確答案:【VNLM與VNHM中較小的決定最大直流噪聲容限】7、問題：題5-2-7：如下不是CMOS數(shù)字電路中功耗來源的是：。選項(xiàng)：A、電容充放電過程中的動(dòng)態(tài)功耗B、電源與地間的直流通路引起的短路功耗C、MOS管漏電的靜態(tài)功耗D、熱電子運(yùn)動(dòng)正確答案:【熱電子運(yùn)動(dòng)】8、問題：題5-2-8：按照功耗性質(zhì)不同分類來看，開關(guān)功耗屬于。選項(xiàng)：A、靜態(tài)功耗B、動(dòng)態(tài)功耗C、平均功耗D、短路功耗正確答案:【動(dòng)態(tài)功耗】9、問題：題5-2-9：如下不屬于CMOS數(shù)字電路低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)方案的是。選項(xiàng)：A、降低工作電壓B、減少邏輯門的開關(guān)頻率C、提高工作電壓D、降低工作電壓正確答案:【提高工作電壓】10、問題：題5-2-10：如下不是減少CMOS數(shù)字電路漏電流功耗的途徑的是。選項(xiàng)：A、降低電源電壓VDDB、提高閾值電壓VTC、減少晶體管數(shù)目nD、提高電源電壓VDD正確答案:【提高電源電壓VDD】第五單元第三次測驗(yàn)1、問題：題5-3-1：以下不是組合邏輯電路的特點(diǎn)的是。選項(xiàng)：A、輸出總是由布爾函數(shù)決定B、輸出狀態(tài)可以記憶C、穩(wěn)態(tài)輸出，但只與輸入的當(dāng)前值有關(guān)D、輸出不反饋到輸入正確答案:【輸出狀態(tài)可以記憶】2、問題：題5-3-2：以下不是靜態(tài)組合邏輯電路的是。選項(xiàng)：A、互補(bǔ)CMOS組合邏輯B、傳輸管邏輯C、有比邏輯D、多米諾邏輯正確答案:【多米諾邏輯】3、問題：題5-3-3：CMOS靜態(tài)互補(bǔ)組合邏輯門的正確的布爾表達(dá)式是。選項(xiàng)：A、A與B相或非B、A與B相或C、A與B相與非D、A與B相與正確答案:【A與B相或非】4、問題：題5-3-4：如下關(guān)于CMOS靜態(tài)互補(bǔ)組合邏輯門的特性描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、輸出高電平為VDDB、輸出低電平為GNDC、VDD與GND之間有直流通路D、無靜態(tài)功耗正確答案:【VDD與GND之間有直流通路】5、問題：題5-3-5：對(duì)于大扇入靜態(tài)CMOS組合邏輯門，如下不是其優(yōu)化設(shè)計(jì)技術(shù)的是。選項(xiàng)：A、逐級(jí)減小晶體管尺寸B、合理安排輸入信號(hào)C、插入緩沖器隔離扇入與扇出D、邏輯結(jié)構(gòu)重組正確答案:【逐級(jí)減小晶體管尺寸】6、問題：題5-3-6：如下關(guān)于邏輯努力的描述不正確的是。選項(xiàng)：A、邏輯努力隨著門的復(fù)雜度而加大B、邏輯努力與門的復(fù)雜度無關(guān)C、靜態(tài)CMOS組合邏輯門中，反相器具有最小的邏輯努力D、靜態(tài)CMOS組合邏輯門中，反相器具有最小的本征延時(shí)正確答案:【邏輯努力與門的復(fù)雜度無關(guān)】7、問題：題5-3-7：如下關(guān)于本征延時(shí)的描述不正確的是。選項(xiàng)：A、靜態(tài)CMOS組合邏輯門中，反相器具有最小的本征延時(shí)B、本征延時(shí)與門的類型有關(guān)C、本征延時(shí)與門的尺寸無關(guān)D、本征延時(shí)與門的類型無關(guān)正確答案:【本征延時(shí)與門的類型有關(guān)】8、問題：題5-3-8：以下關(guān)于邏輯努力方法的優(yōu)點(diǎn)描述不正確的是。選項(xiàng)：A、易于植入分析優(yōu)化軟件（Matlab）B、易于增加功耗/能量方面的考慮因素C、邏輯優(yōu)化問題易于轉(zhuǎn)換為一組解析表達(dá)式D、考慮了速度飽和、襯偏效應(yīng)等正確答案:【考慮了速度飽和、襯偏效應(yīng)等】9、問題：題5-3-9：以下關(guān)于邏輯努力方法的不足之處描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、沒有考慮輸入信號(hào)速率B、難于考慮互連延時(shí)的影響C、簡單邏輯優(yōu)化問題難于轉(zhuǎn)換為一組解析表達(dá)式D、難以分析分支情況復(fù)雜的路徑正確答案:【簡單邏輯優(yōu)化問題難于轉(zhuǎn)換為一組解析表達(dá)式】10、問題：題5-3-10：CMOS邏輯門的功耗與如下選線中無關(guān)的是。選項(xiàng)：A、門的邏輯類型（如或非門、與非門等）B、器件尺寸C、輸入輸出上升下降時(shí)間D、器件閾值與溫度正確答案:【門的邏輯類型（如或非門、與非門等）】11、問題：題5-3-11：如下措施中不能降低CMOS邏輯門的開關(guān)活動(dòng)性的是。選項(xiàng)：A、邏輯重組B、均衡信號(hào)路徑減少毛刺C、輸入排序D、增大器件尺寸正確答案:【增大器件尺寸】12、問題：題5-3-12：如下不是靜態(tài)互補(bǔ)CMOS邏輯門的優(yōu)點(diǎn)的是。選項(xiàng)：A、高噪聲容限B、有靜態(tài)功耗C、低輸出阻抗D、高輸入阻抗正確答案:【有靜態(tài)功耗】第五單元第四次測驗(yàn)1、問題：題5-4-1：如下不是有比邏輯中偽NMOS邏輯的特點(diǎn)的是。選項(xiàng)：A、N輸入偽NMOS邏輯門的晶體管數(shù)目為N+1B、輸出低電平為GNDC、輸出高電平為VDDD、輸出低電平不為GND正確答案:【輸出低電平為GND】2、問題：題5-4-2：如下折中設(shè)計(jì)有比邏輯中偽NMOS邏輯門的方法中，錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、減少靜態(tài)功耗，負(fù)載PMOS管要大B、減少靜態(tài)功耗，負(fù)載PMOS管要小C、減小tpLH,負(fù)載PMOS管要大D、獲得較大的NML，負(fù)載PMOS管要小正確答案:【減少靜態(tài)功耗，負(fù)載PMOS管要大】3、問題：題5-4-3：如下不是有比偽NMOS邏輯改進(jìn)目標(biāo)的是。選項(xiàng)：A、消除靜態(tài)電流B、提高輸出擺幅，降低VOLC、降低輸出擺幅，提高VOLD、減小tpLH正確答案:【降低輸出擺幅，提高VOL】4、問題：題5-4-4：如下不是差分串聯(lián)電壓開關(guān)邏輯（DCVSL）的特點(diǎn)的是。選項(xiàng)：A、互補(bǔ)輸入，互補(bǔ)輸出B、不需要專門的負(fù)載器件C、有比邏輯，全擺幅D、無動(dòng)態(tài)功耗正確答案:【無動(dòng)態(tài)功耗】5、問題：題5-4-5：如下關(guān)于傳輸門/傳輸管的描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、NMOS傳輸管傳輸?shù)碗娖叫阅芎?，傳輸高電平有閾值損失；B、PMOS傳輸管傳輸高電平性能好，傳輸?shù)碗娖接虚撝祿p失；C、PMOS傳輸管傳輸?shù)碗娖叫阅芎?，傳輸高電平有閾值損失；D、CMOS傳輸門傳輸高低電平都沒有閾值損失，性能更接近理想開關(guān)；正確答案:【PMOS傳輸管傳輸?shù)碗娖叫阅芎茫瑐鬏敻唠娖接虚撝祿p失；】6、問題：題5-4-6：如下不是互補(bǔ)傳輸晶體管邏輯的特點(diǎn)的是。選項(xiàng)：A、互補(bǔ)數(shù)據(jù)輸入；B、實(shí)現(xiàn)加法器或異或門需要較多晶體管；C、屬于靜態(tài)邏輯，有較好的噪聲抑制能力；D、差分輸出特性，減少了多與的反相器；正確答案:【實(shí)現(xiàn)加法器或異或門需要較多晶體管；】7、問題：題5-4-7：如下圖所示的互補(bǔ)傳輸管邏輯功能是。選項(xiàng)：A、A與B相異或；B、A與B相同或；C、A與B相與非；D、A與B相或非；正確答案:【A與B相異或；】8、問題：題5-4-8：如下不是CMOS動(dòng)態(tài)邏輯的特點(diǎn)的是。選項(xiàng)：A、仍是CMOS邏輯，為無比邏輯；B、比靜態(tài)CMOS邏輯快，比類NMOS邏輯功耗低；C、比CMOS靜態(tài)邏輯晶體管數(shù)少，減小了芯片面積；D、CMOS靜態(tài)邏輯電路工作速度慢；正確答案:【CMOS靜態(tài)邏輯電路工作速度慢；】9、問題：題5-4-9：如下CMOS動(dòng)態(tài)邏輯門的特點(diǎn)描述，錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、時(shí)鐘功耗大；B、晶體管少，CL??；C、較低的開關(guān)活動(dòng)性；D、每個(gè)周期最多只能翻轉(zhuǎn)一次；正確答案:【較低的開關(guān)活動(dòng)性；】10、問題：題5-4-10：如下不是動(dòng)態(tài)CMOS多米諾邏輯的特點(diǎn)的是。選項(xiàng)：A、只能實(shí)現(xiàn)非反相邏輯；B、可以實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)輸出邏輯；C、多米諾邏輯門是無比邏輯；D、速度快；正確答案:【可以實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)輸出邏輯；】第五單元第五次測驗(yàn)1、問題：題5-5-1：如下不是CMOS動(dòng)態(tài)邏輯門信號(hào)完整性問題的產(chǎn)生原因是。選項(xiàng)：A、電荷泄露；B、電荷分享；C、時(shí)鐘饋通；D、電感耦合；正確答案:【電感耦合；】2、問題：題5-5-2：如下不是CMOS動(dòng)態(tài)邏輯的特點(diǎn)的是。選項(xiàng)：A、CMOS靜態(tài)邏輯電路工作速度慢；B、比靜態(tài)CMOS邏輯快，比類NMOS邏輯功耗低；C、比CMOS靜態(tài)邏輯晶體管數(shù)少，減小了芯片面積；D、仍是CMOS邏輯，為無比邏輯；正確答案:【CMOS靜態(tài)邏輯電路工作速度慢；】3、問題：題5-5-3：如下關(guān)于時(shí)序電路的描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、按觸發(fā)器狀態(tài)轉(zhuǎn)換的步調(diào)分，可以分為同步時(shí)序電路與異步時(shí)序電路；B、同步時(shí)序電路的缺點(diǎn)是時(shí)鐘偏移帶來時(shí)序問題；C、同步時(shí)序電路的優(yōu)點(diǎn)是時(shí)鐘偏移帶來時(shí)序優(yōu)勢；D、按電路輸出信號(hào)的特點(diǎn)分，可以分為Mealy時(shí)序電路和Moore時(shí)序電路；正確答案:【同步時(shí)序電路的優(yōu)點(diǎn)是時(shí)鐘偏移帶來時(shí)序優(yōu)勢；】4、問題：題5-5-4：如下關(guān)于異步時(shí)序電路的描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、沒有統(tǒng)一的時(shí)鐘脈沖信號(hào)；B、異步時(shí)序電路一個(gè)時(shí)刻允許多個(gè)輸入發(fā)生變化；C、狀態(tài)變化的時(shí)刻是不固定的；D、輸入信號(hào)只在電路處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)才發(fā)生變化；正確答案:【異步時(shí)序電路一個(gè)時(shí)刻允許多個(gè)輸入發(fā)生變化；】5、問題：題5-5-5：如下關(guān)于動(dòng)態(tài)寄存器的描述不正確的是。選項(xiàng)：A、不易受噪聲電源干擾；B、漏電，難于實(shí)現(xiàn)低功耗；C、內(nèi)部節(jié)點(diǎn)電壓不跟蹤電源電壓，降低了噪聲容限；D、內(nèi)部動(dòng)態(tài)節(jié)點(diǎn)高阻抗；正確答案:【不易受噪聲電源干擾；】6、問題：題5-5-6：如下不是時(shí)序電路時(shí)序參數(shù)的是。選項(xiàng)：A、建立時(shí)間；B、保持時(shí)間；C、時(shí)鐘周期；D、靜態(tài)功耗；正確答案:【靜態(tài)功耗；】7、問題：題5-5-7：如下關(guān)于時(shí)鐘同步CMOS電路（C2MOS）工作過程描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、工作方式兩段式：預(yù)充電-求值；B、工作方式兩段式：求值-保持；C、時(shí)鐘同步CMOS電路存在電荷共享問題；D、時(shí)鐘同步CMOS電路（C2MOS）構(gòu)成的鎖存器能夠避免時(shí)鐘偏移的影響；正確答案:【工作方式兩段式：求值-保持；】8、問題：題5-5-8：如下關(guān)于時(shí)鐘同步CMOS電路（C2MOS）的特點(diǎn)描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、保持了靜態(tài)CMOS電路的對(duì)稱和互補(bǔ)性能；B、輸出可與任何電路的輸入端級(jí)聯(lián)；C、沒有存在電荷共享問題；D、輸入可接受任何電路的輸出信號(hào)；正確答案:【沒有存在電荷共享問題；】9、問題：題5-5-9：對(duì)下圖所示電路描述正確的是。選項(xiàng)：A、可以實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘同步CMOS電路功能；B、不可以實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘同步CMOS電路功能；C、具有預(yù)充電-求值工作模式；D、不能判斷；正確答案:【可以實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘同步CMOS電路功能；】10、問題：題5-5-10：如下關(guān)于動(dòng)態(tài)鎖存器的描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、比靜態(tài)鎖存器簡單；B、由于漏電需要周期刷新；C、需要輸入高阻抗器件；D、比靜態(tài)鎖存器復(fù)雜；正確答案:【比靜態(tài)鎖存器復(fù)雜；】第五單元第六次測驗(yàn)1、問題：題5-6-1：如下關(guān)于真單相時(shí)鐘電路（TSPC）的描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、TSPC電路避免了兩相時(shí)鐘偏移的問題；B、簡化了電路與時(shí)鐘信號(hào)；C、TSPC邏輯電路把富NMOS塊和富PMOS塊交替級(jí)聯(lián)；D、TSPC邏輯電路只含有NMOS塊；正確答案:【TSPC邏輯電路只含有NMOS塊；】2、問題：題5-6-2：如下關(guān)于無動(dòng)態(tài)競爭電路（NORA）的描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、無動(dòng)態(tài)競爭電路（NORA）不受時(shí)鐘偏移的影響；B、無動(dòng)態(tài)競爭電路（NORA）受時(shí)鐘偏移的影響；C、其結(jié)構(gòu)有機(jī)結(jié)合了預(yù)充-求值的動(dòng)態(tài)邏輯電路和C2MOS鎖存器電路；D、其工作過程包括了預(yù)充―求值和求值―保持；正確答案:【無動(dòng)態(tài)競爭電路（NORA）受時(shí)鐘偏移的影響；】3、問題：題5-6-3：如下不是施密特觸發(fā)器的功能的是。選項(xiàng)：A、分頻；B、鑒幅；C、整形；D、去噪；正確答案:【分頻；】4、問題：題5-6-4：如下關(guān)于施密特觸發(fā)器的描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、是一種非雙穩(wěn)態(tài)的再生電路；B、DC特性具有滯環(huán)特性；C、開關(guān)閾值可變但只有一個(gè)邏輯閾值電平；D、開關(guān)閾值可變且具有兩個(gè)邏輯閾值電平；正確答案:【開關(guān)閾值可變但只有一個(gè)邏輯閾值電平；】5、問題：題5-6-5：如下關(guān)于單穩(wěn)態(tài)電路的描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、單穩(wěn)態(tài)電路只有一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，并且經(jīng)常處于此穩(wěn)定狀態(tài)；B、單穩(wěn)態(tài)電路只有一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，并且狀態(tài)經(jīng)常變化；C、單穩(wěn)態(tài)電路又稱為單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器，或單脈沖電路；D、一個(gè)觸發(fā)事件可以是一個(gè)信號(hào)翻轉(zhuǎn)或是一個(gè)脈沖，使其暫時(shí)進(jìn)入另一個(gè)準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)；正確答案:【單穩(wěn)態(tài)電路只有一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，并且狀態(tài)經(jīng)常變化；】6、問題：題5-6-6：如下關(guān)于無穩(wěn)態(tài)電路的描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、無穩(wěn)態(tài)電路是指具有一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，只是其穩(wěn)定狀態(tài)不確定而已；B、無穩(wěn)態(tài)電路是指沒有穩(wěn)定狀態(tài)的電路；C、輸出在兩個(gè)亞穩(wěn)態(tài)之間來來回回的振蕩，周期由電路參數(shù)決定；D、環(huán)形振蕩器就是無穩(wěn)態(tài)電路；正確答案:【無穩(wěn)態(tài)電路是指具有一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，只是其穩(wěn)定狀態(tài)不確定而已；】7、問題：題5-6-7：如下關(guān)于現(xiàn)代集成電路互連技術(shù)的發(fā)展趨勢描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、互連線層數(shù)越來越多；B、互連的電阻率越來越小，如銅完全取代鋁；C、互連層之間的介質(zhì)介電常數(shù)越來越??；D、互連層之間的介質(zhì)介電常數(shù)越來越大；正確答案:【互連層之間的介質(zhì)介電常數(shù)越來越大；】8、問題：題5-6-8：現(xiàn)代集成電路指標(biāo)不受互連導(dǎo)線影響的是。選項(xiàng)：A、性能；B、功耗；C、邏輯轉(zhuǎn)換閾值；D、可靠性；正確答案:【邏輯轉(zhuǎn)換閾值；】9、問題：題5-6-9：如下關(guān)于互連導(dǎo)線的描述錯(cuò)誤的是。選項(xiàng)：A、互連電阻增加，互連