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大學物理教案〔主講人:劉國松〕大學物理教案〔主講人:劉國松〕體和電介質(zhì) 備注引言:一、導(dǎo)體、電介質(zhì)、半導(dǎo)體導(dǎo)體:導(dǎo)電性能很好的材料;例如:各種金屬、電解質(zhì)溶液。電介質(zhì)〔絕緣體半導(dǎo)體:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料;二、本章內(nèi)容簡介三、本章重點和難點重點導(dǎo)體的靜電平衡性質(zhì);空腔導(dǎo)體及靜電屏蔽;電容、電容器;難點導(dǎo)體靜電平衡下電場強度矢量、電勢和電荷分布的計算;第一節(jié)靜電場中的導(dǎo)體一、靜電感應(yīng)靜電平衡靜電感應(yīng)金屬導(dǎo)體的電構(gòu)造由電子構(gòu)成,晶格不動,相當于骨架,而自由電子可自由運動,布滿整個導(dǎo)體,是公有化的。例如:金屬銅中的自由電子密度為: 。n 81028m3。Cu觀上呈電中性。靜電感應(yīng)當導(dǎo)體處于外電場E0中時,電子受力后作定向運動,而消滅負電荷,在另一側(cè)因相對缺少負電荷而消滅正電荷。這就是靜電感應(yīng)現(xiàn)象,消滅的電荷叫感應(yīng)電荷。靜電平衡不管導(dǎo)體原來是否帶電和有無外電場的作用,導(dǎo)體內(nèi)部和外表都沒有電荷的宏觀定向運動的狀態(tài)稱為導(dǎo)體的靜電平衡狀態(tài)。-11-備注〔a〕自由電子定向運動 〔b〕靜電平衡狀態(tài)靜電平衡條件〔靜電平衡態(tài)下導(dǎo)體的電性質(zhì)〕,都與導(dǎo)體外表垂直。在靜電平衡時,導(dǎo)體內(nèi)上的電勢處處相等,導(dǎo)體是一個等勢體。E0,則自由電子將沿導(dǎo)體外表有宏觀定向運動,導(dǎo)體未到達靜電平衡狀態(tài),和命題條件沖突。 dU
0,dU0由于E
0,所以dl
,即導(dǎo)體為等勢體,導(dǎo)體外表內(nèi) 為等勢面。二、靜電平衡時導(dǎo)體上電荷的分布實心導(dǎo)體〔1〕布于導(dǎo)體外外表。 內(nèi)證明:在導(dǎo)體內(nèi)包圍P點作閉合曲面S,由靜電平衡條件E 0,所以由內(nèi)高斯定理:
qE dSS 內(nèi)
內(nèi)0
,得 q 0。內(nèi)處于靜電平衡的導(dǎo)體,其外表上各點的電荷面密度與外表鄰近處場強大小成正比。內(nèi)證明:在導(dǎo)體外表任取無限小面積元ΔS,認為它是電荷分布均勻的帶電平面,電荷面密度為,作高斯面〔如圖:扁平圓柱面很小,由高斯定理:
EdS EEdS EEEE S0SE S表 表
cos2E表
SS0由此得
E E表0 ,即
n0 。留意和結(jié)論:★E;n★ 為導(dǎo)體外表的外法線方向單位矢量;★E 由導(dǎo)體上及導(dǎo)體外全部電荷所產(chǎn)生的 合場強而非僅由導(dǎo)表體外表該點處的電荷面密度所產(chǎn)生。例如:孤立的半徑為R的均勻帶電球面,球面外鄰近處P 點的場強大小為qEP4R2q0
0由整個球面上電荷共同產(chǎn)生。-11-帶電球四周有點電荷q1時,同一P點處的場強由球面上原有電荷q和 備注點電荷q1
EEE E
EP nP q
感應(yīng)電荷,仍舊滿足 0 。σ與該外表曲率σσ1R。尖端放電離的放電現(xiàn)象,稱為尖端放電??涨粚?dǎo)體空腔導(dǎo)體內(nèi)部無帶電體性質(zhì):①空腔內(nèi)部及導(dǎo)體內(nèi)部電場強度處處為零,它們形成等電勢區(qū)。②空腔內(nèi)外表不帶任何電荷。上述性質(zhì)可用高斯定律證明。下面說明性質(zhì)②。在導(dǎo)體內(nèi)做一高斯面,依據(jù)靜電平衡,導(dǎo)體內(nèi)部場強處處為零,所以導(dǎo)體內(nèi)外表電荷的代數(shù)和為零。如內(nèi)外表某處面電荷密度σ>0,σ<0,兩者之間就必有電力線相連,就有電勢差存在,這與導(dǎo)體內(nèi)場強為零相沖突。所以導(dǎo)體內(nèi)外表處處e=0。這些結(jié)論不受腔外電場的影響,腔外電場與腔外外表電荷在腔內(nèi)場強總奉獻為零。腔內(nèi)有帶電體①導(dǎo)體中場強為零。的電荷分布。③空腔的內(nèi)外表所帶電荷與腔內(nèi)帶電體所帶電荷等量異號。④導(dǎo)體接地,則空腔內(nèi)帶電體的電荷變化將不再影響導(dǎo)體外的電場。證明:〔弄清感應(yīng)電荷的數(shù)量。〕三、靜電屏蔽electrostaticshielding如圖,在空腔導(dǎo)體外,還有一帶負電的帶電體B,由于靜電感應(yīng),空腔導(dǎo)體外外表上的電荷及帶電體B上的電荷將重分布。靜電平衡時:〔1〕B使外外表上電荷重分布;內(nèi)外表、腔內(nèi)帶電體的電荷分布不變;導(dǎo)體空腔局部的電場等于零;導(dǎo)體接地,腔內(nèi)電場不影響腔外,腔內(nèi)各點相對地的電勢不再變化??傊?,空腔導(dǎo)體〔無論接地與否〕將使腔內(nèi)空間不受外電場的影響,而接地空腔導(dǎo)體將使外部空間不受空腔內(nèi)的電場的影響,稱之為靜電屏蔽現(xiàn)象。例P61-P62。例題1:課本P62-P63,請自學。2:一半徑為rr
rr1 2 2
1相互絕緣的兩個同心導(dǎo)體球殼,現(xiàn)將+q電量賜予內(nèi)球殼,求:外球殼上所帶的電荷和外球的電勢。荷及外球的電勢。轉(zhuǎn)變多少?〔+q分布在內(nèi)球殼外外表,靜電感應(yīng)后,外球殼內(nèi)外表帶電-q,外外表帶電+q,整個外球殼總電荷為零,Q
0。由高斯定理得:外球殼-11-EqEq4πε
0rr1 r2 rrr 0 1 2q4πεr2 rr0 2 。 由靜電平衡條件得:球殼導(dǎo)體內(nèi)部場強為零,即:E 0U外球所以有:
r2
Edlr2
q0
dr q4r02或由電勢疊加原理得:qU外求4rq02
q4r02
q4r02
q40U
r20,
Q 0 Q
q Q q外球殼接地后再絕緣,則:外球
同時外球外表 ,
外球內(nèi)表
,即外球殼 。U 0內(nèi)球殼接地后,得內(nèi)球 。此時設(shè)內(nèi)球帶正電荷為e,外球內(nèi)外表帶U e
q r20 e 1q2
0電荷為-q,則
4r01
4r02
,所以得 r
不為零。U
e q
(0)因而有:
4r 4r 4r02 02 02U U
0
eq外球則有:
外球 外球
4r02
4r02。其次節(jié)電容電容器靜電平衡時導(dǎo)體上的電荷只能分布在外表,且與其本身的外形、構(gòu)造及四周的介質(zhì)有關(guān)。下面我們爭論的是導(dǎo)體容電本領(lǐng)問題。一、孤立導(dǎo)體的電容定義R,帶電荷為Q的孤立球形導(dǎo)體,則它的電勢〔相對于無限遠處的零電勢而言〕為Q4R而 V 0
V 1 Q40R該比值僅與導(dǎo)體的幾何外形和大小有關(guān),與導(dǎo)體所帶的電量無關(guān)。由此我們定義孤立導(dǎo)體的電容為孤立導(dǎo)體所帶的電荷Q與V的比值。即:CQV電容C是反映導(dǎo)體容電力量的物理量。用單位電勢差所能容納的電量來表征。單位法拉F,微法m〕,皮法p〕F106F112pF二、電容器例子和概念兩個同心球殼,內(nèi)球A和外球B分別帶+q和-q電量,中間充以空氣或電介質(zhì)。當外殼接地后,這樣的導(dǎo)體組——格外靠近的中間布滿電介質(zhì)的兩個導(dǎo)體組合,稱為電容器。兩個導(dǎo)體稱為電容器的極板。電容器的電容C定義:電容器的電容
QV VA
,Q為一個極板所帶電量確實定值,VA-VB為兩極板間的電勢差。-11-〔1〕電容器電容的大小取決于極板的外形、大小、相對位置以及電介質(zhì)的電容率。與電容器是否帶電無關(guān)。 備注〔2〕電容器符號: ,固定電容器; ,可變電容器。電容的計算〔1〕A、B分別帶+q和-q電荷。 〔2〔2〕求兩極板間的電場分布,并由AB
A
計算兩極板間電勢差。C〔3〕由定義式
q例子:幾種常見的電容器電容的計算平板電容器d,面積為S的平行金屬板組成的平行板Q電容器板間為真空每塊極板上的電荷面密度為 S兩極板間的電場為均勻電場,無視邊緣效應(yīng),兩極板間的場強為:EQ兩極板間的電勢差為
S0 0U QdEdlEdAB
dS0 0依據(jù)電容的定義得平板電容器的電容為0CQS0U d可見,平板電容器的電容與電容器是否帶電無關(guān),只與電容器本身的構(gòu)造外形有關(guān)。1:課本P66〔請自學〕圓柱形電容器設(shè)內(nèi)、外圓柱面各帶有+Q和-Q荷,則電荷線密度為r處的電場強度E大小為
Ql。在兩個圓柱E Q 12
r 2lr0E的方向垂直于圓柱軸線。于是,兩圓柱面間的電勢差為 Q dr Q RUErRB ln Bl R A
lr 2 l R0 0 A由電容的定義式可得圓柱形電容器的電容為CQ
2 l0BU lnRRBA可見,圓柱越長或兩圓柱面間的間隙越小,電容越大。當兩圓柱風光間的間隙d?RA時,有于是圓柱形電容器的電容可寫成
lnRBRBA
lnRddAR RAA A2lR SC 0 A 0d d
(圓柱體的側(cè)面積S2Rl)A這正是平板電容器的電容??梢?,當兩圓柱面之間的間隙遠小于圓柱體半徑時,圓柱形電容器可當作平板電容器。布置作業(yè)-11-P94第2題 P95第7題備注第十六講例題2:課本P67〔球形電容器的電容〕 兩半徑分別為R1和R2的同心金屬球殼組成球形電容器,兩球殼間為真空,求電容。解:設(shè)內(nèi)外球面分別帶+q和-q電量,由高斯定理得兩極板間場強方向沿徑向,大小為:E q RrR兩極板間電勢差為:
0
1 2。2 R q
q 1 1U 2
dr
12q 4RR
1 R 1 0
4 R R0 1 2C
01 212由定義得:0 U12
RR2 1
R2 SRRdR
C 0 1 0〔1)當2器一樣。
1 1時,0
d d ,和平板電容1〔2〕當R21
C時0時
40
R,孤立球形電容器。例題3:課本P68〔傳輸線的分布電容,自學〕三、電容器的并聯(lián)和串聯(lián)電容器的并聯(lián)qq,VVqi,CCii i Cii i
i 并聯(lián)電路總電容量增大,電容組耐壓值不變。電容器的串聯(lián)聯(lián)qq1Vi
qq,2 iV,i11C Ci i串聯(lián)電路總電容量削減,電容組耐壓值增大。但如其中一個被擊穿,其余電容器會相繼被擊穿。第三節(jié)靜電場中的電介質(zhì)重點:電介質(zhì)的極化和極化強度矢量;電位移矢量;有介質(zhì)時的高斯定理;有介質(zhì)時電場強度的計算。難點:電位移矢量〔氣〔液、云母〔固。我們先從試驗現(xiàn)象入手爭論電介質(zhì)和靜電場的相互作用規(guī)律。一、電介質(zhì)對電容的影響相對電容率試驗事實相對電容率〔1〕如下圖,平板電容器極板間為真空時的電容為C
。假設(shè)對該電容器0UQ=CU
0 0 0-11-電源,維持極板上的電荷Q不變,并使兩極板間布滿均勻的各向同性的電介質(zhì),由試驗可測得兩極板間電壓
UU 備注0 r。由平板電容器電容公式得:C
C,即在維持電容器兩極板的電荷不變時,布滿電介質(zhì)r 0的電容器的電容為真空電容的 r倍。其中對電容率。
r為是一個沒有單位的、大于1的純數(shù),稱為電介質(zhì)的相0rr定義:電介質(zhì)的電容率0rr電場強度的變化
、都是表征電介質(zhì)性質(zhì)的。把UU 0 r
Ud得
dU d0 rEE0即 r可見,在兩極板電荷不變的條件下,布滿均勻的各向同性的電介質(zhì)的平板電容器中,電介質(zhì)內(nèi)的電1場強度為原來真空時電場強度的 r。當極板上加肯定的電壓時,極板間就有肯定的電場強度,電壓越大,電場強度也越大。當電場強度增大到某一最大值Eb時,電介質(zhì)中分子發(fā)生電離,從而使電介質(zhì)失去絕緣性,即電介質(zhì)被擊穿了。電介質(zhì)能承受的最大電場強度Eb稱為電介質(zhì)的擊穿場強,相應(yīng)兩極板的電壓稱為擊穿電壓。與U E U。與b b
的關(guān)系為EUb b
d 。不同電介質(zhì)的擊穿場強是不同的。上述試驗說明:插入電介質(zhì)后兩極板間電壓削減,電場減弱了。電場減弱的緣由可用電介質(zhì)與外電場的相互影響,下面從微觀構(gòu)造上來解釋。二、電介質(zhì)的極化電介質(zhì)的電構(gòu)造電子被原子核緊緊束縛;在靜電場中電介質(zhì)中性分子中的正、負電荷僅產(chǎn)生微觀相對運動;在靜電場與電介質(zhì)相互作用時,電介質(zhì)分子簡化為電偶極子。電介質(zhì)由大量微小的電偶極子組成;電介質(zhì)在外電場中→極化→產(chǎn)生極化電荷→產(chǎn)生附加電場→作用于電介質(zhì)→到達靜電平衡。電介質(zhì)的內(nèi)部構(gòu)造有極分子,無外電場時,分子的正、負電荷中心不重合,分子具有固有電偶極矩。例如:H2O HClCO SO2。無極分子,無外電場時,分子的正、負電荷中心重合,分子沒有固有電偶極矩CO2H2N2 O2 He。3電介質(zhì)的極化〔Polarization〕Displacementpolarization主要是電子發(fā)生位移。OrientationpolarizationPolarizationcharge〔boundcharge〕下面看看外電場中的電介質(zhì)極化的宏觀效果:在外電場中,均勻介質(zhì)內(nèi)部各處仍呈電中性,但在介質(zhì)外表荷能用傳導(dǎo)方法將其引走。象稱為電介質(zhì)的極化〔如何定量描述?〕電暈現(xiàn)象的解釋見課本P75,請自學。-11-三、電極化強度備注宏觀上,電介質(zhì)極化程度用電極化強度矢量來描述。1.電極化強度矢量 ppi定義:
Plim iΔV ΔV ,其中
i個分子的電偶極矩。iP稱為電極化強度。單位為:Cm2。iP與
的定量關(guān)系 ,如圖,在平板電容器兩極板間的介質(zhì)內(nèi)沿著P方向取一長度為dl 橫截面為dS的小圓柱體,在其內(nèi)部極化可視為是均勻的。因而該圓柱體具有電 偶極矩為PdVPdldS,依據(jù)定義它可視為兩端具有電荷
”dS
的電偶極PdS.dldSdlP均勻電介質(zhì)中的電極化強度的大小等于極化產(chǎn)生的極化電荷面密度。四、電介質(zhì)中的電場強度Q與Q0的關(guān)系電介質(zhì)中的電場強度
EEE E外電場E,極化電荷產(chǎn)生的電場E,電介質(zhì)內(nèi)部的合場強E為: ,E與 的方0 0 0E的值為EE0E。極化電荷與自由電荷的關(guān)系 0極板上自由電荷面密度為0
。在放人電介質(zhì)以前自由電荷電場強度E0的值為E 0 0
E00其電荷面密度為。相應(yīng)的電場強度E的值為E。則由上式以及前面試驗結(jié)果得0E1Err
EE0
EE0r即 0即r從而可得
10rr QQr Q0r亦即r這就是極化電荷與自由電荷的關(guān)系。電極化強度與電場強度的關(guān)系試驗規(guī)律 對均勻線性介質(zhì)有:P E,χ稱為電介質(zhì)的電極化率,是一個大于零的純數(shù)。0χ和相對電容率
r的關(guān)系由E0
、Pχε
0E、P代入E0
rE可得:0r
r
r1 0 0r0
r 比1比rr1。χ和r的爭論:課本P77。χ、用。
r、 三者都是表征電介質(zhì)性質(zhì)的物理量,知道其中之一即可求得其它兩個。并且普遍適第四節(jié)電位移有電介質(zhì)時的高斯定理一、電位移矢量空間存在導(dǎo)體時,電場仍由自由電荷產(chǎn)生。高斯定理,場強環(huán)流定理仍舊適用,且形式不變。-11-存在電介質(zhì)時,空間電場由自由電荷和極化電荷共同產(chǎn)生。產(chǎn)生的靜電場仍為有勢場。靜電場的環(huán)流定理仍舊成立,即
備注。Edl0。L靜電場中的高斯定理仍舊成立〔高斯面如圖,形式變?yōu)椋?/p>
dS
QS 0
0 PdS由于:S
dQS內(nèi),11EdS
1
PdS0所以:S 0
0 S00S
(EP)dS0
Q內(nèi)S0內(nèi)定義電場關(guān)心矢量——電位移〔electricdisplacement〕矢量: 二、有電介質(zhì)時的高斯定理
D
EP0 內(nèi)DdS q內(nèi)由上面爭論可得:S
通過電介質(zhì)中任一封閉曲面S電介質(zhì)時的高斯定理。三、爭論和說明
的關(guān)系D E 對于各向同性電介質(zhì),把PE代入DEP得:00(1)
D E P E E E 0 0 0 0r留意到r
,且
r,則有:
DED的單位:Cm2
是一個關(guān)心量,打算電荷受力的仍舊E。當自由電荷的分布時,可先由高斯定E 理求出DE描述電場性質(zhì)的物理量仍舊是電場強度E和電勢V。 D通量與Q有關(guān),而D與Q、Q均有關(guān)。 0 0DED線從正自由電荷動身,終E自由電荷和極化電荷。電介質(zhì)中的場強和電勢與真空中的場強和電勢的關(guān)系〔均勻電介質(zhì)布滿整個電場,或電介質(zhì)外表是等勢面時〕EE0r
,VV0rrr 而布滿了電介質(zhì)的電容為真空中電容的CC。rr 布置作業(yè)課本P.96第13題 課本P.97第18題-11-大學物理教案〔主講人:劉國松〕 第十七講備注例1〔課本P.7,請自學例2〔課本P.8,請自學R例3〔課本P.8〕圓柱形電容器上由半徑為R1
的長直圓柱導(dǎo)體和與它同軸的薄導(dǎo)體圓筒組成,R。假設(shè)直導(dǎo)體與導(dǎo)體圓筒之間充以相對電容率為ε
的電介質(zhì)。設(shè)直導(dǎo)體和圓筒單位長2 r度上的電荷分別為+λ和-λ。求電介質(zhì)中的場強、電位移和極化強度;電介質(zhì)內(nèi)、外外表的極化電荷面密度;此圓柱形電容器的電容?!?〕由對稱性分析,電場為柱對稱分布,依據(jù)介質(zhì)中的高斯定理,有DdS D2rlDdSS D2r。EE
E得電介質(zhì)中場強為:
E2r
RrR1 20r 0r電介質(zhì)中極化強度為:P
1E rrE RrR
0 2rr〔2〕
2r
1 2 E
0rrR1 2R0r 1和
1E22R
rR2 0r 2由P由e0
E和P得電介質(zhì)兩外表極化
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