《電力系統(tǒng)高壓功率器件用碳化硅外延片使用條件》編寫說(shuō)明

電力系統(tǒng)高壓功率器件用碳化硅外延片使用條件

編制說(shuō)明

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1編制背景

本標(biāo)準(zhǔn)的編制背景為：碳化硅(SiC)材料是目前世界上公認(rèn)的綠色高效的新型半導(dǎo)體材料，是下一

代能源轉(zhuǎn)換裝置的核心材料。與傳統(tǒng)硅基電力電子器件相比,基于碳化硅材料的電力電子器件具有10

倍電壓容量，可高達(dá)7萬(wàn)伏，4-5倍電流密度，工作溫度可以從125℃提高到200℃以上。應(yīng)用于電力

電子裝置，可以大幅度減少器件串并聯(lián)數(shù)，減少裝置損耗70%，減少裝置體積30%以上。將對(duì)未來(lái)電網(wǎng)

建設(shè)產(chǎn)生重大變革，助推能源互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。

碳化硅外延片是制備碳化硅電力電子器件的核心材料，其質(zhì)量直接關(guān)系器件的性能。我國(guó)目前對(duì)于

電力系統(tǒng)高壓器件應(yīng)用的碳化硅外延片標(biāo)準(zhǔn)還沒(méi)有，因此本標(biāo)準(zhǔn)的制定將填補(bǔ)我國(guó)電力系統(tǒng)中碳化硅外

延片標(biāo)準(zhǔn)的空白，引領(lǐng)國(guó)內(nèi)碳化硅在電力系統(tǒng)領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展，搶占國(guó)際在該領(lǐng)域的技術(shù)制高點(diǎn)，促進(jìn)

我國(guó)高壓碳化硅行業(yè)健康、有序的發(fā)展。

本標(biāo)準(zhǔn)編制主要目的為：建立健全電力系統(tǒng)領(lǐng)域碳化硅標(biāo)準(zhǔn)工作，明確碳化硅在電力系統(tǒng)領(lǐng)域的使

用條件，促進(jìn)行業(yè)健康有序發(fā)展。

本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)《中電聯(lián)關(guān)于轉(zhuǎn)發(fā)國(guó)家能源局2016年能源領(lǐng)域行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制（修）訂計(jì)劃的通知》（中

電聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)〔2016〕283號(hào)）的安排制定的。本標(biāo)準(zhǔn)在任務(wù)下達(dá)時(shí)的名稱為《電力系統(tǒng)高壓功率器件用碳

化硅外延片使用技術(shù)條件》（編號(hào)：20160489）。

2編制主要原則

本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)以下原則編制：

a)簡(jiǎn)潔、高效、可操作性強(qiáng)的條款；

b)目前碳化硅產(chǎn)業(yè)可達(dá)到的實(shí)際技術(shù)水平。

3與其他標(biāo)準(zhǔn)文件的關(guān)系

本標(biāo)準(zhǔn)與相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的國(guó)家現(xiàn)行法律、法規(guī)和政策保持一致。

本標(biāo)準(zhǔn)不涉及專利、軟件著作權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)使用問(wèn)題。

本標(biāo)準(zhǔn)宣貫、實(shí)施和使用中無(wú)保密要求。

4主要工作過(guò)程

本標(biāo)準(zhǔn)工作過(guò)程如下：

1、2017年1月，以標(biāo)準(zhǔn)制定為課題，成立標(biāo)準(zhǔn)起草工作組。

2、2017年6月，，并就標(biāo)準(zhǔn)制定調(diào)研，相關(guān)資料收集工作進(jìn)行分工。

3、2018年5月，工作組召開(kāi)會(huì)議編制了草稿。

4、2018年11月，工作組編制了標(biāo)準(zhǔn)工作組討論稿，會(huì)議逐條審查了標(biāo)準(zhǔn)的條目，并修改相關(guān)內(nèi)

容。并形成了標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿，并開(kāi)始征求意見(jiàn)。

5主要參編單位和標(biāo)準(zhǔn)編制工作組成員

標(biāo)準(zhǔn)編寫主要起草單位：全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司、東莞市天域

半導(dǎo)體科技有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、國(guó)

網(wǎng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)研究院有限公司。

標(biāo)準(zhǔn)編制主要起草人：鈕應(yīng)喜、楊霏、孫國(guó)勝、馮淦、張新河、陳志霞、李赟、石巖、楊勇

6標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和內(nèi)容

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本標(biāo)準(zhǔn)的主要結(jié)構(gòu)和內(nèi)容如下：

本標(biāo)準(zhǔn)主題章分為2章，由技術(shù)要求和標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存組成。本技術(shù)導(dǎo)則給出了影響高電

壓器件性能參數(shù)的碳化硅外延材料的關(guān)鍵參數(shù)指標(biāo)，明確了各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)的限定。

7代替或廢止現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)的建議

無(wú)

8涉及專利說(shuō)明

無(wú)

9其它說(shuō)明事項(xiàng)

無(wú)