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文檔簡介

第四章晶體中結(jié)構(gòu)缺點及其運(yùn)動曾世碧-4-17第1頁1、何謂晶體缺點,晶體缺點能夠分為幾類?晶體缺點是指晶體結(jié)構(gòu)不完整,即原子排列偏離完整性區(qū)域。晶體缺點分類:

點缺點:特征是三維空間各個方面上尺寸都很小,尺寸范圍約為一個或幾個原子尺度,又稱零維缺點,包含空位、間隙原子、雜質(zhì)和溶質(zhì)原子。

線缺點:特征是在兩個方向上尺寸很小,另外一個方面上很大,又稱一維缺點,如各類位錯。

面缺點:特征是在一個方面上尺寸很小,另外兩個方面上很大,又稱二維缺點,包含表面、晶界、亞晶界、相界、孿晶界等第2頁2、位錯對晶體結(jié)構(gòu)將造成怎樣影響?對晶體性能將造成什么樣影響?位錯是指晶體中某處一列或若干列原子有規(guī)律錯排。結(jié)構(gòu)影響:晶格發(fā)生很大畸變,長度達(dá)幾百至幾萬原子間距,寬約幾個原子間距范圍內(nèi)原子偏離平衡位置,有序結(jié)構(gòu)被破壞。性能影響:對晶體生長、擴(kuò)散、相變、塑性變形、斷裂等許多物理、化學(xué)性質(zhì)及力學(xué)性質(zhì)都有很大影響,如:晶體內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力場,晶體范性形變等。第3頁3、點缺點平衡濃度及其物理意義是什么?一定溫度下,晶格熱振動漲落使間隙原子和空位長生運(yùn)動,引發(fā)其產(chǎn)生和復(fù)合,經(jīng)過足夠長時間,產(chǎn)生和復(fù)合到達(dá)一個動態(tài)平衡,存在著分布均勻、密度穩(wěn)定點缺點,該狀態(tài)下缺點濃度為平衡濃度:物理意義:溫度對濃度強(qiáng)烈影響,濃度隨溫度指數(shù)升高。缺點形成能

決定缺點所占百分比,形成能越高,越難形成該缺點。第4頁4、位錯有哪兩種類型,簡述它們幾何特點。位錯分刃型位錯和螺型位錯兩種。刃型位錯是指一個完整晶體某晶面以上某處多出半個原子面,晶面像刀刃一樣切入晶體,這個多于原子面邊緣就是刃型位錯。刃型位錯幾何特點:(1)位錯線與其滑移矢量d垂直,刃型位錯能夠為任意形狀曲線。(2)有多出半原子面。刃型位錯周圍點陣畸變關(guān)于半原子面左右對稱?;儏^(qū)是一個狹長管道。在位錯線周圍畸變區(qū)每個原子含有較大平均能量。(3)習(xí)慣上,把多出半原子面在滑移面以上位錯稱為正刃型位錯,用符號“┻”表示,反之為負(fù)刃型位錯,用“┳”表示。螺型位錯是指警覺上半部分已經(jīng)發(fā)生了局部滑移,左邊是未滑移區(qū),右邊是已滑移區(qū),原子相對移動了一個原子間距,在已滑移區(qū)和未滑移區(qū)之間有一個很窄過渡區(qū)。在過渡區(qū)中,原子都偏離了平衡位置,使原子面畸變成一串螺旋面。螺型位錯幾何特征:(1)螺位錯線與其滑移矢量d平行,故純螺位錯只能是直線。(2)螺位錯沒有多出原子面,它周圍只引發(fā)切應(yīng)變而無體應(yīng)變。(3)據(jù)螺旋面不一樣,螺型位錯分為左螺位錯和右螺位錯。第5頁柏氏矢量確實定方法A、要求位錯線指出屏幕(紙面)為正B、在位錯周圍沿著點陣結(jié)點形成右螺旋封閉回路。(柏氏回路)C、在理想晶體中按一樣次序作一樣大小回路。(不能閉合)D、在理想晶體中從終點到起點矢量即為柏氏矢量。1212341231234111212341231234116、判斷圖中為何種位錯,求圖中位錯柏氏矢量。右旋螺位錯第6頁7、位錯反應(yīng)基本條件是什么?指出面心立方(fcc)和體心立方(bcc)中特征位錯(以最短點陣矢量為柏矢量位錯),并判斷以下位錯反應(yīng)是否能夠進(jìn)行,為何?位錯反應(yīng)條件:(1)幾何條件:柏氏矢量守恒性,即:∑b前=∑b后

(2)能量條件:反應(yīng)過程能量降低——反應(yīng)驅(qū)動力,即:∑︱b前︱2﹥∑︱b后︱2特征位錯:面心立方(fcc):體心立方(bcc):舉例:幾何條件:反應(yīng)前后柏氏矢量守恒能量條件:反應(yīng)前-反應(yīng)后-能量降低,總而言之,該反應(yīng)能夠發(fā)生。第7頁8、何謂全位錯、不全位錯?說明弗蘭克不全位錯是怎樣形成?全位錯:柏氏矢量模等于該晶向上原子間距位錯,又叫單位位錯。不全位錯:柏氏矢量模小于該晶向上原子間距位錯弗蘭克不全位錯形成:在完整面心結(jié)構(gòu)晶體原子密排面{111}面結(jié)構(gòu)中局部抽出或插入一層原子形成,其柏氏矢量為。插入型層錯稱為正弗蘭克偏位錯,抽出型層錯稱為負(fù)弗蘭克偏位錯。第8頁9、簡明說明:(1)刃型位錯周圍原子處于怎樣應(yīng)力狀態(tài)(為切應(yīng)力還是正應(yīng)力,為拉應(yīng)力還是壓應(yīng)力);(2)若有間隙原子存在,則間隙原子更輕易存在于位錯周圍那些位置?刃型位錯周圍原子應(yīng)力狀態(tài):(1)正應(yīng)力與切應(yīng)力分量同時存在;(2)對任意一點y>0時:σxx<0壓應(yīng)力,

y<0時:σxx>0拉應(yīng)力,y=0時:σxx=σyy=0,只有切應(yīng)力。間隙原子引發(fā)晶體體積膨脹,為使總應(yīng)變能下降,間隙原子必定位于刃位錯下方(膨脹區(qū))。第9頁10、判斷以下為何種位錯?刃型位錯判斷指標(biāo):柏氏矢量與位錯線相互垂直,詳細(xì)判斷見右圖。螺型為錯判斷指標(biāo):柏氏矢量與位錯線相互平行。當(dāng)二者方向一致時,為右螺旋位錯,當(dāng)兩個方向相反時為左螺旋位錯。第10頁12、位錯運(yùn)動有哪兩種形式?簡述刃型位錯和螺型位錯在運(yùn)動形式上差異。位錯運(yùn)動基本形式為滑移和攀移兩種。位錯滑移是指位錯線在滑移面上運(yùn)動,位錯線移動到晶體表面時,位錯消失,形成柏氏矢量值大小滑移臺階;位錯攀移指在熱缺點或外力作用下,位錯線在垂直其滑移面方向上運(yùn)動,結(jié)果造成晶體中空位或間隙質(zhì)點增殖或降低。滑移不包括原子擴(kuò)散,而攀移必須借助原子擴(kuò)散;外加應(yīng)力對攀移起促進(jìn)作用,拉或壓應(yīng)力均促進(jìn)攀移;高溫影響位錯攀移,溫度升高,原子擴(kuò)散能力增大,攀移易于進(jìn)行.刃型位錯和螺型位錯在運(yùn)動形式上差異:(1)滑移特征:刃型位錯:

∥b、b⊥l、滑移方向⊥l、滑移方向∥b,有單一滑移面;螺位錯:

∥b、b∥滑移線、滑移方向⊥l、滑移方向⊥b,非單一滑移面,可發(fā)生交滑移。(2)刃位錯除了滑移外,還可進(jìn)行攀移運(yùn)動。攀移實質(zhì)是多出半原子面伸長或縮短。螺位錯沒有多出半原子面,沒有正應(yīng)力,故無攀移運(yùn)動。只有刃型位錯才能發(fā)生攀移。第11頁13、在簡單立方晶體中,假定有一個刃型位錯A,其柏氏矢量為b1=a[0-10],沿著(100)晶面滑移,(1)請在三維晶格圖中畫出位錯A。(2)假如有另一個刃型位錯B,柏氏矢量為b2=a[010]方向,沿著(001)晶面上運(yùn)動,請畫出位錯B。

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