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文檔簡介
國家開放大學(xué)《光伏電池材料》形考任務(wù)1-4參考答案形考任務(wù)11.多晶硅屬于()2.二元相圖通常采用()的坐標(biāo)系。原子的具體排列情況,可將所有晶體分成()個(gè)晶系,()種布拉菲點(diǎn)陣。B.5、10D.10、204.關(guān)于二氧化硅以下說法錯(cuò)誤的是()5.關(guān)于硅單質(zhì)說法錯(cuò)誤的是()。C.熔點(diǎn)為1420℃,沸點(diǎn)為2355℃6.關(guān)于硅的化學(xué)性質(zhì)說法錯(cuò)誤的是()。7.關(guān)于四氯化硅以下說法錯(cuò)誤的是()B.熔點(diǎn)-70℃,沸點(diǎn)57.6℃8.關(guān)于位錯(cuò)密度說法錯(cuò)誤的是()。9.觀察晶體中位錯(cuò)最簡單的方法是()。10.硅晶體的解理面有()11.面心立方結(jié)構(gòu)晶胞中的原子數(shù)為()A.4D.113.室溫一個(gè)大氣壓下,液態(tài)水的自由度為()。A.3D.114.西門子法作為硅的提純工藝,所用的原料主要是()B.99.9999%(6個(gè)9)的為太陽能級硅C.99.999999999%(11個(gè)9)的為電子級硅15.下列屬于面缺陷的是()16.液態(tài)水、冰、水蒸氣共存時(shí),獨(dú)立組元數(shù)為()。A.217.一般熱處理時(shí)的原子擴(kuò)散主要與()有關(guān)18.以下()不是自然界中的硅同位素。A.30Si19.雜質(zhì)原子與基體原子尺寸相當(dāng),容易形成()C.空位1.不能用于區(qū)分晶體與非晶體的是()A.硅的電導(dǎo)率對外界因素(如光、熱、磁等)高度敏感元13.關(guān)于位錯(cuò)的觀察,說法正確的是()。14.硅在自然界主要以()形式存在。15.解理面通常是晶面間距較大的晶面。在金剛石結(jié)構(gòu)中,下面晶面的晶面間距最大的是()。16.金剛石結(jié)構(gòu)的晶胞中原子數(shù)為(),配位數(shù)為()。17.兩側(cè)晶粒位向差為1°的晶界屬于()。18.熱力學(xué)平衡條件包括()。19.下列不屬于面缺陷的是()。20.下列屬于晶體的宏觀特性的有()三、判斷題1.柏氏矢量說明了畸變發(fā)生在什么晶向,是一個(gè)沒有大小的量。(×)2.點(diǎn)缺陷的平衡濃度隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。(√)4.硅是通過自由電子導(dǎo)電的,所以載流子就是自由電子。(×)5.硅烷就是甲硅烷。(×)6.硅在地殼中的豐度為25.90%,僅次于氧,硅的含量在所有元素中居第二位。7.滑移的方向是與位錯(cuò)線平行的為刃型位錯(cuò)。(×)8.甲硅烷的化學(xué)性質(zhì)很活潑,有強(qiáng)的氧化性。(×)9.可很方便制備得到位錯(cuò)很少的多晶硅片。(×)10.內(nèi)能是隨缺陷增加而增加的,所以空位越多越不穩(wěn)定。(×)11.平衡狀態(tài)下,位錯(cuò)密度隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。(×)12.普通玻璃是無定形二氧化硅。(×)13.刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的判斷可以通過晶體發(fā)生局部滑移的方向是與位錯(cuò)線垂直還是平行來區(qū)分。(√)15.一氧化硅是硅和二氧化硅的均勻混合物在低壓下加熱到1450K以上生成16.有些雜質(zhì)即使在硅中含量超過1015cm-3,也不會(huì)對電池的轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生17.在半導(dǎo)體的P-N結(jié)中,濃度梯度形成的擴(kuò)散作用與內(nèi)建電場的電場力的18.在常溫下硅對多數(shù)酸是穩(wěn)定的。(√)19.在常溫下硅能與稀堿溶液反應(yīng)。(√)20.在絕對溫度零度和無外界激發(fā)的條件下,硅晶體沒有自由電子存在,完四、連線題(1)點(diǎn)缺陷一一B.空位(2)線缺陷一一A.位錯(cuò)(3)面缺陷一一C.相界(1)二氧化硅一一B.可以從河砂中水洗去掉粘土等雜質(zhì)和進(jìn)行篩分得到(2)三氯氫硅一一C.在潮濕空氣中與水蒸氣發(fā)生水解作用會(huì)產(chǎn)生煙霧(3)四氯化硅一一A.沸點(diǎn)31.5℃,室溫下無色透明液體3.將各種硅化合物與熔沸點(diǎn)一一對應(yīng)。(1)四氯化硅一一B.熔點(diǎn)-70℃,沸點(diǎn)57.6℃(2)三氯氫硅一一C.熔點(diǎn)-128℃,沸點(diǎn)31.5℃(3)甲硅烷一一A.熔點(diǎn)-185℃,沸點(diǎn)-111.8℃4.將各種硅化合物與作用一一對應(yīng)。(1)二氧化硅一一B.制造冶金硅的主要原料之一(2)三氯氫硅一一A.可作為西門子法提純硅材料的中間產(chǎn)物(3)甲硅烷一一C.大量地用于制高純硅,高溫易熱解(1)電子級硅一一B.99.999999999%(2)冶金級硅一一C.95%-99%(3)太陽能級硅一一A.99.9999%(1)二極管一一C.制成晶體二極管后即能整流又能檢波(2)集成電路一一A.通過掩蔽、光刻、擴(kuò)散等工藝,可在一個(gè)或幾個(gè)很小的硅晶片上集結(jié)成一個(gè)或幾個(gè)完整的電路(3)光電池一一B.可以把光能轉(zhuǎn)化成電能(1)各向異性一一C.在不同方向上,晶體的物理性質(zhì)不同,如電阻率、導(dǎo)電性能、導(dǎo)熱性能、介電常數(shù)、光的折射、彈性、硬度等(2)長程有序一一B.粒子排列具有三維周期性、對稱性(3)解理性一一A.晶體常具有沿某些確定方位的晶面劈裂的性質(zhì)8.將晶體結(jié)構(gòu)與晶胞中原子數(shù)一一對應(yīng)。(1)簡單立方結(jié)構(gòu)一一C.1(2)體心立方結(jié)構(gòu)一一B.2(3)面心立方結(jié)構(gòu)一—A.4(1)固相生長一一C.石墨在高溫高壓的條件下轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸?2)液相生長一一B.鹽水溶液結(jié)晶(3)汽相生長一一A.水汽凝結(jié)為冰晶形考任務(wù)2一、單項(xiàng)選擇題1.()是生產(chǎn)太陽能級硅材料的主要技術(shù)。D.四氯化硅金屬還原法2.代號2205的工業(yè)硅,其中鐵、鋁、鈣三種雜質(zhì)的含量分別是()。C.0.20%、0.05%、0.20%D.0.05%、0.20%、0.20%3.對比傳統(tǒng)西門子法,改良西門子法的優(yōu)點(diǎn),錯(cuò)誤的是()。A.節(jié)約時(shí)間4.改良西門子法所采用的提純工藝是()。5.工業(yè)硅加工產(chǎn)品的附加值最高的是()。6.關(guān)于采用區(qū)域提純法去除硅中硼雜的區(qū)域提純雜質(zhì)描述正確的是()7.關(guān)于分子篩說法錯(cuò)誤的是()。8.硅石和還原劑在低于1500℃時(shí),發(fā)生的反應(yīng)是()。A.SiO2+3C=SiC+2CO↑C.SiO2+2SiC=3Si+2CO↑9.金剛石結(jié)構(gòu)的晶體中位錯(cuò)滑移最容易產(chǎn)生的滑移面是()。10.晶體生長過程中產(chǎn)生的缺陷稱為()。11.區(qū)熔法制備單晶硅時(shí),需要()。12.生產(chǎn)直拉單晶硅生產(chǎn)時(shí),單晶爐內(nèi)需要通入()作為保護(hù)氣體爐體內(nèi)通常是B.減少缺陷(位錯(cuò))20.大熱場的石墨坩堝往往被做成兩瓣或三瓣式的原因在于()。21.工業(yè)硅生產(chǎn)過程中,要注意的是()。22.工業(yè)吸附對于吸附劑的要求包括()。24.關(guān)于硅粉與氯化氫合成三氯氫硅的生產(chǎn)工藝說法正確的是()。25.關(guān)于晶轉(zhuǎn)說法正確的是()。是()。27.關(guān)于SiO說法正確的是()。B.溫度高于1500℃,由SiO2和SiC反應(yīng)得到C.能在1500℃與C發(fā)生反應(yīng)29.化學(xué)法提純高純多晶硅的工藝包括()。30.晶體中點(diǎn)缺陷濃度是()效應(yīng)共同作用的結(jié)果。38.直拉單晶爐的主室包括()。A.熱絕緣筒和地盤B.石墨加熱器39.CZ法產(chǎn)生位錯(cuò)的環(huán)節(jié)和方式有()。B.晶體表面存在溫度梯度,產(chǎn)生很強(qiáng)的熱應(yīng)力D.單晶冷卻時(shí),晶體表面和中心由于收縮率不同產(chǎn)生很大的應(yīng)力三、判斷題1.閉路循環(huán)系統(tǒng)是指生產(chǎn)中的各種物料得到充分的利用,排出的廢料極少。2.從安全性的角度考慮,改良西門子法優(yōu)于硅烷法。(√)3.單位長度位錯(cuò)線的能量正比于柏格斯矢量長度。(×)4.對于一次熔化來說,正常凝固的提純效果不如區(qū)域提純的效果好。(×)5.分子篩具有極性,對非極性分子具有較強(qiáng)的親和力。(×)6.改良西門子法的原料主要是硅石。(×)7.改良西門子法能對產(chǎn)生的氫氣、氯化氫、氯硅烷等副產(chǎn)物進(jìn)行回收利用。8.改良西門子法是一個(gè)閉路循環(huán)系統(tǒng),多晶硅生產(chǎn)中的各種無聊得到充分的利用,排出的廢料極少。(√)9.硅是自然界分布最廣泛的元素之一,是介于金屬和非金屬之間的半金屬。10.化學(xué)提純時(shí),中間化合物提純到所需要的純度后,在后續(xù)的還原工藝要求不需要很高。(×)11.化學(xué)吸附是放熱過程,而物理吸附是吸熱過程。(×)(13.精餾是實(shí)現(xiàn)多級部分汽化和多級部分冷凝的實(shí)用技術(shù)。(√)14.冶金法制備高純多晶硅與改良西門子法相比,前者的成本更低,但是電耗更多。(×)15.由于能量的原因,晶體中空位和自間隙原子在一定溫度下的平衡濃度是16.只通過濕法冶金技術(shù)來提純硅材料,是很難將工業(yè)硅提純到滿足制作太陽能電池所需的要求。(√)18.FZ硅占領(lǐng)了85%以上的硅單晶市場。(×)19.MCZ法磁致粘滯性控制了流體的運(yùn)動(dòng),也減少了熔體的溫度波動(dòng)。(√)20.SiH4不能采用精餾技術(shù)進(jìn)行提純。(×)(1)生產(chǎn)合金一一C.55%(2)有機(jī)硅一一B.40%(3)半導(dǎo)體器件和太陽能電池一一A.5%2.將工業(yè)硅生產(chǎn)過程中的注意事項(xiàng)與作用一一對應(yīng)。(1)保持適宜的SiO2與碳的分子比一一C.防止過多的SiC生成(2)保證反應(yīng)區(qū)有足夠高的溫度一一B.分解生成的SiC使反應(yīng)向有利于生成硅的方向進(jìn)行(3)及時(shí)搗爐,幫助沉料一一A.避免爐內(nèi)過熱造成硅的揮發(fā)或再氧化生成(1)硅烷法一一B.吸附(2)改良西門子法一一A.精餾(3)冶金一一C.物理提純4.將硅中的微小的缺陷與描述一一對應(yīng)。(2)流水花樣缺陷(FPDs)一一B.過飽和空位凝聚而成的空位團(tuán)(3)晶體原生顆粒缺陷(COPs)一一A.隨著拉速的增加而增加(3)3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑一—B.工業(yè)硅的合成(1)流體和固體吸附劑置于同一容器內(nèi)一一C.間歇操作(2)固定吸附床一一A.半連續(xù)操(3)移動(dòng)吸附器一一B.連續(xù)操作(1)熱施主一一B.處理溫度處于300~500℃(2)新施主一一A.熱處理溫度處于550~850℃(3)氧沉淀一一C.適當(dāng)?shù)臏囟认逻M(jìn)行熱處理時(shí)會(huì)脫溶(1)0一—A.1.25(1)縮頸生長一一A.減少位錯(cuò)(2)放肩生長一一C.肩部夾角接近180°,這樣可以提高多晶硅的利用率(3)等徑生長一一B.硅片取材的部位(1)石英坩堝一一C.純度和耐熱性能要求很高(2)石墨坩堝一一A.底部比較厚,以起到較好的絕熱效果(3)石墨加熱器一一B.電阻會(huì)隨著使用次數(shù)的增加而升高(1)0一一A.危害大形考任務(wù)31.單晶硅片的電阻率一般控制在()。A.2~4·cm左右2.電磁鑄錠法說法錯(cuò)誤的是()。3.硅的熔點(diǎn)約為()。C.2200℃4.硅片切割中的碎料可用于()。B.直拉單晶硅C.區(qū)熔單晶硅5.硅片中磷擴(kuò)散進(jìn)行摻雜的原料是()。A.PH36.目前常用的多晶硅鑄錠爐單爐產(chǎn)量約為()。7.目前最常用的硅片的尺寸為()。C.125mm×125mm8.熱交換法與布里奇曼法的主要區(qū)別在于()。B.成本D.坩堝與熱源的相互運(yùn)動(dòng)情況9.少子壽命的物理意義是()。B.非平衡少數(shù)載流子復(fù)合所需要的平均時(shí)間C.非平衡少數(shù)載流子擴(kuò)散所需要的平均時(shí)間D.非平衡少數(shù)載流子躍遷所需要的平均時(shí)間10.生產(chǎn)1kg鑄造多晶硅所需的能耗是()kWh。A.以上都不對11.太陽電池用單晶硅片的厚度約為()。D.100~150um12.氧在鑄造多晶硅中的濃度約為()。A.1×107~1×108cm-3B.1×1020~1×1021cm-3C.1×1012~1×1013cm-3D.1×1017~1×1018cm-313.一般制造一個(gè)重量為250~300kg的鑄造多晶硅錠需要()時(shí)間。A.35~45hB.55~65hC.25~35hD.15~25h14.用于測試硅片中少數(shù)載流子類型的測試是()。B.整流法C.四探針法D.顯微鏡觀察法15.鑄造多晶硅的晶粒的大小一般為()。A.1mm左右16.鑄造多晶硅現(xiàn)在通稱為()。A.fz-SiC.以上都不對17.鑄造多晶硅制備目前最常用的方法是()。A.BH3C.B19.最常用于測試半導(dǎo)體材料電阻率的方法是()。21.大熱場的石墨坩堝往往被做成兩瓣或三瓣式的原因在于()。22.工業(yè)硅生產(chǎn)過程中,要注意的是()。23.工業(yè)吸附對于吸附劑的要求包括()。24.關(guān)于對czCZ法和fzFZ法說法描述正確的是()。是()。C.溫度高于1500℃,由SiO2和SiC反應(yīng)得到30.化學(xué)法提純高純多晶硅的工藝包括()。31.晶體中點(diǎn)缺陷濃度是()效應(yīng)共同作用的結(jié)果。32.具有金剛石結(jié)構(gòu)的的晶體中的解理面包括位錯(cuò)線的優(yōu)先方向?yàn)?)。33.磷在硅中很容易去除,在于()。36.無坩堝區(qū)域提純()。37.以下對吸附描述正確的是升溫和降壓有助于()。A.升溫對于物理吸附影響很小化學(xué)吸附是可逆的B.化學(xué)吸附是不可逆的降壓只是讓水蒸氣更容易揮發(fā)D.脫咐的進(jìn)行物理吸附是不可逆的A.通過晶轉(zhuǎn)和鍋轉(zhuǎn)控制晶體-熔體邊界層能較好的控制徑向摻雜均勻度39.直拉單晶爐的主室包括()。B.石墨坩堝40.CZ法產(chǎn)生位錯(cuò)的環(huán)節(jié)和方式有()。C.晶體表面存在溫度梯度,產(chǎn)生很強(qiáng)的熱應(yīng)力D.單晶冷卻時(shí),晶體表面和中心由于收縮率不同產(chǎn)生很大的應(yīng)力三、判斷題1.純凈的晶界也具有電活性,會(huì)影響多晶硅的電學(xué)性能。(×)2.多晶硅的晶向多樣,因此位錯(cuò)腐蝕坑一般顯示為圓形或橢圓形。(√)3.多晶硅錠中晶粒越細(xì)小,晶界越少。(×)4.硅錠與坩堝壁接觸的底部與四周都是晶粒較大的區(qū)域。(×)5.硅片切割得越薄,切割損耗也越多。(√)6.國內(nèi)還不能生產(chǎn)鑄造多晶硅的鑄錠爐。(×)7.澆鑄法是很有應(yīng)用前景的鑄造多晶硅生產(chǎn)的新技術(shù)。(×)8.目前的技術(shù),大規(guī)模生產(chǎn)制造p型摻硼鑄造多晶硅、摻鎵的p型鑄造多晶硅都是沒有問題的。(×)9.熱交換法的鑄錠爐底部不需要水冷。(×)10.如果減少多晶硅鑄錠爐的氮化硅噴涂工藝,可以降低成本。(×)11.太陽電池用單晶硅片一般利用氫氧化鈉腐蝕液來進(jìn)行腐蝕,腐蝕深度要超過硅片機(jī)械損傷層的厚度,約為20~30um。(√)12.太陽能行業(yè)用的硅片是不需要經(jīng)過拋光的。(√)13.通常晶體的生長速率越快,生產(chǎn)效率越高,但其溫度梯度也越大,最終14.一般采用的是摻磷的n型多晶硅,而不是摻鎵的p型多晶硅。(×)15.影響鑄造多晶硅晶體生長的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、熱應(yīng)力、來自坩堝的污染等。(√)16.與高純石英坩堝相比,高純石墨坩堝的成本更低,但更可能引入碳污染17.在鑄造多晶硅錠中,氧在高度方向的分布是上部高下部低。(×)18.直流光電導(dǎo)衰退法可用于測量少子壽命,不需要接觸硅片。(×)19.鑄造多晶硅晶體生長完成后,硅錠保持在熔點(diǎn)附近2~4h,使硅錠溫度均勻,以減少熱應(yīng)力。(√)20.鑄造多晶硅中的金屬沉淀不會(huì)影響載流子濃度。(√)(1)整流法一一C.導(dǎo)電型號(2)四探針法一一B.電阻率(3)光電導(dǎo)衰退法一一A.少子壽命(1)區(qū)熔單晶硅一一C.30kWh/Kg(2)直拉單晶硅一一B.18~40kWh/Kg(3)鑄造多晶硅一—A.8~15kWh/Kg(1)mc-Si一一C.轉(zhuǎn)換效率一般最低(1)BOW一一A.彎曲度(2)TTV一一C.總厚度偏差(1)B一一C.特意加入,形成摻雜(2)0一—A.危害較大(1)3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑一一A.去除硅表面的致密保護(hù)膜(1)機(jī)械拋光法一一B.采用細(xì)磨料顆料(2)化學(xué)拋光法一一C.硝酸與氫氟酸混合腐蝕液(3)化學(xué)一機(jī)械拋光法一一A.現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中普遍應(yīng)用(1)無機(jī)酸一一A.去除鎂、鋁、銅、銀、金、氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅等雜質(zhì)(2)有機(jī)溶劑一一C.相似相溶(3)過氧化氫一一B.對一些難溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)(1)磷吸雜一一A.去除磷硅玻璃,將其中的金屬雜質(zhì)一并去除(2)鋁吸雜一一C.除雜效果最佳(3)磷-鋁共吸雜一一B.利用濺射、蒸發(fā)等技術(shù)制備一薄層,熱處理合金化(1)布里曼法一一A.坩堝需升降(2)熱交換法一一B.固液界面比較平穩(wěn)(3)澆鑄法一一C.熔化和結(jié)晶在兩個(gè)不同的坩堝中進(jìn)行形考任務(wù)4一、單項(xiàng)選擇題1.大π鍵說法正確的是()。A.雙鍵包含一個(gè)π鍵B.三鍵包含一個(gè)π鍵D.苯環(huán)上6個(gè)碳原子各有1個(gè)未參加雜化的2p軌道,它們垂直于環(huán)的平面,并從側(cè)面相互重疊而形成一個(gè)閉合的π鍵。"2.二氧化鈦的幾種晶體結(jié)構(gòu)中最適合用于太陽電池的是()。3.非晶硅薄膜的厚度約為()。A.數(shù)十微米D.數(shù)百納米4.非晶硅的沉積溫度為()。A.900~1300℃5.非晶硅的禁帶寬度為()。A.2.12eV6.非晶硅的制備需要的冷卻速度至少()。A.104℃/sC.103℃/sD.102℃/s7.非晶硅的PIN結(jié)構(gòu)的P部分是采用()形成的。8.非晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率約為()。A.5%9.非晶硅最常用的生產(chǎn)方法是()。D.濺射氣相沉積10.關(guān)于染料敏化太陽電池中的納米晶要求錯(cuò)誤的是()。A.最大限度的與電解質(zhì)緊密接觸C.盡可能多的吸附染料11.銳鈦礦相二氧化鈦晶體的禁帶寬度為()。12.通常有機(jī)半導(dǎo)體中的導(dǎo)電電子是指()。13.銅銦鎵硒薄膜太陽電池的禁帶寬度()。14.銅銦鎵硒薄膜太陽電池最高轉(zhuǎn)換效率的記錄()。C.16.70%D.10.10%15.以下太陽電池成本(單位:美元/W)最低的是()。16.銦儲(chǔ)量最多的國家是()。A.中國D.俄羅斯17.與光致衰減效應(yīng)聯(lián)系最緊密的元素是()。A.OC.B18.a-Si指()。A.微晶硅A.SiHCl3D.SiH4主要利用的是()區(qū)域A.正離子柱區(qū)二、不定項(xiàng)選擇題21.常用的多晶硅薄膜的制備方法有()。22.對多晶硅薄膜的研究重點(diǎn)目前主要有()。B.如何在廉價(jià)的襯底上,能夠高速、高質(zhì)量地生長多晶硅薄膜23.二氧化鈦的晶體結(jié)構(gòu)有()。24.非晶硅晶化制備多晶硅薄膜的途徑有()。25.非晶硅太陽電池成本低原因在于()。26.非晶硅太陽電池的多品種和多用途在于()。27.非晶硅太陽電池相對與晶體硅太陽電池的優(yōu)點(diǎn)在于()。28.關(guān)于光致衰減效應(yīng)說法正確的是()。D.在150~200℃熱處理又可以恢復(fù)原來的狀態(tài)材料C.D/A界面處D型材料和A型材料存在能級差30.化學(xué)氣相沉積直接制備多晶硅薄膜的方法有()。31.輝光放電系統(tǒng)中的|-V特性曲線可分為()階段。32.可用于多孔納米晶薄膜的材料有()。A.TiO233.染料敏化太陽電池的基本結(jié)構(gòu)包括()。34.染料敏化太陽電池優(yōu)點(diǎn)有()。35.銅銦鎵硒薄膜的制備方法有()。36.旋涂成膜存在的問題有()。37.有機(jī)半導(dǎo)體薄膜成膜技術(shù)包括()。38.有機(jī)太陽電池產(chǎn)生電流的流程()。39.有機(jī)太陽電池的層狀三明治疊層結(jié)構(gòu)包括()。40.有機(jī)太陽電池基本的結(jié)構(gòu)模型有()。1.花衍生物是一種應(yīng)用較多的光敏劑和A型材料,在450到600nm波段內(nèi)4.非晶硅材料與晶體材料不同之處在于它的原子結(jié)構(gòu)排列不是長程有序。(7.非晶硅太陽電池生產(chǎn)出來以后,轉(zhuǎn)換效率不會(huì)隨時(shí)間發(fā)生改變。(×)8.非晶硅太陽電池中也存在晶體硅太陽電池中一樣的pn節(jié)結(jié)構(gòu)。(×)9.高純硅原料價(jià)格增加,對薄膜太陽電池的成本影響不大。(√)10.晶體硅太陽電池和非晶硅太陽電池都可以做成柔性太陽電池。(×)11.晶體硅與非晶硅薄膜太陽電池都是間接帶隙結(jié)構(gòu),而銅銦鎵硒太陽電池是直接帶隙結(jié)構(gòu)。(×)12.隨著非晶硅中氫含量的增加,其能隙寬度從1.13.酞菁類化合物是典型的D型有機(jī)半導(dǎo)體。(√)14.銅銦鎵硒具有高達(dá)6*10cm-l的吸收系數(shù),這是到目前為止所有半導(dǎo)體材料中的最低值。(×)15.一般而言,襯度溫度在200~300℃,功率在300~500W/m2時(shí),比較適宜制備非晶硅。(√)16.用于制備多孔納米晶薄膜的二氧化鈦具體指銳鈦礦相二氧化鈦。(√)17.有機(jī)太陽電池中電離電勢(IP)較小的材料被稱為電子施主(Donor,簡稱D型材料),相當(dāng)于無機(jī)半導(dǎo)體中的P型材料。(√)18.在150~200℃熱處理,可以使得因?yàn)镾-W效應(yīng)而效率降低的非晶硅太陽20.
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