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文檔簡介

雜質半導體雜質向導帶和價帶提供電子和空穴的過程（電子從施主能級向導帶的躍遷或空穴從受主能級向價帶的躍遷）稱為雜質電離或雜質激發(fā)。具有雜質激發(fā)的半導體稱為雜質半導體

雜質激發(fā)雜質半導體電子從價帶直接向導帶激發(fā)，成為導帶的自由電子，這種激發(fā)稱為本征激發(fā)。只有本征激發(fā)的半導體稱為本征半導體。本征激發(fā)N型和P型半導體都是雜質半導體

施主向導帶提供的載流子=1016～1017/cm3》本征載流子濃度雜質半導體中雜質載流子濃度遠高于本征載流子濃度Si的原子濃度為1022～1023/cm3摻入P的濃度/Si原子的濃度=10-6例如：Si在室溫下，本征載流子濃度為1010/cm3，上述雜質的特點：施主雜質：受主雜質：淺能級雜質雜質的雙重作用：

改變半導體的導電性決定半導體的導電類型雜質能級在禁帶中的位置4.淺能級雜質電離能的簡單計算+-施主-+受主淺能級雜質=雜質離子+束縛電子（空穴）類氫模型玻爾原子電子的運動軌道半徑為：n=1為基態(tài)電子的運動軌跡玻爾能級：玻爾原子模型類氫模型氫原子中電子能量n=1,2,3……，為主量子數，當n=1和無窮時氫原子基態(tài)電子的電離能考慮到正、負電荷處于介電常數ε=ε0εr的介質中，且處于晶格形成的周期性勢場中運動，所以電子的慣性質量要用有效質量代替定義：受主雜質III族元素在硅、鍺中電離時能夠接受電子而產生導電空穴并形成負電中心，稱此類雜質為受主雜質或p型雜質。受主電離受主雜質釋放空穴的過程。受主能級被受主雜質束縛的空穴的能量狀態(tài)，記為EA。受主電離能量為ΔEAp型半導體依靠價帶空穴導電的半導體。施主和受主濃度：ND、NA施主：Donor，摻入半導體的雜質原子向半導體中提供導電的電子，并成為帶正電的離子。如Si中摻的P和As受主：Acceptor，摻入半導體的雜質原子向半導體提供導電的空穴，并成為帶負電的離子。如Si中摻的B小結！等電子雜質N型半導體特征：a施主雜質電離，導帶中出現施主提供的導電電子b電子濃度n〉空穴濃度pP型半導體特征：a受主雜質電離，價帶中出現受主提供的導電空穴b空穴濃度p〉電子濃度nECEDEVEA----++++----++++EgN型和P型半導體都稱為極性半導體P型半導體價帶空穴數由受主決定，半導體導電的載流子主要是空穴?？昭槎嘧樱娮訛樯僮?。N型半導體導帶電子數

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