標準解讀

《GB/T 11072-1989 銻化銦多晶、單晶及切割片》是中國的一項國家標準，發(fā)布于1989年，主要規(guī)定了銻化銦（InSb）多晶材料、單晶材料及其切割片的質(zhì)量要求、測試方法和檢驗規(guī)則。以下是該標準的主要內(nèi)容概述：

  1. 范圍：本標準適用于半導體器件制造中使用的銻化銦多晶、單晶材料及其切割片的質(zhì)量控制。它覆蓋了材料的化學成分、物理性能、幾何尺寸及表面質(zhì)量等方面的規(guī)范。

  2. 規(guī)范性引用文件：列出了實施本標準時所直接引用或參考的其他標準文檔，這些文檔對于完全理解并執(zhí)行標準中的各項要求是必要的。

  3. 術語和定義：對銻化銦多晶、單晶以及切割片的基本概念進行了界定，確保使用者對標準中涉及的專業(yè)術語有統(tǒng)一的理解。

  4. 要求：

    • 化學成分：規(guī)定了銻化銦材料中主元素In和Sb的含量范圍及其雜質(zhì)元素的最大允許含量，以保證材料的電學性能。
    • 晶體結構和性質(zhì)：描述了材料應具備的晶體結構類型及相關的物理特性，如電導率、霍爾系數(shù)等。
    • 尺寸和形狀：對單晶及切割片的尺寸公差、平面度、厚度均勻性等幾何參數(shù)提出了具體要求。
    • 表面質(zhì)量：規(guī)定了材料表面應無明顯缺陷，如裂紋、夾雜、沾污等，并對表面粗糙度設定了標準。
    • 微觀結構：涉及晶體的完整性、位錯密度等內(nèi)部結構要求，以確保材料的高質(zhì)量和性能穩(wěn)定性。

  5. 試驗方法：詳細說明了如何進行化學成分分析、物理性能測試（如電學性能測試）、尺寸測量、表面檢查及微觀結構分析等，確保測試結果的準確性和可重復性。

  6. 檢驗規(guī)則：明確了產(chǎn)品檢驗的程序、抽樣方法、合格判定準則及不合格品的處理方式，確保出廠產(chǎn)品質(zhì)量符合標準要求。

  7. 標志、包裝、運輸和儲存：規(guī)定了產(chǎn)品在標識、包裝材料、防護措施、運輸條件及儲存環(huán)境等方面的具體要求，以防止產(chǎn)品在流轉(zhuǎn)過程中受損。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 11072-2009
  • 1989-03-31 頒布
  • 1990-02-01 實施
?正版授權
GB/T 11072-1989銻化銦多晶、單晶及切割片_第1頁
GB/T 11072-1989銻化銦多晶、單晶及切割片_第2頁
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文檔簡介

UDC661.864.147H81中華人民共和國國家標準GB11072-89錦化銦多晶、單晶及切割片TndiumantimonideDolycrystal，singlecrystalsandas-cutslices1989-03-31發(fā)布1990-02-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準銷化銦多晶、單晶及切割片GB11072-89Indiumantimonidepolycrystal，singleCrystalsandas-cutsliccs主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了佛化鋼多品、單品及單晶切割片的產(chǎn)品分類、技術要求和試驗方法等本標準適用于區(qū)熔法制備的梯化鋼多品及直拉法制備的供制作紅外探測器和磁敏元件等用的梯化煙單品及其切割片。2引用標準GB4326非本征半導體單品霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法GB8759化合物半導體單晶品向X射線衍射測量方法產(chǎn)品分類3.1導電類型、規(guī)格3.1.1多晶老晶的導電類型為N型，按載流子遷移率分為三級。百.1.2單品梯化鋼單晶按導電類型分為N型和P型，以摻雜劑、載流子濃度和遷移率分類，按直徑與位錯密度分為三級。3.1.3切割片按3.1.2分類與分級，其厚度不小于500um.3.2牌號3.2.1佛化鋼多品與單品的牌號表示為：口Insb-口-口-用PInSb表示梯化鋼多晶，MInSb表示梯化鋼單晶：中國有色金

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