GB/T 11072-1989銻化銦多晶、單晶及切割片

標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11072-1989 銻化銦多晶、單晶及切割片》是中國(guó)的一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，發(fā)布于1989年，主要規(guī)定了銻化銦（InSb）多晶材料、單晶材料及其切割片的質(zhì)量要求、測(cè)試方法和檢驗(yàn)規(guī)則。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概述：

1. 范圍：本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件制造中使用的銻化銦多晶、單晶材料及其切割片的質(zhì)量控制。它覆蓋了材料的化學(xué)成分、物理性能、幾何尺寸及表面質(zhì)量等方面的規(guī)范。

2. 規(guī)范性引用文件：列出了實(shí)施本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)所直接引用或參考的其他標(biāo)準(zhǔn)文檔，這些文檔對(duì)于完全理解并執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)中的各項(xiàng)要求是必要的。

3. 術(shù)語(yǔ)和定義：對(duì)銻化銦多晶、單晶以及切割片的基本概念進(jìn)行了界定，確保使用者對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中涉及的專業(yè)術(shù)語(yǔ)有統(tǒng)一的理解。

4. 要求：

   • 化學(xué)成分：規(guī)定了銻化銦材料中主元素In和Sb的含量范圍及其雜質(zhì)元素的最大允許含量，以保證材料的電學(xué)性能。
   • 晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)：描述了材料應(yīng)具備的晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型及相關(guān)的物理特性，如電導(dǎo)率、霍爾系數(shù)等。
   • 尺寸和形狀：對(duì)單晶及切割片的尺寸公差、平面度、厚度均勻性等幾何參數(shù)提出了具體要求。
   • 表面質(zhì)量：規(guī)定了材料表面應(yīng)無(wú)明顯缺陷，如裂紋、夾雜、沾污等，并對(duì)表面粗糙度設(shè)定了標(biāo)準(zhǔn)。
   • 微觀結(jié)構(gòu)：涉及晶體的完整性、位錯(cuò)密度等內(nèi)部結(jié)構(gòu)要求，以確保材料的高質(zhì)量和性能穩(wěn)定性。

5. 試驗(yàn)方法：詳細(xì)說(shuō)明了如何進(jìn)行化學(xué)成分分析、物理性能測(cè)試（如電學(xué)性能測(cè)試）、尺寸測(cè)量、表面檢查及微觀結(jié)構(gòu)分析等，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

6. 檢驗(yàn)規(guī)則：明確了產(chǎn)品檢驗(yàn)的程序、抽樣方法、合格判定準(zhǔn)則及不合格品的處理方式，確保出廠產(chǎn)品質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

7. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存：規(guī)定了產(chǎn)品在標(biāo)識(shí)、包裝材料、防護(hù)措施、運(yùn)輸條件及儲(chǔ)存環(huán)境等方面的具體要求，以防止產(chǎn)品在流轉(zhuǎn)過(guò)程中受損。

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