金屬電纜和其他無源元件試驗方法 第4-6部分：電磁兼容 表面轉(zhuǎn)移阻抗 線注入法 征求意見稿

GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-41金屬電纜和其他無源元件試驗方法第4-6部分：電磁兼容表面轉(zhuǎn)移阻抗線注入法本文件描述了通過把確定的電壓和電流施加到電纜的屏蔽層并測量感應電壓以獲得表面轉(zhuǎn)移阻抗[Metalliccommunicationcabletestmethods—relatedtestmethodformeasuringsurfacetran3.13.2用下標1表示的、由CUT的屏蔽層表面和注入線構(gòu)3.3ZT單位長度上電短CUT的內(nèi)部電路中感應的縱向電壓與外部電路（線注入電路）電流的比值，反之亦GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-42通過屏蔽層上孔的耦合，可用通過電容CT或容性耦合導納YC描述。對于一段電短的均勻電纜，YC定義為單位長度上內(nèi)部電路電流與外部電路（由受試屏蔽層和注入線構(gòu)成）電壓的比值，反之亦 ZF=jwcTZ1Z2=YCZ1Z2 ±——近端測量用＋，遠端測量用-;CYZZZZZGB/T31723.406—XXXX/IEC62153-435.2設備?接收機：具有經(jīng)校準的步進衰減器。若轉(zhuǎn)移阻抗較低，需使用低噪聲放大器進行補償。調(diào)節(jié)注入部件結(jié)構(gòu)，使同軸饋電電纜和端接電纜中的對稱TEM波與沿平行線的不對稱場得到最佳匹GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-44或者，能用搭于CUT上的小型連接器（焊接型）來做注入部件，或用更簡便的方法即把具有合適特性阻抗的小同軸電纜的外導體捆在剝掉護套的CUT上。在試驗區(qū)域，同軸電纜的內(nèi)導體用2根或4根平行線、皺紋銅帶或扁平銅帶編織來延續(xù)。注入部件不連續(xù)性的微調(diào)能通過把接點和注入線與試驗區(qū)的CUT4-2 19 1817 1615 1131211 GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-45GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-46ftest≈································································ftest——試驗頻率，單位為赫茲（HzGB/T31723.406—XXXX/IEC62153-47c——光速，3×108m/s；Lsample——樣品長度，單位為米（m）；εr1Z）：z2=√zshort×zopen···································································(4)法是選擇管子的直徑，從而使剝?nèi)ネ庾o套的CUT能插入管內(nèi)，并用標準的壓接工具固定。這種方法的優(yōu)CUT的一端準備合適的射頻連接器[例如N型（IEC61169-16），SMA型（IEC60169-1負載電阻和與接收機電纜的連接線安裝在屏蔽盒中（見圖8）。對于試驗布置的TDR對完整的CUT和注入電路進行測試。為防止機械損傷，在管子和CUT的試驗部分之間的接點上應避免GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-48Lc,max≤·············································±——近端測量用＋，遠端測量用-;c——光速，3×108m/s；a)線注入電路的特性阻抗等于發(fā)生器的b)線注入電路的特性阻抗不隨耦合長度的變化而變化（反射系數(shù)小屏蔽對稱電纜視為一個準同軸系統(tǒng)，見圖9。因此，所有絞合線對的所有導體應在其兩端分別連接GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-496.4屏蔽多芯電纜或在千赫茲的高頻段部分產(chǎn)生諧振時，部分注入電流不會通過CUT的屏蔽層返回，而是直接流向大地。a)避免在低頻段進行遠端測量（主要是指千赫茲頻段接收機機架。所以，當測量高屏蔽衰減時，將不能得到所需的靈敏度。此時最好使用7.2.1中的隔離變試結(jié)果與注入線位置有關(guān)。為了充分覆蓋圓周，應在每次相隔90°的方向上至少測量4次。當電纜直徑GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-4應在相關(guān)電纜規(guī)范中規(guī)定的轉(zhuǎn)移阻抗的頻率范圍內(nèi)，應使用對數(shù)頻率掃描法測量包括連接線在內(nèi)ugen,calurec,calacal=10lg=?20lg|s21ugen,calurec,cal····························PPS7.4測量程序GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-4容的短路。在線注入電路中，轉(zhuǎn)移阻抗ZT和容性耦合阻抗ZF在線纜上共同作用產(chǎn)生等效的轉(zhuǎn)移阻抗ZTE?？紤]到電纜屏蔽圓周方向的不均勻性，應在GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-4ugen,measn——近端（n）或遠端（f）測量時發(fā)生器的輸出電壓；furec,measn——近端（n）或遠端（f）測量時接收機的輸入電壓。f）：ZTE=max(ZTEn;ZTEf) ATn·········································若ZG=ZR=R1=Z0，則得到公式（10）和公式（11）：ATn·······················································ATn=ameasn?acal·····················································ffZTEn——近端（n）或遠端(f)測量的等效轉(zhuǎn)移阻抗；fameasn——近端（n）或遠端(f)測量的衰減，單位為分貝（dBfacal——校準程序中測得的衰減，單位為分LR1——注入電路的負載電阻（50Ω),單位為歐姆(Ω);RZZZZ初級電路和次級電路中的失配和結(jié)構(gòu)變化產(chǎn)生差的回波損耗，這可能會導致測量的轉(zhuǎn)移阻抗在較高頻率時與實際轉(zhuǎn)移阻抗的單調(diào)性能產(chǎn)生偏差或振蕩。在這種情況下，在100MHz以下測量的轉(zhuǎn)移阻抗可以通過轉(zhuǎn)移阻抗的雙對數(shù)表示中的直線進行外推。直線應與10MHz～100MHz頻率范圍的曲線具有相············································c——光速，3×108m/s；GB/T31723.406—XXXX/IEC62153-4Lc——耦合長度,單位為米（m注：傳播時間可通過TDR技術(shù)進行測量。在這種情況下—取決于試驗設備—測得的時間可對應于往返傳播，即傳播8.2歸一化的屏蔽衰減對于均勻的屏蔽層—即沿電纜長度沒有變化的屏蔽層——以及轉(zhuǎn)移阻抗與頻率成比例增加的屏蔽層，轉(zhuǎn)移阻抗可以轉(zhuǎn)換為歸一化的屏蔽衰減（詳細信息見IEC62153-4-0）。歸一化條件是外部電路中的阻抗為150Ω,內(nèi)部電路和外部電路之間的速度差為10%，見公式（13）。asn(150Ω;10%)——歸一化屏蔽衰減，歸一化條件為外部電路阻抗為150Ω,內(nèi)部電路和外部電Z2——內(nèi)部電路（即CUT的同軸或準同軸系統(tǒng)）的阻抗；v2——信號在內(nèi)部電路（即CUT的同軸或準同軸系統(tǒng)）中的傳播速度；ZTE——等效轉(zhuǎn)移阻抗；c0——光速，3×108m/s；εr2——內(nèi)部電路（即CUT的同軸或準同軸系統(tǒng)）的相對介電常數(shù)。8.4試驗報告應記錄相關(guān)電纜規(guī)范規(guī)定的頻率下的單位長度等效轉(zhuǎn)移阻抗最大值，該值是在近端或遠端至少進最大