埋入式基板微尺度球柵陣列焊點三點彎曲應(yīng)力應(yīng)變分析

埋入式基板微尺度球柵陣列焊點三點彎曲應(yīng)力應(yīng)變分析埋入式基板微尺度球柵陣列焊點三點彎曲應(yīng)力應(yīng)變分析摘要：本論文研究了埋入式基板微尺度球柵陣列焊點的三點彎曲應(yīng)力和應(yīng)變分析。首先，介紹了埋入式基板和微尺度球柵陣列的背景和應(yīng)用。然后，討論了焊點在彎曲過程中的應(yīng)力和應(yīng)變分布。接下來，通過數(shù)值模擬和實驗驗證了焊點的三點彎曲應(yīng)力和應(yīng)變。最后，結(jié)論總結(jié)了本論文的研究成果，并提出了進一步研究的展望。關(guān)鍵詞：埋入式基板，微尺度球柵陣列，焊點，三點彎曲，應(yīng)力，應(yīng)變1.引言埋入式基板在現(xiàn)代電子器件封裝中起著至關(guān)重要的作用。它們不僅可以提供電子元件的機械支持，還可以實現(xiàn)電子元件和連接器之間的電連接。而微尺度球柵陣列作為一種常用的連接技術(shù)，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域。在微尺度球柵陣列中，焊點是承載外力和溫度變化的關(guān)鍵部分。2.埋入式基板微尺度球柵陣列焊點三點彎曲應(yīng)力應(yīng)變分析2.1埋入式基板微尺度球柵陣列的結(jié)構(gòu)埋入式基板微尺度球柵陣列是一種常用的封裝技術(shù)，它由基板、微尺度球柵陣列和焊點組成?；逄峁┝穗娮釉臋C械支持，微尺度球柵陣列實現(xiàn)了電連接，焊點則連接了基板和微尺度球柵陣列。2.2焊點在彎曲過程中的應(yīng)力和應(yīng)變分布焊點在彎曲過程中會受到力的作用，從而產(chǎn)生應(yīng)力和應(yīng)變。彎曲力的大小和方向會影響焊點的應(yīng)力和應(yīng)變分布。在三點彎曲中，通常會施加一個垂直于基板的力和兩個垂直于焊點平面的力。3.數(shù)值模擬和實驗驗證為了驗證焊點的三點彎曲應(yīng)力和應(yīng)變分布，本論文進行了數(shù)值模擬和實驗。3.1數(shù)值模擬方法通過有限元分析軟件，可以模擬焊點在彎曲過程中的應(yīng)力和應(yīng)變分布。首先，建立埋入式基板微尺度球柵陣列的有限元模型，確定焊點的材料參數(shù)、尺寸和邊界條件。然后，在施加外力的情況下，進行有限元分析，得到焊點的應(yīng)力和應(yīng)變分布。3.2實驗方法在實驗中，制作埋入式基板微尺度球柵陣列樣品，并采用力學(xué)測試儀測量焊點在三點彎曲過程中的力和位移。通過測量數(shù)據(jù)和有限元分析的結(jié)果進行對比，驗證數(shù)值模擬的準(zhǔn)確性。4.結(jié)論本論文研究了埋入式基板微尺度球柵陣列焊點的三點彎曲應(yīng)力和應(yīng)變分析。通過數(shù)值模擬和實驗驗證，得出了焊點在彎曲過程中的應(yīng)力和應(yīng)變分布。這對于優(yōu)化埋入式基板微尺度球柵陣列的設(shè)計和制造具有重要意義。未來的研究可以進一步探索焊點的應(yīng)力和應(yīng)變對其性能的影響，并研究焊點在不同環(huán)境條件下的變化。此外，還可以研究焊點材料的選擇和工藝優(yōu)化，以提高焊點的可靠性和耐久性。參考文獻：1.Cheng,Y.,Zhang,X.,Wu,N.,etal.(2019).Effectsofsoldermaterialonthemicrostructure,mechanicalpropertiesandcorrosionresistanceofflexibleelectronicinterconnects.JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,30(17),16675-16682.2.Guo,J.,Zhang,X.,Chen,M.,etal.(2018).NumericalandExperimentalStudyonThermomechanicalReliabilityofMicro-ScaleSolderJointsUnderThermalCycling.IEEETransactionsonComponents,Packaging,andManufacturingTechnology,8(10),1859–1866.3.Li,Z.,Zhang,X.,Fan,Y.,etal.(2017).Effectofreflowprocessoninterfacialmicrostructureandmechanicalpropertiesoffine-pitchcopperflip-chipsolderjoints.JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,28(23),17856-17862.4.Zhang,B.,Zhang,X.,Ding,X.,etal.(2020).Effectsofpitchsizeandunderfillmateria