DLT 1757-2017 電子數(shù)據(jù)恢復(fù)和銷毀技術(shù)要求

備案號(hào)：61650-2018電子數(shù)據(jù)恢復(fù)和銷毀技術(shù)要求Technicalrequirementsforrecoveryanddest2017-11-15發(fā)布2018-03-01實(shí)施國家能源局發(fā)布I 2規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14預(yù)處理 25電子數(shù)據(jù)恢復(fù) 26電子數(shù)據(jù)銷毀 3附錄A(規(guī)范性附錄)電子數(shù)據(jù)恢復(fù)設(shè)備技術(shù)要求 6附錄B(規(guī)范性附錄)電子數(shù)據(jù)擦除、銷毀設(shè)備技術(shù)要求 9Ⅱ本標(biāo)準(zhǔn)由電力行業(yè)信息標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(DL/TC27)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位：國網(wǎng)黑龍江省電力有限公司電力科學(xué)研究院、中國電力科學(xué)研究院、廈門本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：韓冰、柳升龍、王孝余、尚方、于東洋、齊國順、張海彬、趙威、劉凱樂、本標(biāo)準(zhǔn)在執(zhí)行過程中的意見或建議反饋至中國電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)標(biāo)準(zhǔn)化管理中心(北京市白廣路二1需要進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)的存儲(chǔ)介質(zhì)，包括但不限于各種能夠存儲(chǔ)電子數(shù)據(jù)的硬盤、磁帶、軟盤、光2使用預(yù)先定義的無意義、無規(guī)律的信息覆蓋存儲(chǔ)介質(zhì)上原數(shù)據(jù)，達(dá)到對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)電子數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)介質(zhì)銷毀后形成的殘留物或殘片上不存在信息，或不存在任何有價(jià)值的信息，采用現(xiàn)有的技存儲(chǔ)介質(zhì)銷毀后形成的殘留物或殘片上仍含有信息，存在被恢復(fù)出有價(jià)值信息的風(fēng)險(xiǎn)，在信息涉電子數(shù)據(jù)恢復(fù)和銷毀工作環(huán)境應(yīng)見GB/T31500—2015中5.3的規(guī)定。測，且符合附錄A的要求。電子數(shù)據(jù)銷毀設(shè)備應(yīng)通過檢測，且符合附錄B的要求。存儲(chǔ)介質(zhì)接收信息記錄應(yīng)見GB/T31500—2015中6.2的規(guī)定。35.2.1當(dāng)發(fā)生磁頭故障、電路板故障、外電路故障、晶振損壞、電機(jī)故障、光盤劃痕和固件損壞等非數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的硬件故障造成不能正常訪問存儲(chǔ)介質(zhì)時(shí)，應(yīng)5.2.2當(dāng)發(fā)生磁盤壞道、閃存芯片壞塊、磁盤有劃痕、磁頭讀數(shù)據(jù)性能弱、磁存儲(chǔ)信息弱等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)5.2.4對(duì)格式化分區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)，宜根據(jù)格式分區(qū)下文件記錄的特征，采用遍歷分區(qū)的方法，或5.2.5對(duì)分區(qū)信息丟失進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)，宜根據(jù)不同分區(qū)的操作系統(tǒng)引導(dǎo)記錄特征，采用在存儲(chǔ)介質(zhì)5.2.6對(duì)特征文件進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)，宜根據(jù)文件的頭部或尾部特征，采用結(jié)合文件結(jié)構(gòu)遍歷存儲(chǔ)介質(zhì)驗(yàn)證過程和要求應(yīng)符合GB/T29360的規(guī)定。6.1.2對(duì)存有普通辦公文檔的電子數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)擦除次數(shù)宜為3次。填充字符應(yīng)是兩位十六進(jìn)制字符，第一次可使用AAH(10101010B),第二次可使用55H(01010101B),第三次可使用隨機(jī)數(shù)。6.1.3對(duì)存有普通商密文檔的電子數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)擦除次數(shù)宜為6次。填充字符應(yīng)是兩位十六進(jìn)制字符，第一次可使用00H(00000000B),第二次可使用FFH(11111111B),第三至五次可使用隨機(jī)數(shù)，6.1.4對(duì)存有核心商密文檔的電子數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)擦除次數(shù)宜為9次。填充字符應(yīng)是兩位十六進(jìn)制字符，第一次可使用00H(00000000B),第二次可使用FFH(11111111B),第三至八次可使用隨機(jī)數(shù)，6.2.1磁介質(zhì)銷毀方法主要有強(qiáng)磁場消磁、熔化、焚化、溶解和切割等，其一級(jí)銷毀技術(shù)要求見表1,應(yīng)放置在強(qiáng)磁場中，且覆蓋存儲(chǔ)介質(zhì)的有效消磁區(qū)內(nèi)的磁場強(qiáng)應(yīng)放置在強(qiáng)磁場中，且覆蓋存儲(chǔ)介質(zhì)的有效消磁區(qū)內(nèi)的磁場強(qiáng)應(yīng)放置在強(qiáng)磁場中，且覆蓋存儲(chǔ)介質(zhì)的有效消磁區(qū)內(nèi)的磁場強(qiáng)4表1(續(xù))表2磁介質(zhì)二級(jí)銷毀技術(shù)要求硬磁盤、寬度應(yīng)不大于6mm,長度不限6.2.2光盤銷毀方法主要有粉碎、切割、壓軋、溶解、打磨、熔化和熔融等，其一級(jí)銷毀技術(shù)要求見表3,二級(jí)銷毀技術(shù)要求見表4。說明打磨光盤上表面(具有印刷圖標(biāo)的一面)開始性刻錄光盤(CD—R)只讀CD光盤(CD—ROM)表4光盤二級(jí)銷毀技術(shù)要求CD光盤、切割寬度應(yīng)不大于6mm,長度不限在光盤表面形成的隨機(jī)朝向的壓軋顆粒：長度應(yīng)不大于3mm、面積應(yīng)不大于9mm2、凸進(jìn)上表面應(yīng)不大于0.2mm,破壞光盤的同心度，使偏差應(yīng)至少達(dá)到最大直徑的10%56.2.3半導(dǎo)體介質(zhì)銷毀方法主要有熔化、粉碎和切割等，其一級(jí)銷毀技術(shù)要求見表5,二級(jí)銷毀技術(shù)要求見表6。半導(dǎo)體介質(zhì)存儲(chǔ)芯片應(yīng)粉碎成粉末，粉末任意兩點(diǎn)間的長度應(yīng)不表6半導(dǎo)體介質(zhì)二級(jí)銷毀技術(shù)要求半導(dǎo)體介質(zhì)寬度應(yīng)不大于6mm,長度不限6a)符合國家相關(guān)的電子產(chǎn)品檢測規(guī)定，并獲得3C認(rèn)證；b)提供設(shè)備的廠內(nèi)功能自測報(bào)告；設(shè)備應(yīng)滿足5.2中技術(shù)要求，同時(shí)滿足如下要求：a)當(dāng)設(shè)備有SATA硬盤、SAS硬盤、USB硬盤、IDE硬盤、SCSI硬盤等接口，或MS/SD/MMC、XD/SM、CF的等擴(kuò)展卡接口時(shí)，設(shè)備應(yīng)自動(dòng)識(shí)別出介質(zhì)的類型、容量、序列b)設(shè)備外觀上應(yīng)明確標(biāo)出源盤接口、目標(biāo)盤接口；f)設(shè)備應(yīng)具備參數(shù)配置功能，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)恢復(fù)策略的修改；a)通過修改文件后綴名、刪除數(shù)據(jù)、修改文件目錄區(qū)、格式化分區(qū)等非覆蓋文件區(qū)域的方法中的單項(xiàng)或者多項(xiàng)制作的檢測用例，數(shù)據(jù)恢復(fù)成功率應(yīng)不低于80%;b)通過修改文件頭部及尾部特征等簽名信息，以及混合A.1.3a)中單項(xiàng)或者多項(xiàng)制作的檢測用例，數(shù)據(jù)恢復(fù)成功率應(yīng)不低于60%;c)通過修改文件記錄內(nèi)容信息以及混合A.1.3a)、A.1.3b)中單項(xiàng)或者多項(xiàng)制作的檢測用例，數(shù)據(jù)恢復(fù)成功率應(yīng)不低于40%;d)不同通道接口對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)導(dǎo)出速度要求見表A.1。a)溫度18℃~28℃;7b)濕度35%～75%;c)靜態(tài)條件下測試，每升空氣中大于或等于0.5μm的塵埃數(shù)小于18000個(gè)；d)絕緣體的靜電電位不大于1kV。檢測工具應(yīng)是具有寫保護(hù)接口的設(shè)備，設(shè)備應(yīng)具有針對(duì)設(shè)備支持的源盤接口類型，每種類型應(yīng)準(zhǔn)備兩個(gè)相同的存儲(chǔ)介質(zhì)，可分別標(biāo)示為存儲(chǔ)介質(zhì)Aa)準(zhǔn)備不低于存儲(chǔ)介質(zhì)標(biāo)稱容量50%的電子數(shù)據(jù)，分別導(dǎo)入存儲(chǔ)介質(zhì)A和存儲(chǔ)介質(zhì)B中；b)比對(duì)確認(rèn)存儲(chǔ)介質(zhì)A和存儲(chǔ)介質(zhì)B的每一比特位數(shù)值一致；c)根據(jù)設(shè)備功能描述，通過以下一種或某幾種情況組合來處理存儲(chǔ)介質(zhì)A:1)修改文件的后綴名；2)利用操作系統(tǒng)刪除文件；3)格式化存儲(chǔ)分區(qū)；4)使用二進(jìn)制數(shù)據(jù)編輯軟件修改磁盤分區(qū)信息；5)使用二進(jìn)制數(shù)據(jù)編輯軟件修改文件系統(tǒng)信息；d)修改、刪除數(shù)據(jù)不低于標(biāo)稱容量的20%;e)詳細(xì)記錄操作過程中使用的軟件、采用的方法、輸入的f)通過檢測工具對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)A和存儲(chǔ)介質(zhì)B進(jìn)行比對(duì)，確認(rèn)存儲(chǔ)介質(zhì)A已經(jīng)發(fā)生數(shù)據(jù)丟失的情應(yīng)使用檢測工具比對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)A和存儲(chǔ)介質(zhì)B,并依據(jù)A.2.2.2e)的記錄，統(tǒng)計(jì)丟失數(shù)據(jù)被恢復(fù)8的情況?；謴?fù)出來的數(shù)據(jù)與丟失的數(shù)據(jù)含義一致，即可認(rèn)為恢復(fù)成功。數(shù)據(jù)恢復(fù)成功率應(yīng)按式(A.1)若檢測結(jié)果符合A.1.2和A.1.3的相關(guān)要求，本次9a)符合國家相關(guān)的電子產(chǎn)品檢測規(guī)定，獲得3C認(rèn)證；c)提供設(shè)備的技術(shù)參數(shù)，功能說明書及操作手冊(cè)。a)當(dāng)設(shè)備有SATA硬盤、SAS硬盤、USB硬盤、IDE硬盤、SCSI硬盤等接口，或MS/SD/MMC、XD/SM、CF等擴(kuò)展卡接口時(shí)，設(shè)備應(yīng)自動(dòng)識(shí)別出介質(zhì)的類型、容量、序列b)設(shè)備應(yīng)能對(duì)介質(zhì)顯示存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行擦除，宜根據(jù)用戶指定的扇區(qū)范圍、填充字符和擦除次數(shù)進(jìn)f)擦除結(jié)束后，設(shè)備宜自動(dòng)生成報(bào)告。報(bào)告宜體現(xiàn)如下內(nèi)容：擦除類型、擦除開始時(shí)間、擦除結(jié)B.1.2.2性能要求不同通道接口對(duì)應(yīng)每遍數(shù)據(jù)擦除速度要求見表B.1。表B.1通道接口對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)擦除速度要求使用本標(biāo)準(zhǔn)6.2中提及的數(shù)據(jù)銷毀方法對(duì)介質(zhì)進(jìn)行銷毀的設(shè)備，銷毀結(jié)果應(yīng)滿足本標(biāo)準(zhǔn)6.2的有關(guān)a)溫度18℃~28℃;b)濕度35%～75%;c)靜態(tài)條件下測試，每升空氣中大于或等于0.5μm的塵埃數(shù)d)絕緣體的靜電電位不大于1kV。根據(jù)設(shè)備功能說明書，準(zhǔn)備符合其能力的存儲(chǔ)介質(zhì)，并將能夠正常訪問的數(shù)據(jù)導(dǎo)入待測試的介根據(jù)設(shè)備功能說明書，操作設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)a)對(duì)設(shè)備的所