高二物理競(jìng)賽課件多級(jí)放大電路動(dòng)態(tài)分析時(shí)應(yīng)注意的兩個(gè)問(wèn)題

多級(jí)放大電路動(dòng)態(tài)分析時(shí)應(yīng)注意的兩個(gè)問(wèn)題

多級(jí)放大電路動(dòng)態(tài)分析時(shí)應(yīng)注意的兩個(gè)問(wèn)題a.第i級(jí)放大電路的輸入電阻應(yīng)視為第i-1級(jí)放大電路的負(fù)載電阻b.第i-1級(jí)放大電路的輸出電阻應(yīng)視為第i級(jí)放大電路的信號(hào)源內(nèi)阻[例]試寫(xiě)出圖示放大電路的電壓放大倍數(shù)Au、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro的表達(dá)式。T2_ui+VCC+_uO+VBBT1例

試用PLA實(shí)現(xiàn)下列四變量的多輸出函數(shù)，畫(huà)出PLA編程簡(jiǎn)圖。解：通過(guò)卡諾圖圈1法化簡(jiǎn)得到：則上式為：故可選用4×6×3的PLA，得：圖中省去了與門(mén)和或門(mén)，使編程圖更為簡(jiǎn)明例

試用適當(dāng)?shù)腜LA和觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)一可變模分頻器，當(dāng)控制變量X=0時(shí)，分頻模M=5；X=1時(shí)，M=7，且在狀態(tài)Q2Q1Q0=111，輸出Z均為1，其余情況均為0，此外，電路還具有異步置位輸入SD。小結(jié)2．RAM是一種時(shí)序邏輯電路，具有記憶功能。其存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)隨電源斷電而消失，因此是一種易失性的讀寫(xiě)存儲(chǔ)器。它包含有SRAM和DRAM兩種類(lèi)型，前者用觸發(fā)器記憶數(shù)據(jù)，后者靠MOS管柵極電容存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。因此，在不停電的情況下，SRAM的數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)久保持，而DRAM則必需定期刷新。1．半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)特別是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的重要組成部件，它可分為RAM和ROM兩大類(lèi)。3．ROM是一種非易失性的存儲(chǔ)器，它存儲(chǔ)的是固定數(shù)據(jù)，一般只能被讀出。根據(jù)數(shù)據(jù)寫(xiě)入方式的不同，ROM又可分成固定ROM和可編程ROM。后者又可細(xì)分為PROM、EPROM、E2PROM和快閃存儲(chǔ)器等，特別是E2ROM和快閃存儲(chǔ)器可以進(jìn)行電擦寫(xiě)，已兼有了RAM的特性。4．從邏輯電路構(gòu)成的角度看，ROM是由與門(mén)陣列（地址譯碼器）和或門(mén)陣列（存儲(chǔ)矩陣）構(gòu)成的組合邏輯電路。ROM的輸出是輸入最小項(xiàng)的組合。因此采用ROM構(gòu)成各種邏輯函數(shù)不需化簡(jiǎn)，這給邏輯設(shè)計(jì)帶來(lái)很大方便