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文檔簡介
模擬電子技術(shù)智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年內(nèi)蒙古科技大學(xué)交越失真屬于非線性失真。()
答案:對(duì)產(chǎn)生正弦波振蕩的平衡條件是|
AF
|=1。(
)
答案:對(duì)放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是采用了直接耦合方式。()
答案:對(duì)場效應(yīng)管僅靠一種載流子導(dǎo)電。()
答案:對(duì)當(dāng)希望集成運(yùn)放盡可能接近理想運(yùn)放時(shí),要求Avo、rid、KCMR越大越好。(
)
答案:對(duì)電流源電路是一個(gè)____,其交流等效電阻___
答案:單口網(wǎng)絡(luò),很大場效應(yīng)管利用外加電壓產(chǎn)生的___來控制漏極電流的大小。()
答案:電場負(fù)反饋放大電路的自激振蕩產(chǎn)生在(
)。
答案:高頻或低頻段因?yàn)榧蛇\(yùn)放內(nèi)部電路是直接耦合放大電路,所以它只能放大直流信號(hào),不能放大交流信號(hào)。(
)
答案:錯(cuò)集成運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)時(shí),兩輸入端的電位可以近似認(rèn)為相等。()
答案:對(duì)放大電路的增益值只有電壓增益一種形式。()
答案:錯(cuò)圖示各電路中,能正常放大正弦交流信號(hào)的電路是()。(設(shè)各電容的容抗可忽略)。
答案:有一三極管處于放大狀態(tài)基極電流為30μA,放大倍數(shù)為β=60,則集電極電流為()。
答案:1.8mA三極管基極的作用是(
)載流子。
答案:輸送控制兩級(jí)放大電路,第一級(jí)電壓放大倍數(shù)是40dB,第二級(jí)電壓放大倍數(shù)20dB,則兩級(jí)放大電路放大倍數(shù)為()。
答案:1000倍場效應(yīng)管是用柵源電壓控制()的器件。
答案:漏極電流振蕩器的輸出信號(hào)最初由(
)而來的。
答案:干擾或噪聲信號(hào)電流源電路的交流等效電阻()。
答案:很大兩級(jí)放大電路,AU1=‐40,AU2=‐50,若輸入電壓ui=5mv,則輸出電壓為()。
答案:10V二極管外加正向電壓是指在PN結(jié)的(
)區(qū)加電源正極。
答案:P差分式放大電路由雙端輸入改為單端輸入時(shí),則差模增益變?yōu)樵瓉淼模?/p>
)。(
)
答案:不變純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體,導(dǎo)電能力很弱。()
答案:對(duì)共源極放大電路的輸出電阻約等于場效應(yīng)管的輸出電阻rds。(
)
答案:錯(cuò)在模擬運(yùn)算電路中,集成運(yùn)算放大器工作在非線性區(qū)。()
答案:錯(cuò)三端集成穩(wěn)壓器CW7906的輸出電壓是+6V。(
)
答案:錯(cuò)可采用甲乙類互補(bǔ)功率放大電路,消除乙類互補(bǔ)功率放大器輸出波形的交越失真。()
答案:對(duì)
答案:-10并聯(lián)負(fù)反饋使放大電路的輸入電阻(
)。(
)
答案:減小
答案:40三極管工作在飽和區(qū)時(shí),它的兩個(gè)PN結(jié)必須是(
)。
答案:發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏要求引入負(fù)反饋后能使放大器的輸入電阻減小,輸出電流穩(wěn)定,則該反饋的類型為()。
答案:電流并聯(lián)負(fù)反饋通用型運(yùn)放輸入級(jí)多采用(
)。(
)
答案:差分式放大電路已知放大電路的開環(huán)增益為1000,反饋系數(shù)為0.01,則反饋深度為()。
答案:11
答案:電壓并聯(lián)負(fù)二極管內(nèi)部由(
)所構(gòu)成。
答案:一個(gè)PN結(jié)沒有加偏置電壓,就有導(dǎo)電溝道存在的場效應(yīng)管是增強(qiáng)型場效應(yīng)管。(
)
答案:錯(cuò)差分式放大電路與單管放大電路相比,增加了大約一倍的元器件,但獲得了抑制零點(diǎn)漂移的能力。(
)
答案:對(duì)由于引入負(fù)反饋后,放大電路的增益會(huì)明顯下降,所以引入負(fù)反饋對(duì)放大電路沒有好處。(
)
答案:錯(cuò)抑制溫漂(零漂)最常用的方法是采用(
)電路。(
)
答案:差放P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是(
)。
答案:空穴放大器電壓放大倍數(shù)AV=-40,其中負(fù)號(hào)代表(
)。
答案:反向放大可以放大電壓,但不能放大電流的是(
)組態(tài)放大電路。
答案:共基極放大電路
答案:對(duì)有關(guān)三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu),下列說法錯(cuò)誤的是(
)。
答案:發(fā)射區(qū)面積大于集電區(qū)共源極放大電路具有電壓跟隨作用。(
)
答案:錯(cuò)高通濾波器HPF是能使高頻信號(hào)通過,而低頻信號(hào)不能通過的電路。(
)
答案:對(duì)對(duì)于增強(qiáng)型NMOS管,當(dāng)vGS<VTN時(shí),工作在截止?fàn)顟B(tài)。(
)
答案:對(duì)整流的目的是將高頻變低頻。()
答案:錯(cuò)信號(hào)頻率高于150kHz,應(yīng)選用低通濾波器。()
答案:錯(cuò)三極管內(nèi)部發(fā)射區(qū)面積大于集電區(qū)。()
答案:錯(cuò)溫度升高時(shí),晶體管的共射輸入特性曲線、輸出特性曲線將作如下變化()。
答案:左移、上移某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為4V,接入3k的負(fù)載電阻后,輸出電壓為3V。說明放大電路的輸出電阻為()。
答案:0.5k
答案:0V在高頻區(qū),影響放大倍數(shù)衰減的原因是耦合電容影響。()
答案:錯(cuò)PN結(jié)反向偏置時(shí),空間電荷區(qū)將()。
答案:變寬溫度降低時(shí),若想穩(wěn)定放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn),應(yīng)當(dāng)引入()負(fù)反饋。()
答案:直流放大器電壓放大倍數(shù)為負(fù)值,其中負(fù)號(hào)代表()。
答案:反向放大半導(dǎo)體二極管溫度升高時(shí),將明顯增大由本征激發(fā)產(chǎn)生的少數(shù)載流子濃度。()
答案:對(duì)共柵極放大電路高頻特性較好,常用于高頻或?qū)拵У洼斎胱杩沟膱龊?。?/p>
)
答案:對(duì)設(shè)MOS管的VTN=1V,當(dāng)測量到它在電路中的電壓值為:VDS=3V,VGS=2V時(shí),可以斷定該MOS管工作在飽和區(qū)。()
答案:對(duì)為了工作在線性工作區(qū)應(yīng)使集成運(yùn)放電路處于開環(huán)或正反饋狀態(tài)。()
答案:錯(cuò)模擬電路處理的是在時(shí)間上和幅值上都連續(xù)的模擬信號(hào)。()
答案:對(duì)信號(hào)可以用時(shí)域和頻域兩種方法描述。()
答案:對(duì)BJT放大電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)Q選取的過高會(huì)產(chǎn)生飽和失真。()
答案:對(duì)負(fù)反饋只能改善環(huán)路內(nèi)的放大電路性能,對(duì)反饋環(huán)外的電路無效。(
)
答案:對(duì)只要反饋放大電路由負(fù)反饋?zhàn)兂闪苏答?,就一定?huì)產(chǎn)生自激。(
)
答案:錯(cuò)為了改善反饋放大電路的性能,引入的負(fù)反饋深度越深越好。(
)
答案:錯(cuò)為了使放大器帶負(fù)載能力強(qiáng),一般引入電壓負(fù)反饋。()
答案:對(duì)有用信號(hào)頻率低于1000Hz,
可選用(
)濾波器。
答案:低通濾波器共漏極放大電路可以放大電壓信號(hào)。(
)
答案:錯(cuò)
答案:錯(cuò)圖中所示為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性屬于何種類型。()
答案:N溝道耗盡型已知放大電路的開環(huán)增益為2000,反饋系數(shù)為0.01,則閉環(huán)增益為,反饋深度為
。(
)
答案:95.2,21硅二極管的導(dǎo)通壓降為(
)。
答案:0.7V
答案:-6兩個(gè)參數(shù)對(duì)稱的三極管組成的差分放大電路,在雙入單出的情況下,與單管電路相比其放大倍數(shù)()。
答案:小2倍深度電流串聯(lián)負(fù)反饋放大器相當(dāng)于一個(gè)
答案:壓控電流源理想運(yùn)算放大器的參數(shù)是開環(huán)電壓增益Avo=,輸入電阻ri=,輸出電阻ro=。()
答案:∞,∞,0
答案:熱穩(wěn)定性差功率放大電路的效率主要取決于(
)。
答案:電路的工作狀態(tài)雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度取決于(
)。
答案:雜質(zhì)濃度微變等效電路中,只有(
)信號(hào)。
答案:交流
答案:1000當(dāng)差分式放大電路兩輸入端電壓為vi1=250mV,vi2=150mV,則vid=()mV。
答案:100放大器引入負(fù)反饋后,它的性能變化是(
)。(
)
答案:放大倍數(shù)下降,信號(hào)失真減小分析功率放大電路的方法是(
)。
答案:圖解法電壓跟隨器,其輸出電壓為10V,則輸入電壓為()V。
答案:10圖中最適合用于電流到電壓轉(zhuǎn)換的電路是
答案:振蕩電路振幅平衡條件AF應(yīng)(
)。
答案:AF=1多級(jí)放大電路的通頻帶要比組成它的任何一級(jí)的通頻帶
答案:窄PN結(jié)不加外部電壓時(shí),擴(kuò)散電流(
)漂移電流。
答案:等于功率放大管的導(dǎo)通角是180°的是(
)功放。
答案:乙類為了穩(wěn)定放大電路的輸出電流,應(yīng)引入()負(fù)反饋。()
答案:電流取樣
答案:耗盡型MOS管二極管處于反向偏置時(shí)呈現(xiàn)的內(nèi)阻較大,可等效為開關(guān)閉合。()
答案:錯(cuò)低通濾波器LPF是能使低頻信號(hào)通過,而高頻信號(hào)不能通過的電路。()
答案:對(duì)MOSFET的低頻跨導(dǎo)gm是一個(gè)常數(shù)。()
答案:錯(cuò)理想集成運(yùn)放的開環(huán)放大倍數(shù)近似為無窮大。()
答案:對(duì)在絕對(duì)溫度(0K)時(shí),本證半導(dǎo)體內(nèi)沒有載流子。()
答案:對(duì)
答案:對(duì)乙類功率放大管的導(dǎo)通角是90°。()
答案:錯(cuò)共模抑制比是衡量放大電路電壓放大能力的指標(biāo)。(
)
答案:錯(cuò)放大器的動(dòng)態(tài)范圍是指輸入電壓為正弦波條件下,輸出電壓波形不產(chǎn)生明顯失真所能達(dá)到的最大輸出電壓峰峰值。(
)
答案:對(duì)放大電路的模型與實(shí)際的放大電路的結(jié)構(gòu)是一樣的。()
答案:錯(cuò)
答案:(4)共射極放大電路既能放大電流又能放大電壓。()
答案:對(duì)功率放大管的導(dǎo)通角是360°的是()功放。
答案:甲類差分式放大電路中源極或射極公共支路上的電流源動(dòng)態(tài)電阻ro對(duì)共模輸入信號(hào)來說相當(dāng)于短路。(
)
答案:錯(cuò)LC正弦波振蕩器電路的振蕩頻率為(
)。
答案:三極管的反向飽和電流ICBO是由(
)組成的。
答案:少數(shù)載流子低通濾波器的通帶上限截止頻率一定低于高通濾波器的通帶下限截止頻率。(
)
答案:錯(cuò)多級(jí)放大電路的通頻帶要比組成它的任何一級(jí)的通頻帶寬。()
答案:錯(cuò)正弦電流經(jīng)過二極管整流后的波形為正弦半波。(
)
答案:對(duì)變?nèi)荻O管在電路中的作用是(
)。
答案:可變電容器在絕對(duì)溫度(0K)時(shí),本證半導(dǎo)體內(nèi)(
)載流子。
答案:沒有負(fù)反饋所能抑制的干擾和噪聲是(
)。(
)
答案:反饋環(huán)內(nèi)所包含的干擾和噪聲當(dāng)共射交流放大器接上負(fù)載后,其交流負(fù)載線的斜率將(
)。
答案:由負(fù)載和RC共同決定兩個(gè)參數(shù)對(duì)稱的三極管組成的差分放大電路,在單端輸入和雙端輸出時(shí),與單管電路相比其放大倍數(shù)()。
答案:相等當(dāng)輸入信號(hào)頻率為fL或fH時(shí),放大電路增益的幅值約下降為通帶內(nèi)水平增益的()倍。
答案:0.7光電二極管工作在(
)區(qū)。
答案:反向偏置有用信號(hào)頻率高于1000Hz,
可選用(
)濾波器。
答案:高通濾波器乙類功放的理想最大效率為
答案:78.5%希望抑制100HZ的交流電源干擾,應(yīng)選用()濾波器。
答案:帶阻濾波器為了使放大器帶負(fù)載能力強(qiáng),一般引入(
)負(fù)反饋。(
)
答案:電壓集成運(yùn)放的輸入級(jí)通常采用()構(gòu)成。,
答案:差分式放大電路集成運(yùn)放輸出一般采用()來提高驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力。
答案:共集電極放大電路理想硅二極管的導(dǎo)通壓降為()。
答案:0V共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真為()失真。
答案:飽和理想二極管的導(dǎo)通壓降為(
)。
答案:0V在甲類、乙類、甲乙類功放中屬于OCL的是(
)。
答案:乙類互補(bǔ)輸出級(jí)采用射極輸出器的原因是(
)。
答案:帶負(fù)載能力強(qiáng)
答案:電壓串聯(lián)負(fù)反饋
答案:電壓串聯(lián)已知某信號(hào)源內(nèi)阻1kΩ,源電壓20mV,接入放大電路后測得放大電路輸入端口電壓16mV,則該放大電路輸入電阻為()。
答案:4kΩ數(shù)字信號(hào)是時(shí)間和()都離散的信號(hào)。
答案:幅值放大器在輸入信號(hào)作用下的工作狀態(tài),稱為(
)。
答案:動(dòng)態(tài)
答案:電流串聯(lián)負(fù)反饋甲類功放效率低的原因是(
)。
答案:靜態(tài)電流大既能放大電流又能放大電壓的放大電路是
答案:共射極硅二極管的死區(qū)電壓典型值為()。
答案:0.5V某反饋放大電路的開環(huán)電壓增益為A=2000,反饋系數(shù)F=0.0495,則閉環(huán)電壓增益為()。
答案:20多級(jí)放大電路的通頻帶要比組成它的任何一級(jí)的通頻帶()。
答案:窄RC串并聯(lián)文氏橋振蕩電路的A為
答案:3在OCL乙類功放電路中,若最大輸出功率為10W,則功率三極管的最大功耗為()。
答案:2W
答案:錯(cuò)如果信號(hào)波形毛糙、線條過粗,可以將信號(hào)獲取方式切換成采樣方式,以使顯示精確。(
)
答案:錯(cuò)Ampl是幅值設(shè)定按鍵。(
)
答案:對(duì)用模擬萬用表判別三極管的管腳,當(dāng)基極判斷出來后,若黑表筆接基極時(shí)測得兩個(gè)電阻值較小,紅表筆接基極時(shí)測得的兩個(gè)電阻值較大,則此三極管是PNP型三極管。(
)
答案:錯(cuò)儀表零點(diǎn)漂移屬于系統(tǒng)誤差。(
)
答案:對(duì)模擬電路可以概括為信號(hào)輸入、中間電路和信號(hào)輸出三部分。(
)
答案:對(duì)某電壓為0.03030V,其有效數(shù)字的個(gè)數(shù)為5。(
)
答案:錯(cuò)數(shù)字函數(shù)信號(hào)發(fā)生器不能用于產(chǎn)生模擬信號(hào)。(
)
答案:錯(cuò)利用POSITION按鍵可以將波形進(jìn)行任意角度平移。(
)
答案:對(duì)單相橋式整流電路中每個(gè)二極管承受的最大反向電壓為(
)。
答案:在單相橋式整流中,若一只整流管接反,則(
)。
答案:整流管因電流過大而燒壞
答案:0.9單相橋式整流電壓經(jīng)過電容濾波后,帶負(fù)載時(shí),輸出電壓是(
)。
答案:整流的目的是(
)。
答案:將交流變直流單相橋式整流電壓經(jīng)過電容濾波后,負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為(
)。
答案:在整流電路的輸出端并一個(gè)電容,主要是利用電容的(
)特性,使脈動(dòng)電壓變得較平穩(wěn)。
答案:濾波穩(wěn)壓管構(gòu)成的穩(wěn)壓電路,其接法是(
)。
答案:限流電阻與穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后,負(fù)載電阻再與穩(wěn)壓二極管并聯(lián)直流穩(wěn)壓電源中濾波電路的目的(
)。
答案:將交直流混合量中的交流成分濾掉
答案:45V已知輸入信號(hào)的頻率為40HZ—10KHZ,為了防止干擾信號(hào)的混入,應(yīng)選用(
)濾波器。
答案:帶通濾波器RC串并聯(lián)文氏橋振蕩電路的A為(
)。
答案:3要使振蕩電路能夠自行起振,AF應(yīng)(
)。
答案:AF>1從結(jié)構(gòu)上看,正弦波振蕩電路是一個(gè)(
)。
答案:沒有輸入信號(hào)的帶選頻網(wǎng)絡(luò)的正反饋放大器產(chǎn)生低頻正弦波一般可用(
)振蕩電路。
答案:RC希望抑制50HZ的交流電源干擾,應(yīng)選用(
)濾波器。
答案:帶阻濾波器RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)在特征頻率時(shí)呈(
)。
答案:阻性產(chǎn)生高頻正弦波可用(
)振蕩電路
答案:LC正弦波振蕩器的振蕩頻率由(
)而定。
答案:選頻網(wǎng)絡(luò)RC橋式振蕩器中RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的作用是(
)。
答案:選頻網(wǎng)絡(luò)和引入正反饋功率放大電路中,最大輸出功率是指輸入電壓為正弦波時(shí),輸出基本不失真情況下,負(fù)載上可獲得的最大(
)。
答案:交流功率在OCL乙類功放電路中,若最大輸出功率為1W,則功率三極管的最大功耗為(
)。
答案:0.2W功率放大電路的轉(zhuǎn)換效率指的是(
)。
答案:最大輸出功率與電源提供的平均功率之比對(duì)于功率放大電路的要求是(
)。
答案:失真小###高OTL電路負(fù)載電阻RL=10Ω,電源電壓10V,理想情況下其最大輸出功率為(
)。
答案:1.25W乙類功放的理想最大效率為(
)。
答案:78.5%在互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路中,引起交越失真的原因是(
)
答案:晶體管輸入特性的非線性交越失真是(
)。
答案:非線性失真OCL功放電路的輸出端直接與負(fù)載相聯(lián)。靜態(tài)時(shí),輸出端靜態(tài)電位為(
)。
答案:0OTL功放電路的輸出端通過耦合電容與負(fù)載相聯(lián)。靜態(tài)時(shí),該電容上電壓為(
)。
答案:
答案:負(fù),交直流對(duì)于放大電路,所謂開環(huán)是指(
)。
答案:無反饋通路為了減小放大電路的輸入電阻,應(yīng)引入(
)負(fù)反饋。(
)
答案:并聯(lián)在反饋類型判斷時(shí)我們可以用(
)判別正負(fù)反饋。(
)
答案:瞬時(shí)極性法
答案:負(fù),電壓并聯(lián)深度電流串聯(lián)負(fù)反饋放大器相當(dāng)于一個(gè)(
)。(
)
答案:壓控電流源要求引入負(fù)反饋后能使放大器的輸入電阻增大,輸出電流穩(wěn)定,則該反饋的類型為(
)。
答案:電流串聯(lián)負(fù)反饋溫度升高時(shí),若想穩(wěn)定放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn),應(yīng)當(dāng)引入(
)負(fù)反饋。(
)
答案:直流為了穩(wěn)定放大電路的輸出電壓,應(yīng)引入(
)負(fù)反饋。(
)
答案:電壓取樣對(duì)于放大電路,所謂閉環(huán)是指(
)。
答案:有反饋通路放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是
。(
)
答案:采用了直接耦合方式
答案:100,200差動(dòng)放大電路用電流源代替長尾電阻Re是為了(
).
答案:提高共模抑制比電流源電路是一個(gè)___________,其交流等效電阻__________。(
)
答案:單口網(wǎng)絡(luò),很大
答案:差模放大倍數(shù)與共模放大倍數(shù)(絕對(duì)值)。
答案:0.02V
答案:抑制零漂能力越強(qiáng)
B.
答案:放大差模抑制共模差分放大電路是為了(
)而設(shè)定的。(
)
答案:抑制零漂
答案:12mV多級(jí)放大電路的通頻帶要比組成它的任何一級(jí)的通頻帶(
)。
答案:窄
答案:0.7在低頻區(qū),影響放大倍數(shù)衰減的電容是(
)。
答案:耦合電容
答案:對(duì)
答案:錯(cuò)
答案:3
答案:-
135°在高頻區(qū),影響放大倍數(shù)衰減的原因是(
)。
答案:極間電容影響關(guān)于三極管的頻率參數(shù)說法錯(cuò)誤的是(
)。
答案:測試放大電路輸出電壓幅值和相位的變化,可以得到它的頻率特性,條件是(
)。
答案:輸入電壓幅值不變,改變頻率兩個(gè)β相等的晶體管組成復(fù)合管后,其電流放大系數(shù)為(
)。
答案:既能放大電流又能放大電壓的放大電路是(
)。
答案:共射極當(dāng)NPN型晶體管工作在放大區(qū)時(shí),各極電位關(guān)系為(
)。
答案:射極輸出器(
)。
答案:有電流放大作用,無電壓放大作用測得某電路中三極管各極電位分別是3V、2.3V、12V則三極管的三個(gè)電極分別是(
),該管是(
)。
答案:B、E、C如果NPN型三極管測得發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏,則此管的工作狀態(tài)為(
)。
答案:飽和狀態(tài)復(fù)合管組成的電路可以(
)。
答案:提高電流放大系數(shù)晶體管的控制方式是(
)。
答案:輸入電流控制輸出電流共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真為(
)失真。
答案:截止關(guān)于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)(Q點(diǎn)),下列說法中不正確的是(
)。
答案:Q點(diǎn)可以采用微變等效電路求得N溝道MOSFET的漏極電流是由載流子的漂移運(yùn)動(dòng)生成的,這種載流子是(
)。
答案:電子場效應(yīng)管屬于(
)控制型器件。
答案:電壓
答案:P溝道耗盡型與N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的控制方式為(
)。
答案:輸入電壓控制輸出電流增強(qiáng)型PMOS管的開啟電壓(
)。
答案:小于零場效應(yīng)管是用(
)控制漏極電流的。
答案:柵源電壓場效應(yīng)管用于放大時(shí),應(yīng)工作在(
)。
答案:飽和區(qū)結(jié)型場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷后,管子進(jìn)入(
)。
答案:恒流區(qū)場效應(yīng)管相比于三極管,以下說法錯(cuò)誤的是(
)。
答案:場效應(yīng)管的D、S間可等效為一電流控制電壓源,三極管的C、E之間可等效為一電流控制電流源P溝道增強(qiáng)型FET的開啟電壓為(
)。
答案:負(fù)值穩(wěn)壓管一般工作于(
)狀態(tài)。
答案:反向擊穿PN結(jié)加正向電壓的作用下,擴(kuò)散電流(
)漂移電流。
答案:大于PN結(jié)加正向電壓時(shí),其正向電流是由(
)的。
答案:多數(shù)載流子擴(kuò)散而成在二極管的參數(shù)中,最大整流電流IF指的是(
)。
答案:允許的最大正向平均電流P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入(
)物質(zhì)后形成的。
答案:三價(jià)硼元素鍺二極管的死區(qū)電壓為(
)。
答案:0.2V二極管兩端電壓大于(
)電壓時(shí),二極管
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