GB/T 17626.39-2023 電磁兼容 試驗和測量技術 第39部分：近距離輻射場抗擾度試驗（正式版）

電磁兼容試驗和測量技術第39部分：近距離輻射場抗擾度試驗[IEC61000-4-39:2017,Electromagneticcompat國家標準化管理委員會國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布國家標準化管理委員會I V 12規(guī)范性引用文件 1 13.1術語和定義 13.2縮略語 34概述 35試驗等級 45.1概述 45.2試驗頻率 45.39kHz～150kHz頻率范圍內的試驗等級 55.4150kHz～26MHz頻率范圍內的試驗等級 65.526MHz～380MHz頻率范圍內的試驗等級 75.6380MHz～6GHz頻率范圍內的試驗等級 76試驗設備 86.1磁場抗擾度 86.1.1通則 8 8 96.2射頻輻射場抗擾度 7試驗布置 7.1磁場抗擾度 7.1.1試驗設施 7.1.2EUT的布置 7.1.3使用輻射環(huán)的試驗方法 7.2射頻輻射場抗擾度 7.2.1試驗設施 7.2.2EUT的布置 8試驗程序 8.1通則 Ⅱ8.2氣候條件 8.3電磁環(huán)境 8.4EUT的布置和運行模式 8.5磁場抗擾度 8.5.19kHz～150kHz的電平設置程序 8.5.2150kHz～26MHz的電平設置程序 8.5.3試驗實施 8.6射頻輻射場抗擾度 8.6.1電平設定程序 8.6.2試驗實施 9試驗結果評價 2010試驗報告 20附錄A(規(guī)范性)TEM喇叭天線 21A.1概述 21A.2頻率范圍 21A.4場分布 21A.5TEM喇叭天線的總體設計 23附錄B(資料性)試驗頻率、等級和調制 25B.1概述 B.29kHz～26MHz范圍內的磁場發(fā)射體 25B.326MHz～6GHz范圍內的無線電業(yè)務 25附錄C(資料性)現(xiàn)場試驗 27C.1概述 C.2試驗程序 C.3試驗報告 參考文獻 Ⅲ本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》的規(guī)定本文件是GB/T(Z)17626《電磁兼容試驗和測量技術》的第39部分。GB/T(Z)17626已經發(fā)布——GB/T17626.1—2006電磁兼容試驗和測量技術抗擾度試驗總論；——GB/T17626.2—2018電磁兼容試驗和測量技術靜電放電抗擾度試驗；——GB/T17626.3—2023電磁兼容試驗和測量技術第3部分：射頻電磁場輻射抗擾度——GB/T17626.4—2018電磁兼容試驗和測量技術電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗；—-GB/T17626.5—2019電磁兼容試驗和測量技術浪涌(沖擊)抗擾度試驗；——GB/T17626.6—2017電磁兼容試驗和測量技術射頻場感應的傳導騷擾抗擾度；——GB/T17626.7—2017電磁兼容試驗和測量技術供電系統(tǒng)及所連設備諧波、間諧波的測量和測量儀器導則；——GB/T17626.8—2006電磁兼容試驗和測量技術工頻磁場抗擾度試驗；——GB/T17626.9—2011電磁兼容試驗和測量技術脈沖磁場抗擾度試驗；——GB/T17626.10—2017電磁兼容試驗和測量技術阻尼振蕩磁場抗擾度試驗；——GB/T17626.11—2023電磁兼容試驗和測量技術第11部分：對每相輸入電流小于或等于16A設備的電壓暫降、短時中斷和電壓變化抗擾度試驗；——GB/T17626.12—2023電磁兼容試驗和測量技術第12部分：振鈴波抗擾度試驗；——GB/T17626.13—2006電磁兼容試驗和測量技術交流電源端口諧波、諧間波及電網信號的低頻抗擾度試驗；——GB/T17626.14—2005電磁兼容試驗和測量技術電壓波動抗擾度試驗；——GB/T17626.15—2011電磁兼容試驗和測量技術閃爍儀功能和設計規(guī)范；——GB/T17626.16—2007電磁兼容試驗和測量技術0Hz～150kHz共模傳導騷擾抗擾度——GB/T17626.17—2005電磁兼容試驗和測量技術直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗；——GB/T17626.18—2016電磁兼容試驗和測量技術阻尼振蕩波抗擾度試驗；——GB/T17626.19—2022電磁兼容試驗和測量技術第19部分：交流電源端口2kHz~150kHz差模傳導騷擾和通信信號抗擾度試驗——GB/T17626.20—2014電磁兼容試驗和測量技術橫電磁波(TEM)波導中的發(fā)射和抗擾——GB/T17626.21—2014電磁兼容試驗和測量技術混波室試驗方法；——GB/T17626.22—2017電磁兼容試驗和測量技術全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度——GB/T17626.24—2012電磁兼容試驗和測量技術HEMP傳導騷擾保護裝置的試驗——GB/T17626.27—2006電磁兼容試驗和測量技術三相電壓不平衡抗擾度試驗；—-GB/T17626.28—2006電磁兼容試驗和測量技術工頻頻率變化抗擾度試驗；——GB/T17626.29—2006電磁兼容試驗和測——GB/T17626.30—2023電——GB/T17626.34—2012電主電源每相電流大于16A的設備的——GB/T17626.39—2023電磁兼容試驗和測量技術第39部分：近距離輻射場抗擾度試驗和測量技術第39部分：近距離輻V——第1部分：抗擾度試驗總論。目的在于提供電磁兼容標準中有關試驗和測量技術的使用性指 據某些標準給出的發(fā)射限值對設備逐項進行試驗，對實際供電系統(tǒng)中諧——第16部分：0Hz~150kHz共模傳導騷擾抗擾度試驗。目的在于建立電氣和電子設備經在實驗室條件下對電氣和電子設備進行來自于如整流系統(tǒng)和/或蓄電池充電時疊加在直流電——第19部分：交流電源端口2kHz～150kHz差模傳導騷擾和通信信號抗擾度試驗。目的在于——第20部分：橫電磁波(TEM)波導中的發(fā)射和抗擾度試驗 ——第30部分：電能質量測量方法。目的在——第32部分：高空核電磁脈沖(HEMP)模擬器概述。目的在于提供國際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級——第33部分：高功率瞬態(tài)參數測量方法。目的在于給出高功率電磁瞬態(tài)響應NⅡ特征參數的信息。——第34部分：主電源每相電流大于16A的設備的電壓暫降、短時中斷和電壓變化抗擾度試驗。目的在于建立評價電氣和電子設備在經受電壓暫降、短時中斷和電壓變化時的抗擾度的通用——第35部分：高功率電磁(HPEM)模擬器概述。目的在于提供國際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級HPEM窄帶(窄譜)和寬帶(寬譜、亞超寬譜和超寬譜)模擬器以及它們作為抗擾度試驗與驗證設備時所需要的相關信息。——第36部分：設備和系統(tǒng)的有意電磁干擾抗擾度試驗方法。目的在于為評估設備和系統(tǒng)對有意電磁干擾源的抗擾度提供了確定試驗水平的方法?！?7部分：諧波發(fā)射試驗系統(tǒng)校準與驗證協(xié)議。目的在于為制造商、終端用戶、獨立實驗室、其他組織機構提供系統(tǒng)化指導，以規(guī)定一定諧波電流發(fā)射范圍內適用的合規(guī)狀態(tài)?！?8部分：電壓波動和閃爍合規(guī)測試系統(tǒng)的測試、驗證和校準協(xié)議。目的在于為由型式試驗設備組成的系統(tǒng)提供定期校準和驗證的指南和方法?！?9部分：近距離輻射場抗擾度試驗。目的在于建立通用的基準，以評估暴露于近距離源的輻射射頻電磁場中的電氣電子設備的抗擾度要求，供其他產品的技術委員會、通用標準、產品類標準和產品標準引用。 第40部分：調制或失真信號功率的數字測量方法。目的在于介紹兩種適用于波動或非周期負載下功率量測量的數字算法，并說明所提出的算法的工作原理。電磁兼容試驗和測量技術第39部分：近距離輻射場抗擾度試驗本文件規(guī)定了電氣和電子設備暴露在近距離使用的射頻(RF)發(fā)射機的輻射電磁能量下的抗擾度要求。建立了試驗等級和所需的試驗程序。適用頻率范圍為9kHz～6GHz。考慮了暴露于便攜式發(fā)射裝置的固定安裝設備，暴露于固定發(fā)射裝置的移動設備，以及暴露于其他移動發(fā)射裝置的移動設備。本文件旨在建立一個通用的基準，以評估暴露于近距離輻射源的射頻電磁場中的電氣電子設備的抗擾度要求。本文件并不取代IEC61000-4-3和IEC61000的其他部分規(guī)定的電氣電子設備對輻射電磁能量的一般抗擾度要求，僅適用于設備或系統(tǒng)暴露于近距離騷擾源時。本文件中，“近距離”一般是指發(fā)射源和受影響設備間的距離，頻率高于26MHz時距離不大于200mm,頻率低于26MHz時距離不大于500mm。本文件的試驗方法描述了評估設備或系統(tǒng)在各自的頻率范圍內對特定現(xiàn)象抗擾度的一致方法。產品委員會將考慮試驗的適用性，且在必要時，根據受試設備(EUT)、頻率范圍、本文件涉及與RF磁場和電磁場相關的抗擾度試驗，這些電磁場來自于任何靠近其他電氣電子設備或系統(tǒng)的源。本文件為獨立的試驗方法。當宣稱符合本文件時，不宜采用其他試驗方法來代替本文件提出的2規(guī)范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于IEC60050-161國際電工詞匯(IEV)第161章：電磁兼容[InternationalElectrotechnicalVocab-ulary(IEV)—Chapter161:ElectromagnetiIEC60050-161界定的以及下列術語和定義適用于本文件。ISO和IEC的術語數據庫通過下述網址訪問：2電磁兼容性electromagneticcompatibility;EMC設備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中任何事物構成不能承受的電磁騷擾的任何可能引起裝置、設備系統(tǒng)性能降低或者對生物或非生物產生不良影響的電磁現(xiàn)象。[電磁]發(fā)射(electromagnetic)emission從源向外發(fā)出電磁能的現(xiàn)象。存在于給定場所的所有電磁現(xiàn)象的總和。天線的電磁場區(qū)域，其中體現(xiàn)能量傳播的電磁場分量占支配地位，并且電磁場的角分布基本與離天線的距離無關。場強fieldstrength場的電或磁的分量。[對騷擾的]抗擾度immunity(toadisturbance)裝置、設備或系統(tǒng)面臨電磁騷擾不降低運行性能的能力?？箶_度試驗電平immunitytestlevel進行抗擾度試驗時，用來模擬電磁騷擾試驗信號的電平。3AM:幅度調制(AmplitudeModulation)CDMA:碼分多址(CodeDivisionMultiplDECT:數字增強無繩通信(DigitalEEUT:受試設備(EquipmentUnderTest)FM:頻率調制(FrequencyGSM:全球移動通信系統(tǒng)(GlobalSystemforLTE:長期演進(LongTermERFID:射頻識別(Radio-frequencyIdentification)TEM:橫電磁波(TransverseElectromagnetic)TETRA:泛歐集群無線電(Trans-EuropeanTrunkedRadio)WLAN:無線局域網(WirelessLocalAreaNetwork)EUT對于來自射頻發(fā)射機騷擾的抗擾度能用幾種不同的方式試驗，包括那些在IEC61000-4-3、射頻場(頻率高于26MHz)中發(fā)射機與設備之間的間隔距離不大于200mm,磁場(頻率低于26MHz)中的間隔距離不大于500mm。已考慮暴露于便攜式發(fā)射裝置的固定安裝設備4本文件考慮的電磁騷擾僅限于連續(xù)窄帶信號(如高達1kHz的脈沖調制或AM),但不包括本質上試驗中施加的試驗等級宜根據發(fā)射裝置的預期最大輸出功率以及其發(fā)射天騷擾影響的設備之間可能的或規(guī)定的間隔距離來選擇。附加信息見附錄B。不要求在本文件涵蓋的整個頻率范圍內連續(xù)進行試驗。相反，應根5施加的試驗信號應按下列條件選擇每個頻率范圍的步進。a)低于26MHz的頻段，頻率步進用線性步進規(guī)定(見8.5.3的表5)。b)26MHz以上，頻率步進規(guī)定為當前頻率的1%,除非試驗在特定無線傳輸頻段進行。c)此外，在關注的頻點上可進行點頻試驗。d)如果試驗在特定無線傳輸頻段進行，選擇所選頻段的中心頻率作為頻率步進的起始點。然后以當前頻率1%的步進在高于中心頻率的頻點上進行試驗。試驗同樣以當前頻率-1%的步進在低于中心頻率的頻點上進行。宜另行分析潛在的敏感頻率(如時鐘頻率),只要這些頻率在被測的頻率范圍內。5.39kHz～150kHz頻率范圍內的試驗等級9kHz～150kHz頻率范圍內的不均勻磁場的試驗等級由表1給出。112334X注：X為開放等級，其場強為任意值。該等級由產品標準給表1給出的試驗等級是用于電平設置的未調制載波信號的幅值。對設備試驗時，該載波信號用1kHz的正弦波進行80%的AM,以模擬真實的騷擾源(見圖3和B.2)。圖3中，V,-p為峰峰值電6圖3信號發(fā)生器輸出產生的80%幅度調制(AM)試驗電平和波形的定義kHz～26MHz頻率范圍內的試驗等級kHz～26MHz頻率范圍內的不均勻磁場的試驗等級由表2給出。表2不均勻磁場試驗等級，150kHz～26MHz123143X注：表2的試驗等級與表1不同，因為它們是基于在兩個不同頻率范圍內產生騷擾的設備和業(yè)務的類型。附錄B旨在為試驗等級的選擇提供指導(另見5.1的最后一段)。表2給出的試驗等級是用于電平設置的未調制載波信號的幅值。對設備試驗時，該載波信號進行了脈沖調制(見圖4和B.2)。脈沖調制應遵循以下參數。7調制頻率應由產品委員會酌情選擇。如何進行試驗的細節(jié)見第8章。5.526MHz～380MHz頻率范圍內的試驗等級26MHz～380MHz頻率范圍內的射頻場試驗等級正在考慮中。5.6380MHz～6GHz頻率范圍內的試驗等級380MHz～6GHz頻率范圍內的射頻場試驗等級由表3給出。1234X注：X為開放等級，其場強為任意值。該等級由產品標準給表3給出的試驗等級是用于電平設置的未調制載波信號的幅值。對于設備試驗，該載波信號進行了脈沖調制(見圖4)。圖4中，V,-p為峰峰值電壓，V…為有效值電壓。脈沖調制應遵循以下參數?！伎毡龋?0%。 調制頻率應由產品委員會酌情選擇。8Vms=1.00V圖4信號發(fā)生器輸出產生的脈沖調制(50%占空比、217Hz)試驗電平和波形的示例本文件不宜在整個頻率范圍內使用單一試驗等級。產品委員會應為每段需要試驗的頻率范圍選擇適當的試驗等級。6試驗設備6.1磁場抗擾度試驗設備應包括以下設備：——具有內部或外部調制能力的信號發(fā)生器；——功率放大器(具有驅動感性負載的能力);——磁場傳感器線圈(或);——電壓表；輻射環(huán)線圈應具有以下特征?！睆剑?120±10)mm。 9H=75.6×I(A/m)(等于9.5×10?pT/A,如RS101試驗所述) (1)式探頭或使用串聯(lián)電阻兩端的電壓測量來進行真有效值電流測量?？蓚鞲衅骶€圈的開路電壓U是使用高阻電壓表以伏特為單頻率范圍380MHz～6GHz的近距離抗擾度試驗應使用TEM喇叭天線。TEM喇叭天線特性應符合附錄A規(guī)定。試驗區(qū)域宜具有合適的尺寸以容納所有必需的試驗設備，且應不受可能影NIRP)的建議等]。EUT宜按正常使用狀態(tài)(臺式或落地式)放置在不導電、應使用制造商指定的電纜類型和連接器。如果沒有指定EUT的接入和接出線的接線方式，應使用非屏蔽平行導線。設備外殼的接地應符合制造商的安裝建議。如果接地與不接地配置都支持，那么兩種情況都應進行試驗。臺式、便攜式和壁掛式的EUT應放置于高度為(0.80±0.05)m的不導電、非磁性支撐物上。對于落地式設備，可接受的試驗垂直表面下沿距地面(100±50)mm(見圖5和圖6)。圖5使用輻射環(huán)天線的落地式EUT的設備試驗示例——頻率范圍9kHz～150kHz(100mm×100mm窗口尺寸)圖6使用輻射環(huán)天線的落地式EUT的設備試驗示例——頻率范圍150kHz～26MHz(80mm×80mm窗口尺寸)落地式EUT宜放置于高度為(100±50)mm的支撐物上。不導電、低介電常數的滾輪可用作(100±50)mm高的支撐物。試驗配置宜按圖9(見8.5.3)所示進行。在設備正常使用位置，受磁場照射的每個面應按表4規(guī)定劃分為相等的試驗區(qū)域。如果由于特定EUT或試驗布置的細節(jié)3mm的允差，則試驗距離可有允差的偏離(即大于3mm的允差)。任何此類的偏離應記錄在試驗報頻率范圍最大窗口尺寸(120mm環(huán)天線)(100mm環(huán)天線)典型的試驗設施由鋪有吸波材料的、足夠大以容納應使用制造商指定的電纜類型和接口。如果沒有指定EUT的接入和接出線的接線方式，應使用非屏落地式EUT宜放置于高度為(100±50)mm的不導電支撐物上(見圖7)。不導電滾輪可用作(100±50)mm高的支撐物。天線放置在距離EUT暴露面(100±5)mm的位置。對于表面不平整的EUT,調節(jié)每個窗口的試驗距離，使得該窗口內EUT的最近點距離天線(100±5)mm。任何偏離都應記錄在試驗報告內。圖7使用TEM喇叭天線的落地式EUT設備試驗布置圖8試驗程序試驗應根據試驗計劃實施。對于每次實施騷擾的每個試驗頻率點，監(jiān)控EUT的響應。評估與試驗計劃中規(guī)定的性能判據的符合性。除非負責制定通用標準和產品標準的專業(yè)標準化技術委員會另有規(guī)定，試驗室氣候條件應在EUT和試驗設備各自制造商所規(guī)定的范圍內。如果相對濕度過高，以至在EUT或試驗設備上造成了結露，則不應進行試驗。當有足夠證據證明本文件所涵蓋現(xiàn)象的影響受到天氣條件的影響，則宜提請負責本文件的委員會實驗室電磁環(huán)境應確保EUT正確運行，保證試驗結果不受影響。所有設備的試驗宜在盡可能接近實際安裝條件的配置下進行。布線應符合制造商推薦的程序，除非另有說明，設備應安裝在其外殼內，全部蓋板和接線面板都應安裝到位。試驗期間EUT的運行條件應依照設備典型和預期用途，考慮其最敏感的運行模式。a)在距離輻射環(huán)天線2m以內無EUT的情況下，將所述的磁場感應線圈放置在輻射環(huán)b)將磁場感應線圈的輸出連接至高阻電壓表上(見圖8)。c)將信號發(fā)生器的頻率設置為試驗范圍的最低頻率(如9kHz)。g)使用磁場感應線圈對電壓的轉換系數來計算實際頻率上測得的場強。測得的場強與指定試驗h)按照不大于表5指定的步進增加頻率。i)重復步驟d)～h),直到序列中的下一頻率會超過試驗范圍內的最高頻率。最后，在該最高頻a)在距離輻射環(huán)天線2m以內無EUT的情況下，將所述的磁場感應線圈放置在輻射環(huán)c)將信號發(fā)生器的頻率設置為試驗范圍內的最低頻率(如150kHz)。電平設置過程中不應使用d)調節(jié)并記錄所需的前向功率(進入輻射環(huán)的)以達到所期望的試驗等級(用磁場感應線圈和測e)按照不大于表5指定的步進增加頻率。f)重復步驟d)～e),直到序列中的下一頻率會超過試驗范圍內的最高頻率。最后，在該最高頻圖8輻射環(huán)的電平設置試驗應根據試驗計劃實施。試驗是通過將EUT暴露于基于表1(見5.3和5.4)中規(guī)定的等級的試驗信號中來實施的。試驗布置如圖9所示。當設備按照8.3所確定的模式運行時，依據頻率范圍將輻射環(huán)放置于距離設備上測試點(見圖9)(50±3)mm處的測試距離d處。調節(jié)輻射環(huán)的平面與設備面平行。根據所進行的驗證(見8.5.1和8.5.2),產生規(guī)定的磁場電平。試驗沒有規(guī)定要在整個頻率范圍內連續(xù)進行。具體的試驗頻率可由產品委員會選擇，或可選擇表5中給出的頻率。用第5章的調制信號在考慮的頻率范圍內進行掃描，必要時暫停掃描，以調整射頻信號電平或切換信號源和輻射環(huán)。在頻率范圍內從低到高進行掃描，頻率步進如表5所規(guī)定。在每個頻率步進頻點的駐留時間取決于設備的反應時間，并應足夠長，使設備能夠充分響應試驗信號。最小駐留時間為2s。每個試驗頻率上可能需要額外的駐留時間，以使EUT可在適當的工作模式下運行。駐留時間應記錄在試驗報告中。圖9使用輻射環(huán)對EUT試驗的原理圖頻率范圍將正常使用時會受到磁場照射的設備表面暴露在外。在可行的情況下，宜對臺式和便攜式設備的所有側面都進行試驗。對于落地式設備，底面不宜進行試驗。除非通用標準、產品標準或產品類標準另有說明，否則僅對EUT中可視為磁場輸入端口的點和表面進行磁場照射。下列區(qū)域不要求試驗：a)設備外部固定機械屏障的表面，該屏障用以防止磁場源被置于距設備表面小于0.25m的位置上；b)以防止磁場源靠近設備內部有源元器件[傳感器、電纜、印刷電路板(PCB)等]小于0.25m(如塑料外殼后面有空間或僅覆蓋無源機械結構)的方式構造的表面；c)在固定安裝或按照說明書使用后，不再能被便攜式射頻發(fā)射機近距離接觸到的設備的點和表面(如設備或區(qū)域的底部和/或靠墻的部分);d)由均勻鐵氧磁性材料(厚度>0.25mm)構成的一整塊表面，其中每塊材料在其兩個相關尺寸上都超過環(huán)直徑的150%;e)僅在服務或維護過程中才會暴露在近距離使用的便攜式發(fā)射裝置產生的電磁場中的EUT的a)將場強探頭放入電波暗室內位于沿TEM喇叭天線中心軸線距離其前沿(100±5)mm的位置上(見圖11)。b)將信號發(fā)生器的頻率設置為試驗范圍的最低頻率(如380MHz)。c)調節(jié)前向功率以產生一個目標試驗電平(如100V/m)。記錄前向功率和場強的讀值。d)在當前頻率的基礎上最大增加1%的頻率。e)重復步驟c)和d)直到序列內的下一個頻率將超過f)在最高頻率處，打開試驗信號的調制，并驗證試驗信號的調制是否正確(見圖4)。使用300mm×300mm場均勻性窗口尺寸的TEM喇叭天線的試驗示例如圖10所示。在本例圖10使用300mm×300mm窗口尺寸的均勻區(qū)域的試驗布置圖示例使用第5章定義的調制信號在選定的頻率范圍內進行掃描。在頻率范圍內從低到高進行掃描，頻率步進如5.2中的規(guī)定。駐留時間取決于EUT的反應時間，并應足夠長，使EUT能夠充分響應試驗信號。最小駐留時間為1s。每個試驗頻率應至少施加兩個完整調制周期的騷擾試驗信號。每個試驗頻率上可能需要額外的駐留時間，以允許EUT在適當的工作模式下運行。駐留時間應記錄在試驗報在正常運行模式下，對可能會受到來自于在近距離使用的便攜式發(fā)射裝置的電磁場照射的設備的所有表面都應進行試驗。對于臺式和便攜式設備，若可行，宜對所有表面進行試驗。對于落地式設除非通用標準、產品標準或產品類標準另有說明，否則僅對EUT中可視為電磁場輸入端口的點和表面進行電磁照射。下列區(qū)域不要求試驗：a)帶有外部固定機械屏障的EUT表面，防止電磁場源被置于距EUT設備表面小于0.25m的b)防止騷擾源靠近而構造的EUT表面，距EUT設備內部有源元器件(傳感器、電纜、PCB等)小于0.25m(如塑料外殼后面有空間或僅覆蓋無源機械結構);c)在固定安裝或按照說明書使用后，不再能被便攜式射頻發(fā)射機近距離接觸到的設備的點和表面(如設備或區(qū)域的底部和/或靠墻的部分);d)用均勻金屬材料(厚度>0.25mm)構成的一整塊表面，其尺寸超過TEM喇叭天線均勻區(qū)域的150%;e)僅在服務或維護過程中才會暴露在近距離使用的便攜式發(fā)射裝置產生的電磁場中的EUT的表面或區(qū)域。EUT的所有表面應劃分成多個窗口。每個窗口的物理尺寸根據附錄A確定。每個窗口應使用TEM喇叭天線在水平和垂直方向(見圖12)上照射。TEM喇叭天線與EUT表面之間的間隔應為(100±5)mm。TEM喇叭天線應放置在距這些區(qū)域中心的指定距離處，喇叭天線的中軸垂直于EUT的表面。暴露過程中，宜避免移動TEM喇叭天線。如果不能實現(xiàn)上述布置，例如由于產品特有的凹陷或凸起或附加的電纜，應確定和測試便攜式發(fā)射裝置接近的最關鍵位置。這種特殊情況應記錄在試驗報告中。對于附加電纜靠近受試EUT表面的情況，TEM喇叭天線不要求被放置在距離電纜小于100mm的位置。對每個試驗點，監(jiān)視設備的反應。評估是否符合試驗計劃中規(guī)定的抗擾度性能判據。圖11電平設置布置圖12TEM喇叭天線極化方向示例試驗結果應依據EUT的功能喪失或性能降低現(xiàn)象來分類，b)本文件第8章要求的試驗計劃中規(guī)定的內容；i)判定試驗合格/不合格的理由(根據通用標準、產品標準或產品類標準中規(guī)定的性能判據或制(規(guī)范性)TEM喇叭天線本附錄介紹了在近距離試驗使用的TEM喇叭天線須符合的一系列參數。這些參數是基于一些可能被用作潛在輻射體結構的全波數值分析得出的。對結構沒有進行描述，以便制造商決定選擇以何種方式來達到這些參數。描述的主要參數是場均勻性或靠近天線的場分布。本文件描述的參數為：a)頻率范圍；c)場分布。A.2頻率范圍適用頻率范圍為380MHz～6GHz?？捎靡粋€以上的天線來覆蓋此范圍。天線的VSWR應不超過3:1。A.4場分布這種方法最關鍵的部分是天線的特性。目前的天線近場校準方法(例如SAEARP958D)是不夠的，因為這些方法不能表征天線口徑上的照射均勻性。本附錄的目的是確保在距離TEM喇叭天線一定距離處施加場的均勻性。場均勻性區(qū)域的大小取決于TEM喇叭天線的能力，從而決定了最大照射面積。因此，本文件沒有規(guī)定任何關于天線尺寸的內容。具有較大場均勻性區(qū)域的天線可提高試驗效率。TEM喇叭天線照射區(qū)域的場強應低于距離TEM喇叭天線100mm處的最大場強0dB～4dB的為了驗證TEM喇叭天線的場均勻性，應使用電波暗室。為了避免反射，可在地面上使用額外的吸在距TEM喇叭天線外正面(100±5)mm處放置一個小的場強探頭。探頭應能測量單極化場的場強。場強探頭的傳感元件尺寸應小于TEM喇叭天線開口較小尺寸的1/3。TEM喇叭天線場均勻性的驗證程序如下。a)從中心點開始，規(guī)定一個間距為25mm×25mm的網格，覆蓋所需的均勻區(qū)域。中心點沿TEM喇叭天線的中軸方向。b)將場強探頭置于距TEM喇叭天線前表面(100±5)mm的網格中心點上(見圖A.1和圖A.2)。c)使用適當的場強值(如100V/m),記錄試驗或天線規(guī)格內的頻率范圍內的前向功率和場強讀值(頻率以當前頻率的最高1%增加)。d)將場強探頭放置于每個網格點上，并重復步驟c)。e)對所有頻率步進，將記錄的前向功率值(場強恒定的情況下)或記錄的場強值(功率恒定的情況下)按從最大值到最小值進行排序。f)TEM喇叭天線的可用均勻場區(qū)域定義為所有相鄰的探頭位置在步驟b)～d)記錄的最大場強的0dB～4dB的區(qū)域。圖A.3給出了TEM喇叭天線的場均勻性圖的示例。光纖光纖信號信號放大器圖A.1場均勻性驗證布置的示例圖A.2場均勻性測量布置圖A.3口徑為205mm×205mm的TEM喇叭天線在1.5GHz的場均勻性(仿真)示例A.5TEM喇叭天線的總體設計TEM喇叭天線的總體設計原理如圖A.4所示。俯視圖圖A.4TEM喇叭天線的總體設計原理示例(資料性)B.1概述試驗等級的選擇是根據EUT和電纜在正常安裝環(huán)境下可能被照射的電磁環(huán)境而定的。在選擇使用的試驗等級時，宜考慮不通過的后果。如果試驗不通過的危害很大，可能需要選擇更嚴酷的試驗如果EUT只安裝在少數幾個場地，那么對當地射頻源進行檢查就能計算可能遇到的場強。對于預期用于多種場所的設備，在選擇使用的試驗等級時可遵循以下指南。B.29kHz～26MHz范圍內的磁場發(fā)射體在9kHz～26MHz頻率范圍，有許多新技術或現(xiàn)有技術的新應用可能會增加相互作用的可能性。——電子商品防盜(EAS)系統(tǒng)；——訪問控制系統(tǒng)(RFID);——磁懸浮軌道系統(tǒng)；——射頻(RF)醫(yī)療程序，如高頻手術和消融治療；——金屬探測器；——交通控制中應答器的使用；——無線充電/感應電能傳輸。在9kHz～26MHz頻率范圍內運行的業(yè)務信息見IECTR61000-2-5:2011。對于9kHz～26MHz頻率范圍內的試驗頻率、試驗等級和調制要求見5.2、5.3和5.4。B.326MHz～6GHz范圍內的無線電業(yè)務這些騷擾源是IEC61000-4-3:2006的附錄G、ISO11451-3和ISO11452-9:2012的附錄A標明的，在表B.1中列出。計算出的場強可用于確定合適的試驗等級，以評估對這些無線電業(yè)務的抗擾度。表B.1特定射頻無線通信設備的試驗等級指南頻段“調制Wm工業(yè)、科學和醫(yī)療(ISM)脈沖調制通用移動無線電業(yè)務(GMRS)460,民用無線電業(yè)務(FRS)4602調制Wm脈沖調制*集成數字增強型網絡(iDEN)820,LTE頻段5脈沖調制2LTE頻段21脈沖