JCT 2849-2024《摻鈰硅酸镥單晶》

ICS31.030CCSQ65JCCerium-dopedlutetiumoxyorthosilicatesingl（本稿完成日期：2023-10-30）中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布IXX/TXXXXX—XXXX本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由中國建筑材料聯(lián)合會(huì)提出。本文件由全國人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC461）歸口。本文件起草單位：眉山博雅新材料有限公司、四川大學(xué)、四川文理學(xué)院、四川天樂信達(dá)光電有限公司、中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所、蘇州璋馳光電科技有限公司。本文件主要起草人：齊建起、承剛、王宇、朱興華、曹彪、黃鑫、丁棟舟、黃旭、石彥立、馮英俊。1XX/TXXXXX—XXXX摻鈰硅酸镥單晶本文件規(guī)定了摻鈰硅酸镥單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存。本文件適用于摻鈰硅酸镥閃爍晶體，其他元素?fù)诫s硅酸镥閃爍晶體產(chǎn)品可參照本文件。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文本必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T2828.1-2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T4960.6-2008核科學(xué)技術(shù)術(shù)語第6部分：核儀器儀表GB/T7896-2008人造光學(xué)石英晶體試驗(yàn)方法GB/T11293-1989固體激光材料名詞術(shù)語GB/T13181-2002閃爍體性能測(cè)量方法GB/T13182-2007碘化鈉(鉈)閃爍體和碘化鈉(鉈)閃爍探測(cè)器GB/T22453-2008硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件質(zhì)量測(cè)試方法GB/T29420-2012摻釹釩酸鹽激光單晶元件GB/T32642-2016平板顯示器基板玻璃表面粗糙度的測(cè)量方法GB/T39131-2020人工晶體材料術(shù)語JC/T2018-2010高能粒子探測(cè)用摻鉈碘化銫晶體3術(shù)語和定義GB/T4960.6-2008、GB/T11293-1989、GB/T13182-2007、JC/T2018-2010界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1閃爍晶體scintillationcrystal吸收Χ射線、Y射線或其它高能射線/粒子等的輻射能量后能發(fā)出紫外或可見光的晶體。[GB/T39131-2020，3.12]3.2摻鈰硅酸镥單晶cerium-dopedlutetiumoxyorthosilicatesinglecrystals由镥、硅、氧為主體元素、鈰為摻雜元素組成的具有單斜相結(jié)構(gòu)的單晶材料。2XX/TXXXXX—XXXX3.3輻照硬度radiationhardness晶體抵抗輻照損傷的能力。[JC/T2018-2010，3.4]3.4透光率transmission由光學(xué)介質(zhì)出射的光強(qiáng)與同波長(zhǎng)的入射光強(qiáng)之比。[GB/T11293-1989，75]3.5光產(chǎn)額lightyield閃爍體吸收單位入射輻射能量所產(chǎn)生的光子數(shù)。(1)式中：LY——光產(chǎn)額，核輻射激發(fā)源為γ射線時(shí)，單位為光子每兆電子伏（ph./MeV）；ΔE——核輻射在閃爍體中所損失的能量，單位為兆電子伏（MeV）；N——閃爍體在吸收核輻射能量后所產(chǎn)生的光子數(shù)，單位為光子（photons）。3.6能量分辨率energyresolution對(duì)于某一給定的能量，能分辨的兩個(gè)粒子能量之間的最小相對(duì)差值的量度。[GB/T13182-2007，3.1.16]3.7閃爍衰減時(shí)間decaytime閃爍體受單次核輻射激發(fā)停止后，閃爍光強(qiáng)度從最大值下降到1/e所需的時(shí)間。[GB/T4960.6—2010，2.3.5]4技術(shù)要求3XX/TXXXXX—XXXX4.1外觀晶體應(yīng)無色透明，無肉眼可見的缺陷。4.2尺寸及公差晶體尺寸及公差應(yīng)符合合同或技術(shù)規(guī)格書要求。4.3表面粗糙度應(yīng)不大于5nm。4.4倒角應(yīng)不大于0.5mm×45°。4.5垂直度應(yīng)不大于10′。4.6崩邊、崩口及崩裂沿邊緣向內(nèi)側(cè)方向延伸寬度（徑向）崩邊應(yīng)不大于0.2mm。沿邊緣方向，崩口寬度之和應(yīng)不大于0.5mm。角的崩裂應(yīng)不大于0.2mm。4.7透光率應(yīng)不小于82%@420nm。4.8光產(chǎn)額應(yīng)大于28000photons/MeV。4.9能量分辨率應(yīng)不大于11%（@662keV）。4.10閃爍衰減時(shí)間時(shí)間應(yīng)小于42ns。4.11輻照硬度應(yīng)小于10%（總劑量不小于10000Gy，宜使用60Co放射源）。5試驗(yàn)方法5.1環(huán)境要求應(yīng)在正常大氣條件下進(jìn)行外觀質(zhì)量、與透過率測(cè)試，在參考條件或標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下進(jìn)行物理性能測(cè)試。5.2外觀4XX/TXXXXX—XXXX按GB/T7896-2008中6.2的方法進(jìn)行。5.3尺寸及公差按GB/T22453-2008中5.8的規(guī)定執(zhí)行。5.4表面粗糙度按GB/T32642-2016中6的規(guī)定執(zhí)行。5.5倒角按GB/T29420-2012中5.3.7的規(guī)定執(zhí)行。5.6垂直度值按GB/T22453-2008中5.12規(guī)定的方法執(zhí)行。5.7崩邊、崩口及崩裂采用目測(cè)法檢測(cè)崩邊、崩口及崩裂，使用千分尺測(cè)量崩邊、崩口及崩裂長(zhǎng)度。5.8透光率按GB/T7962.12-2010第4章的規(guī)定執(zhí)行。5.9光產(chǎn)額按附錄A的規(guī)定的方法測(cè)試。5.10能量分辨率按GB/T13181-2002中第7章的規(guī)定執(zhí)行，宜使用137Cs放射源。5.11閃爍衰減時(shí)間按GB/T13181-2002中第10章的規(guī)定執(zhí)行，宜使用137Cs放射源。5.12輻照硬度按JC/T2018-2010中5.6規(guī)定的方法執(zhí)行。6檢驗(yàn)規(guī)則6.1檢驗(yàn)分類和檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)分為出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)，檢驗(yàn)項(xiàng)目見表1。表1檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)順序檢驗(yàn)項(xiàng)目要求條款號(hào)試驗(yàn)方法條款號(hào)型式檢驗(yàn)出廠檢驗(yàn)1外觀4.15.2√√2尺寸公差4.25.3√√3表面粗糙度4.35.4√□5XX/TXXXXX—XXXX4倒角4.45.5√□5垂直度4.55.6√□6崩邊、崩口及崩裂4.65.7√√7透光率4.75.8√√8光產(chǎn)額4.85.9√√9能量分辨率4.95.10√√閃爍衰減時(shí)間4.105.11√√輻照硬度4.115.12√□6.2出廠檢驗(yàn)6.2.1組批由同一組成同一批原料在同一條生產(chǎn)線上經(jīng)相同工藝連續(xù)生產(chǎn)的產(chǎn)品組成。6.2.2抽樣方案在同一組批產(chǎn)品中隨機(jī)抽取，抽樣標(biāo)準(zhǔn)按GB/T2828.1-2012中規(guī)定的正常抽樣方法執(zhí)行。6.2.3合格判定檢驗(yàn)結(jié)果符合本標(biāo)準(zhǔn)要求的，則判定該組批產(chǎn)品為合格。如有不合格項(xiàng)，可自同組批產(chǎn)品中加倍抽樣，對(duì)不合格項(xiàng)進(jìn)行復(fù)檢。復(fù)檢結(jié)果如全部合格，則該組批產(chǎn)品為合格；復(fù)檢結(jié)果如仍有不合格，則判定該組批產(chǎn)品為不合格。6.3型式檢驗(yàn)6.3.1檢驗(yàn)時(shí)機(jī)有下列情況之一時(shí)，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)：a)產(chǎn)品定型鑒定或產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)時(shí)；b)正式生產(chǎn)后，如設(shè)備、原材料、工藝有改變，可能影響產(chǎn)品的質(zhì)量時(shí)；c)停產(chǎn)12個(gè)月及以上，恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)；d)批量生產(chǎn)時(shí)，每隔12個(gè)月進(jìn)行一次。6.3.2抽樣方案在同一組批產(chǎn)品中隨機(jī)抽取，抽樣標(biāo)準(zhǔn)按GB/T2828.1-2012規(guī)定的正常抽樣方法執(zhí)行。6.3.3合格判定每個(gè)試樣的各項(xiàng)檢驗(yàn)項(xiàng)目均符合要求，則判型式檢驗(yàn)合格；若有一項(xiàng)不符合要求，則判型式檢驗(yàn)不合格。7標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存7.1包裝6XX/TXXXXX—XXXX7.1.1內(nèi)包裝產(chǎn)品檢驗(yàn)合格后，用無水乙醇將表面擦凈，用電容紙或珍珠紙包覆產(chǎn)品裝入包裝箱內(nèi)，箱內(nèi)縫隙需裝滿輕質(zhì)、柔軟、防震材料（如聚苯乙烯泡沫）作填充物，防止產(chǎn)品松動(dòng)。7.1.2外包裝每批產(chǎn)品應(yīng)有產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)報(bào)告，寫明：供需雙方名稱、產(chǎn)品名稱及規(guī)格、產(chǎn)品批號(hào)、產(chǎn)品數(shù)量、出廠檢驗(yàn)結(jié)果、本標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)、出廠日期。7.2標(biāo)識(shí)產(chǎn)品外包裝上應(yīng)標(biāo)明：a)生產(chǎn)廠家、廠址；b)產(chǎn)品名稱、數(shù)量；c)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)；d)生產(chǎn)日期、保質(zhì)期；e)“小心輕放”、“防潮”、“易碎”等圖標(biāo)。7.3運(yùn)輸產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，不得擠壓，并采取防震、防潮等措施。7.4貯存產(chǎn)品存放在清潔、干燥、無腐蝕的環(huán)境中。7XX/TXXXXX—XXXX附錄A（規(guī)范性附錄）光產(chǎn)額的檢測(cè)A.1檢測(cè)原理按照GB/T13181-2002中的規(guī)定。A.2檢測(cè)裝置與參數(shù)A.2.1檢測(cè)裝置按照GB/T13181-2002中的規(guī)定，具體要求見表B.1。表B.1主要的測(cè)試裝置123A.2.2主要參數(shù)應(yīng)符合表B.2的規(guī)定。表B.2主要的參數(shù)設(shè)置123A.3檢測(cè)條件測(cè)試室應(yīng)具有適當(dāng)?shù)谋芄鈼l件，使用白熾燈照明，室內(nèi)溫度為25℃±5℃。A.4樣品準(zhǔn)備樣品的準(zhǔn)備步驟：a)測(cè)試樣品尺寸為27mm×15mm×2.4mm，27mm×2.4mm的兩個(gè)側(cè)面拋光，其余4個(gè)表面細(xì)磨砂。用無水酒精、無塵紙或脫脂棉把產(chǎn)品端面擦拭干凈；b)采用單層雙面鍍銀反射膜（ESR）包裹除出光面以外的所有晶體表面，樣品出光面與光電倍增管之間采用空氣耦合，耦合面尺寸為27mm×15mm；c)樣品在暗室中靜置12h后，再進(jìn)行測(cè)試。8XX/TXXXXX—XXXXA.5檢測(cè)步驟檢測(cè)步驟如下：a)測(cè)量應(yīng)在樣品和光電倍增管完全避光的金屬暗箱中進(jìn)行；整個(gè)暗箱的內(nèi)壁必須全部涂黑，以防止內(nèi)部光反射；b)用分析純乙醇和無塵紙將加工好的樣品表面擦拭干凈；c)樣品的待耦合面與光電倍增管光窗之間為空氣耦合；d)137Cs放射源用單孔鉛準(zhǔn)直器準(zhǔn)直，孔的直徑為10mm；e)1