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光纖試驗(yàn)方法規(guī)范第45部分:傳輸特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序Measurementmethodsandtestprocedures—Modefielddiameter,MOD)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)IGB/T15972.45—2021 Ⅲ 1 1 1 2 36試驗(yàn)程序 3 3 5附錄A(資料性附錄)本部分與IEC60793-1-45:2017相比的結(jié)構(gòu)變化情況 6附錄B(規(guī)范性附錄)方法A——用直接遠(yuǎn)場(chǎng)法測(cè)量模場(chǎng)直徑的特定要求 7附錄C(規(guī)范性附錄)方法B——用遠(yuǎn)場(chǎng)可變孔徑法測(cè)量模場(chǎng)直徑的特定要求 9附錄D(規(guī)范性附錄)方法C——用近場(chǎng)掃描法測(cè)量模場(chǎng)直徑的特定要求 附錄E(規(guī)范性附錄)方法D——用光時(shí)域反射計(jì)測(cè)量模場(chǎng)直徑的特定要求 附錄F(資料性附錄)采樣數(shù)據(jù)和計(jì)算結(jié)果 Ⅲ——第10部分~第19部分:測(cè)量方法和試驗(yàn)程序總則(對(duì)應(yīng)IEC60793-1-10至IEC60793-1--—第20部分~第29部分:尺寸參數(shù)的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序(對(duì)應(yīng)IEC60793-1-20至IEC60793-——第30部分~第39部分:機(jī)械性能的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序(對(duì)應(yīng)IEC60793-1-30至IEC60793-——第40部分~第49部分:傳輸特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序(對(duì)應(yīng)IEC60793-1-40至IEC60793-——第50部分~第59部分:環(huán)境性能的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序(對(duì)應(yīng)IEC60793-1-50至IEC60793-——第40部分:傳輸特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序衰減;——第41部分:傳輸特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序——第42部分:傳輸特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序——第43部分:傳輸特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序——第44部分:傳輸特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序 ——第47部分:傳輸特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序宏彎損耗;——第49部分:傳輸特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序微分模時(shí)延。本部分為GB/T15972的第45部分。本部分代替GB/T15972.45—2008《光纖試驗(yàn)方法規(guī)范第45部分:傳輸特性和光學(xué)特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序模場(chǎng)直徑》。本部分與GB/T1-—增加了試驗(yàn)裝置的概述(見(jiàn)4.1);——增加了高階模剝除器中對(duì)B6光纖的試樣要求(見(jiàn)4.6);——修改了B1.1至B6類(lèi)型光纖的試樣長(zhǎng)度要求(見(jiàn)5.1,2008年版的5.1);——增加了附錄B中的計(jì)算機(jī)章節(jié)(見(jiàn)B.1.3);——增加了附錄C中對(duì)測(cè)量B6類(lèi)光纖的裝置要求(見(jiàn)C.1.2.2);-—?jiǎng)h除了對(duì)B3類(lèi)光纖的裝置要求(見(jiàn)2008年版的B.1.2.2),——修改了表F.1、表F.2及表F.3中的數(shù)據(jù)(見(jiàn)附錄F,2008年版的表E.1、表E.2及表E.3)。本部分使用重新起草法修改采用IEC60793-1-45:2017《光纖第45部分:測(cè)量方法和試驗(yàn)程序本部分與IEC60793-1-45:2017相比在結(jié)構(gòu)上有較多調(diào)整,附錄A中列出了本部分與IEC60793-●刪除了IEC60793-2(見(jiàn)IEC文件的第2章);●用修改采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的GB/T15972.40—2008代替IEC60793-1-40:2001(見(jiàn)第2章);——?jiǎng)h除了IEC文件第3章“術(shù)語(yǔ)和定義”內(nèi)容和第5章基準(zhǔn)測(cè)第3章和第5章); ——將名稱(chēng)修改為《光纖試驗(yàn)方法規(guī)范第45部分:傳輸特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序模場(chǎng)直1光纖試驗(yàn)方法規(guī)范第45部分:2規(guī)范性引用文件GB/T15972.40—2008光纖試驗(yàn)方法規(guī)范第40部分:傳輸特性和光學(xué)特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)強(qiáng)分布f2(r)來(lái)測(cè)定。不同試驗(yàn)方法之間的數(shù)學(xué)等效性如圖1所示?!椒˙:遠(yuǎn)場(chǎng)可變孔徑法;2—方法C:近場(chǎng)掃描法;方法A是測(cè)量單模光纖模場(chǎng)直徑的基準(zhǔn)試驗(yàn)方法(RTM)。它直接按照彼得曼第二定義,通過(guò)測(cè)方法B是測(cè)量單模光纖模場(chǎng)直徑的替代試驗(yàn)方法(ATM)。它通過(guò)測(cè)量光功率穿過(guò)不同尺寸孔徑方法C是測(cè)量單模光纖模場(chǎng)直徑的替代試驗(yàn)方法(ATM)。它通過(guò)測(cè)量光纖徑向近場(chǎng)圖計(jì)算出單方法D不適合用作測(cè)量未知類(lèi)型和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)光纖的模場(chǎng)直徑。以上四種方法均適用于工作在1310nm波段或1550nm波段的B類(lèi)單模光纖。對(duì)于方法A、方法B和方法C,應(yīng)采用合適的相對(duì)于方法D,見(jiàn)附錄E中的要求。對(duì)于方法A、方法B和方法C,所用光注入裝置對(duì)于方法D,見(jiàn)附錄E中的要求。應(yīng)采用一種方法濾除大于或等于試樣截止波長(zhǎng)范圍內(nèi)的高階模。例如,將被試光纖繞一半徑為30mm的單圈對(duì)于大多數(shù)B1.1至B6類(lèi)型光纖來(lái)說(shuō)通常是足夠的。對(duì)于有些彎曲性能更好的B6類(lèi)光34(1)所示: (1)2Wo——模場(chǎng)直徑,單位為微米(μm);P?(θ)——遠(yuǎn)場(chǎng)光強(qiáng)分布;用遠(yuǎn)場(chǎng)法測(cè)量單模光纖的模場(chǎng)直徑分兩個(gè)步驟。首先測(cè)量出光纖的遠(yuǎn)場(chǎng)光強(qiáng)分布,然后根據(jù)Pe-termannⅡ遠(yuǎn)場(chǎng)定義式,用采集到的遠(yuǎn)場(chǎng)數(shù)據(jù)通過(guò)數(shù)學(xué)程序進(jìn)行積分運(yùn)算,計(jì)算模場(chǎng)直徑。附錄F中提供了用直接遠(yuǎn)場(chǎng)掃描法測(cè)量時(shí)的一組采樣數(shù)據(jù)和模場(chǎng)直徑的計(jì)算結(jié)果。采樣數(shù)據(jù)以疊合遠(yuǎn)場(chǎng)輻射功率Pr(θ)和相應(yīng)的角度函數(shù)θ的形式給出,用這組數(shù)據(jù)可校驗(yàn)已建立的積分運(yùn)算程序的計(jì)算結(jié)果。7.3方法B——遠(yuǎn)場(chǎng)可變孔徑法由遠(yuǎn)場(chǎng)可變孔徑法測(cè)得的互補(bǔ)孔徑功率傳輸函數(shù)α(x)確定模場(chǎng)直徑(2W?)的等效式如公式(2) (2)α(x)——互補(bǔ)孔徑功率傳輸函數(shù),其計(jì)算式如公式(3)所示: (3)P(x)——透過(guò)孔徑光闌的光功率,其孔徑半徑為x,或者遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量角為0;P(max)——透過(guò)最大孔徑的光闌的光功率。 (4)公式(2)的另一個(gè)等效表達(dá)式如公式(5)所示: (5)用遠(yuǎn)場(chǎng)可變孔徑法測(cè)量單模光纖的模場(chǎng)直徑分兩個(gè)步驟:首先測(cè)量出透過(guò)不同尺寸孔徑光闌的遠(yuǎn)場(chǎng)輻射光功率,然后用這些遠(yuǎn)場(chǎng)數(shù)據(jù)通過(guò)數(shù)學(xué)程序計(jì)算模場(chǎng)直徑。計(jì)算模場(chǎng)直徑的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)是基于公式(1)的彼得曼第二定義。公式(2)和公式(5)可以由公式(1)積分推導(dǎo)求出。7.4方法C——近場(chǎng)掃描法由近場(chǎng)光強(qiáng)分布確定模場(chǎng)直徑(2W?)的等效表達(dá)式如公式(6)所示:5計(jì)算模場(chǎng)直徑的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)是基于公式(1)的彼得曼第二定義。近場(chǎng)f(r)和遠(yuǎn)場(chǎng)F(θ)形成一個(gè)漢克爾對(duì)。通過(guò)漢克爾變換和公式Pp=F2(08結(jié)果8.1測(cè)量結(jié)果報(bào)告6(資料性附錄)本部分與IEC60793-1-45:2017相比的結(jié)構(gòu)變化情況本部分與IEC60793-1-45:2017相比在結(jié)構(gòu)上有部分調(diào)整,具體章條對(duì)照情況見(jiàn)表A.1。表A.1本部分與IEC60793-1-45:2017的章條編號(hào)對(duì)照情況11223468附錄A附錄B附錄A附錄C附錄B附錄D附錄E附錄F7附錄B描述了除第4章規(guī)定要求之外的設(shè)備。直接遠(yuǎn)場(chǎng)掃描法的典型試驗(yàn)裝置如圖B.1所示。尾纖光伏模式的PIN光電二極管,由電流輸入測(cè)器光敏面離光纖輸出端面的距離至少要為10mm并保證光檢測(cè)器光敏面的遠(yuǎn)場(chǎng)張角不過(guò)大。為了B.1.3計(jì)算機(jī)8將準(zhǔn)備好的光纖試樣放入試驗(yàn)系統(tǒng)并進(jìn)行對(duì)中,其輸出端對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)器組件并獲得最大功率。啟動(dòng)掃描裝置,以不大于0.5°的等距步進(jìn)量進(jìn)行掃描,記錄每一個(gè)遠(yuǎn)場(chǎng)角度0;處所對(duì)應(yīng)的遠(yuǎn)場(chǎng)光功率P(0?),i為角度的位置序號(hào)。根據(jù)記錄數(shù)據(jù)計(jì)算彼得曼第二定義的積分值,并按7.2中定義式(1)和B.3中的方法,計(jì)算被測(cè)試樣的模場(chǎng)直徑。B.3.1疊合遠(yuǎn)場(chǎng)輻射功率數(shù)據(jù)的確定在0≤0;≤0mx的角度范圍內(nèi),對(duì)兩邊相應(yīng)角度數(shù)據(jù)取平均得到疊合遠(yuǎn)場(chǎng)輻射功率,如公式(B.1)所示:式中:Pg(0?)——疊合遠(yuǎn)場(chǎng)輻射功率;P(0;)——作為角度函數(shù)的遠(yuǎn)場(chǎng)輻射功率,0;為弧度值,第i個(gè)角度記為0;。B.3.2計(jì)算定義公式(1)中的積分項(xiàng)用數(shù)值近似積分方法計(jì)算公式(1)中的積分項(xiàng),公式(B.2)和公式(B.3)是用矩形法近似積分的計(jì)算式,采用其他積分方法時(shí)的計(jì)算精度不得低于該方法。式中:T——頂端積分值;B——底端積分值;Pp(0?)—疊合遠(yuǎn)場(chǎng)輻射功率;0;——第i個(gè)徑向掃描位置上的遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量角(弧度值),其中,dθ=0;+1-0;。B.3.3計(jì)算結(jié)果模場(chǎng)直徑的計(jì)算結(jié)果如公式(B.4)所示。B.4采樣數(shù)據(jù)采樣數(shù)據(jù)和計(jì)算結(jié)果如表F.1所示。9附錄C描述了除第4章規(guī)定要求之外的設(shè)備。遠(yuǎn)場(chǎng)可變孔徑法的典型試驗(yàn)裝置如圖C.1所示。單色儀或單色儀或(必要時(shí))0由不同尺寸圓形孔徑組成的裝置(如孔徑輪)離光纖輸出端的距離至少為100Wo2/λ,這些孔徑一C.1.2.2測(cè)量B1類(lèi)和B6類(lèi)光纖的裝置要求遠(yuǎn)場(chǎng)可變孔徑法對(duì)模場(chǎng)直徑的測(cè)量精度與試驗(yàn)裝置的最大數(shù)值孔徑有關(guān)。對(duì)于B1類(lèi)和B6類(lèi)光纖,當(dāng)試驗(yàn)裝置的最大數(shù)值孔徑為0.25時(shí),典型誤差為1%或更小。a)應(yīng)采用最大數(shù)值孔徑不小于0.35的試驗(yàn)裝置;徑不小于0.35的試驗(yàn)裝置)測(cè)量結(jié)果之間的關(guān)系。C.1.2.3測(cè)量B2、B4和B5類(lèi)光纖的裝置要求對(duì)模場(chǎng)直徑等于或大于6μm的光纖,試驗(yàn)裝置的最大數(shù)值孔徑應(yīng)不小于0.40。C.1.3輸出光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)采用透鏡對(duì)、反光鏡或其他合適的裝置來(lái)匯聚穿過(guò)孔徑的全部傳輸光,并將其耦合至光檢測(cè)器。C.1.4檢測(cè)器組件和信號(hào)檢測(cè)電子系統(tǒng)應(yīng)采用在測(cè)量波長(zhǎng)范圍內(nèi)對(duì)輸出光輻射靈敏的、在接收的光強(qiáng)范圍內(nèi)線(xiàn)性的光檢測(cè)器。典型的系統(tǒng)可包括鍺或銦鎵砷光電二極管和電流輸入前置放大器,并用鎖相放大器進(jìn)行同步檢測(cè)。通常需要計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析。C.2程序C.2.1將制備好的試樣放入輸入和輸出對(duì)中裝置上,并將光纖輸出端調(diào)整到離孔徑組件距離正確的固定位置上。C.2.2將孔徑組件設(shè)置到一個(gè)小孔徑,使孔徑與遠(yuǎn)場(chǎng)圖對(duì)中,得到最大檢測(cè)光功率。C.2.3對(duì)每個(gè)孔徑測(cè)量光功率P(0)。C.2.4重復(fù)測(cè)試每個(gè)指定波長(zhǎng)的光功率。C.2.5按7.3中模場(chǎng)直徑的等效式(2)計(jì)算出被測(cè)試樣的模場(chǎng)直徑。C.3.1確定互補(bǔ)孔徑功率傳輸函數(shù)確定每一個(gè)孔的互補(bǔ)孔徑功率傳輸函數(shù),如公式(C.1)所示:P(θ)——作為角度函數(shù)的孔徑光闌的透光功率,第i個(gè)孔的角度記為θ;。C.3.2積分項(xiàng)計(jì)算用數(shù)值近似積分方法計(jì)算公式(5)中的積分項(xiàng),公式(C.2)是計(jì)算該積分項(xiàng)的一種方法,采用其他積分方法時(shí)的計(jì)算精度不得低于該方法。式中:α(θ;)——用公式(C.1)計(jì)算的互補(bǔ)孔C.3.3計(jì)算結(jié)果模場(chǎng)直徑的計(jì)算結(jié)果如公式(C.3)所示。采樣數(shù)據(jù)和計(jì)算結(jié)果如表F.2所示。D.1裝置附錄D描述了除第4章規(guī)定要求之外的設(shè)備。近場(chǎng)掃描法的典型試驗(yàn)裝置如圖D.1所示。注入注入平面上。此光學(xué)系統(tǒng)不應(yīng)限制成像的數(shù)值孔徑(NA),光學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑應(yīng)大于光纖輸出光輻射的最大數(shù)值孔徑。對(duì)于B2類(lèi)和B3類(lèi)光纖,光學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑應(yīng)不小于0.45,對(duì)Ba)用掃描尾纖對(duì)輸出場(chǎng)圖進(jìn)行掃描的固定光檢測(cè)器,或者帶針孔的掃描光檢測(cè)器。D.2程序D.2.3根據(jù)7.4中模場(chǎng)直徑等效式(6),用光纖輸出端面上的近場(chǎng)光強(qiáng)分布f2(r)計(jì)算出被測(cè)試樣模場(chǎng)直徑。應(yīng)按D.3中的要求考慮放大光學(xué)系統(tǒng)的放大率和實(shí)際坐標(biāo)r的影響。D.2.4放大光學(xué)系統(tǒng)的放大率應(yīng)和掃描系統(tǒng)一起定期進(jìn)行測(cè)量。應(yīng)使用合適的經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的光柵進(jìn)行率和實(shí)際坐標(biāo)r。D.3計(jì)算D.3.2疊合近場(chǎng)功率分布f2(r;)、f2(r_i)———每一掃描點(diǎn)上的近場(chǎng)功率。D.3.3積分項(xiàng)計(jì)算用數(shù)值近似積分方法計(jì)算式(6)中的積分項(xiàng),公式(D.3)和公式(D.4)是計(jì)算該積分項(xiàng)的一種方法,采用其他積分方法時(shí)的計(jì)算精度不得低于該方法。f2(r;)———疊合近場(chǎng)功率。式中:D.3.4計(jì)算結(jié)果模場(chǎng)直徑的計(jì)算結(jié)果如公式(D.5)所示。D.4采樣數(shù)據(jù)采樣數(shù)據(jù)和計(jì)算結(jié)果如表F.3所示。本附錄描述用雙向后向散射技術(shù)(使用光時(shí)域反射計(jì))的測(cè)量結(jié)果計(jì)算光纖端面上模場(chǎng)直徑的用OTDR測(cè)量模場(chǎng)直徑時(shí)僅限于在被測(cè)量樣品與參考樣品的接頭處進(jìn)行,這是因OTDR的測(cè)量是非線(xiàn)性的。OTDR的非線(xiàn)性度指標(biāo)通常由儀器制造商提供。雖然典型的線(xiàn)性度大小對(duì)衰減系數(shù)的波長(zhǎng)的偏差應(yīng)在±2nm以?xún)?nèi),若偏差達(dá)到2.5nm,則在1310nm和1550nm波長(zhǎng)引起的測(cè)量結(jié)果誤可使用光開(kāi)關(guān)提高測(cè)量效率,圖E.1是用被測(cè)光纖接頭A接頭BE.2.4試驗(yàn)樣品纖兩端應(yīng)留出一定長(zhǎng)度以便于測(cè)量。對(duì)試樣進(jìn)一步的要求見(jiàn)GB/T15972.40。E.2.5參考樣品可以通過(guò)測(cè)量如圖E.1中所示的接頭A或接頭B的后向散射損耗特性來(lái)測(cè)定試樣的模場(chǎng)直徑,
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