GB/T 42872-2023 無損檢測 在役汽輪機(jī)葉片超聲檢測和評價(jià)方法（正式版）

ICSCCSGB/T42872—2023無損檢測在役汽輪機(jī)葉片超聲檢測和2023-08-06發(fā)布國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)GB/T42872—2023 I 2規(guī)范性引用文件 2 46缺欠測量和評定 7檢測記錄和報(bào)告 附錄A(規(guī)范性)葉片對比試塊 附錄B(資料性)葉身表面波檢測 附錄C(資料性)叉形葉根表面波檢測 附錄D(資料性)T形葉根橫波檢測 附錄E(資料性)樅樹形葉根表面波檢測 附錄F(資料性)菌形葉根橫波檢測 IGB/T42872—2023本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由全國無損檢測文件化委員會(huì)(SAC/TC56)提出并歸口。本文件起草單位：西安熱工研究院有限公司、上海材料研究所有限公司、國網(wǎng)浙江省電力有限公司電力科學(xué)研究院、江蘇方天電力技術(shù)有限公司、中廣核工程有限公司、安徽華圖電力科技有限公司。王爽。1GB/T42872—2023無損檢測在役汽輪機(jī)葉片超聲檢測和評價(jià)方法本文件規(guī)定了在役汽輪機(jī)葉片應(yīng)用A型脈沖反射式超聲檢測的一般規(guī)定、檢測、缺欠測量和評定測。安裝階段的葉片超聲檢測參照本文件執(zhí)行。下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文GB/T9445無損檢測人員資格鑒定與認(rèn)證GB/T12604.1無損檢測術(shù)語超聲檢測GB/T19799.1無損檢測超聲檢測1號校準(zhǔn)試塊GB/T27664.1無損檢測超聲檢測設(shè)備的性能與檢驗(yàn)第1部分：儀器GB/T27664.2無損檢測超聲檢測設(shè)備的性能與檢驗(yàn)第2部分：探頭GB/T27664.3無損檢測超聲檢測設(shè)備的性能與檢驗(yàn)第3部分：組合設(shè)備JB/T8428無損檢測超聲試塊通用規(guī)范3術(shù)語和定義GB/T12604.1界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1探頭前沿長度frontdistanceofangleprobel斜探頭聲束入射點(diǎn)至探頭前端面的水平距離。3.2外露高度exposedheighth。裝配好的葉片其輪緣外露部分葉根的高度。注：見圖1。2GB/T42872—2023a)肩臺(tái)高度小于或等于0.5mm的叉形葉根b)肩臺(tái)高度大于0.5mm的叉形葉根ho-—外露高度；a——斜面寬度；3.3斜面寬度slopewidtha葉身至葉根的過渡斜面寬度。b。葉根側(cè)面外露部分比其平面部分高出的高度。注：見圖1。4.1.1按本文件從事超聲檢測的人員應(yīng)按GB/T9445或合同各方認(rèn)可的體系進(jìn)行人員資格鑒定和認(rèn)證，取得超聲檢測人員2級或以上資格等級證書，并由雇主或代理對其進(jìn)行葉片超聲檢測的崗位培訓(xùn)和3GB/T42872—2023中部位及失效模式，具有豐富的葉片超聲檢測經(jīng)歷。4.1.3應(yīng)由持有2級或以上資格等級證書的檢測人員審核按本文件出具的檢測報(bào)告。4.2檢測儀器和器材超聲檢測儀工作頻率應(yīng)至少包括0.5MHz～15MHz范圍，時(shí)基線性等主要性能參數(shù)應(yīng)符合GB/T27664.1的規(guī)定。根據(jù)葉片類型選用縱波、橫波或表面波探頭。探頭性能要求應(yīng)符合GB/T27664.2的規(guī)定。推薦的探頭見表1。表1推薦的探頭探頭類別探頭頻率晶片尺寸折射角會(huì)聚區(qū)表面波探頭2.5MHz～5MHz6mm×6mm、8mm×8mm縱波探頭2.5MHz～5MHz小角度縱波探頭2.5MHz～5MHz6°~26°單晶橫波探頭2.5MHz～5MHz35°~68°—雙晶縱波探頭4mm×4mm、6mm×6mm雙晶橫波探頭45°~68°4.2.3超聲檢測儀和探頭的組合性能等。組合性能的測試方法、檢查周期和性能參數(shù)各項(xiàng)指標(biāo)應(yīng)符合GB/T27664.3的規(guī)定。葉片檢測用試塊包括超聲檢測1號校準(zhǔn)試塊、葉片對比試塊和模擬試塊。各類試塊符合以下要求。a)超聲檢測1號校準(zhǔn)試塊，應(yīng)符合GB/T19799.1的規(guī)定，主要用于超聲檢測儀、探頭及組合性能b)葉片對比試塊，采用2Cr13馬氏體鋼或與被檢葉片聲學(xué)性能相同、相近的材質(zhì)制作，主要用于調(diào)節(jié)檢測靈敏度。試塊形狀和尺寸應(yīng)符合附錄A的規(guī)定。c)模擬試塊，包含了模擬或真實(shí)缺欠，主要用于置與被檢葉片中可能存在的缺欠及狀態(tài)吻合。試塊的外形結(jié)構(gòu)、材質(zhì)和聲學(xué)特性、表面狀況均應(yīng)與被檢葉片相同或相近。鑒于葉根結(jié)構(gòu)復(fù)雜，形式與尺寸繁多，葉根模擬試塊也可用于缺欠的輔助判斷。d)每年應(yīng)對超聲檢測1號校準(zhǔn)試塊、葉片對比試塊和模擬試塊的表面狀態(tài)進(jìn)行核查。4GB/T42872—20234.3.2根據(jù)葉片的實(shí)際狀態(tài)，確定被檢葉片的檢測范圍。葉身采用表面波法進(jìn)行檢測。葉根根據(jù)實(shí)際4.4.1每次檢測開始前，應(yīng)用超聲檢測1號校準(zhǔn)試塊調(diào)節(jié)儀器，并按照5.1規(guī)定的方法用葉片對比試塊調(diào)節(jié)檢測靈敏度。4.4.2每次檢測結(jié)束時(shí)或連續(xù)檢測時(shí)間超過4h,應(yīng)對檢測儀器的時(shí)基線性和靈敏度進(jìn)行復(fù)核。如發(fā)現(xiàn)時(shí)基線性偏差大于1%或靈敏度偏差值大于2dB,應(yīng)執(zhí)行以下規(guī)定：a)時(shí)基線性復(fù)核，如發(fā)現(xiàn)時(shí)基線性偏移大于1%時(shí)，應(yīng)及時(shí)修正，并對該儀器前次核查后檢測的全部葉片重新檢測。b)靈敏度復(fù)核，如靈敏度偏差值大于2dB且小于或等于4dB,應(yīng)及時(shí)修正；如靈敏度增加值大5檢測用葉片對比試塊，按聲程或深度調(diào)整掃描速度。推薦掃描速度和檢測范圍見表2。表2推薦掃描速度和檢測范圍探頭類別推薦掃描速度檢測范圍表面波探頭聲程定位1:1或1:2單晶縱波探頭深度定位1:1或1:2小角度縱波探頭深度定位1:1或1:2單晶橫波探頭深度定位1:1或1:2雙晶橫波探頭深度定位1:1雙晶縱波探頭深度定位1:15.1.2距離-波幅曲線(DAC曲線)檢測前應(yīng)按以下要求制作距離-波幅曲線(DAC曲線):5GB/T42872—2023a)表面波法：用葉片對比試塊深度為1mm的矩形槽，依次將距離探頭10mm、20mm、40mm、80mm、160mm、200mm處矩形槽的最高回波調(diào)至滿屏的80%,制作距離-波幅曲線；b)單晶縱波和小角度縱波法：用葉片對比試塊，根據(jù)葉根實(shí)際幾何尺寸，制作不同深度φ1mm橫孔的距離-波幅曲線；c)單晶橫波法：用葉片對比試塊，根據(jù)葉根實(shí)際幾何尺寸，制作不同深度φlmm橫孔的距離-波d)雙晶橫波法參照單晶橫波法，雙晶縱波法參照單晶縱波法。靈敏度設(shè)置見表3。表3靈敏度設(shè)置檢測方法檢測靈敏度判廢靈敏度表面波探頭法DAC-20DAC-10單晶縱波探頭法DAC-20DAC-14小角度縱波探頭法DAC-18DAC-12單晶橫波探頭法DAC-6DAC檢測范圍內(nèi)最大聲程處的檢測靈敏度曲線高度不應(yīng)低于滿屏的20%。葉片的表面耦合損失和材質(zhì)衰減應(yīng)與葉片對比試塊相同，否則應(yīng)測量聲能傳輸損耗差值并進(jìn)行補(bǔ)雙晶橫波探頭法靈敏度按照表3單晶橫波探頭法靈敏度進(jìn)行設(shè)置；雙晶縱波探頭法靈敏度按照表3單晶縱波探頭法靈敏度進(jìn)行設(shè)置，探頭移動(dòng)方向應(yīng)與探頭的隔聲層相垂直。5.2葉片葉身檢測5.2.1葉身檢測應(yīng)用表面波探頭，探頭平行置于葉身進(jìn)汽側(cè)、出汽側(cè)邊沿，分段對葉身邊沿全覆蓋掃查，每段不應(yīng)大于200mm,掃查時(shí)探頭作15°左右擺動(dòng)，從葉頂至葉根側(cè)做單向掃查，有懷疑時(shí)也可做程波幅衰減不應(yīng)低于60%。探頭放置位置示意見圖2。標(biāo)引說明：F--——裂紋。圖2葉身表面波探頭放置位置示意圖5.2.2表面波檢測葉身典型部位波形示意見圖3。表面波檢測葉身實(shí)際裂紋的反射回波見附錄B。6GB/T42872—2023a)葉身葉頂端面波形示意圖b)葉身裂紋和葉頂端面波形示意圖B——葉頂端面反射波；F——裂紋反射波。圖3葉身表面波檢測典型部位反射波形示意圖5.3叉形葉根檢測5.3.1叉形葉根分為騎縫鉚孔叉形葉根、中心鉚孔叉形葉根，裂紋易發(fā)生在靠近葉身側(cè)的鉚孔旁葉根最小截面處。根據(jù)葉根外露高度ho、肩臺(tái)高度b?、肩臺(tái)型式和探頭前沿長度l。,可選擇表面波、橫波或縱波探頭，探頭具體選擇方法和放置位置見表4,放置位置示意見圖4。表4叉形葉根檢測探頭選擇和放置位置檢測條件探頭選擇探頭放置位置表面波探頭、橫波探頭探頭置于圖4a)位置I表面波探頭、橫波探頭、縱波探頭探頭置于圖4a)位置Ⅱ或Ⅲ橫波探頭探頭置于圖4b)位置IV肩臺(tái)為凹弧面橫波探頭、縱波探頭探頭置于圖4a)位置Ⅱ或Ⅲa)肩臺(tái)高度小于或等于0.5mm和肩臺(tái)為凹弧面的葉根圖4叉形葉根檢測探頭放置位置示意圖7GB/T42872—2023標(biāo)引說明：ho——外露尺寸；a——斜面寬度；b)肩臺(tái)高度大于0.5mm的葉根b?——肩臺(tái)高度；5.3.2.2用表面波或縱波探頭檢測，移動(dòng)探頭找到葉根端面反射波后，探頭垂直葉根移動(dòng)并作15°左右擺動(dòng)，探頭放置位置示意見圖4a),移動(dòng)方向示意見圖5。標(biāo)引說明：B—-—葉根端面；F?—--上鉚孔裂紋；F?——下鉚孔裂紋。圖5騎縫鉚孔叉形葉根表面波探頭或縱波探頭移動(dòng)位置示意圖5.3.2.3表面波或縱波探頭移動(dòng)至不同位置的典型波形示意見圖6,表面波與縱波檢測的典型位置波形示意圖相似。表面波檢測騎縫鉚孔叉形葉根實(shí)際裂紋的反射回波見附錄C。a)上鉚孔反射波形示意圖b)上鉚孔和上鉚孔裂紋反射波形示意圖8GB/T42872—2023c)上鉚孔裂紋反射波形示意圖g)下鉚孔裂紋反射波形示意圖d)上鉚孔裂紋和葉根端面反射波形示意圖f)下鉚孔裂紋和葉根端面反射波形示意圖h)下鉚孔和下鉚孔裂紋信號波形示意圖A——上鉚孔反射波；B——葉根端面反射波；圖6騎縫鉚孔叉形葉根表面波或縱波反射波形示意圖(續(xù))位置示意見圖4和圖7,移動(dòng)方向示意見圖5。9F?——上鉚孔裂紋；F?---下鉚孔裂紋。圖7騎縫鉚孔叉形葉根橫波探頭放置位置示意圖5.3.2.5橫波探頭移動(dòng)至不同位置典型波形示意見圖8。a)上鉚孔反射波形示意圖b)上鉚孔裂紋反射波形示意圖c)下鉚孔裂紋反射波形示意圖d)下鉚孔反射波形示意圖標(biāo)引說明：A—上鉚孔反射波；C——下鉚孔反射波；F?——下鉚孔裂紋反射波。圖8騎縫鉚孔叉形葉根橫波反射波形示意圖5.3.3中心鉚孔叉形葉根檢測5.3.3.1中心鉚孔叉形葉根的鉚孔位于葉根的橫向中間位置，見圖9。5.3.3.2用表面波或縱波探頭檢測，移動(dòng)探頭找到鉚孔反射波后，探頭垂直葉根移動(dòng)并作15°左右擺動(dòng)，探頭放置位置示意見圖4a),移動(dòng)方向示意見圖9。GB/T42872—2023F?——上鉚孔裂紋；F?——下鉚孔裂紋。圖9中心鉚孔叉形葉根表面波或縱波探頭移動(dòng)位置示意圖5.3.3.3表面波或縱波探頭移動(dòng)至不同位置的典型波形示意見圖10,表面波與縱波檢測的典型位置波形示意圖相似。a)上鉚孔反射波形示意圖c)上鉚孔和上鉚孔裂紋反射波形示意圖e)下鉚孔裂紋反射波形示意圖標(biāo)引說明：A——上鉚孔反射波；F?——上鉚孔裂紋反射波；F?——下鉚孔裂紋反射波。b)上鉚孔裂紋反射波形示意圖d)上鉚孔和下鉚孔裂紋反射波形示意圖f)葉根端面反射波形示意圖圖10中心鉚孔叉形葉根表面波或縱波反射波形示意圖GB/T42872—2023置位置示意見圖4,移動(dòng)方向參見圖9。5.3.3.5橫波探頭移動(dòng)至不同位置典型波形示意見圖11。a)上鉚孔反射波形示意圖b)上鉚孔裂紋反射波形示意圖c)下鉚孔裂紋反射波形示意圖A——上鉚孔反射波；F?—-上鉚孔裂紋反射波；圖11中心鉚孔叉形葉根橫波反射波形示意圖5.4T形葉根檢測5.4.1T形葉根分為單T形和雙T形，探頭選擇和放置位置見表5。表5T形葉根檢測探頭選擇和放置位置肩臺(tái)類型探頭選擇探頭放置位置帶肩臺(tái)縱波探頭、小角度縱波探頭或表面波探頭內(nèi)(外)弧肩臺(tái)帶肩臺(tái)橫波探頭內(nèi)弧肩臺(tái)無肩臺(tái)表面波探頭內(nèi)(外)弧面5.4.2用縱波或6°~18°的小角度縱波探頭檢測，探頭放置于葉身底部有限的內(nèi)弧(或外弧)肩臺(tái)，放置位置見圖12。檢測時(shí)探頭垂直葉根移動(dòng)。GB/T42872—2023a)單T形葉根探頭放置位置圖b)雙T形葉根探頭放置位置圖標(biāo)引說明：圖12T形葉根縱波探頭放置位置和移動(dòng)位置示意圖5.4.3縱波或6°~18°的小角度縱波探頭移動(dòng)至不同位置典型波形示意見圖13,單T形和雙T形葉根檢測的典型位置波形示意圖相似。因裂紋F?和F?的遮擋，可能使葉根端面B回波的降低或消失；上端角裂紋F?和上臺(tái)階端面B?聲程相近。a)上臺(tái)階端面多次反射波形示意圖b)上端角裂紋多次反射和葉根端面波形示意圖F、F?2、F?3——上端角裂紋F?多次反射波；F?——下端角裂紋反射波。圖13T形葉根縱波或6°~18°的小角度縱波反射波形示意圖GB/T42872—20235.4.4用橫波或19°~26°的小角度縱波探頭檢測，探頭放置于葉身底部內(nèi)弧肩臺(tái)，放置位置見圖14,單T形和雙T形葉根的檢測方法相同。檢測時(shí)探頭正對上臺(tái)階R?角找到反射波后，移動(dòng)探頭并作15°左右擺動(dòng)。a)單T形葉根探頭正對R?位置示意圖R?-—上臺(tái)階倒角；圖14T形葉根橫波探頭放置位置和移動(dòng)位置示意圖5.4.5橫波或19°~26°的小角度縱波探頭檢測上臺(tái)階倒角R?和上端角裂紋F?的典型波形示意見圖15,單T形和雙T形葉根的典型位置波形示意圖相似。當(dāng)裂紋F?存在時(shí)，影響了R?反射波，使R?反射波降低或消失。橫波檢測T形葉根實(shí)際裂紋的反射回波見附錄D。a)上臺(tái)階倒角R?反射波形示意圖b)上端角裂紋F?和上臺(tái)階倒角R?F?-—上端角裂紋反射波。圖15T形葉根橫波或19°~26°小角度縱波探頭反射波形示意圖5.4.6用表面波探頭檢測，探頭放置于帶肩臺(tái)葉根的肩臺(tái)處或無肩臺(tái)葉根的葉身與葉根過渡處，從葉片的葉身向葉根方向檢測，檢測時(shí)探頭左右移動(dòng)并作15°擺動(dòng)，找到上臺(tái)階B?反射波后，探頭垂直葉根移動(dòng)，放置位置和移動(dòng)方向示意見圖16。因裂紋F?和F?的遮擋，可能使葉根端面B回波的降低或消失；上端角裂紋F?和上臺(tái)階端面B?聲程相近。GB/T42872—2023a)帶肩臺(tái)單T形葉根探頭放置位置示意圖c)帶肩臺(tái)雙T形葉根探頭放置位置示意圖e)帶肩臺(tái)單T形葉根探頭移動(dòng)位置示意圖標(biāo)引說明：B——葉根端面；F?-—上端角裂紋；F?——下端角裂紋。b)無肩臺(tái)單T形葉根探頭放置位置示意圖d)無肩臺(tái)雙T形葉根探頭放置位置示意圖f)無肩臺(tái)單T形葉根探頭移動(dòng)位置示意圖h)無肩臺(tái)雙T形葉根探頭移動(dòng)位置示意圖圖16T形葉根表面波探頭放置位置和移動(dòng)方向示意圖5.4.7表面波探頭移動(dòng)至不同位置典型波形示意見圖17,單T形和雙T形葉根典型位置波形示意圖相似。GB/T42872—2023a)肩臺(tái)和上臺(tái)階端面反射波形示意圖c)肩臺(tái)、上端角裂紋和葉根端面反射波形示意圖e)肩臺(tái)和葉根端面反射波形示意圖g)肩臺(tái)、下端角裂紋和葉根端面反射波形示意圖標(biāo)引說明：B——葉根端面反射波；B?——肩臺(tái)反射波；B?——葉根上臺(tái)階端面反射波；F?——上端角裂紋反射波；F?——下端角裂紋反射波。b)上臺(tái)階端面反射波形示意圖d)上端角裂紋和葉根端面反射波形示意圖f)葉根端面反射波形示意圖h)下端角裂紋和葉根端面反射波形示意圖GB/T42872—2023表6樅樹形葉根探頭選擇和探頭放置位置葉根裝配形式探頭選擇探頭放置位置切向裝配橫波探頭外露肩臺(tái)切向裝配表面波探頭葉身與葉根過渡處軸向裝配表面波探頭葉根外露面5.5.2用橫波探頭檢測，探頭放置于進(jìn)汽側(cè)的外露肩臺(tái)上，所用橫波探頭的聲束宜覆蓋前二齒，前后移動(dòng)探頭找到第二齒B2最強(qiáng)反射波后，移動(dòng)探頭并作15°左右擺動(dòng)，第一齒無裂紋和有裂紋的聲束覆蓋示意見圖18。a)無裂紋示意圖b)第一齒裂紋示意圖B?——葉根第一齒；B?——葉根第二齒；圖18切向裝配樅樹形葉根橫波檢測探頭放置示意圖5.5.3橫波檢測無裂紋和第一齒裂紋的典型波形示意見圖19,當(dāng)?shù)谝积X存在裂紋時(shí)，遮擋了后齒的反射波。a)無裂紋反射波形示意圖B?——葉根第一齒反射波；F?——第一齒裂紋反射波。圖19切向裝配樅樹形葉根橫波檢測反射波形示意圖5.5.4用表面波探頭檢測，切向裝配葉根探頭放置于葉身與葉根過渡處，軸向裝配葉根探頭放置于葉根外露面，移動(dòng)探頭找到葉根端面最強(qiáng)反射波后，移動(dòng)探頭并作15°左右擺動(dòng)，探頭放置位置和移動(dòng)方向示意見圖20。a)切向裝配葉根探頭放置位置示意圖b)切向裝配葉根探頭移動(dòng)位置示意圖c)軸向裝配葉根探頭放置位置示意圖d)軸向裝配葉根探頭移動(dòng)位置示意圖B—-—葉根端面；圖20樅樹形葉根表面波探頭放置和移動(dòng)位置示意圖5.5.5表面波探頭移動(dòng)至不同位置典型波形示意見圖21,切向裝配和軸向裝配葉根的典型位置波形示意圖相似。表面波檢測樅樹形葉根實(shí)際裂紋的反射回波見附錄E。a)葉根端面反射波形示意圖b)第一齒裂紋反射波形示意圖B——葉根端面反射波；F?——第一齒裂紋反射波。圖21樅樹形葉根表面波探頭反射波形示意圖5.6菌形葉根檢測5.6.1菌形葉根分為帶汽封和不帶汽封兩種類型葉根，探頭選擇和放置位置見表7。GB/T42872—2023葉根形式探頭選擇探頭放置位置帶汽封縱波探頭、小角度縱波探頭汽封處帶汽封橫波探頭葉根側(cè)面不帶汽封橫波探頭葉根側(cè)面5.6.2用縱波或小角度縱波探頭檢測，探頭放置于汽封處，移動(dòng)探頭找到B和B?反射波同時(shí)出現(xiàn)，第一齒無裂紋和有裂紋的聲束覆蓋示意見圖22。a)無裂紋示意圖b)第一齒裂紋示意圖標(biāo)引說明：B———葉根端面；B?—-—葉根第一齒；F?——裂紋。5.6.3縱波或小角度縱波檢測無裂紋和有裂紋的典型波形示意見圖23。當(dāng)存在裂紋F?時(shí)，遮擋了B?的反射波，使B?降低或消失。a)無裂紋反射波形示意圖b)第一齒裂紋反射波形示意圖標(biāo)引說明：B—--—葉根端面反射波；B?——葉根第一齒反射波；F?—-—裂紋反射波。5.6.4用橫波探頭檢測，探頭放置于葉根側(cè)面，移動(dòng)探頭找到倒角R?和R?反射波同時(shí)出現(xiàn)，第一齒無裂紋和有裂紋的聲束覆蓋示意見圖24,帶汽封和不帶汽封葉根的檢測方法相同。GB/T42872—2023a)帶汽封菌形葉根無裂紋示意圖b)帶汽封菌形葉根有裂紋示意圖c)不帶汽封菌形葉根無裂紋示意圖d)不帶汽封菌形葉根有裂紋示意圖圖24菌形葉根橫波聲束覆蓋示意圖5.6.5橫波檢測第一齒無裂紋和有裂紋的典型波形示意見圖25。當(dāng)?shù)谝积X存在裂紋F?時(shí)，影響了R?反射波，遮擋了R?反射波，使R?和R?反射波降低或消失。橫波檢測菌形葉根實(shí)際裂紋的反射回波見附錄F。a)無裂紋反射波形示意圖b)第一齒存在裂紋時(shí)反射波形示意圖圖25菌形葉根橫波檢測反射波形示意圖6缺欠測量和評定6.1掃查時(shí)對照第5章的波形示意圖識(shí)別缺欠信號，記錄波幅超過表3中檢測的缺欠，并測量長度。6.2缺欠指示長度用半波高度法(—6dB法)進(jìn)行測定。6.3根據(jù)典型波形示意圖判斷缺欠性質(zhì)，也可通過模擬試塊輔助判斷缺欠性質(zhì)。檢測結(jié)果符合以下條件之一時(shí)評定為缺陷：GB/T42872—2023a)評定為裂紋的缺欠；b)波幅超過表3中判廢的缺欠。7檢測記錄和報(bào)告應(yīng)按照現(xiàn)場檢測的實(shí)際情況詳細(xì)記錄檢測過程的有關(guān)信息和數(shù)據(jù)。檢測報(bào)告至少包括以下信息。a)委托單位。b)被檢葉片特征：3)葉根類型；4)表面狀態(tài)；g)試塊。h)耦合劑。j)掃查區(qū)位置。k)靈敏度設(shè)定方法及其數(shù)值。m)按規(guī)定給出缺欠評定結(jié)論。n)本文件編號。GB/T42872—2023(規(guī)范性)葉片對比試塊A.1葉片對比試塊圖A.1葉片對比試塊A.2技術(shù)要求A.2.1試塊用2Cr13馬氏體鋼或與被檢葉片聲學(xué)性能相同、相似材質(zhì)加工制作，熱處理狀態(tài)為正火處理，晶粒度7級～8級。A.2.3試塊的其他制作要求應(yīng)符合JB/T8428的規(guī)定。A.2.4試塊應(yīng)提供符合性質(zhì)量證明文件。A.2.5試塊縱波聲速范圍為(5850±50)m/s。GB/T42872—2023(資料性)葉身表面波檢測B.1距離-波幅曲線用葉片對比試塊深度為1mm的矩形槽，依次將距離探頭10mm、20mm、40mm、80mm、160mm、200mm處矩形槽的最高回波調(diào)至滿屏的80%,制作距離-波幅曲線后按照表3進(jìn)行靈敏度設(shè)通道Do5M回動(dòng)態(tài)傳送返回動(dòng)態(tài)傳送圖B.1距離-波幅曲線B.2反射回波探頭平行置于葉身進(jìn)汽側(cè)邊沿，分段對葉身邊沿全覆蓋掃查，每段不應(yīng)大于200mm,掃查時(shí)探頭作15°左右擺動(dòng)。當(dāng)葉身存在裂紋時(shí)，反射回波見圖B.2。通道D05增益(2.050.6dB動(dòng)態(tài)傳送圖B.2葉身裂紋反射回波GB/T42872—2023(資料性)叉形葉根表面波檢測C.1距離-波幅曲線用葉片對比試塊深度為1mm的矩形槽，依次將距離探頭10mm、20mm、40mm、80mm、160mm、200mm處矩形槽的最高回波調(diào)至滿屏的80%,制作距離-波幅曲線后按照表3進(jìn)行靈敏度設(shè)C.2反射回波C.2.1表面波探頭放置于騎縫鉚孔叉形葉根側(cè)外露面，移動(dòng)探頭并作15°左右擺動(dòng)找到葉根端面B最強(qiáng)反射波，探頭放置位置及葉根端面B結(jié)構(gòu)反射回波見圖C.1。0.0000.000增益(2.0+0.0平動(dòng)態(tài)傳送返回a)探頭正對葉根端面B位置示意圖b)葉根端面B結(jié)構(gòu)反射回波圖C.1葉根端面B結(jié)構(gòu)反射回波C.2.2移動(dòng)探頭找到上鉚孔端角A結(jié)構(gòu)反射回波，探頭放置位置及上鉚孔端角A結(jié)構(gòu)反射回波見a)探頭正對上鉚孔端角A位置示意圖01190119動(dòng)態(tài)傳送增益(2.01→返b)上鉚孔端角A結(jié)構(gòu)反射回波圖C.2上鉚孔端角A結(jié)構(gòu)反射回波C.2.3當(dāng)上鉚孔存在裂紋F?時(shí)，上鉚孔端角A結(jié)構(gòu)反射回波后出現(xiàn)裂紋F?反射回波，遮擋了葉根端面B結(jié)構(gòu)反射回波，使葉根端面B結(jié)構(gòu)反射回波降低或消失，探頭放置位置及上鉚孔裂紋F?反射回波見GB/T42872—2023通道D05抑制00xa)探頭正對上鉚孔裂紋F?位置示意圖b)上鉚孔裂紋F?反射回波C.2.4移動(dòng)探頭找到下鉚孔端角C結(jié)構(gòu)反射回波，探頭放置位置及下鉚孔端角C結(jié)構(gòu)反射回波見抑制002增益2.0) 逆續(xù)傳送動(dòng)態(tài)傳送逆續(xù)傳送動(dòng)態(tài)傳送a)探頭正對下鉚孔端角C位置示意圖b)下鉚孔端角C結(jié)構(gòu)反射回波圖C.4下鉚孔端角C結(jié)構(gòu)反射回波B結(jié)構(gòu)反射回波，使葉根端面B結(jié)構(gòu)反射回波降低或消失，探頭放置位置及下鉚孔裂紋F?反射回波見p000p0000·122通道Do5抑制00x→SL+1.8dF6a)探頭正對下鉚孔裂紋F?位置示意圖b)下鉚孔裂紋F?反射回波圖C.5下鉚孔裂紋F?反射回波GB/T42872—2023(資料性)T形葉根橫波檢測D.1距離-波幅曲線進(jìn)行靈敏度設(shè)置，見圖D.1。增益(2.0M12.8SL-44,2里連續(xù)傳送圖D.1距離-波幅曲線D.2反射回波D.2.1橫波探頭放置于葉身底部內(nèi)弧肩臺(tái)，檢測時(shí)探頭正對上臺(tái)階倒角R?,找到R?結(jié)構(gòu)反射回波后移動(dòng)探頭并作15°左右擺動(dòng)，探頭放置位置及R?結(jié)構(gòu)反射回波見圖D.2。000000000-108通道D04抑制00x蕊Y13.9動(dòng)態(tài)傳送逗回a)單T形葉根探頭正對R?位置示意圖b)R?角結(jié)構(gòu)反射回波圖D.2T形葉根上臺(tái)階倒角R?結(jié)構(gòu)反