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第10部分:衍射時(shí)差法超聲檢測(cè) 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語(yǔ)和定義 3624一般要求 5檢測(cè)工藝參數(shù)的選擇和設(shè)置 7檢測(cè)數(shù)據(jù)的分析和解釋 3788缺陷評(píng)定與質(zhì)量分級(jí) 9檢測(cè)記錄和報(bào)告 附錄A(資料性附錄)不等厚工件的檢測(cè) 附錄C(資料性附錄)儀器和探頭組合的-12dB聲束擴(kuò)散角測(cè)量方法 附錄D(規(guī)范性附錄)其他結(jié)構(gòu)形式的對(duì)比試塊 附錄E(資料性附錄)典型TOFD圖像 第2部分:射線(xiàn)檢測(cè); 第3部分:超聲檢測(cè); 第4部分:磁粉檢測(cè); 第7部分:目視檢測(cè); 第8部分:泄漏檢測(cè); 第12部分:漏磁檢測(cè); 增加了資料性附錄A“不等厚工件的檢測(cè)” 本部分起草單位:中國(guó)特種設(shè)備檢測(cè)研究院、合肥通用機(jī)械研究院承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)第10部分:衍射時(shí)差法超聲檢測(cè)1.1NB/T47013的本部分規(guī)定了承壓設(shè)備采用衍射時(shí)差法超聲檢測(cè)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TOFD”)的方法和質(zhì)量分級(jí)要求。1.2本部分適用于同時(shí)具備下列條件的焊接接頭:a)材料為低碳鋼或低合金鋼;b)全焊透結(jié)構(gòu)型式的對(duì)接接頭;c)工件公稱(chēng)厚度t:12mm≤t≤400mm(不包括焊縫余高,焊縫兩側(cè)母材公稱(chēng)厚度不同時(shí),取薄側(cè)公稱(chēng)厚度值)。1.3對(duì)于基材(材質(zhì)為低碳鋼或低合金鋼)公稱(chēng)厚度大于或等于12mm的承壓設(shè)備用不銹鋼-鋼復(fù)合板、鈦-鋼復(fù)合板、鋁-鋼復(fù)合板和鎳-鋼復(fù)合板,從基材側(cè)進(jìn)行的對(duì)基材對(duì)接接頭的TOFD檢測(cè)可參照本部分使用;若從覆材側(cè)對(duì)基材對(duì)接接頭進(jìn)行TOFD檢測(cè),也可參照本部分使用,但應(yīng)先對(duì)超聲波聲束可能通過(guò)的區(qū)域用直探頭按NB/T47013.3的規(guī)定進(jìn)行檢測(cè),不得有大于或等于φ2mm平底孔當(dāng)量直徑的未結(jié)合。1.4對(duì)于基材(材質(zhì)為低碳鋼或低合金鋼)公稱(chēng)厚度大于或等于12mm的承壓設(shè)備用奧氏體不銹鋼、鎳合金等堆焊層承壓設(shè)備,從基材側(cè)進(jìn)行的對(duì)基材對(duì)接接頭的TOFD檢測(cè)可參照本部分使用。1.5對(duì)于與承壓設(shè)備有關(guān)的支撐件和結(jié)構(gòu)件,可參照本部分使用;對(duì)于其他細(xì)晶各向同性和低聲衰減金屬材料,也可參照本部分使用,但應(yīng)考慮聲特性的變化;對(duì)于插人式接管角接接頭,滿(mǎn)足本部分所要求的檢測(cè)條件時(shí),可參照使用。1.6當(dāng)焊接接頭兩側(cè)母材公稱(chēng)厚度不相等時(shí),可參照附錄A進(jìn)行檢測(cè)。2規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。無(wú)損檢測(cè)術(shù)語(yǔ)超聲檢測(cè)無(wú)損檢測(cè)超聲檢測(cè)設(shè)備的性能與檢驗(yàn)第1部分:儀器無(wú)損檢測(cè)超聲檢測(cè)設(shè)備的性能與檢驗(yàn)第2部分:探頭承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)第1部分:通用要求承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)第2部分:射線(xiàn)檢測(cè)承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)第3部分:超聲檢測(cè)承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)第4部分:磁粉檢測(cè)承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)第5部分:滲透檢測(cè)承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)第6部分:渦流檢測(cè)無(wú)損檢測(cè)超聲試塊通用規(guī)范超聲探傷用探頭性能測(cè)試方法NB/T47013.10—2015底面反射波backwallecho度方向(X軸)運(yùn)動(dòng)的掃查方式,見(jiàn)圖2。x初始底面盲區(qū)高度originalheightof以非平行掃查時(shí)檢測(cè)區(qū)域邊界處的底面盲區(qū)高度值表征,見(jiàn)圖6中h?。初始掃查面盲區(qū)高度originalheightof以非平行掃查時(shí)TOFD探頭對(duì)中心線(xiàn)處的掃查面盲區(qū)高度值表征,見(jiàn)圖7中h?(假定直通波寬度為2周)。A掃描信號(hào)A-scansignalTOFD圖像TOFDimageTOFD圖像中,由于工件結(jié)構(gòu)(例如焊縫余高或根部)或者材料冶金成分的偏差(例如鐵素體基材和奧氏體覆蓋層的界面)引起的顯示為非相關(guān)顯示。缺陷深度f(wàn)lawdepth缺陷上端點(diǎn)與掃查面間的最短距離,見(jiàn)圖8中d。圖8缺陷長(zhǎng)度1、缺陷深度d?和缺陷自身高度h缺陷自身高度f(wàn)lawheight沿X軸方向的某位置,缺陷在Z軸投影間的距離最大值,見(jiàn)圖8中h。4一般要求4.1.1從事TOFD檢測(cè)的人員應(yīng)當(dāng)符合NB/T474.1.2TOFD檢測(cè)人員應(yīng)熟悉所使用的TOFD檢測(cè)設(shè)備器材。4.1.3TOFD檢測(cè)人員應(yīng)具有實(shí)際檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)并掌握一定的承壓設(shè)備結(jié)構(gòu)及制造基礎(chǔ)知識(shí)。4.2檢測(cè)設(shè)備和器材4.2.1檢測(cè)設(shè)備4.2.1.1檢測(cè)設(shè)備包括儀器、探頭、掃查裝置和附件,附件是實(shí)現(xiàn)設(shè)備檢測(cè)功能所需的其他物件;器材包括試塊和耦合劑等。4.2.1.2儀器和探頭應(yīng)符合其相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,具有產(chǎn)品質(zhì)量合格證明文件。儀器合格證明文件中至少應(yīng)給出預(yù)熱時(shí)間、低電壓報(bào)警或低電壓自動(dòng)關(guān)機(jī)電壓、發(fā)射脈沖重復(fù)頻率、有效輸出阻抗、發(fā)射脈沖電壓、發(fā)射脈沖寬度(采用方波脈沖作為發(fā)射脈沖的)以及接收電路頻帶等主要性能參數(shù);探頭產(chǎn)品質(zhì)量合格證中至少應(yīng)給出中心頻率、電阻抗或靜電容、相對(duì)脈沖回波靈敏度和頻帶相對(duì)寬度等主要性能參數(shù)。4.2.1.3檢測(cè)儀器、探頭及其組合性能的要求4.2.1.3.1檢測(cè)儀器4.2.1.3.1.1儀器至少應(yīng)具有超聲波發(fā)射、接收、放大、數(shù)據(jù)自動(dòng)采集、記錄、顯示和分析功能,其電氣性能和功能應(yīng)滿(mǎn)足附錄B的要求并提供證明文件,電氣性能測(cè)試方法參照GB/T27664.1的4.2.1.3.1.2按超聲波發(fā)射和接收的通道數(shù),檢測(cè)儀器可分為單通道和多通道儀器。a)新購(gòu)置的TOFD儀器和(或)探頭;4.2.1.3.3.3水平線(xiàn)性不大于1%,垂直線(xiàn)性不大于5%。衍射信號(hào)幅度達(dá)到滿(mǎn)屏的50%,并有8dB以上的信噪比。對(duì)比試塊:適用于厚度為12mm≤t≤50mm工件檢測(cè),見(jiàn)圖10;對(duì)比試塊:適用于厚度為12mm≤t≤100mm工件檢測(cè),見(jiàn)圖11;對(duì)比試塊:適用于厚度為12mm≤t≤200mm工件檢測(cè),見(jiàn)圖12;圖11TOFD-C對(duì)比試塊φ4φ4φ5φ5φ5φ6φ6寸圖12TOFD-D對(duì)比試塊圖13TOFD-E對(duì)比試塊b)對(duì)比試塊厚度應(yīng)為工件厚度的0.9倍~1.3倍且兩者間最大差值不大于25mm;A—AA4.2.3.2.9聲束擴(kuò)散角測(cè)定試塊4.2.3.2.9.1聲束擴(kuò)散角測(cè)定試塊用于測(cè)定檢測(cè)儀器和探頭組合的實(shí)際-124.2.3.2.9.2聲束擴(kuò)散角測(cè)定試塊見(jiàn)圖15。散角(儀器和探頭組合的-12dB聲束擴(kuò)散角測(cè)定方法見(jiàn)附錄C)。至少移動(dòng)500mm,將檢測(cè)設(shè)備所顯示的位移與實(shí)際位移進(jìn)行比較,其誤差應(yīng)小于1%。掃查面盲區(qū)底面盲區(qū)橫向缺陷檢測(cè)表面檢測(cè)表面檢測(cè)A 需要必要時(shí)B需要需要必要時(shí)C需要需要需要需要注1:對(duì)于各檢測(cè)技術(shù)等級(jí),為使底面盲區(qū)或掃查面盲區(qū)高度≤1mm,可選擇的檢測(cè)a)當(dāng)初始掃查面盲區(qū)高度h?>1mm時(shí),宜采用脈沖反射法超聲檢測(cè);b)當(dāng)初始底面盲區(qū)高度h?>1mm時(shí),宜采用偏置非平行掃查;注2:對(duì)于檢測(cè)技術(shù)等級(jí)B或C級(jí),為檢測(cè)橫向缺陷,可采用TOFD斜向掃查,也可按照NB/T47013.3中承壓設(shè)備對(duì)接接頭B級(jí)或C級(jí)檢測(cè)技術(shù)等級(jí)的要求進(jìn)行橫向缺注3:表面檢測(cè)方法包括磁粉檢測(cè)、滲透檢測(cè)或渦流檢測(cè),優(yōu)先采注4:脈沖反射法超聲檢測(cè)、磁粉檢測(cè)、滲透檢測(cè)和渦“若由于結(jié)構(gòu)原因,可以在無(wú)法進(jìn)行雙面檢測(cè)的局部采用B級(jí)檢測(cè),但應(yīng)采用模擬試塊驗(yàn)證工藝且一般應(yīng)采用4.2.3.3規(guī)定的模擬試塊按4.4.4.3要求進(jìn)1產(chǎn)品范圍(工件形狀、規(guī)格、材質(zhì)、壁厚等)234檢測(cè)工藝(探頭配置、掃查方式、厚度分區(qū)等)56盲區(qū)檢測(cè)方式及工藝試驗(yàn)報(bào)告7橫向缺陷檢測(cè)方式及工藝試驗(yàn)報(bào)告89缺陷評(píng)定與質(zhì)量分級(jí)4.4.3應(yīng)根據(jù)工藝規(guī)程的內(nèi)容以及被檢工件的檢測(cè)要求編制操作指導(dǎo)書(shū),其內(nèi)容除滿(mǎn)足NB/T要時(shí))等);f)檢測(cè)系統(tǒng)復(fù)核;g)數(shù)據(jù)評(píng)定;h)檢測(cè)記錄;i)檢測(cè)報(bào)告。4.6溫度4.6.1應(yīng)確保在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行檢測(cè);采用常規(guī)探頭和耦合劑時(shí),被檢工件的表面溫度范圍應(yīng)控制在0℃~50℃;超出該溫度范圍,可采用特殊探頭或耦合劑。4.6.2若溫度過(guò)低或過(guò)高,一般應(yīng)采取有效措施避免。若無(wú)法避免,應(yīng)評(píng)價(jià)其對(duì)檢測(cè)結(jié)果的影響。4.6.3檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置和校準(zhǔn)時(shí)的溫度與實(shí)際檢測(cè)溫度之差應(yīng)控制在20℃之內(nèi)。4.7安全要求4.7.1應(yīng)滿(mǎn)足NB/T47013.1中6.3相關(guān)規(guī)定的要求。4.7.2應(yīng)考慮可能的漏電等因素,并采取必要的保護(hù)措施。5檢測(cè)工藝參數(shù)的選擇和設(shè)置5.1檢測(cè)區(qū)域的確定5.1.1檢測(cè)區(qū)域由其高度和寬度表征。5.1.1.1檢測(cè)區(qū)域高度為工件焊接接頭的厚度。5.1.1.2檢測(cè)區(qū)域?qū)挾葹楹缚p本身及焊縫熔合線(xiàn)兩側(cè)各10mm。5.1.2若對(duì)于已發(fā)現(xiàn)缺陷部位進(jìn)行復(fù)檢或已確定的重點(diǎn)部位,檢測(cè)區(qū)域可縮減至相應(yīng)部位。5.2探頭選取和設(shè)置5.2.1探頭選取包括探頭型式、參數(shù)的選擇。一般選擇寬角度縱波斜探頭,對(duì)于每一組探頭對(duì)的兩個(gè)探頭,其標(biāo)稱(chēng)頻率應(yīng)相同,聲束角度和晶片直徑宜相同。5.2.2當(dāng)工件厚度t≤50mm時(shí),可采用一組探頭對(duì)檢測(cè),推薦將探頭中心間距設(shè)置為使該探頭對(duì)的聲束交點(diǎn)位于2/3t深度處。5.2.3當(dāng)工件厚度t>50mm時(shí),應(yīng)在厚度方向分成若干不同的深度范圍,采用不同參數(shù)的探頭對(duì)分別進(jìn)行檢測(cè);推薦將探頭中心間距設(shè)置為使每一探頭對(duì)的聲束交點(diǎn)位于其所檢測(cè)深度范圍的2/3深度處;該探頭聲束在所檢測(cè)深度范圍內(nèi)相對(duì)聲束軸線(xiàn)處的聲壓幅值下降不應(yīng)超過(guò)12dB。5.2.4檢測(cè)工件底面的探頭聲束與底面檢測(cè)區(qū)域邊界處法線(xiàn)間的夾角一般應(yīng)不小于40°。5.2.5與平板工件或較大曲率工件厚度有關(guān)的檢測(cè)分區(qū)、探頭選取和設(shè)置可參考表3。深度范圍晶片直徑1112345NB/T47013.10—20155.4.1.1初始掃查面盲區(qū)高度的確定應(yīng)采用實(shí)測(cè)法。5.4.1.2應(yīng)采用圖14規(guī)定的掃查面盲區(qū)高度試塊進(jìn)行測(cè)量。將設(shè)置好的掃查裝置分別對(duì)不同深度側(cè)孔進(jìn)行掃查,能發(fā)現(xiàn)的最小深度橫孔上沿所對(duì)應(yīng)的深度即為初始掃查面盲區(qū)高度。5.4.2掃查面盲區(qū)檢測(cè)方式5.4.2.1可參照4.3選擇掃查面盲區(qū)檢測(cè)方式。5.4.2.2若選用脈沖反射法的爬波法,應(yīng)在工藝中明確爬波探頭的規(guī)格型號(hào)和布置方式。5.5確定初始底面盲區(qū)高度和檢測(cè)方式5.5.1初始底面盲區(qū)高度按式(1)計(jì)算: 扁離焊縫中心線(xiàn)的距離(此處為底面檢測(cè)區(qū)域?qū)挾鹊囊话?;s——探頭中心間距的一半。5.5.2底面盲區(qū)檢測(cè)方式5.5.2.1可參照4.3選擇底面盲區(qū)檢測(cè)方式。5.5.2.2若選用偏置非平行掃查方式時(shí),應(yīng)在工藝中明確偏置方向、偏置量及偏置后的底面盲區(qū)高度(可參考式(1)計(jì)算)。5.6確定橫向缺陷的檢測(cè)方式5.6.1可參照4.3選擇橫向缺陷檢測(cè)方式。5.6.2若選用斜向掃查方式時(shí),應(yīng)在工藝中明確斜向掃查角度、探頭選取和設(shè)置等,斜向掃查應(yīng)與非平行掃查同步進(jìn)行。5.7掃查步進(jìn)設(shè)置5.7.1掃查步進(jìn)是指掃查過(guò)程中相鄰兩個(gè)A掃描信號(hào)間沿工件掃查路徑的空間間隔。檢測(cè)前應(yīng)將檢測(cè)設(shè)備設(shè)置為根據(jù)掃查步進(jìn)采集信號(hào)。5.7.2掃查步進(jìn)值設(shè)置主要與工件厚度有關(guān),按表4的規(guī)定進(jìn)行設(shè)置。表4掃查步進(jìn)值的設(shè)置單位為mm工件厚度t5.8信號(hào)平均化處理5.8.1信號(hào)平均化處理有利于降低隨機(jī)噪聲的影響,從而提高信噪比。5.8.2檢測(cè)前應(yīng)合理設(shè)置檢測(cè)通道的信號(hào)平均化處理次數(shù)N,一般情況下設(shè)定為1,噪聲較大時(shí)設(shè)定值不應(yīng)大于16。5.9設(shè)置儀器其他參數(shù)5.9.1根據(jù)所選擇探頭,設(shè)置數(shù)字化頻率至少為所選擇探頭最高標(biāo)稱(chēng)頻率的6倍。NB/T47013.10—20156.2母材檢測(cè)6.2.1對(duì)重要工件或檢測(cè)人員有懷疑時(shí),應(yīng)對(duì)超聲波聲束通過(guò)的母材區(qū)域按NB/T47013.3中的有關(guān)規(guī)定,采用直探頭進(jìn)行檢測(cè)或在TOFD檢測(cè)的過(guò)程中進(jìn)行。6.2.2母材中影響檢測(cè)結(jié)果的反射體,應(yīng)予以記錄。6.3耦合劑實(shí)際檢測(cè)采用的耦合劑應(yīng)與檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置和校準(zhǔn)時(shí)的耦合劑相同。6.4檢測(cè)前工藝參數(shù)調(diào)節(jié)6.4.1若靈敏度設(shè)置直接在被檢工件上進(jìn)行,在實(shí)際掃查前應(yīng)檢查靈敏度;若靈敏度設(shè)置是采用對(duì)比試塊,則在實(shí)際工件檢測(cè)前應(yīng)進(jìn)行表面耦合補(bǔ)償,表面耦合補(bǔ)償量的確定可參照NB/T47013.3的有關(guān)內(nèi)容。6.4.2若A掃描時(shí)間窗口設(shè)置和深度校準(zhǔn)是采用對(duì)比試塊,則應(yīng)在實(shí)際工件上檢查深度顯示,確保深度顯示偏差不大于工件厚度的3%或2mm(取較大值),否則應(yīng)進(jìn)行必要的調(diào)節(jié)。6.4.3對(duì)于曲面或其他非平面工件的縱向焊接接頭,應(yīng)對(duì)深度顯示進(jìn)行必要的調(diào)節(jié)。6.5.1掃查時(shí)應(yīng)保證實(shí)際掃查路徑與擬掃查路徑的偏差不超過(guò)探頭中心間距的10%。集的要求。最大掃查速度按式(2)計(jì)算:6.5.3每次掃查長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)2000mm;若需對(duì)焊縫在長(zhǎng)度方向進(jìn)行分段掃查,則各段掃查區(qū)的重疊范圍至少為20mm;對(duì)于環(huán)焊縫,掃查停止位置應(yīng)越過(guò)起始位置至少20mm。6.5.4掃查過(guò)程中應(yīng)密切注意波幅狀況,若發(fā)現(xiàn)直通波、底面反射波、材料晶粒噪聲或波型轉(zhuǎn)換波的波幅降低12dB以上或懷疑耦合不好時(shí),應(yīng)重新掃查整段區(qū)域;若發(fā)現(xiàn)直通波滿(mǎn)屏或晶粒噪聲波幅超過(guò)滿(mǎn)屏高20%時(shí),則應(yīng)降低增益并重新掃查。6.6檢測(cè)數(shù)據(jù)記錄每一次的檢測(cè)數(shù)據(jù)應(yīng)按照工藝文件的要求進(jìn)行編號(hào)儲(chǔ)存。6.7檢測(cè)系統(tǒng)復(fù)核6.7.1在如下情況時(shí)應(yīng)進(jìn)行復(fù)核:a)檢測(cè)過(guò)程中檢測(cè)設(shè)備開(kāi)停機(jī)或更換部件時(shí);b)檢測(cè)人員有懷疑時(shí);c)檢測(cè)結(jié)束時(shí)。6.7.2若初始檢測(cè)工藝設(shè)置時(shí)采用了對(duì)比試塊,則在復(fù)核時(shí)應(yīng)采用同一對(duì)比試塊;若為直接在工件上進(jìn)行的靈敏度設(shè)置,則應(yīng)在工件上的同一部位復(fù)核。6.7.3若復(fù)核時(shí)發(fā)現(xiàn)初始設(shè)置的參數(shù)偏離(應(yīng)消除按6.4進(jìn)行調(diào)節(jié)產(chǎn)生的影響),按表5的規(guī)定執(zhí)行。靈敏度1不需要采取措施,必要時(shí)可通過(guò)軟件糾正21≤2mm或板厚的3%(取較大值)2>2mm或板厚的3%(取較大值)27.2.5典型的TOFD圖像典型的TOFD圖像見(jiàn)附錄E。7.3.2缺陷長(zhǎng)度根據(jù)缺陷前、后端點(diǎn)在X軸的位置計(jì)算而得,見(jiàn)圖8、圖16中1。7.5.1對(duì)于表面開(kāi)口型缺陷顯示:缺陷自身高度為表面與缺陷上(或下)端點(diǎn)間最大距離,見(jiàn)圖 圖16表面開(kāi)口型缺陷尺寸7.6.1在非平行掃查和偏置非平行掃查得到的TOFD圖像中,無(wú)法確定缺陷偏離焊縫中心線(xiàn)的距7.6.2在平行掃查得到的TOFD圖像中,缺陷上端點(diǎn)距掃查面最近處所反映的Y軸位置為缺陷偏8.1不允許危害性表面開(kāi)口缺陷的存在。8.2如檢測(cè)人員可判斷缺陷類(lèi)型為裂紋、坡口未熔合等危害性缺陷時(shí),評(píng)為Ⅲ級(jí)。8.3相鄰兩個(gè)或多個(gè)缺陷顯示(非點(diǎn)狀),其在X軸方向間距小于其中較小的缺陷長(zhǎng)度且在Z軸方b)缺陷長(zhǎng)度:兩缺陷在X軸投影上的前、后端點(diǎn)間距離;8.4.1點(diǎn)狀顯示用評(píng)定區(qū)進(jìn)行質(zhì)量分級(jí)評(píng)定,評(píng)定區(qū)為一個(gè)與焊縫平行的矩形截面,其沿X軸方向的長(zhǎng)度為100mm,沿Z軸方向的高度為工件厚度。8.4.2在評(píng)定區(qū)內(nèi)或與評(píng)定區(qū)邊界線(xiàn)相切的缺陷均應(yīng)劃入評(píng)定區(qū)內(nèi),按表6的規(guī)定評(píng)定焊接接頭It×0.5,最大為130It×0.8,最大為200等級(jí)t表面開(kāi)口型缺陷埋藏型缺陷高度若1>lma缺陷高度h?高度缺陷高度h?I≤21、對(duì)于單個(gè)或多個(gè)h≤h?的線(xiàn)狀缺陷,在任意12t范圍內(nèi)累2、若多個(gè)缺陷其各自長(zhǎng)度I≤t、高度h均為:h?<h≤h?或2h?,則在任意12t范圍內(nèi)累計(jì)長(zhǎng)3、所有表面開(kāi)口缺陷累計(jì)長(zhǎng)度≤221、對(duì)于單個(gè)或多個(gè)h≤h?的線(xiàn)狀缺陷,在任意12t范圍內(nèi)累計(jì)長(zhǎng)度不得超過(guò)5t且最大值為2、若多個(gè)缺陷其各自長(zhǎng)度I≤t、高度h均為:h?<h≤h?或h?,則在任意12t范圍內(nèi)累計(jì)長(zhǎng)200mm;3、所有表面開(kāi)口缺陷累計(jì)長(zhǎng)度Ⅲ“公稱(chēng)厚度;當(dāng)焊縫兩側(cè)母材公稱(chēng)厚度不同時(shí),取薄側(cè)。9.1應(yīng)按照現(xiàn)場(chǎng)操作的實(shí)際情況詳細(xì)記錄檢測(cè)過(guò)程的有關(guān)信息和數(shù)據(jù)。檢測(cè)記錄除符合NB/TA.1總則A.4.2對(duì)比試塊NB/T47013.10—2015分別在兩側(cè)檢測(cè)區(qū)域邊界線(xiàn)和焊縫中心線(xiàn)設(shè)置直徑2mm、長(zhǎng)度60下4mm;其他孔的設(shè)置應(yīng)滿(mǎn)足附錄D的要求。對(duì)比試塊近表面孔的設(shè)置見(jiàn)圖A.3。A.4.3.1圖A.1所示焊接接頭按照標(biāo)準(zhǔn)正文的要求進(jìn)行非平行掃查(見(jiàn)圖A.4、圖A.5)和一次偏置非平行掃查(見(jiàn)圖A.6),以及表面盲區(qū)的補(bǔ)充檢測(cè)方圖A.4非平行掃查1圖A.5非平行掃查2圖A.6偏置非平行掃查A.5雙面不齊平當(dāng)雙面均不平齊時(shí),應(yīng)制作相同厚度和結(jié)構(gòu)形式的對(duì)比試塊,側(cè)孔的設(shè)置應(yīng)滿(mǎn)足A.4.2和附錄D的原則要求,檢測(cè)工藝的設(shè)置應(yīng)考慮檢測(cè)區(qū)域覆蓋和深度修正。A.6補(bǔ)充檢測(cè)補(bǔ)充檢測(cè)應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)正文4.3的要求。(規(guī)范性附錄)B.1檢測(cè)儀器性能指標(biāo)要求(見(jiàn)表B.1)1電氣性能(1)發(fā)射性能升時(shí)間)應(yīng)小于25ns不到的,至少應(yīng)不小于100V且提供儀器具有相當(dāng)檢測(cè)能力的證明文件),發(fā)射脈沖電壓的實(shí)測(cè)值與設(shè)定值(帶負(fù)載502)之間的偏差不大于設(shè)定于10ns,發(fā)射脈沖寬度的實(shí)測(cè)值與設(shè)定值之間的(2)接收性能①接收放大電路頻帶范圍按-3dB測(cè)量應(yīng)至少包括0.6MHz~15MHz②數(shù)字采樣頻率至少60MHz(3)其他電氣性能應(yīng)滿(mǎn)足NB/T47013.3《承壓無(wú)損檢測(cè)第3部分:超聲檢測(cè)》附錄A的要求2功能(1)顯示功能①儀器每個(gè)通道檢測(cè)顯示應(yīng)至少包括A掃描信號(hào)和TOFD圖像,且A掃描信號(hào)使用②儀器每個(gè)通道所顯示和記錄的A掃描信號(hào)不應(yīng)有④儀器軟件至少應(yīng)具有同步顯示TOFD圖像和對(duì)應(yīng)的A掃描信號(hào)、擬合曲線(xiàn)光標(biāo)、⑤儀器軟件應(yīng)包括TOFD顯示的深度或時(shí)基線(xiàn)性化算法,以測(cè)量(2)其他功能②儀器應(yīng)能存儲(chǔ)和分辨各A掃描信號(hào)之間相對(duì)位置的信的原始檢測(cè)數(shù)據(jù)④儀器應(yīng)能夠以不可更改的方式將所有的A掃描信號(hào)和TOFD圖永久介質(zhì),并能輸出其硬拷貝B.2寬帶窄脈沖探頭性能指標(biāo)要求(見(jiàn)表B.2)表B.2寬帶窄脈沖探頭性能指標(biāo)要求1中心頻率23電阻抗或靜電容4直通波持續(xù)時(shí)間直通波按峰值下降20dB測(cè)量的持續(xù)時(shí)間應(yīng)不超過(guò)兩個(gè)脈沖周期5和步驟如下(見(jiàn)圖C.1):d)保持位置1的測(cè)試探頭不動(dòng),向上移動(dòng)2位置探頭,波幅會(huì)逐漸升高至80%,繼續(xù)向上移(規(guī)范性附錄)D.1對(duì)于壁厚12mm≤t≤25mm的試塊b)掃查面下4mm處設(shè)置一個(gè)φ2mm側(cè)孔,長(zhǎng)度不小于
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