【蘭花莖腐病病原菌生物學(xué)特性探究5500字（論文）】

[20]。3結(jié)果與分析3.1蘭花莖腐病病原菌分離及鑒定3.1.2病原菌鑒定結(jié)果將再侵染植株病原菌進(jìn)行分離純化，并對分離出的病原菌分生孢子在顯微鏡下進(jìn)行形態(tài)學(xué)觀察。根據(jù)觀察可知蘭花莖腐病病原菌可產(chǎn)生大型分生孢子，具有隔膜3～4個，呈現(xiàn)鐮刀狀，多單生，大小為30.1～36.4μm×2.9～3.1μm，無色。此外該病原菌還可產(chǎn)生大量的小型分生孢子，呈橢圓形，多聚生，大小為3.6～4.5μm×2.3～3.1μm，無色。依據(jù)《中國真菌志》等對尖孢鐮刀菌的描述及其鑒定標(biāo)準(zhǔn)，本試驗從發(fā)病蘭花上分離純化得到的蘭花莖腐病病原菌形態(tài)與尖孢鐮刀菌（Fusariumoxysporum）相符，屬于真菌界、從梗孢目鐮刀菌屬。3.2蘭花莖腐病病原菌生物學(xué)特性研究3.2.1不同種類培養(yǎng)基對蘭花莖腐病菌菌絲生長的影響蘭花莖腐病菌于不同培養(yǎng)基上培養(yǎng)菌絲生長效果見表3.1。由表3.1可知，在5種供試培養(yǎng)基中蘭花莖腐病菌均能正常生長。其中將病原菌接種到淀粉瓊脂培養(yǎng)基中進(jìn)行培養(yǎng)，經(jīng)測量菌落生長直徑為5.23cm，菌絲生長情況最好；其次，將病原菌接種到在PDA培養(yǎng)基中菌絲生長情況較好，菌落大小為5.05cm；再次，將病原菌接種于PSA養(yǎng)基中菌落直徑為4.85cm，菌絲生長情況較差；最后，蘭花莖腐病菌菌絲在蘭花汁液培養(yǎng)基中菌落直徑僅為4.16cm，病原菌菌絲生長情況最差。根據(jù)圖3.3可知，在不同培養(yǎng)基對蘭花莖腐病菌影響排列順序為：淀粉瓊脂培養(yǎng)基＞PDA培養(yǎng)基＞PSA培養(yǎng)基＞酵母浸膏瓊脂培養(yǎng)基＞蘭花汁液培養(yǎng)基。3.2.2不同碳源對蘭花莖腐病菌菌絲生長的影響于真菌生理培養(yǎng)基中添加不同碳源，觀察不同碳源對蘭花莖腐病菌菌絲生長的影響見下表3.2。由表3.2可知，蘭花莖腐病菌在不同碳源條件下菌落直徑均大于CK，表明本試驗選用的5種不同碳源對蘭花莖腐病菌菌絲生長均存在促進(jìn)作用。其中以可溶性淀粉效果最佳，菌落直徑為5.81cm，菌絲生長情況明顯由于其他培養(yǎng)基；其次，為葡萄糖為碳源條件下的培養(yǎng)基，菌落直徑大小為5.23cm，菌絲生長情況較好；再次，是以半乳糖和果糖為碳源的培養(yǎng)基，菌落直徑分別為4.05cm和4.02cm，菌絲生長情況較差，兩者之間無顯著性差異；最后，以蔗糖為碳源菌絲生長情況最差，菌落直徑為3.55cm。如圖3.4可知，根據(jù)蘭花莖腐病菌在不同碳源培養(yǎng)基上的生長情況，其碳源排列順序為：可溶性淀粉＞葡萄糖＞半乳糖＞果糖＞蔗糖。3.2.3不同氮源對蘭花莖腐病菌菌絲生長影響于真菌生理培養(yǎng)基中添加不同氮源，觀察不同氮源對蘭花莖腐病菌菌絲生長的影響效果見下表3.3。由表3.3可知，蘭花莖腐病菌在不同氮源條件下菌落直徑均大于CK，表明本試驗選用的7種不同氮源對蘭花莖腐病菌菌絲生長均存在促進(jìn)作用。其中以硝酸鉀和磷酸二氫銨為氮源的培養(yǎng)基蘭花莖腐病均菌絲生長效果最佳，菌落直徑分別為5.36cm和5.23cm，菌絲生長效果最好，二者之間不存在差異顯著性；其次，蘭花莖腐病菌在以尿素為氮源的培養(yǎng)基中菌落直徑到達(dá)3.62cm，菌絲生長情況較好；再次，蘭花莖腐病菌在以硝酸銨和蛋白胨為氮源的培養(yǎng)基中菌落大分別為3.45cm和3.62cm，菌絲生長情況較差，二者之間不存在差異顯著性；最后，蘭花莖腐病菌在以硫酸銨為氮源的培養(yǎng)基中菌落直徑僅為1.00cm，菌絲生長情況最差。通過試驗可知，硝酸鉀和磷酸二氫銨為為蘭花莖腐病菌的最適氮源。由圖3.5可知，按照蘭花莖腐病菌在不同氮源培養(yǎng)基上的生長情況，其氮源排列順序為：硝酸鉀、磷酸二氫銨＞尿素＞蛋白胨＞硝酸銨＞氯化銨＞硫酸銨。3.2.4pH值對菌絲生長影響由于PDA培養(yǎng)基在pH1和pH2、pH13和pH14條件下，培養(yǎng)基過酸、過堿導(dǎo)致不能正常凝固，不適用于菌絲生長。本試驗設(shè)置pH為3～12條件下，測定不同pH值對蘭花莖腐菌菌絲生長的影響，如下表3.4所示。由表3.4可知，在10種不同pH梯度下培養(yǎng)蘭花莖腐病均，對其菌絲都能正常生長。在中性條件下菌落直徑達(dá)4.55cm，菌絲生長效果最佳；其次，在pH6、pH8和pH5條件下較適宜菌絲生長，菌落直徑分別為3.84cm、3.85cm、3.76cm，且三者之間不存在顯著性差異；再次，菌絲在pH9和pH10時菌落大小分別為3.56cm、3.33cm，菌絲生長效果較差，且二者之間差異不顯著；最后，在pH12條件下菌落直徑僅為1.00cm，菌絲生長最差。結(jié)果表明，在中性偏弱堿性條件下更適宜蘭花莖腐病菌菌絲生長，在強(qiáng)堿性條件顯蘭花莖腐菌菌絲生長受到抑制。由圖3.6可知，按照蘭花莖腐病菌在不同pH值條件下菌絲生長情況，其pH排列順序為：pH7＞pH8＞pH6＞pH5＞pH9＞pH10＞pH11＞pH4＞pH3＞pH12。3.2.5溫度對尖孢鐮刀菌菌絲生長影響在30℃條件下恒溫培養(yǎng)，蘭花莖腐病菌菌絲生長效果最好，菌落直徑達(dá)到4.35cm；其次，在25℃條件下恒溫培養(yǎng)菌落生長直徑到達(dá)4.00cm，菌絲生長效果較好；再次，在35℃條件下恒溫培養(yǎng)菌落直徑為3.78cm，菌絲生長情況較好；最后，在5℃條件下恒溫培養(yǎng)蘭花莖腐病菌菌絲不再生長。由圖3.7可知，根據(jù)蘭花莖腐病菌在不同溫度下培養(yǎng)，其溫度排列順序為：30℃＞25℃＞35℃＞40℃＞20℃＞15℃＞10℃＞5℃。3.2.6蘭花莖腐病菌的致死溫度由表3.6可知，在溫度到達(dá)50℃時，菌絲不再生長，說明在50℃條件下處理10min為蘭花莖腐病菌的致死溫度。由圖3.8可知，蘭花莖腐病菌在45℃至49℃均可生長，在溫度到達(dá)50℃時，菌絲不再生長，說明在50℃條件下處理10min為蘭花莖腐病菌的致死溫度。3.2.7光照對蘭花莖腐病菌菌絲生長影響在不同光照下處理蘭花莖腐病菌，測定光照條件對其菌絲生長的影響見表3.7。由下表可知，在持續(xù)光照條件下蘭花莖腐病菌菌絲長勢最好，菌落達(dá)到3.46cm；其次，在光照和黑暗環(huán)境相互替換的環(huán)境下處理蘭花莖腐病菌菌落直徑為3.33cm，菌絲生長效果較好；最后，在全黑暗條件下處理蘭花莖腐病菌菌落直徑為2.74cm，菌絲生長明顯受到抑制，三種不同條件下處理蘭花莖腐病菌存在差異顯著性。試驗結(jié)果表明，在持續(xù)光照條件下培養(yǎng)蘭花莖腐病菌對其菌絲生長起促進(jìn)作用。4.1討論由于PDA培養(yǎng)基在pH1和pH2、pH13和pH14條件下，培養(yǎng)基過酸、過堿導(dǎo)致不能正常凝固，不適用于菌絲生長。所以在研究不同pH對蘭花莖腐病菌菌絲生長的影響試驗中，設(shè)置pH3至pH12共10個不同梯度的酸堿度培養(yǎng)蘭花莖腐病菌，從試驗結(jié)果得知，在本試驗設(shè)置的10個不同梯度酸堿度尖孢鐮刀菌均能正常生長，在pH為pH6～9的區(qū)間內(nèi)尖孢鐮刀菌菌絲生長效果較好，其菌絲適宜在中性偏弱堿性條件下生長。與姚錦愛研究建蘭莖腐病病原菌適宜在偏堿性條件下生長結(jié)果一致。設(shè)置不同溫度梯度處理蘭花莖腐病菌觀察對其菌絲生長的影響試驗中。試驗結(jié)果表明，當(dāng)溫度持續(xù)保持25℃時，尖孢鐮刀菌菌絲生長速度最快，當(dāng)溫度持續(xù)保持于5℃時，尖孢鐮刀菌菌絲不再生長。2006年孔瓊針對香莢蘭根腐病病原尖孢鐮刀菌生物學(xué)進(jìn)行研究，根據(jù)其結(jié)果可知，該病原菌菌絲最適生長溫度為26℃，與本試驗研究結(jié)果大致相同。根據(jù)不同光照條件下對蘭花莖腐病菌菌絲生長的影響試驗結(jié)果可知，在全光照條件下更適宜菌絲生長，與2014年馮雪分離合歡枯萎病病原菌尖孢鐮刀菌合歡專化性進(jìn)行研究不同光照條件對菌絲生長影響不大結(jié)果差異較大，可能是存在?；F(xiàn)象的原因。4.2結(jié)論4.21蘭花莖腐病病原菌分離鑒定結(jié)論經(jīng)病原鑒定驗證，侵染丹東地區(qū)蘭花引起蘭花莖腐病的病原菌為尖孢鐮刀菌（Fusariumoxysporum）。本試驗采用5種不同的培養(yǎng)基對蘭花莖腐病病原菌的生長有影響。結(jié)果表明，該病原菌在瓊脂淀粉中的生長效果優(yōu)于在蘭花汁液培養(yǎng)基中的生長效果。在測定不同碳源對病原菌菌絲生長影響的試驗中，確定了蘭花莖腐病病原菌生長過程中對不同碳源存在不同需求。本試驗選擇了5種不同的碳源均促進(jìn)蘭花莖腐病菌的菌絲生長。在供試5種碳源中，蘭花莖腐病菌在可溶性淀粉為碳源的培養(yǎng)基中菌落直徑最大，為5.81cm，菌絲生長效果最佳；然而在以蔗糖為碳源的培養(yǎng)基菌落直徑最小，僅為3.55cm，菌絲生長情況最差。結(jié)果表明可溶性淀粉是蘭花莖腐病菌生長最適宜的碳源。測定不同氮源對蘭花莖腐病病原菌菌絲生長影響的試驗中。根