物理學(xué)：半導(dǎo)體材料考試試題

物理學(xué)：半導(dǎo)體材料考試試題1、問答題

什么是CMOS技術(shù)？什么是ASIC？正確答案：CMOS（互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)：將成對的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）集成在一塊硅片上。使集成電路有功耗（江南博哥）低，工作電壓范圍寬，邏輯擺幅大，使電路抗干擾能力強(qiáng)，隔離柵結(jié)構(gòu)使CMOS器件的輸入電阻極大，從而使CMOS期間驅(qū)動(dòng)同類邏輯門的能力比其他系列強(qiáng)得多。ASIC：（ApplicationSpecificIntegratedCircuits）專用集成電路，是指應(yīng)特定用戶要求或特定電子系統(tǒng)的需要而設(shè)計(jì)、制造的集成電路。優(yōu)點(diǎn)是：體積小，重量輕，功耗低，可靠性好，易于獲得高性能，保密性好，大批量應(yīng)用時(shí)顯著降低成本。2、單選

下列不屬于工業(yè)吸附要求的是（）。A.具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，耐熱沖擊，耐腐蝕C.不易得，昂貴D.容易再生正確答案：C3、問答題

解釋水的去離子化。在什么電阻率級別下水被認(rèn)為已經(jīng)去離子化？正確答案：用以制造去離子水的去離子化過程是指，用特制的離子交換樹脂去除電活性鹽類的離子。18MΩ-cm電阻率級別下水被認(rèn)為已經(jīng)去離子化。4、填空題

數(shù)字探傷儀測距應(yīng)使被檢部位的最遠(yuǎn)反射波能夠顯示在屏幕（）之間。正確答案：6～9格5、問答題

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？正確答案：投影掩膜版是一種透明的平板，在它上面有要轉(zhuǎn)印到硅片上光刻膠層的圖形。投影掩膜版只包括硅片上一部分圖形，而光掩膜版包含了整個(gè)硅片的芯片陣列并且通過單一曝光轉(zhuǎn)印圖形。6、問答題

什么是外延層？為什么硅片上要使用外延層？正確答案：外延層是指在硅的外延中以硅基片為籽晶生長一薄膜層，新的外延層會(huì)復(fù)制硅片的晶體結(jié)構(gòu)，并且結(jié)構(gòu)比原硅片更加規(guī)則。外延為器件設(shè)計(jì)者在優(yōu)化器件性能方面提供了很大的靈活性，例如可以控制外延層摻雜厚度、濃度、輪廓，而這些因素與硅片襯底無關(guān)的，這種控制可以通過外延生長過程中的摻雜來實(shí)現(xiàn)。外延層還可以減少CMOS器件中的閂鎖效應(yīng)。7、問答題

說明水汽氧化的化學(xué)反應(yīng)，水汽氧化與干氧氧化相比速度是快還是慢？為什么？正確答案：化學(xué)反應(yīng)：Si+2H2O->SiO2+2H2水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因?yàn)樗魵獗妊鯕庠诙趸柚袛U(kuò)散更快、溶解度更高。8、問答題

描述在硅片廠中使用的去離子水的概念。正確答案：去離子水：在半導(dǎo)體制造過程中廣泛使用的溶劑，在它里面沒有任何導(dǎo)電的離子。DIWater的PH值為7，既不是酸也不是堿，是中性的。它能夠溶解其他物質(zhì)，包括許多離子化合物和供價(jià)化合物。當(dāng)水分子（H2O）溶解離子化合物時(shí)，它們通過克服離子間離子鍵使離子分離，然后包圍離子，最后擴(kuò)散到液體中。9、填空題

金相顯微鏡（），照明系統(tǒng)，機(jī)械系統(tǒng)幾部分構(gòu)成。正確答案：光學(xué)系統(tǒng)10、問答題

描述凈化間的舞廳式布局。正確答案：凈化間的舞廳式布局為大的制造間具有10000級的級別，層流工作臺(tái)則提供一個(gè)100級的生產(chǎn)環(huán)境。11、單選

列多晶硅生長過程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是（）.A.加熱B.化料C.晶體生長D.冷卻正確答案：B12、單選

下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)？（）A.懸浮物質(zhì)B.揮發(fā)物質(zhì)C.膠體物質(zhì)D.溶解物質(zhì)正確答案：B13、問答題

X射線的衍射和可見光的反射有什莫不同？正確答案：1x射線的衍射僅有一定數(shù)量的入射角能引起衍射，而可見光可在任意的入射角反射2x射線被晶體的原子平面衍射時(shí)，晶體表面，晶體內(nèi)原子平面都參與衍射作用，而可見光僅在物體表面產(chǎn)生反射。14、單選

正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純，在進(jìn)行第一次熔化過后，能不能進(jìn)入第二次提純這個(gè)階段（）.A、能B、不能C、不確定D、有時(shí)可以，有時(shí)不可以正確答案：A15、問答題

最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？正確答案：最通常的半導(dǎo)體材料是硅。原因：1.硅的豐裕度；2.更高的融化溫度允許更高的工藝容限；3.更寬的工作溫度范圍；4.氧化硅的自然生成.16、問答題

什么是無源元件？例舉出兩個(gè)無源元件的例子。什么是有源元件？例舉出兩個(gè)有源元件的例子。正確答案：無源元件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。這些元件無論如何和電源相連，都可以傳輸電流。如電阻，電容。有源元件：內(nèi)部有電源存在，不需要能量的來源而實(shí)行它特定的功能，而且可以控制電流方向，可放大信號。如二極管，晶體管。17、問答題

測試非平衡少數(shù)載流子數(shù)目的方法？正確答案：（1）瞬態(tài)法，也稱穩(wěn)態(tài)法，這類方法有光電導(dǎo)衰退法（2）穩(wěn)態(tài)法，也稱間接法，這類方法主要有擴(kuò)散長度法和光磁法.18、問答題

x射線性質(zhì)都有哪些？正確答案：感光作用，熒光作用，電離作用，穿透能力強(qiáng)。x射線的折射率近視于1，衍射作用。19、單選

在晶體凝固過程中，存在溫度梯度的是（）.A.上部和邊緣部分B.中部和邊緣部分C.上部和底部D.底部和邊緣部分正確答案：B20、填空題

電類型測量的具體方法（），三探針法，四探針法，正確答案：冷熱探筆法21、單選

下列鑄造多晶硅的制備方法中,（）沒有坩堝的消耗，降低了成本，同時(shí)又可減少雜質(zhì)污染長度。A.布里曼法B.熱交換法C.電磁鑄錠法D.澆鑄法正確答案：C22、問答題

X射線所必須具備的條件？正確答案：（1.）產(chǎn)生自由電子的電子源。（2.）設(shè)置自由電子撞擊靶子，用以產(chǎn)生X射線。（3.）施加在陽極和陰極間的高壓。（4.）將陰陽極封閉在高真空中，保持兩極純潔。23、問答題

例舉并描述6種不同的塑料封裝形式。陶瓷封裝的兩種主要封裝方法是什么？正確答案：6種不同的塑料封裝形式：（1）雙列直插封裝（DIP）：典型有兩列插孔式管腳向下彎，穿過電路板上的孔。（2）單列直插封裝（SIP）：是DIP的替代品，用以減小集成電路組件本體所占據(jù)電路板的空間。（3）薄小型封裝（TSOP）：廣泛用于存儲(chǔ)器和智能卡具有鷗翼型表面貼裝技術(shù)的管腳沿兩邊粘貼在電路板上相應(yīng)的壓點(diǎn)。（4）西邊形扁平封裝（QFP）：是一種在外殼四邊都有高密度分布的管腳表面貼裝組件。（5）具有J性管腳的塑封電極芯片載體（PLCC.（6）無引線芯片載體（LCC.：是一種電極被管殼周圍包起來以保持低刨面的封裝形式24、問答題

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？正確答案：一，將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中二，在后續(xù)工藝中，保護(hù)下面的材料25、問答題

簡訴連續(xù)X射線譜的特征？正確答案：（1.）當(dāng)增加X射線管壓時(shí)，各波長射線的相對強(qiáng)度一至增高，最大強(qiáng)度波長λm和短波限λ0變小。（2.）當(dāng)管壓保持不變，增加管流時(shí)，各種波長的X射線相對強(qiáng)度一至增高，但λm和λ0數(shù)值大小不變。（3.）當(dāng)改變陽極靶元素時(shí)，各種波長的相對強(qiáng)度隨元素的原子序數(shù)的增加而增加。26、問答題

產(chǎn)生紅外吸收的條件是什么？正確答案：（1）振動(dòng)頻率與紅外光譜段的某段頻率相等。（2）偶極距的變化。27、單選

當(dāng)晶體生長的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.A.上升B.下降C.不變D.不確定正確答案：A28、單選

下列與硼氧復(fù)合體缺陷無關(guān)的是（）。A、氧B、硼C、溫度D、濕度正確答案：D29、問答題

給出使用初級泵和真空泵的理由。正確答案：當(dāng)真空里的壓強(qiáng)減低時(shí)，氣體分子間的空間加大了，這成為氣體流過系統(tǒng)及在工藝腔內(nèi)產(chǎn)生等離子體的重要因素。而初級泵可以去除腔內(nèi)99.99%的原始空氣或其他成分，高級真空泵用來獲得壓力范圍10e-3托到10e-9托的高級和超高級真空。30、單選

如果半導(dǎo)體中存在多種雜質(zhì)，在通常情況下，可以認(rèn)為基本上屬于雜質(zhì)飽和電離范圍，其電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系可近似表示為（）.A.1/（NA-ND.eｕpB.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.eD.1/（NA+ND.eｕp正確答案：A31、單選

（）是影響硅器件成品率的一個(gè)重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。A.點(diǎn)缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.微缺陷正確答案：D32、問答題

描述熱氧化過程。正確答案：①干氧：Si＋O2SiO2氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、重復(fù)性好，與光刻膠的粘附性好②水汽氧化：Si+H2OSiO2（固）+H2（氣）氧化速度快，氧化層疏松，均勻性差，與光刻膠的粘附性差③濕氧：氧氣攜帶水汽，故既有Si與氧氣反應(yīng)，又有與水汽反應(yīng)氧化速度、氧化質(zhì)量介于以上兩種方法之間33、問答題

X射線衍射與光反射的區(qū)別？正確答案：光反射光在兩種物質(zhì)分界面上改變傳播方向又返回原來物質(zhì)中的現(xiàn)象，叫做光的反射。X射線的衍射X射線是一種波長很短（約為20～0.06埃）的電磁波，能穿透一定厚度的物質(zhì)，并能使熒光物質(zhì)發(fā)光、照相乳膠感光、氣體電離。在用高能電子束轟擊金屬“靶”材產(chǎn)生X射線，它具有與靶中元素相對應(yīng)的特定波長，稱為特征（或標(biāo)識）X射線。34、問答題

解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。正確答案：（1）鋁與P型硅及高濃度N型硅均能形成低歐姆接觸；（2）電阻率低（3）與SiO2粘附性強(qiáng)，無需粘附層-----鋁很容易和二氧化硅反應(yīng)，加熱形成氧化鋁；（4）能單獨(dú)作為金屬化布線，工藝簡單；（5）能用電阻絲加熱蒸發(fā)，工藝簡單；（6）鋁互連線與內(nèi)引線鍵合容易；（7）能輕易淀積在硅片上，可用濕法刻蝕而不影響下層薄膜。綜上所述，在硅IC制造業(yè)中，鋁和它的主要過程是兼容的，電阻低，可不加接觸層、粘附層和阻擋層等，工藝簡單，產(chǎn)品價(jià)格低廉。35、填空題

快速腐蝕時(shí)一般不受光照影響，而慢速腐蝕時(shí)（）影響比較大。正確答案：光照36、單選

硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.A.金剛石型和直接禁帶型B.閃鋅礦型和直接禁帶型C.金剛石型和間接禁帶型D.閃鋅礦型和間接禁帶型正確答案：C37、單選

X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。（）A.±10＇B.±15＇C.±20＇D.±30＇正確答案：B38、問答題

什么是硅化物？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？正確答案：硅化物是難熔金屬與硅反應(yīng)形成的金屬化合物，是一種具有熱穩(wěn)定性的金屬化合物，并且在硅/難熔金屬的分界面具有低的電阻率。難熔金屬硅化物的優(yōu)點(diǎn)和其作用：1、降低接觸電阻，2、作為金屬與有源層的粘合劑。3、高溫穩(wěn)定性好，抗電遷移性能好4、可直接在多晶硅上淀積難熔金屬，經(jīng)加溫處理形成硅化物，工藝與現(xiàn)有硅柵工藝兼容。39、單選

半導(dǎo)體工業(yè)所用的硅單晶（）是用CZ法生長的。A.70%B.80%C.90%D.60%正確答案：C40、單選

制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.A.汽-固B.液-固C.固-固D.汽-液正確答案：A41、問答題

例舉并描述熱生長SiO2–Si系統(tǒng)中的電荷有哪些？正確答案：界面陷阱電荷、可移動(dòng)氧化物電荷。42、填空題

氧和碳在硅晶體中都呈（）分布。正確答案：螺旋紋狀43、問答題

從微觀上看，漩渦缺陷與錯(cuò)位缺陷有什么區(qū)別？正確答案：漩渦缺陷：微觀上漩渦條紋由大量的淺蝕坑組成。是條紋處出現(xiàn)密集的平底淺坑單晶或腐蝕小丘單晶。位錯(cuò)缺陷：它屬于線缺陷，一般稱為位錯(cuò)線。位錯(cuò)線有一定的長度，它的兩端必須終止與晶體的表面上，也可以頭尾自己相接構(gòu)成位錯(cuò)環(huán)。44、填空題

目前國內(nèi)外導(dǎo)電類型測量有兩種（），整流效應(yīng)法。正確答案：溫差電動(dòng)勢法45、問答題

例舉在線參數(shù)測試的4個(gè)主要子系統(tǒng)。正確答案：在線參數(shù)測試的4個(gè)主要子系統(tǒng)為：（1）探針卡接口：是自動(dòng)測試儀與待測器件之間的接口。（2）硅片定位：為測試硅片，首先要確與探針接觸的硅片的探針儀位置。（3）測試儀器：高級集成電路需要能夠在測試結(jié)構(gòu)上快速、準(zhǔn)確、重復(fù)地測量亞微安級電流和微法級電容的自動(dòng)測試設(shè)備，它控制測試過程（4）作為網(wǎng)絡(luò)主機(jī)或客戶機(jī)的計(jì)算機(jī)：指導(dǎo)測試系統(tǒng)操作的計(jì)算機(jī)包括測試軟件算法、自動(dòng)測試設(shè)備、用于硅片定位的探查控制軟件、測試數(shù)據(jù)的保存和控制、系統(tǒng)校準(zhǔn)和故障診斷。46、問答題

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？正確答案：光刻膠選擇比是指顯影液與曝光的光刻膠反應(yīng)的速度快慢，選擇比越高，反應(yīng)速度越快，所以要比例高。47、單選

盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性，如果晶轉(zhuǎn)過高，會(huì)導(dǎo)致固液界面的形狀（）。A、形狀太凹B、形狀太凸C、過于平整D、無變化正確答案：A48、問答題

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。正確答案：由于電荷之間的相互排斥，所以一束僅包括正電荷的離子束本身是不穩(wěn)定的，容易造成離子束的膨脹即離子束的直徑在行進(jìn)過程中不斷的增大，最終導(dǎo)致注入不均勻。離子束可以用二次電子中和離子的方法緩解，被稱為空間電荷中和49、填空題

（）是半導(dǎo)體單晶重要電學(xué)參數(shù)之一，它反映了補(bǔ)償后的雜質(zhì)濃度，與半導(dǎo)體中的載流子濃度有直接關(guān)系。正確答案：電阻率50、問答題

影響樹脂再生的因素有哪些？正確答案：1）再生劑的類型、強(qiáng)度、濃度、用量、流速、酸堿液與離子交換樹脂接觸的時(shí)間等；2）終點(diǎn)PH值得大?。?）離子交換樹脂的分離、反洗結(jié)果、混合程度、清潔衛(wèi)生等。51、問答題

對凈化間做一般性描述。正確答案：凈化間是硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如顆粒、金屬、有機(jī)分子和靜電釋放（ESD.的玷污。一般來講，那意味著這些玷污在最先進(jìn)測試儀器的檢測水平范圍內(nèi)都檢測不到。凈化間還意味著遵循廣泛的規(guī)程和實(shí)踐，以確保用于半導(dǎo)體制造的硅片生產(chǎn)設(shè)施免受玷污。52、問答題

STI隔離技術(shù)中，為什么采用干法離子刻蝕形成槽？正確答案：采用干法刻蝕，是為了保證深寬比。53、問答題

解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問題？正確答案：掃描投影光刻機(jī)的概念是利用反射鏡系統(tǒng)把有1：1圖像的整個(gè)掩膜圖形投影到硅片表面，其原理是，紫外光線通過一個(gè)狹縫聚焦在硅片上，能夠獲得均勻的光源，掩膜版和帶膠硅片被放置在掃描架上，并且一致的通過窄紫外光束對硅片上的光刻膠曝光由于發(fā)生掃描運(yùn)動(dòng)，掩膜版圖像最終被光刻在硅片表面。掃描光刻機(jī)主要挑戰(zhàn)是制造良好的包括硅片上所有芯片的一倍掩膜版。54、問答題

砷化鎵相對于硅的優(yōu)點(diǎn)是什么？正確答案：砷化鎵具有比硅更高的電子遷移率，因此多數(shù)載流子也移動(dòng)得比硅中的更快。砷化鎵也有減小寄生電容和信號損耗的特性。這些特性使得集成電路的速度比由硅制成的電路更快。GaAs器件增進(jìn)的信號速度允許它們在通信系統(tǒng)中響應(yīng)高頻微波信號并精確地把它們轉(zhuǎn)換成電信號。硅基半導(dǎo)體速度太慢以至于不能響應(yīng)微波頻率。砷化鎵的材料電阻率更大，這使得砷化鎵襯底上制造的半導(dǎo)體器件之間很容易實(shí)現(xiàn)隔離，不會(huì)產(chǎn)生電學(xué)性能的損失。55、問答題

例出光刻的8個(gè)步驟，并對每一步做出簡要解釋。正確答案：第一步：氣相成底膜處理，其目的是增強(qiáng)硅片和光刻膠之間的粘附性。第二步：旋轉(zhuǎn)涂膠，將硅片被固定在載片臺(tái)上，一定數(shù)量的液體光刻膠滴在硅片上，然后硅片旋轉(zhuǎn)得到一層均勻的光刻膠圖層第三步：軟烘，去除光刻膠中的溶劑第四步：對準(zhǔn)和曝光，把掩膜版圖形轉(zhuǎn)移到涂膠的硅片上第五步：曝光后烘培，將光刻膠在100到110的熱板上進(jìn)行曝光后烘培第六步：顯影，在硅片表面光刻膠中產(chǎn)生圖形第七步：堅(jiān)膜烘培，揮發(fā)掉存留的光刻膠溶劑，提高光刻膠對硅片表面的粘附性第八步：顯影后檢查，檢查光刻膠圖形的質(zhì)量，找出有質(zhì)量問題的硅片，描述光刻膠工藝性能以滿足規(guī)范要求。56、問答題

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。正確答案：硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟：（1）預(yù)淀積：表面的雜質(zhì)濃度濃度最高，并隨著深度的加大而減小，從而形成梯度。這種梯度使雜質(zhì)剖面得以建立（2）推進(jìn)：這是個(gè)高溫過程，用以使淀積的雜質(zhì)穿過硅晶體，在硅片中形成期望的結(jié)深（3）激活：這時(shí)的溫度要稍微提升一點(diǎn)，使雜質(zhì)原子與晶格中的硅原子鍵合形成替位式雜質(zhì)。這個(gè)過程激活了雜質(zhì)原子，改變了硅的電導(dǎo)率。57、問答題

給出半導(dǎo)體質(zhì)量測量的定義。例出在集成電路制造中12種不同的質(zhì)量測量。正確答案：半導(dǎo)體質(zhì)量測量定義了硅片制造的規(guī)范要求，以確保滿足器件的性能和可靠性。集成電路制造中的12種不同的質(zhì)量測量：1.膜厚2.方塊電阻3.膜應(yīng)力4.折射率5.摻雜濃度6.無圖形表面缺陷7.有圖形表面缺陷8.關(guān)鍵尺寸9.臺(tái)階覆蓋10.套刻標(biāo)記11.電容-電壓特性12.接觸的角度58、問答題

簡述懸浮區(qū)熔法檢驗(yàn)硅多晶中硼、磷含量的原理.正確答案：利用硅熔體中雜質(zhì)的分凝效應(yīng)和蒸發(fā)效應(yīng)，在真空條件下，在硅棒上建立一個(gè)熔區(qū)，熔區(qū)溫度為1410℃，并使之從一端移至另一端，以達(dá)到提純和控制雜質(zhì)的目的。59、問答題

硅片關(guān)鍵尺寸測量的主要工具是什么？正確答案：硅片關(guān)鍵尺寸測量的主要工具是掃描電子顯微鏡（SEM），它能放大10萬到30萬倍，這明顯高于光學(xué)顯微鏡，用掃描電子顯微鏡觀測硅片的橫截面部分能提供缺陷的信息，常與其他分析技術(shù)結(jié)合使用，如EDX或FIB。60、問答題

例舉出兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料。正確答案：兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料是塑料封裝和陶瓷封裝。61、單選

測量硅中氧濃度常用的方法是（）.A.帶電粒子活化法B.熔化分析法C.離子質(zhì)譜法D.紅外光譜分析法正確答案：D62、問答題

為什么晶體管柵結(jié)構(gòu)的形成是非常關(guān)鍵的工藝？更小的柵長會(huì)引發(fā)什么問題？正確答案：因?yàn)樗俗畋〉臇叛趸瘜拥臒嵘L以及多晶硅柵的刻印和刻蝕，而后者是整個(gè)集成電路工藝中物理尺度最小的結(jié)構(gòu)。多晶硅柵的寬度通常是整個(gè)硅片上最關(guān)鍵的CD線寬。隨著柵的寬度不斷減少，柵結(jié)構(gòu)（源漏間的硅區(qū)域）下的溝道長度也不斷減少。晶體管中溝道長度的減少增加了源漏間電荷穿通的可能性，并引起了不希望的溝道漏電流。63、問答題

簡述離子交換柱的結(jié)構(gòu)？正確答案：離子交換柱也稱混床[1]。所謂的離子交換柱，就是把一定比例的陽、陰離子交換樹脂混合裝填于同一交換裝置中，對流體中的離子進(jìn)行交[1]換、脫除。離子交換柱（混床）的分類：混床按再生方式分可分為體內(nèi)再生混床、體外再生混床、陰樹脂外移再生混床三種。64、問答題

什么是印刷電路板？正確答案：印刷電路板（PCB.又稱為底板或載體，用焊料將載有芯片的集成電路塊粘貼在板上的電路互連，同時(shí)使用連接作為其余產(chǎn)品的電子子系統(tǒng)的接口。65、單選

通過（）改變驅(qū)動(dòng)力場，借以控制生長系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長工藝中經(jīng)常使用的方法。A、溫度場B、磁場C、重力場D、電場正確答案：A66、單選

其中不屬于多晶硅的生產(chǎn)方法的是（）.A.SiCl4法B.硅烷法C.直拉法D.西門子改良法正確答案：C67、問答題

二氧化硅薄膜在集成電路中具有怎樣的應(yīng)用？正確答案：①器件保護(hù)（避免劃傷和污染），因sio2致密；②表面鈍化（飽和懸掛鍵，降低界面態(tài)；需一定厚度，降低漏電流等）；③用作絕緣介質(zhì)和隔離（LOCOS，STI）如：隔離（如場氧，需要一定的厚度）、④絕緣柵（膜厚均勻，無電荷和雜質(zhì)，需干氧氧化）、多層布線絕緣層、電容介質(zhì)等；⑤選擇性擴(kuò)散摻雜的掩膜68、問答題

從微觀上看，漩渦缺陷與位錯(cuò)蝕坑有什么區(qū)別？正確答案：漩渦缺陷是淺的平底坑，顯微鏡下呈白亮的芯，而位錯(cuò)蝕坑是深的尖底坑，顯微鏡下呈黑三角形。69、問答題

例舉硅片制造廠房中的7種玷污源。正確答案：硅片制造廠房中的七中沾污源：（1）空氣：凈化級別標(biāo)定了凈化間的空氣質(zhì)量級別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的；（2）人：人是顆粒的產(chǎn)生者，人員持續(xù)不斷的進(jìn)出凈化間，是凈化間沾污的最大來源；（3）廠房：為了是半導(dǎo)體制造在一個(gè)超潔凈的環(huán)境中進(jìn)行，有必要采用系統(tǒng)方法來控制凈化間區(qū)域的輸入和輸出；（4）水：需要大量高質(zhì)量、超純?nèi)ルx子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生產(chǎn)。去離子水是硅片生產(chǎn)中用得最多的化學(xué)品（5）工藝用化學(xué)品：為了保證成功的器件成品率和性能，半導(dǎo)體工藝所用的液態(tài)化學(xué)品必須不含沾污；（6）工藝氣體：氣體流經(jīng)提純器和氣體過濾器以去除雜質(zhì)和顆粒；（7）生產(chǎn)設(shè)備：用來制造半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)設(shè)備是硅片生產(chǎn)中最大的顆粒來源。70、單選

下列不屬于非晶硅優(yōu)點(diǎn)的是（）.A.制備方法簡單B.工藝成本低C.制備溫度高D.可大面積制備正確答案：C71、填空題

一般X射線大致具有的性質(zhì)（），熒光作用，電離作用，穿透能力強(qiáng)，X射線的折射率近似等于1，衍射作用。正確答案：感光作用72、問答題

半導(dǎo)體單晶中的點(diǎn)缺陷包括什么？正確答案：空位、填隙原子、絡(luò)合體、外來原子。73、問答題

高純水的測量方法有哪些？有什么優(yōu)點(diǎn)？正確答案：1靜置測量法優(yōu)點(diǎn)，簡單，靈活性大，便于移動(dòng)。2流動(dòng)測量法的優(yōu)點(diǎn)，測量準(zhǔn)確性高，可連續(xù)測量，應(yīng)用廣泛。74、單選

失效表明離子交換樹脂可供交換的（）大為減少。A.CｌˉB.NAC.H﹢和OHˉD.CA正確答案：C75、問答題

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。正確答案：多晶硅等離子刻蝕用的化學(xué)氣體通常是氯氣、溴氣或二者混合氣體?？涛g多晶硅的三步工藝：1.預(yù)刻蝕，用于去除自然氧化層、硬的掩蔽層和表面污染物來獲得均勻的刻蝕。2.接下來的是刻至終點(diǎn)的主刻蝕。這一步用來刻蝕掉大部分的多晶硅膜，并不損傷柵氧化層和獲得理想的各向異性的側(cè)壁剖面。3.最后一步是過刻蝕，用于去除刻蝕殘留和剩余多晶硅，并保證對柵氧化層的高選擇比。這一步應(yīng)避免在多晶硅周圍的柵氧化層形成微槽。76、問答題

例舉并描述硅片揀選測試中的三種典型電學(xué)測試（第十九章）正確答案：硅片揀選測試中的三種典型電學(xué)測試：（1）DC測試：第一電學(xué)測試是確保探針和壓焊點(diǎn)之間良好電學(xué)接觸的連接性檢查。這項(xiàng)檢查保證了技術(shù)員的測試儀安裝正常。（2）輸出檢查：硅片挑選測試用來測試輸出信號以檢驗(yàn)芯片性能。主要驗(yàn)證輸出顯示的位電平（邏輯“1”或高電平，邏輯“0”或低電平），是否和預(yù)期的一致。（3）功能測試：功能測試檢驗(yàn)芯片是否按照產(chǎn)品數(shù)據(jù)規(guī)范的要求工作。功能測試軟件程序測試芯片的所有方面，它將二進(jìn)制測試圖形加入被測器件并驗(yàn)證其輸出的正確性。77、單選

一下哪一種屬于金剛石結(jié)構(gòu)（）.A.SiB.CuC.FeD.Al正確答案：A78、問答題

冷熱探筆法測試硅單晶的原理是什么？正確答案：溫差電動(dòng)勢法，溫差電流法.79、問答題

解釋空氣質(zhì)量凈化級別。正確答案：凈化級別標(biāo)定了凈化間的空氣質(zhì)量級別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的。這一數(shù)字描繪了要怎樣控制顆粒以減少顆粒玷污。凈化級別起源于美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)2009.如果凈化間級別僅用顆粒數(shù)來說明，例如1級凈化間，則只接受1個(gè)0.5um的顆粒。這意味著每立方英尺中尺寸等于或大于0.5um的顆粒最多允許一個(gè)。80、問答題

例舉出傳統(tǒng)裝配的4個(gè)步驟。正確答案：傳統(tǒng)裝配的4個(gè)步驟：1.背面減??；2.分片；3.裝架；4.引線鍵合81、問答題

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？正確答案：光刻膠顯影是指用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區(qū)域，其主要目的是把掩膜版圖形準(zhǔn)確復(fù)制到光刻膠中。82、問答題

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個(gè)步驟。正確答案：（1）SiO2淀積：用PECVD淀積內(nèi)層氧化硅到希望的厚度。（2）SiN刻蝕阻擋層淀積：厚250？的SiN刻蝕阻擋層被淀積在內(nèi)層氧化硅上。SiN需要致密，沒有針孔，因此使用HDPCVD。（3）確定通孔圖形和刻蝕：光刻確定圖形、干法刻蝕通孔窗口進(jìn)入SiN中，刻蝕完成后去掉光刻（4）淀積保留介質(zhì)的SiO2：為保留層間介質(zhì)，PECVD氧化硅淀積。（5）確定互連圖形：光刻確定氧化硅槽圖形，帶膠。在確定圖形之前將通孔窗口放在槽里。（6）刻蝕互連槽和通孔。（7）淀積阻擋層金屬：在槽和通孔的底部及側(cè)壁用離子化的PCVD淀積鉭和氮化鉭擴(kuò)散層。（8）淀積銅種子層：用CVD淀積連續(xù)的銅種子層，種子層必須是均勻的并且沒有針孔。（9）淀積銅填充：用ECD淀積銅填充，即填充通孔窗口也填充槽。（10）用CMP清除額外的銅：用化學(xué)機(jī)械平坦清除額外的銅。83、單選

硅元素的原子序數(shù)是（）.A.13B.14C.15D.16正確答案：B84、問答題

單色X射線衍射法的精度收哪些影響？正確答案：X射線束的發(fā)散性、X射線束的準(zhǔn)直性、轉(zhuǎn)交鼓輪讀數(shù)輪刻度的精度。85、問答題

例舉出硅片廠中使用的五種通用氣體。正確答案：氧氣（O2）、氬氣（Ar）、氮?dú)猓∟2）、氫氣（H2）和氦氣（HE.86、填空題

晶體中最鄰近的兩個(gè)平行晶面間的距離稱為晶面間距，晶面指數(shù)最低的晶面總是具有（）的晶面間距。正確答案：最大87、單選

光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。A．簡單較大B．復(fù)雜較大C．簡單較小D．復(fù)雜較小正確答案：A88、填空題

四探針法測試，C的大小取決于四探針的（）和針距。正確答案：排列方式89、問答題

光刻和刻蝕的目的是什么？正確答案：光刻的目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上，而刻蝕的目的是在硅片上無光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。即將圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面。90、單選

固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保護(hù)氣中，在（）攝氏度以上進(jìn)行常規(guī)熱處理。A、300B、400C、500D、600正確答案：B91、填空題

目前測定硅單晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。正確答案：紅外吸92、問答題

伸縮振動(dòng)與彎曲振動(dòng)的頻率哪個(gè)高？正確答案：從振動(dòng)頻率和能量看，伸縮振動(dòng)高。93、問答題

缺陷顯示的意義？正確答案：顯示漩渦缺陷，檢測體層錯(cuò)，位錯(cuò)，晶體原有的滑移，摻雜劑或雜志濃度周期性變化形成的電阻率條紋等。94、問答題

影響硅單晶電化學(xué)腐蝕速度的因素有哪些？正確答案：腐蝕液的成分、電極電位、緩沖劑的影響、腐蝕處理的溫度和攪拌的影響、光照的影響。95、單選

下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是（）。A、無色透明B、易燃易爆C、不易揮發(fā)和水解D、有刺激性氣味正確答案：C96、問答題

光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？正確答案：增大了曝光場，可以獲得較大的芯片尺寸，一次曝光可以多曝光些芯片，它還具有在整個(gè)掃描過程調(diào)節(jié)聚焦的能力。97、問答題

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。正確答案：去除氮化硅使用熱磷酸進(jìn)行濕法化學(xué)剝離掉的。這種酸槽一般始終維持在160°C左右并對露出的氧化硅具有所希望的高選擇比。用熱磷酸去除氮化硅是難以控制的，通過使用檢控樣片來進(jìn)行定時(shí)操作。在曝露的氮化硅上常常會(huì)形成一層氮氧化硅，因此在去除氮化硅前，需要再HF酸中進(jìn)行短時(shí)間處理。如果這一層氮氧化硅沒有去掉，或許就不能均勻地去除氮化硅。98、問答題

什么是色相色譜法？正確答案：以氣體為流動(dòng)相的柱色譜分離技術(shù)。99、名詞解釋

填充薄膜正確答案：用金屬薄膜填充通孔以便在兩層金屬間形成電連接。100、問答題

什么是結(jié)深？正確答案：硅片中p型雜質(zhì)和n型雜質(zhì)相遇的深度被稱為結(jié)深。101、問答題

解釋投射電子能顯微鏡。正確答案：TEM把加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的電子碰撞而電子與樣品中的原子的碰撞而改變方向，從而產(chǎn)生立體角散射，散射角的大小與樣品的密度、厚度有關(guān)，因此可以形成明暗不同的影像。TEM是惟一定量測量硅片上一些非常小特征尺寸的測量工具。102、填空題

當(dāng)任何一種高速運(yùn)動(dòng)的（）與一塊金屬物質(zhì)相撞時(shí)，都會(huì)產(chǎn)生X射線。正確答案：帶電粒子103、問答題

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？正確答案：目的：使待注入的物質(zhì)以帶電粒子束的形式存在最常用的源：Freeman離子源和Bernas離子源104、名詞解釋

互連正確答案：由導(dǎo)電材料，如鋁、多晶硅和銅制成的連線將電信號傳輸?shù)叫酒牟煌糠??；ミB也被用于芯片上器件和器件整個(gè)封裝之間的金屬連接。105、問答題

描述金屬復(fù)合層中用到的材料？正確答案：采用三明治金屬結(jié)構(gòu)，包括：（1）淀積Ti，使鎢塞和下一層金屬良好鍵合，層間介質(zhì)良好鍵合；（2）Al，Au合金，加入銅抗電遷移；（3）TiN作為下一次光刻的抗反射層；106、問答題

用冷熱探筆法測量P型半導(dǎo)體時(shí)，為什么冷端帶正電，熱端帶負(fù)電？正確答案：樣品為P型材料，載流子的熱運(yùn)動(dòng)速度與溫度有關(guān)，熱區(qū)的空穴熱運(yùn)動(dòng)速度大，冷區(qū)的空穴熱運(yùn)動(dòng)速度小。因此，熱端向冷端運(yùn)動(dòng)的空穴將比反向運(yùn)動(dòng)的空穴多，這樣產(chǎn)生了空穴熱運(yùn)動(dòng)的擴(kuò)散流。熱運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散流把一部分空穴的熱端帶到冷端，于是熱端空穴比平衡濃度低，而冷端則出現(xiàn)多余的空穴，其結(jié)果形成了冷熱兩端電荷的積累，熱端缺乏電荷帶負(fù)電，冷端積累了電荷帶正電。107、問答題

將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程？正確答案：整形處理，切片，磨片和倒角，刻蝕，拋光，清洗，硅片評估，包裝。108、問答題

例舉出芯片廠中6個(gè)不同的生產(chǎn)區(qū)域并對每一個(gè)生產(chǎn)區(qū)域做簡單描述。正確答案：芯片廠中通常分為擴(kuò)散區(qū)、光刻區(qū)、刻蝕區(qū)、離子注入?yún)^(qū)、薄膜生長區(qū)和拋光區(qū)6個(gè)生產(chǎn)區(qū)域：擴(kuò)散區(qū)是進(jìn)行高溫工藝及薄膜積淀的區(qū)域，主要設(shè)備是高溫爐和濕法清洗設(shè)備；②光刻區(qū)是芯片制造的心臟區(qū)域，使用黃色熒光管照明，目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上；③刻蝕工藝是在硅片上沒有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形；④離子注入是用高壓和磁場來控制和加速帶著要摻雜的雜質(zhì)的氣體；高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面，形成目標(biāo)硅片；⑤薄膜生長主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)各個(gè)步驟中的介質(zhì)層與金屬層的淀積。⑥拋光，即CMP（化學(xué)機(jī)械平坦化）工藝的目的是使硅片表面平坦化。109、問答題

什么是薄膜？例舉并描述可接受的薄膜的8個(gè)特性。正確答案：薄膜：指某一維尺寸遠(yuǎn)小于另外兩維上的尺寸的固體物質(zhì)。好的臺(tái)階覆蓋能力、高的深寬比填隙能力（>3：1）厚度均勻（避免針孔、缺陷）、高純度和高密度、受控的化學(xué)劑量結(jié)構(gòu)完整和低應(yīng)力、好的粘附性（避免分層、開裂致漏電）110、問答題

紅外光譜法在氧、碳測試中受哪些影響？正確答案：半峰寬對測量的影響、樣品表面情況的影響、光照面積的影響、晶格吸收的影響、載流子吸收的影響、表面薄膜的影響、多次反射修正的影響、測試溫度的影響。111、填空題

測出的就是點(diǎn)接觸外表面的導(dǎo)電類型。要求（），無氧化層，清潔無油污。正確答案：表面無反型層112、填空題

半導(dǎo)體晶體缺陷可以分為（）和微觀缺陷，以及點(diǎn)陣應(yīng)變和表面機(jī)械損傷。正確答案：宏觀缺陷113、問答題

光電導(dǎo)衰退法分為哪幾種?都有什么優(yōu)點(diǎn)?正確答案：可分為高頻光電導(dǎo)和直流光電導(dǎo)；高頻光電導(dǎo)的優(yōu)點(diǎn)，無須切割成一定的幾何形狀，樣品較少受到污染，測試方法簡單，得到廣泛應(yīng)用。直流光電帶衰退法的優(yōu)點(diǎn)，測量精度高。測量下限比高頻光電衰退法低。114、問答題

簡述光圖定向的基本原理。正確答案：當(dāng)平行光入射到處理后的硅單晶上，形成反射再次反射光路上放置一光屏，先出晶體的光像。根據(jù)晶體反射光像的對稱性以及光圖中心的偏離角，可以確定晶體的生長方向和晶體的晶向偏離角度。115、問答題

金相顯微鏡的構(gòu)成？正確答案：由光字系統(tǒng)，照明系統(tǒng)，機(jī)械系統(tǒng)三部分組成。116、問答題

例舉并描述薄膜生長的三個(gè)階段。正確答案：（1）晶核形成分離的小膜層形成于襯底表面，是薄膜進(jìn)一步生長的基礎(chǔ)。（2）凝聚成束形成（Si）島，且島不斷長大（3）連續(xù)成膜島束匯合并形成固態(tài)的連續(xù)的薄膜淀積的薄膜可以是單晶（如外延層）、多晶（多晶硅柵）和無定形（隔離介質(zhì)，金屬膜）的。117、問答題

例舉得到半導(dǎo)體級硅的三個(gè)步驟。半導(dǎo)體級硅的純度能達(dá)到多少？正確答案：第一步：用碳加熱硅石來制備冶金級硅第二步：通過化學(xué)反應(yīng)將冶金級硅提純以生成三氯硅烷第三步：利用西門子方法，通過三氯硅烷和氫氣反應(yīng)來生產(chǎn)半導(dǎo)體級硅純度能達(dá)到99.99999999%118、問答題

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。正確答案：汞燈，高壓汞燈，電流通過裝有氙汞氣體的管子產(chǎn)生電弧放電，這個(gè)電弧發(fā)射出一個(gè)特征光譜，包括240納米到500納米之間有用的紫外輻射準(zhǔn)分子激光，準(zhǔn)分子是不穩(wěn)定分子是有惰性氣體原子和鹵素構(gòu)成只存在與準(zhǔn)穩(wěn)定激發(fā)態(tài)。119、問答題

解釋什么是暗場掩模板。正確答案：暗場掩膜版是指一個(gè)掩膜版，它的石英版上大部分被鉻覆蓋，并且不透光。120、單選

直拉單晶中氧含量頭部和尾部相比（）。A.較高B.相同C.較低D.無法判斷正確答案：A121、問答題

影響氧化速度的因素有哪些？正確答案：摻雜物、晶體晶向、壓力、溫度、水蒸氣。122、填空題

目前常用的測量非平衡半導(dǎo)體晶體載流子壽命表的方法，一般可分為兩大類，（），穩(wěn)態(tài)法（間接法）。正確答案：瞬態(tài)法(直接法)123、問答題

晶半導(dǎo)體中的缺陷都有哪些？正確答案：微觀缺陷：點(diǎn)缺陷，殘缺陷，雜志缺陷。宏觀缺陷：小角度晶界和系屬結(jié)構(gòu)，位錯(cuò)排與星形結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)析出與夾雜物。124、填空題

曲線未被平衡欠超高一般應(yīng)不大于（）mm，困難條件下不大于60mm。正確答案：40125、問答題

測定晶體取向的方法？正確答案：1從晶體外觀判斷2根據(jù)單晶棱線的位置3依據(jù)解理面或碎裂面4根據(jù)腐蝕坑的形態(tài)確定126、單選

用冷熱探筆法測量（）半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶正電，熱端帶負(fù)電。A.P型B.NC.PN型D.以上皆不是正確答案：A127、填空題

硅半導(dǎo)體的導(dǎo)電過程存在（）和空穴兩種載流子。正確答案：電子128、單選

參雜硼元素的半導(dǎo)體是（）.A.p型半導(dǎo)體B.本征半導(dǎo)體C.N型半導(dǎo)體D.pn結(jié)正確答案：A129、填空題

電阻率條紋上沒有微缺陷蝕坑，宏觀上看不見小白點(diǎn)，腐蝕面為鏡面，這是（）和電阻率條紋最重要的區(qū)別。正確答案：漩渦花紋130、問答題

按構(gòu)成集成電路基礎(chǔ)的晶體管分類可以將集成電路分為哪些類型？每種類型各有什么特征？正確答案：分為三種，雙極集成電路，MOS集成電路，雙極-MOS（BiMOS）集成電路。雙極集成電路：采用的有源器件是雙極晶體管，特點(diǎn)：速度高，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，但功耗大，集成能力低。MOS集成電路：采用的有源器件是MOS晶體管，特點(diǎn)：輸入阻抗高，抗干擾能力強(qiáng)，功耗小，集成度高。雙極-MOS（BiMOS）集成電路：同時(shí)包含雙極和MOS晶體管，特點(diǎn)：綜合了速度高，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，抗干擾能力強(qiáng)，功耗小，集成度高的優(yōu)點(diǎn)，但制造工藝復(fù)雜。131、問答題

定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？正確答案：刻蝕速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度t=刻蝕所用的時(shí)間高的刻蝕速率，可以通過精確控制刻蝕時(shí)間來控制刻蝕的厚度。132、問答題

什么是硅片的自然氧化層？由自然氧化層引起的三種問題是什么？正確答案：自然氧化層：如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，硅片的表面將被氧化。這一薄氧化層稱為自然氧化層。硅片上最初的自然氧化層生長始于潮濕，當(dāng)硅片表面暴露在空氣中時(shí)，一秒鐘內(nèi)就有幾十層水分子吸附在硅片上并滲透到硅表面，這引起硅表面甚至在室溫下就發(fā)生氧化。自然氧化層引起的問題是：①將妨礙其他工藝步驟，如硅片上單晶薄膜的生長和超薄氧化層的生長。②另一個(gè)問題在于金屬導(dǎo)體的接觸區(qū)，如果有氧化層的存在，將增加接觸電阻，減少甚至可能阻止電流流過。③對半導(dǎo)體性能和可靠性有很大的影響133、問答題

影響譜帶（位移）的因素有哪些？說明其影響規(guī)律和原因？正確答案：（1）質(zhì)量效應(yīng)，對于同族元素，由于彼此質(zhì)量差別大，隨著原子質(zhì)量的增加，它們與同一元素形成的化學(xué)鍵的吸收帶波數(shù)明顯減小。（2）化學(xué)鍵強(qiáng)度的影響，同一周期元素，電負(fù)性越大，化學(xué)鍵強(qiáng)度越大，因而隨著電負(fù)性增大，它們與同一元素形成的化學(xué)鍵的吸收波數(shù)增大。（3）物質(zhì)狀態(tài)的影響，分子間距氣態(tài)>液態(tài)>固態(tài)，因而分子間作用增大及與之相應(yīng)的振動(dòng)頻率降低。134、問答題

例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。正確答案：1，分滴，當(dāng)硅片靜止或者旋轉(zhuǎn)得非常緩慢時(shí)，光刻膠被分滴在硅片上2，旋轉(zhuǎn)鋪開，快速加速硅片的旋轉(zhuǎn)到一高的轉(zhuǎn)速使光刻膠伸展到整個(gè)硅片表面3，旋轉(zhuǎn)甩掉，甩去多余的光刻膠，在硅片上得到均勻的光刻膠膠膜覆蓋層4，溶劑揮發(fā)，以固定轉(zhuǎn)速繼續(xù)旋轉(zhuǎn)已涂膠的硅片，直至溶劑揮發(fā)，光刻膠膠膜幾乎干燥。135、問答題

描述曝光波長和圖像分辨率之間的關(guān)系。正確答案：減少曝光光源的波長對提高分辨率非常重要，波長的越小圖像的分辨率就越高圖像就越精確。136、填空題

光電導(dǎo)衰退法是目前應(yīng)用最廣的方法，它有（）和直流光電導(dǎo)之分。正確答案：高頻光電導(dǎo)