(高清版)GB∕T 39131-2020 人工晶體材料術語

ICS01.040.01人工晶體材料術語國家市場監(jiān)督管理總局國家標準化管理委員會IGB/T39131—2020 1 1 2 45檢測和表征 6加工和后處理 索引 ⅢGB/T39131—2020本標準按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標準由中國建筑材料聯(lián)合會提出。本標準由全國人工晶體標準化技術委員會(SAC/TC461)歸口。本標準起草單位：北京中材人工晶體研究院有限公司、中國科學院上海光學精密機械研究所、中國科學院新疆理化技術研究所、南開大學、中國科學院長春應用化學研究所、中國科學院上海硅酸鹽研究1GB/T39131—2020人工晶體材料術語本標準適用于人工晶體材料及其相關應用領域。在自然界天然形成的晶體。人工晶體syntheticcrystal利用人工方法制備出的晶體。單晶singlecrystal具有一個連續(xù)的晶體結(jié)構的物質(zhì)。晶體中質(zhì)點按一定對稱性周期性重復而形成的空間排列形式。能夠反映晶體對稱性和周期性的最小重復單元。晶系crystalsystem根據(jù)晶體含有的旋轉(zhuǎn)軸劃分的體系。注：按晶體對稱性高低分為7個晶系：等軸(立方)晶系、六方晶系、四方晶系、三方晶系、斜方(正交)晶系、單斜晶通過一點組合在一起的對稱元素的所有對稱操作的集合。注：按其對稱性要素分為32個獨立的點群。2注：處于磁化狀態(tài)的介質(zhì)與光之間發(fā)生相互作用而引起的光學現(xiàn)象稱為磁光效應。注：在外電場作用下，引起介質(zhì)折射率變化的現(xiàn)象稱為電光效應。關涉及入射光頻率或波長改變的效應稱為非線性光學效應。3GB/T39131—20203.8具有光折變效應的晶體。注：電光材料在不均勻光輻照下，由電光效應引起折射率隨光強空間分布而發(fā)生變化的效應稱為光折變效應。3.9可將外界提供的能量通過光學諧振腔轉(zhuǎn)化為在空間和時間上相干、具有高度平行和單色性激光的晶體。3.10切侖科夫晶體Cherenkovcrystal具有切侖科夫效應的晶體。注：帶電粒子在均勻透明的介質(zhì)中作均速運動且運動速度大于光在其中的速度時，產(chǎn)生一種電磁波輻射，這種現(xiàn)象稱為切侖科夫效應。3.11熱釋電晶體pyroelectriccrystal具有熱釋電效應的晶體。注：由于溫度變化而導致晶體自發(fā)極化強度變化，從而在晶體特定方向產(chǎn)生表面電荷的現(xiàn)象稱為熱釋電效應。3.12閃爍晶體scintillationcrystal吸收X射線、Y射線或其他高能粒子等的輻射能量后能發(fā)出紫外或可見光的晶體。3.13聲光晶體acousto-opticcrystal具有聲光效應的晶體。注：光通過某一受超聲波擾動的介質(zhì)時發(fā)生衍射的現(xiàn)象稱為聲光效應。3.14雙折射晶體birefringentcrystal具有雙折射效應的晶體。注：一束自然光入射到各向異性的介質(zhì)中分成兩束線偏振折射光的現(xiàn)象稱為雙折射效應。3.15鐵磁晶體ferromagneticcrystal具有鐵磁效應的晶體。注：介質(zhì)具有自發(fā)性的磁化現(xiàn)象稱為鐵磁效應。3.16鐵電晶體ferroelectriccrystal具有鐵電效應的晶體。注：在不加外電場時，介質(zhì)具有自發(fā)極化的現(xiàn)象稱為鐵電效應。3.17鐵彈晶體ferroelasticcrystal具有鐵彈效應的晶體。注：應變對應于外力的變化有滯后現(xiàn)象，應力與應變呈非線性關系，自發(fā)應變方向可因外力場而反向的現(xiàn)象稱為鐵3.18稀土晶體rareearthcrystal稀土元素可以完整占據(jù)結(jié)晶學結(jié)構中某一格點的晶體。4GB/T39131—20203.19壓電晶體piezoelectriccrystal具有壓電效應的晶體。注：某些電介質(zhì)在沿一定方向上受到外力的作用而變形時，其內(nèi)部會產(chǎn)生極化現(xiàn)象，同時在其兩個相對表面上出現(xiàn)正負相反的電荷的現(xiàn)象稱為正壓電效應。當在電介質(zhì)的極化方向上施加電場，這些電介質(zhì)也會發(fā)生變形，電場去掉后，電介質(zhì)的變形隨之消失的現(xiàn)象稱為逆壓電效應。正壓電效應和逆壓電效應總稱為壓電效應。4生長4.1生長方法4.1.1氨熱法ammonothermalmethod在密封的壓力容器中，以液氨為溶劑，在高溫高壓的條件下利用溶解再結(jié)晶過程培養(yǎng)難溶晶體的方法。4.1.2導模法edge-definedfilm-fedgrowthmethod熔體借毛細作用上升到留有毛細管狹縫的模具頂部，形成一層薄膜并向四周擴散，同時受籽晶誘導結(jié)晶生長晶體的方法。4.1.3在坩堝底部放入籽晶，通過緩慢降溫或者移動坩堝產(chǎn)生驅(qū)動力來實現(xiàn)接種生長晶體的方法。4.1.4頂部籽晶溶液法topseededsolutiongrowthmethod在溶液法中，通過改變溫度或蒸發(fā)溶劑使溶液過飽和，向上提拉籽晶進行晶體生長的方法。4.1.5膜的方法。4.1.6浮區(qū)法floatingzonemethod后垂直向上進行區(qū)熔，將原料棒提純并制成晶體的方法。4.1.7原料在坩堝內(nèi)受熱熔化，移動坩堝通過溫度梯度區(qū)使熔體凝固形成晶體的方法。注：坩堝相對溫度梯度區(qū)垂直下降的方法稱為坩堝下降法。4.1.8物質(zhì)在氣態(tài)發(fā)生化學反應，在加熱的固態(tài)基體表面沉積生長晶體的方法。4.1.9加速坩堝旋轉(zhuǎn)法acceleratedcruciblerotationmethod用溶液法或熔體法生長晶體時，采用旋轉(zhuǎn)速度由慢加快、再由快減慢周期性地旋轉(zhuǎn)坩堝方式，增加5溶液或熔體對流的晶體生長方法。激光加熱基座法laserheatingpedestalgrowthmethod利用激光輻射被原料吸收產(chǎn)生的熱量使多晶原料棒部分熔化，未熔化原料作為基體支撐熔體，熔體和籽晶接觸形成固/液界面，向上牽引籽晶進行晶體生長的方法。加熱原料中心形成熔區(qū)，原料外圍有水冷系統(tǒng)，自然形成硬殼作為熔體坩堝，通過緩慢降溫或移動坩堝實現(xiàn)晶體生長的方法。提拉法生長晶體，按照晶體生長速度不斷補充所消耗的原料，維持生長體系處于穩(wěn)定狀態(tài)的晶體生將籽晶與熔體接觸，以極緩慢的速度向上拉升，待熔體與晶種界面的凝固速率穩(wěn)定后，籽晶便不再拉升和旋轉(zhuǎn)，逐漸降低熔體的溫度，使晶體從上往下凝固成一整個單晶的方法。氣相外延vaporphaseepitaxy將蒸汽狀態(tài)的原料通過化學反應或冷凝沉積在襯底上，生長出具有特定方向晶體的方法。移動多晶料棒或加熱器，使熔區(qū)不斷向低溫區(qū)移動，結(jié)晶生長出晶體的方法。根據(jù)區(qū)熔方向的不同分為水平區(qū)熔法和垂直區(qū)熔法。熱交換法heatexchangemethod利用熱交換器在晶體生長區(qū)內(nèi)形成一個上熱下冷的縱向溫度梯度，坩堝不做任何方向的移動，熔體在坩堝內(nèi)直接凝固成晶體的方法。以非水溶劑為溶劑，在高溫高壓的條件下利用溶解再結(jié)晶過程培養(yǎng)難溶晶體的方法。溶劑揮發(fā)法solventevaporationmethod借助溶劑揮發(fā)，使溶液達到一定的過飽和度，由過飽和溶液中生長晶體的方法。將原料溶解在溶劑中形成溶液，保持一定的過飽和度而生長晶體的方法。水平區(qū)熔法horizontalzonemeltingmethod沿水平方向使原料棒與被加熱形成的熔區(qū)相對移動，使熔區(qū)從原料棒一端向另一端緩慢移動，并慢水熱法hydrothermalmethod在密封的壓力容器中，以水為溶劑，在高溫高壓的條件下利用溶解再結(jié)晶過程培養(yǎng)難溶晶體的6GB/T39131—2020方法。4.1.22水溶液降溫法aqueoussolutioncoolingmethod生長晶體的方法。4.1.23水溶液蒸發(fā)法aqueoussolutionevaporationmethod在一定溫度和壓力條件下，靠溶劑水的不斷蒸發(fā)，使溶液達到過飽和狀態(tài)以析出晶體的方法。4.1.24提拉法Czochralskimethod丘克拉斯基法Czochralskimethod由丘克拉斯基(J.Czochralski)發(fā)明的生長方法。在一致熔融的熔體中，通過向上提拉籽晶實現(xiàn)液固相變的晶體生長方法。4.1.25外延epitaxy利用晶體界面上的二維結(jié)構相似性成核的原理，在單晶襯底上、按襯底晶向生長單晶薄膜的工藝。注：外延層和晶體襯底是同一種材料的工藝稱為同質(zhì)外延。外延層和晶體襯底不是同一種材料的工藝稱為異質(zhì)外延。4.1.26微下拉法micro-pulling-downmethod利用坩堝底部的微通道，通過向下牽引籽晶，實現(xiàn)晶體生長的方法。4.1.27物理氣相傳輸法physicalvaportransportmethod升華法sublimationmethod將原料在熱區(qū)加熱升華成氣相，然后輸送到較低的溫度區(qū)，使其達到過飽和狀態(tài)成核生長晶體的方法。4.1.28焰熔法Verneuilmethod利用氫氣和氧氣在燃燒過程中產(chǎn)生的高溫，使一種疏松的原料粉末通過氫氧焰撒下時熔融，并落在一個冷卻的籽晶桿上生長晶體的方法。4.1.29液封提拉法liquidencapsulatedCzochralskimethod提拉法生長某些在熔化時蒸汽壓高或易分解的化合物時，在原料熔體上面覆蓋上一層同原料不發(fā)生反應而熔點又比該原料低的物質(zhì)形成液封層，以保證晶體正常生長的方法。4.1.30由溶液中析出固相物質(zhì)并沉積在襯底上生成單晶薄膜的工藝。4.1.31助熔劑法fluxmethod高溫溶液法hightemperaturesolutionmethod溶質(zhì)晶體的方法。7GB/T39131—2020對自由生長的晶體，晶體的最終外形應為面網(wǎng)密度最大的晶面所包圍，晶面的法線方向生長速率反比于網(wǎng)面間距，生長速率快的晶面族在最終的形態(tài)中消失。摻雜doping晶體生長時有意地加入少量或微量的其他物質(zhì)，使其固溶到晶體相中，以調(diào)節(jié)晶體的性能。層錯機制faultmismatchgrowthmechanism面心立方晶體中，(111)生長面上層錯與之相交，在生長面上形成不同高度的亞臺階(永不消失的臺階源)而不斷生長。倒溶解度retrogradesolubility在一定水熱條件下，某些化合物的溶解度隨溫度升高而減小的反逆性溶解度。生長界面處溶液/熔體中晶體組成之間不同聚集態(tài)的能量分布誘導的結(jié)晶過程。非平衡晶體生長形態(tài)crystalmorphologyfarfromequilibriumstate遠離晶體生長平衡態(tài)的情況下，如果長成籽晶有不止一種形態(tài)時，具有較大質(zhì)量沉積速率的形態(tài)是穩(wěn)定的。如果最大質(zhì)量沉積速率形態(tài)不止一種時，微觀生長動力學對形態(tài)選擇有決定作用。分凝系數(shù)segregationcoefficient從溶液或熔體中生長晶體時，當固、液(或熔體)兩相平衡時，雜質(zhì)組分在晶體中的溶解度與在熔體中的溶解度比值。負離子配位多面體生長基元模型anioncoordinationpolyhedrongrowthunitmodel配位型復雜晶體生長過程中，生長基元往往是負離子配位多面體，其結(jié)晶方位與生長晶體形貌相4.2.10晶體在恒溫和等容的條件下，某一晶面族的生長線速率正比于表面自由能，晶體總表面能最小時的形態(tài)為晶體的平衡形態(tài)。4.2.11利用“三相區(qū)”描述晶體生長過程，在過渡相區(qū)，結(jié)晶學結(jié)構和結(jié)晶環(huán)境共同決定生長界面處的離子/分子排布，進一步?jīng)Q定化學鍵合模式。84.2.12晶體生長熱力學crystalgrowththermodynamics從能量轉(zhuǎn)化的觀點研究晶體生長過程中從組成到晶態(tài)的相變問題，揭示相變過程中能量從一種形式轉(zhuǎn)換成另一種形式時遵從的統(tǒng)計學基本規(guī)律。4.2.13晶體生長過程中生長速率、界面微觀結(jié)構演變、晶體組成聚集、相變機理等隨時間變化的動態(tài)規(guī)律。4.2.14晶核在母相中形成新相時，體系中空間各點出現(xiàn)新相幾率相同的成核現(xiàn)象。4.2.15快速生長fastgrowth在動力學控制下的實際生長中，優(yōu)化的生長參數(shù)使生長界面處晶體組成間聚集態(tài)的能量分布接近于熱力學生長狀態(tài)，從而造成生長速率的提高并接近于熱力學生長速率。4.2.16螺旋位錯生長理論serewdislocationtheoryofcrystalgrowth以晶體生長界面上螺型位錯的露頭點作為晶體的生長源的一種晶體生長理論。4.2.17孿晶機制twingrowthmechanism在面心立方晶體中，相鄰的(111)面存在的孿晶，在生長面的凹角處形成亞臺階，會吸附原子生長，交替形成全臺階而不斷生長的機制。4.2.18普蘭托邊界層理論Prandtlboundarylayertheory固-液界面附近存在著一組狹窄區(qū)域，這些區(qū)域按性質(zhì)分別稱為速度邊界層、溫度邊界層、溶質(zhì)濃度運主要靠對流。4.2.19刃位錯機制edgedislocationgrowthmechanism晶面與位錯相交，不處于以該位錯的柏格斯矢量為軸的晶帶中，不同位錯線對晶體生長的貢獻均相同，無論何種類型位錯均為這類晶面提供了永不消失的臺階。4.2.20溶解度solubility4.2.21溶解度的溫度系數(shù)temperaturecoefficientofsolubility在一定壓力下，物質(zhì)在溶劑中溶解的變化量與溫度變化量之比。4.2.22體系的內(nèi)在性質(zhì)在物理和化學上都是均勻的部分。4.2.23當外界條件改變時，晶體從一種狀態(tài)或結(jié)構轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N狀態(tài)或結(jié)構的過程。4.2.24相變驅(qū)動力drivingforceforphasetransition根據(jù)熱力學法則，當兩相間吉布斯自由能不等時，存在著相變驅(qū)動力，相變向自由能降低的方向9GB/T39131—20205檢測和表征包裹體inclusion晶體生長過程中因組分過冷而在生長界面上呈現(xiàn)出顯微結(jié)構形態(tài)類似蜂窩的界面特征。沿晶體不同的結(jié)晶學方向具有不同的物理特性。壞或性能惡化的現(xiàn)象。有可逆性。光學晶體中折射率的不均勻性。核心core晶體生長過程中平行于固液界面的低指數(shù)晶面因生長速率快于其他晶面而形成的應力缺陷集中注：發(fā)生于晶坯軸心到邊緣之間位置稱為側(cè)心。發(fā)生于晶坯邊緣附近位置稱為邊心。處于間隙位置上的原子或離子形成的缺陷。結(jié)構相同而取向不同晶粒之間的界面。晶體結(jié)構中晶格位質(zhì)點缺失而形成的點缺陷。GB/T39131—2020由兩個互不平行的同種單晶按一定的對稱關系而組成的規(guī)則連生晶體。5.11.1機械孿晶mechanicaltwin由外力使晶體發(fā)生形變所形成的孿晶。5.11.2生長過程中形成的孿晶。偏離晶體結(jié)構周期排列的現(xiàn)象。能吸收可見光使原來透明的晶體出現(xiàn)顏色的點缺陷。蝕坑etchpit填隙interstitial質(zhì)點處于晶體結(jié)構格位之間空隙位置上的點缺陷。晶體在垂直于生長方向所產(chǎn)生的層狀不均勻性所呈現(xiàn)的條帶狀缺陷。晶體內(nèi)部原子沿某條直線方向呈現(xiàn)出的局部不規(guī)則排列。單位體積晶體中所含位錯線的總長度(cm/cm3)。注：通常用晶體某晶面單位面積上位錯蝕坑的數(shù)目(個/cm2)表示。晶體內(nèi)部結(jié)構中沿著某條線(行列)方向上的周圍局部范圍內(nèi)所產(chǎn)生的晶格缺陷。由眾多微細氣泡或包裹體分布在晶體中形成的如同彌漫的云霧的缺陷。GB/T39131—2020結(jié)晶學平面密勒指數(shù)milerindicesofacrystallographicplane注：通常用圓括號括起來。用于標示晶體中晶面和晶向的密勒指數(shù)的一種符號體系。注：晶面(),如(111);晶面族{},如{111};晶向[],如[111];晶向族<>,如<111>。單晶的結(jié)晶學取向。晶體生長過程中自發(fā)形成的晶體表面。生長后未經(jīng)加工和后處理的原始晶體毛坯。晶錠crystalingot經(jīng)過加工后外形為圓柱體或長方體的晶體毛坯。成型毛坯crystalblank晶片crystalwafer具有平行平面的外形規(guī)則片狀晶體。晶塊crystalblock利用晶體的物理性質(zhì)實現(xiàn)一定功能性的器件。改善晶體特性或組成的熱處理過程。極化polarization把晶體按照要求的晶向切割成具有一定形狀和一定尺寸晶片或晶塊的工藝過程。GB/T39131—2020晶片或晶塊加工得到的實際表面的法線與名義表面的晶體結(jié)晶學方向的夾角。滾圓cylindricallapping用研磨的方法加工晶體外圓表面成圓柱形的工藝過程。倒角edgerounding6.17.16.17.2精磨precisiongrinding采用不同粒度磨料進行多次研磨過程時，將采用較小粒度磨料、第二道及后續(xù)工序進行的研磨拋光polishing化學機械拋光chemicalmechanicalpolishing利用化學和機械綜合作用將研磨后的晶體毛坯表面加工成光滑鏡面的工藝過程。晶片拋光后獲得如鏡面狀完美的表面。晶體加工時，在晶體加工面留下的一系列弧狀凸紋和凹紋交替形狀的不規(guī)則痕跡表面疵病surfaceimperfec6.22.16.22.2晶體表面淺的細溝槽，其長寬比大于5:1。6.22.3晶片或晶塊邊緣非有意地造成脫落材料的區(qū)域。GB/T39131—2020延伸到晶片或晶塊表面的解理或斷裂。晶體平面與理想平面的變動量。6.25.16.25.2注：一個完整的隨機表面將有一個高斯分布的直方圖和Rku=3。6.25.3表面織構起主要作用的方向。6.25.4在不規(guī)則物(空間波長)之間的間隔小于100pm時的表面粗糙度分量。6.25.5峰到谷差peaktovalley在一個求值長度L內(nèi)，相對于中間線表面輪廓最高點至最低點的6.25.6在求值區(qū)域內(nèi)(=Lx,Ly)(SEMIMI),相對于中間面的表面形貌偏差Z(x)的均方根值，用RqA表示。6.25.7在取值長度L(SEMIMI)內(nèi)，相對于中間線的表面剖面(輪廓)高度偏差Z(x)的均方根，用Rq表示。6.25.8均方根斜率rmsslope6.25.9注：一個完美的隨機表面應有Rsk=0。6.25.10真實表面與基準表面的形貌偏差。在求值長度內(nèi)，相對于中間線，5個最高輪廓峰高度的絕對值和5個輪廓谷深度的絕對值的平均[1]GB/T14264—2009半導體材料術語[4]江東亮，李龍土，歐陽世翕，施劍林.中國材料工程大典第9卷，無機非金屬材料工程(下).北漢語拼音索引A氨熱法…………4.1.1B半導體晶體………3.1包裹體……………5.1胞狀組織…………5.2崩邊…………6.22.3表面疵病………6.22表面織構……6.25.10表面織構主方向……………6.25.3不可逆光損傷…………………5.4.1布拉格方程……2.12布拉維格子……2.11布里奇曼法……4.1.7C側(cè)面垂直度……6.28層錯機制………4.2.3摻雜……………4.2.2成型毛坯…………6.7垂直區(qū)熔法……4.1.6磁光晶體…………3.2磁性晶體…………3.3粗糙度…………6.25粗磨…………6.17.1D單疇化…………6.12單晶………………2.4刀痕……………6.21導模法…………4.1.2倒角……………6.16倒溶解度………4.2.4等離子加熱……4.3.1底部籽晶法……4.1.3點群………………2.9電光晶體…………3.4電阻加熱………4.3.2頂部籽晶溶液法………………4.1.4定向切割………6.13多尺度結(jié)晶……4.2.5多晶………………2.5F非對稱性……6.25.9非均勻成核……4.2.6非平衡晶體生長形態(tài)…………非線性光學晶體…………………3.5分光晶體…………3.6分凝系數(shù)………4.2.8分子束外延法…………………4.1.5峰到谷差……6.25.5浮區(qū)法…………4.1.6負離子配位多面體生長基元模型……………4.2.9G坩堝……………4.3.3感應加熱………4.3.4高溫溶液法…………………4.1.31高壓釜…………4.3.5各向異性…………5.3公差……………6.27光聚焦加熱……4.3.6光損傷……………5.4光學均勻性………5.5光學晶體…………3.7光折變晶體………3.8滾圓……………6.15H核心………………5.6紅外加熱………4.3.7劃痕…………6.22.2化學機械拋光…………………6.19化學氣相沉積法………………4.1.8J機械孿晶……5.11.1激光加熱………4.3.8激光加熱基座法……………4.1.10激光晶體…………3.9極化……………6.12加速坩堝旋轉(zhuǎn)法………………4.1.9間隙缺陷…………5.7結(jié)晶生長的化學鍵合理論…4.2.11結(jié)晶學表示法……6.2結(jié)晶學平面密勒指數(shù)……………6.1解理………………5.8晶胞………………2.7晶錠………………6.6晶界……………5.9晶塊………………6.9晶面………………6.4晶片………………6.8晶體………………2.1晶體結(jié)構…………2.6晶體生長動力學……………4.2.13晶體生長熱力學……………4.2.12晶體元件………6.10晶系………………2.8晶向………………6.3晶向偏離………6.14晶向誤差………6.14精磨…………6.17.2均方根區(qū)域微粗糙度………6.25.6均方根微粗糙度……………6.25.7均方根斜率…………………6.25.8均勻成核……4.2.14K可逆光損傷……5.4.2空間群…………2.10空位……………5.10快速生長……4.2.15L冷坩堝法……4.1.11連續(xù)加料提拉法……………4.1.12裂紋……………6.23孿晶……………5.11孿晶機制……4.2.17螺旋位錯生長理論…………4.2.16M麻點…………6.22.1P拋光……………6.18拋光面…………6.20泡生法………4.1.13平行度…………6.26平均粗糙度…………………6.25.1平面度…………6.24普蘭托邊界層理論…………4.2.18Q氣相外延……4.1.14峭度…………6.25.2切侖科夫晶體…………………3.10丘克拉斯基法………………4.1.24區(qū)熔法………4.1.15缺陷……………5.12R熱交換法……4.1.16熱釋電晶體……3.11人工晶體…………2.3刃位錯機制……4.2.19溶劑揮發(fā)法…………………4.1.18溶劑熱法……4.1.17溶解度………4.2.20溶解度的溫度系數(shù)…………4.2.21溶液法………4.1.19S色心……………5.13閃爍晶體………3.12升華法………4.1.27生長孿晶……5.11.2生長條紋………5.16聲光晶體………3.13十點粗糙度高度……………6.25.11蝕坑……………5.14雙折射晶體……3.14水平區(qū)熔法…………………4.1.20水熱法………4.1.21水溶液降溫法………………4.1.22水溶液蒸發(fā)法………………4.1.23T提拉法………4.1.24天然晶體…………2.2填隙……………5.15鐵磁晶體………3.15鐵彈晶體………3.17鐵電晶體………3.16退火……………6.11W外延……………4.1.25微粗糙度……6.25.4位錯……………5.17位錯密度………5.18微下拉法……4.1.26物理氣相傳輸法……………4.1.27X稀土晶體………3.18線缺陷…………5.19相……………4.2.22相變…………4.2.23相變驅(qū)動力…………………4.2.24相界面………4.2.27相平衡………4.2.26小角晶界………5.20Y壓電晶體………3.19研磨……………6.17焰熔法………4.1.28液封提拉法…………………4.1.29液相外延……4.1.30原晶………………6.5云霧……………5.21Z周期鍵鏈理論………………4.2.28助熔劑法……4.1.31籽晶……………4.3.9BFDH理論……4.2.1Gibbs-Wulff晶體生長定律………………4.2.10英文對應詞索引Aacceleratedcruciblerotationmethod………………………4.1.9acousto-opticcrystal………………………3.13ammonothermalmethod……………………4.1.1analyzingcrystal……………3.6anioncoordinationpolyhedrongrowthunitmodel………4.2.9anisotropy……………………5.3annealing……………………6.11aqueoussolutioncoolingmethod…………4.1.22aqueoussolutionevaporationmethod……………………4.1.23as-growncrystal………………6.5autoclave……………………4.3.5averageroughness…………………………6.25.1Bbirefringentcrystal…………………………3.14GB/T39131—2020bottomseededgrowthmethod………………4.1.3Braggequation…………………2.12Bravaislattice……………………2.11Bravais-Friedel-Donnay-Harkertheory………………………4.2.1Bridgmanmethod……………4.1.7Ccellularstructure…………………5.2chemicalbondingtheoryofsinglecrystalgrowth………4.2.11chemicalmechanicalpolishing………………6.19chemicalvapordepositionmethod……………4.1.8Cherenkovcrystal………………3.10chip……………………………6.22.3cleavage……………………………5.8cloudiness…………………………5.21coarsegrinding…………coldcruciblemethod…………………………4.1.11colorcenter……………………5.13continuouschargingCzochralskimethod…………………4.1.12core…………………5.6crack………………6.23crucible…………………………4.3.3crystal………………2.1crystalblank………………………6.7crystalblock………………………6.9crystalelement…………………6.10crystalgrowthkinetics………………………4.2.13crystalgrowththermodynamics……………4.2.12crystalingot……………………6.6crystalmorphologyfarfromequilibriumstate……………4.2.7crystalstructure…………………2.6crystalsystem……………………2.8crystalwafer………………………6.8crystallographicnotation………………………6.2crystallographicplane…………………………6.4cylindricallapping………………………Czochralskimethod…………………………4.1.24Ddefect………………5.12dislocation…………………………5.17dislocationdensity……………5.18doping…………………………4.2.2drivingforceforphasetransition…………4.2.24Eedgedislocationgrowthmechanism…………4.2.19edgerounding……………………6.16edge-definedfilm-fedgrowthmethod………………………4.1.2electro-opticcrystal………………3.4epitaxy…………………………4.1.25etchpit……………………………5.14Ffastgrowth……………………4.2.15faultmismatchgrowthmechanism……………4.2.3ferroelasticcrystal………………3.17ferroelectriccrystal………………3.16ferromagneticcrystal……………3.15flatness……………………………6.24floatingzonemethod……………4.1.6fluxmethod……………………4.1.31GGibbs-Wulfftheorem…………………………4.2.10grainboundary……………………5.9growthtwin……………………5.11.2grinding…………………………6.17Hheatexchangemethod…………………………4.1.16hightemperaturesolutionmethod……………4.1.31homogeneousnucleation………………………4.2.14horizontalzonemeltingmethod……………4.1.20hydrothermalmethod…………………………4.1.21Iinclusion……………………………5.1inductionheating…………………4.3.4infraredheating…………………4.3.7inhomogeneousnucleation………………………4.2.6interstitial…………………………5.15interstitialdefect…………………5.7irreversibleopticaldamage……………………5.4.1Kkurtosis…………………………6.25.2Kyropoulosmethod……………4.1.13GB/T39131—2020Llasercrystal…………………3.9laserheating…………………………laserheatingpedestalgrowthmethod……………………4.1.10lay…………………………6.25.3lightfocusheating…………………………4.3.6lineardefect…………………5.19liquidencapsulatedCzochralskimethod………………4.1.29liquidphaseepitaxy……………………4.1.30littleanglegrainboundary………………5.20Mmagneticcrystal……………3.3magneto-opticcrystal…………………………3.2mechanicaltwin…………………………5.11.1micro-pulling-downmethod……………microroughness…………………………6.25.4milerindicesofacrystallographicplane……………………6.1molecularbeamepitaxymethod…………4.1.5multiscalecrystallization…………………4.2.5Nnaturalcrystal……………2.2nonlinearopticalcrystal…………………3.50off-orientation………………6.14opticalcrystal………………3.7opticaldamage………………5.4opticalnonuniformity………………………5.5orientation…………………6.3orientationalcutting……………………6.13Pparallelism…………………6.26peaktovalley…………………………6.25.5periodicbondchaintheory………………4.2.28phase………………………4.2.22phasediagram……………4.2.25phaseequilibrium………………………4.2.26phasetransition…………………………4.2.23photorefractivecrystal……………………3.8physicalvaportransportmethod…………4.1.27GB/T39131—2020piezoelectriccrystal………………………3.19pit………………………6.22.1plasmaheating……………4.3.1pointgroup…………………2.9polarization………………6.12polishedsurface…………………………6.20polishing……………………6.18polyerystal…………………2.5Prandtlboundarylayertheory…………4.2.18precisiongrinding………………………6.17.2pyroelectriccrystal………………………3.11Rrareearthcrystal…………………………3.18resistanceheating…………………………4.3.2retrogradesolubility………………………4.2.4reversibleopticaldamage………………5.4.2rmsareamicroroughness………………6.25.6rmsmic