中國(guó)DRAM市場(chǎng)分析報(bào)告-市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)態(tài)勢(shì)與發(fā)展前景研究

2021年中國(guó)DRAM市場(chǎng)分析報(bào)告市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)態(tài)勢(shì)與發(fā)展前景研究

提示：目前，DRAM行業(yè)市場(chǎng)格局由三星、SK海力士和美光統(tǒng)治，呈現(xiàn)三足鼎立的的格局，其中三星一家公司市占率約為50%。而寡頭壟斷的格局使得中國(guó)企業(yè)對(duì)DRAM芯片議價(jià)能力很低，并且受外部制約嚴(yán)重。

DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。目前，DRAM行業(yè)市場(chǎng)格局由三星、SK海力士和美光統(tǒng)治，呈現(xiàn)三足鼎立的的格局，其中三星一家公司市占率約為50%。而寡頭壟斷的格局使得中國(guó)企業(yè)對(duì)DRAM芯片議價(jià)能力很低，并且受外部制約嚴(yán)重。

2020年Q3全球DRAM企業(yè)市場(chǎng)份額

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理

一、韓國(guó)DRAM市場(chǎng)分析

韓國(guó)DRAM市場(chǎng)龍頭效果顯著，市場(chǎng)集中化程度較高。從整體市場(chǎng)份額變化幅度來看，三星與SK的市場(chǎng)份額占比空間在逐漸縮小，但三星與SK海力士相加的全球市場(chǎng)份額仍然達(dá)到69.5%。根據(jù)SK海力士（中國(guó)）官網(wǎng)介紹，公司目前在韓國(guó)有1條8英寸晶圓生產(chǎn)線和2條12英寸生產(chǎn)線，在中國(guó)無錫有一條12英寸生產(chǎn)線，2020年Q3該企業(yè)市場(chǎng)份額占比達(dá)到28.2%。2018-2020年Q3三星和SK海力士占全球DRAM市場(chǎng)份額比例變化情況

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2.龍頭企業(yè)運(yùn)營(yíng)特征——以三星為例

DRAM的特點(diǎn)是在市場(chǎng)上先推出產(chǎn)品以及開發(fā)出量產(chǎn)體系的企業(yè)才能確保收益，在競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。而三星能迅速構(gòu)建并高效運(yùn)營(yíng)量產(chǎn)體系，核心在于“并行開發(fā)體系”，在生產(chǎn)和研發(fā)的緊密結(jié)合、高效運(yùn)營(yíng)，并且動(dòng)用這個(gè)集團(tuán)的資源去支援、配合體系的建立，例如如三星建設(shè)迅速的建設(shè)工廠，家電事業(yè)部則把自己積累的技術(shù)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)?zāi)芰斔偷酱鎯?chǔ)器事業(yè)部等，所以在三星集團(tuán)組織結(jié)構(gòu)上是較為成熟的。三星集團(tuán)組織機(jī)構(gòu)中危機(jī)意識(shí)與挑戰(zhàn)精神并存

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另外，三星為降低生產(chǎn)成本、產(chǎn)品價(jià)格暴跌的市場(chǎng)周期后半段積極進(jìn)行生產(chǎn)工藝革新，例如同時(shí)進(jìn)行三個(gè)世代的產(chǎn)品研發(fā)、綜合利用產(chǎn)線、根據(jù)客戶需求生產(chǎn)多樣化產(chǎn)品等等，其中在三個(gè)世代產(chǎn)品研發(fā)主要是把下個(gè)世代的設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)運(yùn)用到現(xiàn)世代的產(chǎn)品生產(chǎn)中，來提高產(chǎn)品性能、產(chǎn)量以及降低生產(chǎn)成本。三星半導(dǎo)體產(chǎn)線綜合利用圖示產(chǎn)線序號(hào)初期生產(chǎn)Wafer尺寸現(xiàn)在用途164KDRAM4inch后處理專用2256KDRAM6inchMCU,Logic產(chǎn)品31MDRAM6inchASIC,MCU，Logic產(chǎn)品44MDRAM6inchASICMCU,Logic產(chǎn)品58inchWafer

加工線8inchASICMCU，Logic產(chǎn)品616MDRAM，64MDRAM，64MSram，Graphic存儲(chǔ)器，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器8inchFlash764MDRAM，128MDRAM，Graphic存儲(chǔ)器8inchFlash864MDRAM，128MDRAM，RambusDRAM，256MDRAM8inchDRAM,Sram，F(xiàn)lash964MDRAM8inchDRAM,Flash10128MDRAM8inchDRAM,Flash11-111-2128MDRAM256MDRAM8,12inchDRAMDRAM12256MDRAM，512MFalsh12inchDRAM，F(xiàn)lashSSystemLST12inchLogic產(chǎn)品13512MDRAM12inchDRAM142G,4GFlash12imchFlash數(shù)據(jù)來源：三星公司公告

二、美國(guó)DRAM市場(chǎng)分析

美國(guó)是全球DRAM主要消費(fèi)國(guó)，其銷售額占全球的39%。在行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)方面，美國(guó)市場(chǎng)份額占比整體在不斷擴(kuò)大。美光作為全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存和影像產(chǎn)品制造商之一，產(chǎn)品涵蓋DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器等。近幾年在信息技術(shù)快速發(fā)展以及企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)環(huán)境下，美光DRAM整體市場(chǎng)占有率再不斷擴(kuò)大。2018-2020年Q3美光市場(chǎng)份額占比情況

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2.龍頭企業(yè)運(yùn)營(yíng)特征——以美光為例

美光技術(shù)路線較為激進(jìn)，與所有DRAM制造商一樣，美光將擁有多個(gè)10納米級(jí)節(jié)點(diǎn)，并計(jì)劃引入至少四個(gè)以上為10nm級(jí)的制造工藝：1Z，1α，1β和1γ（希臘γ，不是y）。目前，美光正加大其用于制造各種產(chǎn)品的第二代10nm級(jí)制造工藝(即1Ynm)，可適用于各種產(chǎn)品包括12GbLPDDR4X以及16GbDDR4存儲(chǔ)器件，而所有10nm級(jí)節(jié)點(diǎn)都依賴于雙重、三重或四重patterning的深紫外光刻技術(shù)(DUVL)，因此多制版需要更多的工藝步驟，這使得生產(chǎn)周期更長(zhǎng)，同時(shí)需要很多光刻工具和潔凈室空間來維持每月晶圓啟動(dòng)。

美光運(yùn)營(yíng)模式則采用IDM模式，即國(guó)際集成元件制造商，是指一家垂直集成的半導(dǎo)體公司，負(fù)責(zé)從設(shè)計(jì)、制造、封裝和測(cè)試到銷售自己品牌的集成電路的一切工作，這樣模式最大的優(yōu)勢(shì)是產(chǎn)品覆蓋面廣，市場(chǎng)占有率高，但成本也高。

三、中國(guó)DRAM市場(chǎng)分析

由于DRAM具有較高的技術(shù)壁壘，國(guó)內(nèi)DRAM行業(yè)發(fā)展需突破三星、SK等國(guó)際巨頭專利壁壘，以及提高自主研發(fā)能力。目前，我國(guó)自產(chǎn)的DRAM為福建晉華與合肥長(zhǎng)鑫兩大系列，其中福建晉華由于美方的禁運(yùn)而在2019年3月DRAM停產(chǎn)，所以長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)短期內(nèi)唯一的希望。中國(guó)大陸正在興建的存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線

建設(shè)地點(diǎn)生產(chǎn)線名稱投資規(guī)模技術(shù)水平計(jì)劃產(chǎn)能(萬片/月)進(jìn)展情況福建晉華福建泉州利基型DRAM及500億人民幣2xnmDRAM計(jì)劃62019.3停產(chǎn)NANDFlash生產(chǎn)線合肥長(zhǎng)鑫合肥DRAM生產(chǎn)線1500億人民幣2XnmDRAM一期目標(biāo)122019.9投產(chǎn)總目標(biāo)362020建設(shè)二廠紫光南京南京3DNAND/DRAM總投資300億關(guān)元，一期100億美元/一期目標(biāo)102018.9開工數(shù)據(jù)來源：公開資料整理

另外，2019年兆易創(chuàng)新將33.2億元用于DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，主要包括1Xnm級(jí)（19nm、17nm）工藝DRAM芯片的設(shè)計(jì)，開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片，并在2022~2025年開展多系列產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)工作。兆易創(chuàng)新DRAM項(xiàng)目預(yù)計(jì)實(shí)施計(jì)劃階段具體情況年份芯片產(chǎn)品定義首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場(chǎng)定位、產(chǎn)品規(guī)格設(shè)定及芯片設(shè)計(jì)工作，其中芯片設(shè)計(jì)包括仿真驗(yàn)證、邏輯整合，時(shí)序分析、功能驗(yàn)證、信號(hào)與頻季布線、版圖物理驗(yàn)證等2020年流片成功定義首款芯片的生產(chǎn)制程，并將經(jīng)過險(xiǎn)證后的設(shè)計(jì)展開流片試樣，經(jīng)過反復(fù)測(cè)試、反復(fù)修改直到樣片設(shè)計(jì)符合設(shè)計(jì)規(guī)范并通過系統(tǒng)驗(yàn)證2020年客戶驗(yàn)證完成對(duì)首款芯片試樣片進(jìn)行封裝測(cè)試，后送至系統(tǒng)芯片商處進(jìn)行功能性認(rèn)證，認(rèn)證完畢后送至客戶進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證，包含功能測(cè)試、壓力測(cè)試、燒機(jī)驗(yàn)證等，通過所有驗(yàn)證后完成客戶驗(yàn)證2021年產(chǎn)品量產(chǎn)首款芯片客戶驗(yàn)證完成后進(jìn)行小批量產(chǎn)