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文檔簡介
2024/8/16模擬電子技術基礎北京航空航天大學儀器科學與光電工程學院主講:趙建輝第一章常用半導體器件(2)
三極管原理與應用2024/8/161.1半導體基礎知識1.2半導體二極管1.3雙極型晶體管1.4場效應管1.5單結晶體管和晶閘管1.6集成電路中的元件第1章常用半導體器件本節(jié)課內(nèi)容2024/8/161.3雙極型晶體管(三極管)重點:晶體管放大原理、特性曲線。難點:1.晶體管電流分配及控制
2.晶體管輸入輸出曲線3.晶體管主要參數(shù)及意義重點難點1.3.1晶體管結構及類型1.3.2晶體管電流放大作用1.3.3晶體管共射特性曲線1.3.4晶體管主要參數(shù)1.3.5溫度對晶體管特性幾參數(shù)的影響1.3.6光電晶體管2024/8/16結構:有PNP型和NPN型;材料:硅管和鍺管;功率:大功率管和小功率管;頻率:高頻管和低頻管。常見三極管封裝2024/8/16結構與類型1.3.1晶體管結構與類型BECNNP基極集電極發(fā)射極BECPPN基極集電極發(fā)射極NPN型PNP型becbec結構符號箭頭指向:P—>N2024/8/16BECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū):較薄,摻雜濃度低集電區(qū):結面積較大發(fā)射區(qū):摻雜濃度較高結構特點:(三極兩結)目的:有利于電流的控制(放大)作用發(fā)射結集電結2024/8/16(注意:為何不是6種?。?.3.2電流分配(放大)作用三種接法:(三極雙端口網(wǎng)絡)共集電極接法,集電極作為公共電極,用CC表示;共基極接法,基極作為公共電極,用CB表示。共發(fā)射極接法,發(fā)射極作為公共電極,用CE表示;BJT的三種組態(tài)IE=(1+β)IB?2024/8/16共射放大電路:(條件:發(fā)射結正偏,集電結反偏)ICUCEIBVCCRBVBBCBERCUBEuo
放大:輸入電壓微小變化,反映在輸出中。2024/8/16載流子運動(發(fā)射、復合、收集)發(fā)射結正偏,發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散,形成發(fā)射極電流IEN。發(fā)射結正偏,基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散很小,可忽略。進入基區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合,形成電流IBN
,多數(shù)擴散到集電結。集電結反偏,極經(jīng)發(fā)射結擴散到基區(qū)的電子作為非平衡少子,經(jīng)集電結漂移被C極收集,形成ICN。集電結反偏,有少子形成的反向電流ICBO。2024/8/16IB=IBN+IEP-ICBOIC=ICN+ICBO
ICN二、各極電流分配關系(P25)IE=IEP+IEN
IEN
外部關系:IE=IC+IBCB結平衡少子漂移形成ICBOCB結非平衡少子漂移被C極收集2024/8/16ICN與(IB)’之比稱為共射電流放大倍數(shù)意義:(IB+ICBO)對ICN的控制能力(內(nèi)部)。
IB對IC的控制能力(外部)。三、共射電流放大系數(shù)表示直流放大倍數(shù)ICEO集電結反向飽和電流(可忽略)交流放大倍數(shù)整理:2024/8/16ICN與IE之比稱為共基電流放大倍數(shù)三、共基電流放大系數(shù)表示直流放大倍數(shù)交流放大倍數(shù)意義:ICN對IE的控制/放大能力(內(nèi)部)。
IC對IE的控制/放大能力(外部)。2024/8/16三極管電流分配:注意:要使三極管能放大電流,必須使發(fā)射結正偏,集電結反偏。三、近似公式(外部特性)BECIBIEICNPNBECIBIEICPNP記?。?!2024/8/16ICmA
AVVUCEUBERBIBECEB測試實驗電路1.3.3晶體管共射特性曲線各極間電壓電流關系(實驗)2024/8/16一、輸入特性曲線IB(
A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V工作壓降:硅管UBE0.6~0.7V鍺管BE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死區(qū)電壓:硅管0.5V,鍺管0.2V。注意:輸入曲線是一簇曲線!2024/8/16二、輸出特性曲線IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A放大區(qū):發(fā)射結正偏集電結反偏
IC=
IBUCE變化截止區(qū):UBE<UON集電結反偏,IB=0IC=ICEO飽和區(qū):發(fā)射結正偏集電結正偏UCE
UBE
IB>IC,UCE0.3VIC=ICEO2024/8/16輸出特性三個區(qū)域的特點:放大區(qū):發(fā)射結正偏,集電結反偏。(線性放大)即:UCE≥UBE
,
IC=IB,且
IC
=
IB(2)飽和區(qū):發(fā)射結正偏、集電結正偏(二PN結均導通)即:UCE
UBE
,
IC<IB,UCE0.3V
(3)截止區(qū):UBE<UON(或反偏),集電結反偏)。
IB=0,IC≤ICEO
0,UCE≥UBE
三種狀態(tài)的判斷:(根據(jù)UBE,UCE,IB,IC同時判斷)2024/8/16例:
=50,USC
=12V,
RB
=70k,RC
=6k
當USB
=-2V,2V,5V時,晶體管的靜態(tài)工作點Q位于哪個區(qū)?當USB
=-2V,(發(fā)射結反偏,集電結反偏)ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0,IC=0IC最大(可能)飽和電流:Q位于截止區(qū)
2024/8/16例:
=50,USC
=12V,
RB
=70k,RC
=6k
當USB
=-2V,2V,5V時,晶體管的靜態(tài)工作點Q位于哪個區(qū)?IC<
ICmax(=2mA)
,
Q位于放大區(qū)。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEUSB
=2V時:(發(fā)射結正偏,集電結反偏)2024/8/16USB
=5V時:(發(fā)射結正偏,最終導致集電結反偏
正偏)例:
=50,USC
=12V,
RB
=70k,RC
=6k
當USB
=-2V,2V,5V時,晶體管的靜態(tài)工作點Q位于哪個區(qū)?ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEQ位于飽和區(qū),此時IC和IB
已不是倍線性關系。UCE=0,集電結正偏!而非反偏!2024/8/161.3.4晶體管的主要參數(shù)由三極管結構決定,由實驗測得(一定范圍),通常在半導體手冊(元件手冊)中查到。分為:直流參數(shù)交流參數(shù)極限參數(shù)(應用極限)。2024/8/161.共射電流放大倍數(shù)一、直流參數(shù)IB對IC控制/放大能力(幾十~幾百)2.共基電流放大倍數(shù)IE對IC控制/放大能力(小于1,接近1)3.極間反向電流ICBO集電結反向飽和電流(盡量小)ICEO集電結到發(fā)射結穿透電流2024/8/161.共射交流電流放大倍數(shù)二、交流參數(shù)IB變化對IC變化的控制/放大能力(疊加于直流上)2.共基電流放大倍數(shù)IE的變化對IC的變化的控制/放大能力(疊加于直流上)3.特征頻率使下降到1的信號頻率,與結電容有關2024/8/161.集電極最大允許功耗PCM
集電極電流IC
流過三極管,所發(fā)出的焦耳熱功率為:PC=ICUCE
必定導致結溫上升,所以PC
有限制。PC
PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)三、極限參數(shù)2024/8/162.集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會導致三極管的
值的下降,當
值下降到正常值的2/3時的集電極電流即為ICM。3.極間反向擊穿電壓(一極開路,另2極最高電壓)UCBO:發(fā)射極開路,C、B之間擊電壓(CB間最大電壓)UCEO:基極開路,C、E之間擊穿電壓(CE間最大電壓)參考上圖2024/8/16三極管極間反向電流的測量4.極間反向電流平衡少子漂移形成,越小越好,溫度敏感CE極間穿透電流CB極間反向飽和電流2024/8/161.3.5溫度對特性及參數(shù)的影響溫度影響很大,過高溫度導致性能下降,甚至不能用。一、溫度對ICBOI/ICEO的影響ICBO由集電結反向平衡少子漂移形成,溫度↑
少子數(shù)目↑
ICBO
↑溫度每升高10oC,ICBO增加一倍(反向飽和電流)。硅管比鍺管ICBO小的多,溫度影響小。2024/8/16二、溫度對輸入特性的影響IBUBEUBE260OC20OCUBE1溫度升高↑輸入曲線左移(同二極管輸入特性)溫度每升高1oC,UBE減小2-2.5mV(負溫度系數(shù))2024/8/16三、溫度對輸出特性的影響ICUCE20OC60OC溫度升高↑曲線上移(間隔不等),β、ICEO↑溫度每升高1oC,β增加0.5-1%,(ICBO增加1倍/10oC)2024/8/161.3.6其它三極管光電三極管(見課本P33)三極管應用模擬電路:線性放大(線性放大區(qū))數(shù)字電路:開關邏輯(截止/飽和區(qū))(精度、穩(wěn)定性等)(開關頻率、功耗、可靠性)2024/8/161.既然BJT具有兩個PN結,可否用兩個二極管相聯(lián)以構成一只BJT,試說明其理由。2.能否將BJT的e、c兩個電極交換使用,為什么?3.BJT是電流控制器件,還是電壓控制器件?4.放大電路輸出端增加的能量是從哪里來的??思考題5.三極管如何用于開關電路(數(shù)字電路/模電區(qū)別)?2024/8/16小結
晶體三極管是電流控制元件,通過控制基極電流或射極電流可以控制集電極電流(電流可控性)。要使三極管正常工作并有放大作用,管子的發(fā)射結必須正向偏置
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