2014年半導(dǎo)體行業(yè)分析報(bào)告

2014年半導(dǎo)體行業(yè)分析報(bào)告2014年3月目錄一、半導(dǎo)體國內(nèi)市場供需不匹配，強(qiáng)化芯片國產(chǎn)化需求 31、中國是世界半導(dǎo)體第一大消費(fèi)市場，但自給率不足40% 32、政府政策主導(dǎo)芯片國產(chǎn)化進(jìn)程 5二、智能終端普及打開先進(jìn)封裝市場空間，未來向3D封裝進(jìn)軍 61、最好的封裝技術(shù)就是無封裝，F(xiàn)C、BGA、WLCSP進(jìn)入先進(jìn)封裝時(shí)代 62、智能終端普及，對于先進(jìn)封裝技術(shù)Cupillar、TSV需求提高 73、超越和拓展摩爾定律，3D封裝成為未來封裝趨勢 9三、國產(chǎn)IC設(shè)計(jì)公司崛起和先進(jìn)封裝競爭優(yōu)勢決定進(jìn)口替代大方向 111、國內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司崛起，封測競爭優(yōu)勢決定進(jìn)口替代是大方向 112、中國封測廠商技術(shù)突破具備承接先進(jìn)封裝的基礎(chǔ) 14四、高端封裝減少周期波動，集團(tuán)規(guī)模企業(yè)更受益行業(yè)反轉(zhuǎn)和政策扶持 161、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇，先進(jìn)封裝需求減少周期性 162、行業(yè)盈利反轉(zhuǎn)加政策扶持，具有規(guī)模和集團(tuán)背景的封測廠商更具彈性 17五、重點(diǎn)公司簡況 181、長電科技 18（1）增發(fā)建設(shè)FC產(chǎn)能，提升公司技術(shù) 18（2）與中芯國際成立合資子公司，技術(shù)合作開拓更多國際客戶 192、晶方科技 20一、半導(dǎo)體國內(nèi)市場供需不匹配，強(qiáng)化芯片國產(chǎn)化需求1、中國是世界半導(dǎo)體第一大消費(fèi)市場，但自給率不足40%中國半導(dǎo)體消費(fèi)已經(jīng)占到52.5%，成為世界第一大消費(fèi)市場，但是目前半導(dǎo)體的自給率卻不到40%，大部分還是由國外企業(yè)提供。從中國作為消費(fèi)大國和生產(chǎn)潛力國，未來半導(dǎo)體市場的高增長還將持續(xù)。全球半導(dǎo)體行業(yè)在2012年經(jīng)歷了2.6%的下滑，但是中國半導(dǎo)體需求卻增長了8.7%，中國已經(jīng)成為半導(dǎo)體第一大消費(fèi)市場占比超過52%。在從2011年開始，中國半導(dǎo)體消費(fèi)的復(fù)合增長率達(dá)到了22.9%，遠(yuǎn)超過世界整體的半導(dǎo)體消費(fèi)增長速度。中國半導(dǎo)體市場超過世界的增長速度還將繼續(xù)存在，一方面是全球消費(fèi)電子的生產(chǎn)基地仍然在向中國轉(zhuǎn)移，例如中國從2012年起也成為了智能手機(jī)的主要生產(chǎn)國家，另一方面則因?yàn)橹袊a(chǎn)的的消費(fèi)電子的整體附加值也在逐步提高。從行業(yè)自給率來看，中國半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)自給率還不足40%。因此在國產(chǎn)化的大背景下，中國半導(dǎo)體廠商的市場空間將更高！全球半導(dǎo)體行業(yè)在2012年經(jīng)歷了2.6%的下滑，但是中國半導(dǎo)體需求卻增長了8.7%，中國已經(jīng)成為半導(dǎo)體第一大消費(fèi)市場占比超過52%，但生產(chǎn)供給占到消費(fèi)需求比例不到40%。2、政府政策主導(dǎo)芯片國產(chǎn)化進(jìn)程國家在半導(dǎo)體和集成電路國產(chǎn)化的推進(jìn)一直是不遺余力的。從2000年開始，國務(wù)院相繼出臺扶持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相關(guān)政策，并在2013年表示將加快推動中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2014年即將出臺的《綱要》將是對于集成電路行業(yè)國產(chǎn)化的重要扶持文件。2000年6月，為鼓勵(lì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，國務(wù)院出臺了《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，即“18號文件”。2011年2月，國務(wù)院又頒布了《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》。2013年8月14日，國務(wù)院發(fā)布《國務(wù)院關(guān)于促進(jìn)信息消費(fèi)擴(kuò)大內(nèi)需的若干意見》，提到國家、地方和社會資金要支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2013年9月，國務(wù)院副總理馬凱在深圳、杭州、上海調(diào)研時(shí)強(qiáng)調(diào)，加快推動中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展是中央做出的戰(zhàn)略決策。除了國務(wù)院出臺的系統(tǒng)性扶持文件，國家01、02重大科技與項(xiàng)(即“核高基”和“集成電路裝備”與項(xiàng))，以及政府主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)基金也是扶持方式。13年12月，國家發(fā)改委、工信部和北京政府共同成立“北京市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展股權(quán)投資基金”，基金總規(guī)模300億元。未來更多、更大力度扶持政策值得期待。由于IC行業(yè)從上游設(shè)備、IC設(shè)計(jì)、制造到封測向高端進(jìn)階時(shí)，缺一不可，因此國家扶持政策將會從整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈出發(fā)，略有側(cè)重。IC產(chǎn)業(yè)經(jīng)過產(chǎn)業(yè)投資等市場化驅(qū)動，未來將形成強(qiáng)者恒強(qiáng)的局面，中小業(yè)者在規(guī)模和技術(shù)上都無法跟上市場的發(fā)展，將會進(jìn)一步加快淘汰的進(jìn)程。二、智能終端普及打開先進(jìn)封裝市場空間，未來向3D封裝進(jìn)軍1、最好的封裝技術(shù)就是無封裝，F(xiàn)C、BGA、WLCSP進(jìn)入先進(jìn)封裝時(shí)代消費(fèi)電子的發(fā)展趨勢是輕薄化，可穿戴，傳遞到半導(dǎo)體封裝的趨勢就是輕薄短小。因此封裝方式的進(jìn)化就是封裝體積和芯片體積比的逐漸降低。先進(jìn)封裝則是實(shí)現(xiàn)無封裝，采用最新封裝方式和最先進(jìn)的封裝工藝實(shí)現(xiàn)封裝高度和體積和芯片為1:1。從封裝形態(tài)的進(jìn)化來看，主流技術(shù)已經(jīng)從傳統(tǒng)的SOT，QFP等轉(zhuǎn)向BGA，CSP等封裝方式，從而實(shí)現(xiàn)了封裝體積的縮小。同時(shí)為了實(shí)現(xiàn)封裝成本的下降，半導(dǎo)體行業(yè)開始使用圓片級的封裝方式即WLP。2、智能終端普及，對于先進(jìn)封裝技術(shù)Cupillar、TSV需求提高由于功耗增加，體積減少，智能終端中對于先進(jìn)封裝的需求越來越高。在單一手機(jī)中，基帶芯片和應(yīng)用處理器等邏輯芯片、攝像頭模組的影像傳感器芯片，MEMS模組和存儲器DRAM芯片都已經(jīng)采用現(xiàn)有的先進(jìn)封裝工藝，即FC，BGA等先進(jìn)封裝方式所采用的Cupillarbumping和TSV等。國際高端封裝，包括BGA、CSP、FC、LGA、WLP等類型，開始在手機(jī)、內(nèi)存、PC、網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子等諸多領(lǐng)域應(yīng)用。在智能手機(jī)領(lǐng)域，展訊的處理器芯片、基帶芯片、射頻收發(fā)器；海思的朱處理器芯片和基帶芯片；蘋果的iPhone和iPad，高通、TI以及博通的應(yīng)用處理器都是采用FC的封裝形式（FC-BGA，F(xiàn)C-LGA和FC-CSP等）。2012年FC技術(shù)所對應(yīng)的市場空間可以達(dá)到200億美元，1280萬片12英寸晶圓的需求，未來5年的復(fù)合增長率可以達(dá)到19%。未來手機(jī)和高性能計(jì)算機(jī)芯片對于FC技術(shù)的需求會更高。2012年，電腦和筆記本電腦的邏輯芯片占了FC封裝市場的一半以上，其次是手機(jī)和高性能計(jì)算機(jī)芯片。FC現(xiàn)在在主流GPU、CPU和芯片組中已經(jīng)采用，未來在28nm或更新制程IC，如智能手機(jī)AP，BB，DDR3andDDR4以及3DIC和2.5Dinterposer都將更多使用，其中所需要的Cupillarbumping技術(shù)也將更大范圍使用。CIS影像傳感器目前在500萬像素以下都已經(jīng)采用晶圓級封裝方式，Shellcase技術(shù)路線的晶圓級封裝也需要凸塊和TSV技術(shù)。MEMS的封裝由于體積很小，用晶圓級封裝可以大大減少單個(gè)MEMS的封裝成本。CMOSSensor未來將隨著像素提升，對于晶圓片的需求將會成倍數(shù)效應(yīng)增加。CMOSSensor未來3年的復(fù)合增長率在15%-20%之間，但是隨著像素的不斷升級，單個(gè)晶圓片可以封測的CMOSSensor芯片個(gè)數(shù)成倍減少，因此像素提升帶來的晶圓片需求是成倍數(shù)增加的。8寸晶圓可切割的200萬以下的低像素CMOSSensor芯片數(shù)量為2000個(gè)，而500萬像素就只能切割300個(gè)左右。未來隨著智能終端以及可穿戴設(shè)備的增長，消費(fèi)類MEMS的未來3年復(fù)合增長率為33%。2013年10億部智能手機(jī)，2億部平板的出貨量，因此總體需要46-60億顆MEMS。3、超越和拓展摩爾定律，3D封裝成為未來封裝趨勢想要延續(xù)半導(dǎo)體向輕薄短小的趨勢發(fā)展，僅靠半導(dǎo)體制程工藝的提升已經(jīng)無法達(dá)到，3D封裝則成為延續(xù)摩爾定律和拓展半導(dǎo)體范圍的技術(shù)方向。按照未來半導(dǎo)體發(fā)展的趨勢和多樣性，3D封裝必然成為主流趨勢。想要超越和拓展摩爾定律，封測成為半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)升級的必須技術(shù)步驟。摩爾定律在進(jìn)入22nm工藝之后，已經(jīng)超越了CMOS半導(dǎo)體制造工藝極限，想要延續(xù)摩爾定律就需要新的技術(shù)；現(xiàn)有的芯片種類的多樣性也要求在封裝技術(shù)上有更多進(jìn)步。3D封裝解決了現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝的問題：1、不同制程工藝的芯片可以通過封裝相互連接，如：0.18um的Analog/RF，0.35um的MEMS，90nm的Logic等；2、SIP的封裝方式較SOC更節(jié)省成本，更佳靈活，更高程度的系統(tǒng)級集成更有利于封裝總體積的縮??；3、以TSV為基礎(chǔ)的3DIC提供更多新產(chǎn)品設(shè)計(jì)的可能性，如（Siinterposer）。晶圓級封裝的前段和后段工藝與3D封裝技術(shù)較為相似，是從2D封裝向3D封裝過渡的必要技術(shù)路徑。Shellcase路線的晶圓級封裝在重要工序和工藝上都在向3D封裝靠攏，其中的晶圓級封裝和TSV封裝路線都是屬于3D封裝概念的工藝。Shellcase封裝專利使用到RDL路線和TSV技術(shù)，為通向3D封裝奠定了基礎(chǔ)。3D封裝關(guān)鍵難度在于：通孔刻蝕，晶圓減薄，再分配技術(shù)和TSV。而基于Shellcase的晶圓級封裝采用的RDL（再分配技術(shù)）的技術(shù)路線，并在芯片封裝后段工序使用了TSV技術(shù)。3DIC的第一步就是TSV技術(shù)，TSV技術(shù)可以提供更高的性能和更小的尺寸，現(xiàn)有的WLP（晶圓級封裝）使TSV成本也在下降。TSV就是像是一座現(xiàn)代大廈的升降梯，引線堆疊的3DIC封裝方式竟像是大樓外部的樓梯一樣。三、國產(chǎn)IC設(shè)計(jì)公司崛起和先進(jìn)封裝競爭優(yōu)勢決定進(jìn)口替代大方向1、國內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司崛起，封測競爭優(yōu)勢決定進(jìn)口替代是大方向移動時(shí)代為半導(dǎo)體行業(yè)部分企業(yè)提供了彎道超車的機(jī)會，高通就是在移動芯片的布局而使得2012年躋身前十。中國IC企業(yè)已經(jīng)開始崛起，未來封裝業(yè)務(wù)將向中國封測企業(yè)傾斜，競爭優(yōu)勢將決定中國將實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封測的進(jìn)口替代。中國半導(dǎo)體市場目前仍被全球主要半導(dǎo)體公司占據(jù)，但是他們在國內(nèi)的總體份額已經(jīng)出現(xiàn)下滑的趨勢，其中7家：Intel,Samsung,TI,Toshiba,SKHynix,ST和Freescale從2003-2012都在前十名。而高通在2012年第一次擠入前十。目前中國最好的本土半導(dǎo)體公司也尚未進(jìn)入到行業(yè)的前30名，未來可以提升空間仍然很大。紫光計(jì)劃收購展訊和銳迪科，增強(qiáng)國有IC設(shè)計(jì)實(shí)力，未來將有希望在行業(yè)排名中上移。其中展訊和銳迪科的上游供應(yīng)商也會受益：如臺積電，長電科技等等。在過去十年，芯片設(shè)計(jì)的增長率遠(yuǎn)高于封裝，這是由于芯片設(shè)計(jì)的低基數(shù)和封測行業(yè)過去幾年在先進(jìn)封裝技術(shù)上所遇到的瓶頸。但是移動消費(fèi)電子時(shí)代，封測行業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的彎道超車，并且產(chǎn)業(yè)也具有競爭優(yōu)勢和產(chǎn)業(yè)效應(yīng)，我們認(rèn)為增長率將重新回升。封測行業(yè)在中國半導(dǎo)體IC中占比僅次于光電子，是設(shè)計(jì)制造封測中最具有產(chǎn)業(yè)規(guī)模和產(chǎn)業(yè)效應(yīng)的細(xì)分行業(yè)。2012年中國封測行業(yè)依然受益于國際制造外包帶來的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，增長11%，達(dá)到歷史新高150億美元。從全球角度來看，2012年除中國外的整體封測產(chǎn)能都在收縮，而中國封測行業(yè)卻逆勢增長，因此在半導(dǎo)體復(fù)蘇周期到來之時(shí)，中國封測產(chǎn)業(yè)所受到的行業(yè)整體回復(fù)增長力將較世界平均水平更高。中國封測行業(yè)在半導(dǎo)體衰退周期中逆勢擴(kuò)張。2012年中國封測廠房面積總體增長5%，但是全球其他地區(qū)的封測廠房面的下降了2%。而中國的封測產(chǎn)能已經(jīng)占到了世界21%。從封測產(chǎn)值和所占用的廠房人力資源的角度來看，中國的封測行業(yè)具有比較競爭優(yōu)勢，符合進(jìn)口替代的條件。中國封測廠商所創(chuàng)造出來的產(chǎn)品價(jià)值占到世界的41%，但是中國封測行業(yè)所占據(jù)的廠房面積和人工數(shù)量只占世界的21%-27%，從產(chǎn)值和投入比來說，中國封測行業(yè)的比較競爭優(yōu)勢已經(jīng)非常明顯。2、中國封測廠商技術(shù)突破具備承接先進(jìn)封裝的基礎(chǔ)中國封測行業(yè)經(jīng)過長期的技術(shù)進(jìn)步和積累，已經(jīng)達(dá)到了世界較為先進(jìn)水平。中國三大封測企業(yè)都在先進(jìn)封裝技術(shù)上進(jìn)行了多年的積累，分別在WLCSP，F(xiàn)CBGA和TSV技術(shù)上有了實(shí)質(zhì)性突破。在國家科技重大專項(xiàng)等科技項(xiàng)目的支持下，經(jīng)過多年的技術(shù)開發(fā)，目前我國封裝技術(shù)正從DIP、SOP、QFP等封裝形式，向BGA、CSP、FC、LGA、WLP等封裝形式升級，也取得明顯突破。目前本土封測企業(yè)的高端封裝技術(shù)雖然取得了突破，但是銷售占比還較低，相應(yīng)的裝備、材料企業(yè)還處于起步階段，相應(yīng)配套依賴進(jìn)口。長電科技在基板材料方面也進(jìn)行了技術(shù)突破，未來將在先進(jìn)封裝和材料方面實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化的突破。中國本土封測公司在2012年半導(dǎo)體行業(yè)整體下滑趨勢的情況下，營收的增長仍然快于其他半導(dǎo)體公司在華封測廠的營收。而且從2013年預(yù)告的營業(yè)收入和凈利潤情況來看，本土三大封測企業(yè)的營收依舊高于行業(yè)平均，同時(shí)盈利水平大幅改善。從國內(nèi)封測企業(yè)前二十名來看，本土三大集團(tuán)的營收在同類企業(yè)中屬于前位。本土三大集團(tuán)（新潮集團(tuán)——長電科技母公司，南通華達(dá)——通富微電母公司，天水華天科技公司——華天科技）的營收排名分別是第三名、第八名和第十六名。四、高端封裝減少周期波動，集團(tuán)規(guī)模企業(yè)更受益行業(yè)反轉(zhuǎn)和政策扶持1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇，先進(jìn)封裝需求減少周期性半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過2008-2012年的低谷后，在2013年開始進(jìn)入復(fù)蘇。從封測產(chǎn)業(yè)鏈來講，我們認(rèn)為實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵工藝突破的封測廠商更有機(jī)會。由于產(chǎn)業(yè)鏈在先進(jìn)封裝技術(shù)上各有側(cè)重，但是傳統(tǒng)業(yè)務(wù)具有共通性，我們認(rèn)為專注先進(jìn)封裝的公司的部分傳統(tǒng)訂單將釋出，產(chǎn)業(yè)鏈上其他封測公司將會受益產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)。在經(jīng)歷了2008-2009的經(jīng)濟(jì)危機(jī)之后，半2013年半導(dǎo)體設(shè)備的BB值開始出現(xiàn)回升，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上廠商經(jīng)過蕭條階段的洗禮，技術(shù)升級，過剩產(chǎn)能淘汰，因此半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入復(fù)蘇上行周期。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有明顯的周期性。總趨勢上由于技術(shù)驅(qū)動和市場拉動，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直呈快速發(fā)展趨勢，但是新老技術(shù)的更替和產(chǎn)能投資的集中都使半導(dǎo)體行業(yè)周期性規(guī)律非常明顯。先進(jìn)封裝不同于傳統(tǒng)封裝方式面向所有下游電子（如家電，工業(yè)設(shè)備和低端消費(fèi)電子），而是面向增長率迅速的中高端智能終端的零組件，一定程度上減緩了和實(shí)體經(jīng)濟(jì)周期的關(guān)聯(lián)性。如PC的DRAM和CPU，手機(jī)的基帶芯片和應(yīng)用處理器，平板的傳感器等。這些零組件的行業(yè)增長率都在30%以上，并且先進(jìn)封裝的滲透率尚低，因此未來成長空間很高，和整體經(jīng)濟(jì)GDP的關(guān)聯(lián)不會像傳統(tǒng)封裝那么高。鑒于封裝企業(yè)估值一向受到周期性壓制，我們認(rèn)為掌握先進(jìn)封裝技術(shù)的企業(yè)可以享有估值提升。長電科技、晶方科技和華天科技在先進(jìn)封裝方面的技術(shù)突破有目共睹，將首先受益行業(yè)先進(jìn)封裝需求高速增長的機(jī)會。2、行業(yè)盈利反轉(zhuǎn)加政策扶持，具有規(guī)模和集團(tuán)背景的封測廠商更具彈性從產(chǎn)業(yè)扶持的力度來講，集團(tuán)化具有規(guī)模的封測廠商有機(jī)會獲得專項(xiàng)項(xiàng)目資金。從盈利反轉(zhuǎn)來看，規(guī)模大的封測廠商在行業(yè)趨勢好轉(zhuǎn)的時(shí)候更容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模優(yōu)勢，獲得更大收益，因此集團(tuán)化規(guī)模大的封測廠商會更有彈性。因此，從產(chǎn)業(yè)集團(tuán)來講，長電科技，通富微電更得到國家產(chǎn)業(yè)扶持項(xiàng)目。五、重點(diǎn)公司簡況1、長電科技（1）增發(fā)建設(shè)FC產(chǎn)能，提升公司技術(shù)公司本次非公開發(fā)行募集資金總額不超過125,000萬元，扣除發(fā)行費(fèi)用后本次非公開發(fā)行募集資金凈額不超過120,000萬元，其中8.4億元用于建設(shè)FC集成電路封測項(xiàng)目：本項(xiàng)目建成后將形成年封裝FCBGA系列、FlipChiponL/F系列以及FCLGA系列等高端集成電路封裝測試產(chǎn)品9.5億塊的生產(chǎn)能力。其余的3.59億現(xiàn)金用于補(bǔ)充流動資金。在FC封裝方面，公司擁有銅凸點(diǎn)FC封裝技術(shù)相關(guān)的全套專利，這將能夠充分滿足本項(xiàng)目的技術(shù)需求。目前公司已掌握多項(xiàng)國際前沿技術(shù)，形成了以TSV、射頻SiP、圓片級三維再布線封裝工藝、銅凸點(diǎn)互連（CuPillarBumping）、高密度FCBGA、50μm以下超薄芯片三維立體堆疊、MEMS多芯片封裝等技術(shù)為核心的先進(jìn)集成電路封裝測試技術(shù)體系。（2）與中芯國際成立合資子公司，技術(shù)合作開拓更多國際客戶長電科技和中芯國際合作建立12英寸凸塊加工及配套測試合資公司，進(jìn)入國際先進(jìn)封裝行列。Bumping和FC封裝是先進(jìn)封裝技術(shù)，主要用在智能終端的通訊芯片上。目前主流技術(shù)仍然在8寸晶圓，國內(nèi)12寸晶圓封裝還未達(dá)到完全量產(chǎn)，一旦量產(chǎn)成功將達(dá)到國際先進(jìn)水平。2013年因?yàn)榕盼郾煌．a(chǎn)的日月光K7廠就是8寸和12寸的FC封裝和Bumping晶圓凸塊。長電科技還出資成立子公司配套合資公司進(jìn)行后段倒裝封裝測試，這種一站式服務(wù)可以使長電的后段封裝技術(shù)和中芯國際的品牌客戶互相結(jié)合?？梢愿玫牟季址?wù)高端客戶如博通、TI等，滿足市場需求，其戰(zhàn)略意義還在于一改以往行業(yè)內(nèi)各環(huán)節(jié)分散競爭格