模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)：結(jié)型場效應(yīng)管

5.3結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線及參數(shù)1、結(jié)型場效應(yīng)管（JFET)結(jié)構(gòu)P+P+NGSD導(dǎo)電溝道結(jié)型場效應(yīng)管動(dòng)畫一

源極，用S或s表示N型導(dǎo)電溝道漏極，用D或d表示

P型區(qū)P型區(qū)柵極，用G或g表示柵極，用G或g表示符號符號①VGS對溝道的控制作用當(dāng)VGS＜0時(shí)

當(dāng)溝道夾斷時(shí),ID減小至0，此時(shí)對應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP(或VGS(off))。對于N溝道的JFET，VP<0。PN結(jié)反偏耗盡層加厚溝道變窄

VGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄，ID繼續(xù)變小DP+P+NGSVDSIDVGS

當(dāng)VGS=0時(shí)，溝道最寬，溝道電阻最小，在VDS的作用下N溝道內(nèi)的電子定向運(yùn)動(dòng)形成漏極電流ID,此時(shí)最大。

溝道電阻變大

ID變小2、結(jié)型場效應(yīng)管（JFET)的工作原理

根據(jù)其結(jié)構(gòu)，它只能工作在反偏條件下，N溝道管加負(fù)柵源電壓，P溝道管加正柵源電壓，否則將會(huì)出現(xiàn)柵流。動(dòng)畫二②VDS對溝道的控制作用當(dāng)VGS=0時(shí)，VDS

ID

G、D間PN結(jié)的反向電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。

當(dāng)VDS增加到使VGD=VP時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。此時(shí)VDS

夾斷區(qū)延長

溝道電阻

ID基本不變

2、結(jié)型場效應(yīng)管（JFET)的工作原理DP+P+NGSVDSIDVGS③VGS和VDS同時(shí)作用時(shí)當(dāng)VP<VGS<0時(shí)，導(dǎo)電溝道更容易夾斷，

對于同樣的VDS，

ID的值比VGS=0時(shí)的值要小。在預(yù)夾斷處VGD=VGS-VDS=VP2、結(jié)型場效應(yīng)管（JFET)的工作原理DP+P+NGSVDSIDVGS綜上分析可知

溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，

所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制預(yù)夾斷前iD與vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后，iD趨于飽和。#

為什么JFET的輸入電阻比BJT高得多？JFET柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的，因

此iG

0，輸入電阻很高。

JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小。#

JFET有正常放大作用時(shí)，溝道處于什么狀態(tài)？(2)轉(zhuǎn)移特性VP(1)輸出特性3、結(jié)型場效應(yīng)管（JFET)的特性曲線及參數(shù)動(dòng)畫三動(dòng)畫四①夾斷電壓VP(或VGS(off))：②飽和漏極電流IDSS：

③低頻跨導(dǎo)gm：或漏極電流約為零時(shí)的VGS值。VGS=0時(shí)對應(yīng)的漏極電流。

低頻跨導(dǎo)反映了vGS對iD的控制作用。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求得，單位是mS(毫西門子)。④輸出電阻rd：(3)主要參數(shù)⑤直流輸入電阻RGS：

對于結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω。⑧最大漏極功耗PDM⑥