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NXCL300mmlowoxygencontentsinglecwafersI本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》的忠保、熊歡、魏興彤、王云峰、李長蘇、顧燕濱、盛之林1300mm低氧含量直拉硅單晶拋光片本文件規(guī)定了300mm低氧含量直拉硅單晶拋光片的術語和定義、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書、訂貨單（或合同）內容和質量承諾等產品主要用于滿足絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等功率器件技術需求的襯GB/T2828.1計數抽樣檢測程序第一部分：按GB/T4058硅拋光片氧化誘生缺陷GB/T6616半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非GB/T6624硅拋光片表面質量GB/T24578硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜GB/T29508300mm硅單晶切割片GB/T32279硅片訂貨單格式YS/T26硅片邊緣輪廓檢驗方法YS/T28硅片包裝YS/T679非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法4技術要求2導電類型NP少數載流子壽命，μs硅拋光片的幾何參數應符合表2的規(guī)定，表2未包含參數或對表2中參數有其他要求時，由供彎曲度(WARP),μm≤60(背面為多晶加背封)翹曲度(BOW),μm≤60(背面為多晶加背封)氧化誘生缺陷密度不大于10個/cm2。3無2無3霧無4粒)個/片5區(qū)域沾污無6無7無8凹坑無9無無無無無無區(qū)域沾污無無除、背封等處理或由供需雙方商定4硅拋光片平整度和局部平整度測量按照GB/T295076.2.2.1每批產品應對直徑、導電類型、電阻率、徑向電阻率變化、少數載流子壽命、碳含量、氧含目檢表面質量、氧化誘生缺陷、邊緣輪廓進6.2.2.2表面金屬、體金屬（鐵）含量、局部平整度、局部光散射體（顆粒）是否檢驗有供需雙方協(xié)6.2.4.1導電類型、晶向檢驗若有一片不合格，則該批產品為不合格，其它檢驗項目的接收質量限1234567895接受質量限(AQL)區(qū)域沾污累計1.0凹坑，溝(槽),小丘，桔累計1.0累計6.3.2項目型式檢驗的項目為本文件第4章的全部要求。隨機抽取樣品總量的5%,單次抽樣不小于25片；b)產品名稱；6b)產品名稱；e)產品片

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