2025年高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)(新高考版)大單元3 第9章 熱點(diǎn)強(qiáng)化16 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)選擇題專練_第1頁(yè)
2025年高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)(新高考版)大單元3 第9章 熱點(diǎn)強(qiáng)化16 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)選擇題專練_第2頁(yè)
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熱點(diǎn)強(qiáng)化16物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)選擇題專練1.(2021·遼寧,7)單質(zhì)硫和氫氣在低溫高壓下可形成一種新型超導(dǎo)材料,其晶胞如圖。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.S位于元素周期表p區(qū)B.該物質(zhì)的化學(xué)式為H3SC.S位于H構(gòu)成的八面體空隙中D.該晶體屬于分子晶體√S的價(jià)層電子排布式為3s23p4,故S位于元素周期表p區(qū),A正確;S位于H構(gòu)成的八面體空隙中,如圖所示

,C正確;由于該晶體是一種新型超導(dǎo)材料,說(shuō)明其是由陰、陽(yáng)離子構(gòu)成的,故該晶體屬于離子晶體,D錯(cuò)誤。2.(2023·河北滄州校考模擬)冰晶石(Na3AlF6)常用作電解鋁的助熔劑和研磨產(chǎn)品的耐磨添加劑,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,已知該晶胞參數(shù)為apm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是√3.(2023·濰坊模擬)CaF2的晶胞結(jié)構(gòu)和部分離子的投影位置如圖所示,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.CaF2屬于離子晶體B.Ca2+的配位數(shù)為8C.圖甲為F-沿y軸投影圖D.圖乙為Ca2+沿面對(duì)角線投影圖√氟化鈣是由鈣離子和氟離子形成的離子晶體,故A正確;由晶胞結(jié)構(gòu)可知,Ca2+沿面對(duì)角線投影圖的四個(gè)側(cè)面面心應(yīng)在同一條線上,圖乙鈣離子分布不符合,故D錯(cuò)誤。4.(2023·廣東梅州統(tǒng)考模擬)FeS2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法不正確的是A.陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1∶1B.FeS2晶體中距離Fe2+最近的Fe2+的數(shù)目為12D.陽(yáng)離子位于由陰離子構(gòu)成的正八面體空隙中√由化學(xué)式FeS2知陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1∶1,A項(xiàng)正確;5.(2023·重慶校聯(lián)考模擬)納米CeO2可催化O2的分解,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列關(guān)于CeO2的說(shuō)法正確的是A.Ce4+的配位數(shù)是4√根據(jù)晶胞圖可知,Ce4+的配位數(shù)為8,故A錯(cuò)誤;6.(2023·長(zhǎng)沙一中模擬)雙鈣鈦礦型晶體的一種典型結(jié)構(gòu)單元如圖所示,真實(shí)的晶體中存在5%的氧原子缺陷,能讓O2-在其中傳導(dǎo),可用作固體電解質(zhì)材料。已知La為+3價(jià),Ba為+2價(jià)。以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.該晶體的一個(gè)完整晶胞中含有1個(gè)Co原子B.晶體中與La距離最近的Ba的數(shù)目為6C.+3價(jià)Co與+4價(jià)Co的原子個(gè)數(shù)比為4∶1D.忽略氧原子缺陷,每個(gè)Co原子都處于氧原子圍成的

正八面體空隙的中心√該晶體的一個(gè)完整晶胞由8個(gè)圖示結(jié)構(gòu)單元組成,該晶體的一個(gè)完整晶胞中含有8個(gè)Co原子,故A錯(cuò)誤;7.(2023·河北模擬預(yù)測(cè))新型超導(dǎo)材料晶體的晶胞結(jié)構(gòu)中鎂原子和鎳原子位于頂點(diǎn)和面心,它們構(gòu)成兩種八面體空隙,一種由鎳原子構(gòu)成,另一種由鎳原子和鎂原子一起構(gòu)成,兩種八面體空隙的數(shù)量之比是1∶3,碳原子只填充在鎳原子構(gòu)成的八面體空隙中,沿晶胞立方格子對(duì)角線取得的截圖如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.基態(tài)Ni原子的核外電子排布式為[Ar]3d84s2B.該新型超導(dǎo)材料的化學(xué)式為MgNi3CC.Mg的C配位數(shù)為6√在題述晶胞中,八面體空隙的中心位于體心位置和所有棱心位置,它們的比例是1∶3,中心處于體心位置的八面體由鎳原子構(gòu)成,可填入碳原子,而中心處于棱心位置的八面體由2個(gè)鎂原子和4個(gè)鎳原子一起構(gòu)成,不填入碳原子,所以C處于體心位置,則Mg處于頂點(diǎn)位置,Ni處于面心位置,該超導(dǎo)材料晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:

。由B項(xiàng)圖可知,與Mg距離最近的C的個(gè)數(shù)為8,配位數(shù)為8,C錯(cuò)誤;8.(2023·武漢華中師大一附中模擬)一種由鎳、氟和鉀三種元素組成的化合物晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.該晶體中Ni的化合價(jià)為+2B.與鎳等距離且最近的F有6個(gè)√晶胞中a與c不相等,因此與鎳等距離且最近的F不是6個(gè),B錯(cuò)誤;9.(2023·湖南,11)科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該立方晶胞參數(shù)為apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6C6B.晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個(gè)C.晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個(gè)面√K+位于晶胞頂角,Ca2+位于體心,則晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個(gè),B正確;根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有14個(gè)面,C錯(cuò)誤;10.(2023·武漢模擬)某儲(chǔ)氫材料鑭鎳合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.該物質(zhì)的化學(xué)式為L(zhǎng)aNi5B.距離La最近且相等的Ni的數(shù)目為6C.利用原子光譜可鑒定儲(chǔ)氫材料中的La元素√根據(jù)圖知,以底面中心La為例,與其距離最近且相等的Ni個(gè)數(shù)是6,B正確;原子光譜可以鑒定金屬元素,所以利用原子光譜可鑒定儲(chǔ)氫材料中的La元素,C正確;11.(2024·福州模擬)氧化鋅(ZnO)的透明度高,具有優(yōu)異的常溫發(fā)光性能。氧化鋅的兩種晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.甲、乙兩種晶體類型的晶胞內(nèi)Zn2+數(shù)目之比為2∶1B.甲中Zn2+位于O2-形成的四面體空隙中,空隙填充率為50%C.乙的晶胞沿z軸的二維投影圖如圖丙所示D.兩種晶胞中O2-的配位數(shù)均為4√甲晶胞中O2-形成8個(gè)四面體空隙,Zn2+占據(jù)4個(gè)空隙,則空隙填充率為50%,故B正確;乙的晶胞沿z軸的二維投影圖為

,故C錯(cuò)誤;O2-的配位數(shù)即為晶胞中距離O2-最近的Zn2+個(gè)數(shù),觀察甲乙兩晶胞,可知兩種晶胞中O2-的配位數(shù)均為4,故D正確。12.(2023·湖南校聯(lián)考模擬預(yù)測(cè))BeO晶體是制備氟代硼鈹酸鉀晶體的原料之一,其晶胞結(jié)構(gòu)與ZnS類似,下列說(shuō)法不正確的是A.Be原子的配位數(shù)是12√C.沿晶胞面對(duì)角線投影,所得的投影圖是D.設(shè)O與Be的最近距離為npm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則BeO晶體的密度

為由晶胞結(jié)構(gòu)可知Be位于O原子構(gòu)成的四面體的體心,Be原子的配位數(shù)是4,A錯(cuò)誤;13.(2023·遼寧丹東統(tǒng)考模擬)TiO2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其中m、n、p、q的原子坐標(biāo)分別為m(0,0,0)、n(0.69a,0.69a,c)、p(a,a,c)、q(0.19a,0.81a,0.5c)。下列說(shuō)法正確的是A.Ti位于周期表中第四周期第ⅡB族B.圖中標(biāo)記的微粒中,m、p代表氧原子C.i的原子坐標(biāo)為(0.81a,0.19a,0.5c)√Ti是22號(hào)元素,位于元素周期表第四周期第ⅣB族,故A錯(cuò)誤;由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,i原子與q原子處于中心對(duì)稱位置,所以i的原子坐標(biāo)為(0.81a,0.19a,0.5c),故C正確;14.(2023·長(zhǎng)沙長(zhǎng)郡中學(xué)校考一模)由于晶體原子或離子的熱運(yùn)動(dòng),導(dǎo)致部分原子或離子偏離理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域,這就叫晶體的熱缺陷。晶體熱缺陷的存在會(huì)對(duì)晶體的性質(zhì)產(chǎn)生明顯的影響。如圖為理想NaCl晶體中的某個(gè)結(jié)構(gòu)單元在受熱過(guò)程中出現(xiàn)熱缺陷的模擬過(guò)程圖。下列有關(guān)說(shuō)法正確的是A.理想的NaCl晶體中Na+的配位數(shù)為8B.由圖可知,NaCl晶體因熱缺陷導(dǎo)致其

晶體整體帶負(fù)電C.NaCl晶體中存在熱缺陷對(duì)晶體的導(dǎo)電

性基本無(wú)影響D.已知理想的NaCl晶體密度為ρg·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則NaCl的晶胞

參數(shù)(晶胞的邊長(zhǎng))為√理想的NaCl晶體的晶胞為面心立方堆積,其中Na+的配位數(shù)為6,A錯(cuò)誤;根據(jù)熱缺陷的定義可知,含缺陷的晶體只是因?yàn)槟承╇x子或原子偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域,整個(gè)NaCl晶體還是不帶電,B錯(cuò)誤;由圖示可知,NaCl中的Na+因熱運(yùn)動(dòng)偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)區(qū)域,在外加電場(chǎng)的作用下,該類Na+可以發(fā)生遷移,因此導(dǎo)電性增大,C錯(cuò)誤;15.(2023·湖南衡陽(yáng)市八中??寄M)某水性鈉離子電池電極材料由Na+、Fe2+、Fe3+、CN-組成,其立方晶胞嵌入和嵌出Na+過(guò)程中,F(xiàn)e2+與Fe3+含量發(fā)生變化,依次變?yōu)楦窳志G、普魯士藍(lán)、普魯士白三種物質(zhì),其過(guò)程如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.普魯士藍(lán)中Fe2+與Fe3+個(gè)數(shù)比為1∶

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