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文檔簡介
電子技術(shù)電子技術(shù)第一章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用第二章基本放大電路
第三章差動放大電路及集成運(yùn)算放大器第四章第五章集成穩(wěn)壓電源與可控整流電路電子技術(shù)第六章數(shù)字電路基本器件及組合邏輯電路第七章時(shí)序邏輯電路第八章脈沖產(chǎn)生與信號變換電路第九章大規(guī)模集成電路第十章EWB電子電路仿真軟件半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用
第一章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用
1.1PN結(jié)與二極管
1.2整流與濾波電路半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1PN結(jié)與二極管1.1.1半導(dǎo)體及PN結(jié)
半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的特殊物質(zhì),常用材料有鍺(Ge)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等。這些材料在現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中扮演了極為重要的角色。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.1.1半導(dǎo)體的性質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力具有一些獨(dú)特的性能。主要表現(xiàn)為如下三個(gè)方面:第一是雜敏性,半導(dǎo)體對摻入雜質(zhì)很敏感。在半導(dǎo)體硅中只要摻入億分之一的硼(B),電阻率就會下降到原來的數(shù)萬分之一。因此用控制摻雜濃度的方法,可人為地控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力,制造出各種不同性能、不同用途的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用第二是熱敏性,半導(dǎo)體對溫度變化很敏感。溫度每升高10℃,半導(dǎo)體的電阻率減小為原來的二分之一。這種特性對半導(dǎo)體器件的工作性能有許多不利的影響,但利用這一特性可制成自動控制系統(tǒng)中常用的熱敏電阻,熱敏電阻可以感知萬分之一攝氏度的溫度變化。第三是光敏性,半導(dǎo)體對光照很敏感。半導(dǎo)體受光照射時(shí),它的電阻率顯著減小。例如,半導(dǎo)體材料硫化鉻(CdS),在一般燈光照射下,它的電阻率是移去燈光后的數(shù)十分之一或數(shù)百分之一。自動控制中用的光電二極管、光電三極管和光敏電阻等,就是利用這一特性制成的。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.1.2本征半導(dǎo)體完全純凈的半導(dǎo)體叫本征半導(dǎo)體,又稱為純凈半導(dǎo)體。半導(dǎo)體中的原子是按照一定的規(guī)律、整齊地排列著,呈晶體結(jié)構(gòu)(如圖1-1所示),所以半導(dǎo)體管又稱為晶體管。常用的半導(dǎo)體材料是硅和鍺。它們的簡化原子模型如圖1-2所示。圖1-1硅或鍺晶體的共價(jià)健結(jié)構(gòu)示意圖
圖1-2硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)簡化模型
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用在室溫下,價(jià)電子獲得足夠的能量可掙脫共價(jià)鍵的束縛,成為自由電子,這種現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。這時(shí),共價(jià)鍵中就留下一個(gè)空位,這個(gè)空位叫空穴??昭ǖ某霈F(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的一個(gè)重要特點(diǎn)。在半導(dǎo)體中,有兩種載流子,即空穴和自由電子。在本征半導(dǎo)體中,它們總是成對出現(xiàn)的。利用雜敏的特性,可以在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì),就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著的改變。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.1.3摻雜半導(dǎo)體
根據(jù)摻入雜質(zhì)性質(zhì)的不同,摻雜半導(dǎo)體可分為空穴(P)型半導(dǎo)體和電子(N)型半導(dǎo)體兩大類。P型半導(dǎo)體是在硅(或鍺)的晶體內(nèi)摻入少量的三價(jià)元素形成的,如硼(或銦)等,因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子,它與周圍硅原子組成共價(jià)鍵時(shí),缺少一個(gè)電子,在晶體中便多產(chǎn)生了一個(gè)空穴??刂茡饺腚s質(zhì)的多少,便可控制空穴數(shù)量。這樣,空穴數(shù)就遠(yuǎn)大于自由電子數(shù),在這種半導(dǎo)體中,以空穴導(dǎo)電為主,因而空穴為多數(shù)載流子,簡稱多子;自由電子為少數(shù)載流子,簡稱少子。N型半導(dǎo)體是在純凈的半導(dǎo)體中摻入五價(jià)元素(如磷、砷和銻等)形成的。使其內(nèi)部多出了自由電子,自由電子就成為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.1.4PN結(jié)及其特性如果在一塊純凈半導(dǎo)體(如硅和鍺等)中,通過特殊的工藝,在它的一邊摻入微量的三價(jià)元素硼形成P型半導(dǎo)體,在它的另一邊摻入微量的五價(jià)元素磷,形成N型半導(dǎo)體。這樣在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界面上就形成了一個(gè)具有特殊電性能的薄層——PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ姷男阅?。這是因?yàn)樵诮唤槊鎯蓚?cè)存在著電子和空穴濃度差,N區(qū)的電子要向P區(qū)擴(kuò)散(同樣P區(qū)的空穴也向N區(qū)擴(kuò)散,這叫擴(kuò)散運(yùn)動),并與P區(qū)的空穴復(fù)合,如圖1-3(a)所示。在交介面兩側(cè)產(chǎn)生了數(shù)量相同的正負(fù)離子,形成了方向由N到P的內(nèi)電場。如圖1-3(b)所示。
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用這個(gè)內(nèi)電場對擴(kuò)散運(yùn)動起阻止作用,同時(shí)內(nèi)電場又對兩側(cè)的少子起推進(jìn)作用,使其越過PN結(jié),稱為漂移運(yùn)動。顯然擴(kuò)散與漂移形成的電流方向是相反的,最終擴(kuò)散運(yùn)動與漂移運(yùn)動會達(dá)到動態(tài)平衡。這樣就形成了有一定厚度的PN結(jié)。圖1-3半導(dǎo)體的PN結(jié)的形成半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用如圖1-4所示,給PN結(jié)外加上正向電壓時(shí),由于內(nèi)電場被削弱,則形成較大的擴(kuò)散電流,呈現(xiàn)較小的正向電阻,相當(dāng)于導(dǎo)通。若加上反向電壓,則內(nèi)電場加強(qiáng),只形成極其微弱的漂移電流(因?yàn)樯僮拥臄?shù)量是極少的),相當(dāng)于截止。這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦阅?。圖1-4PN結(jié)的單向?qū)щ娦园雽?dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.2PN結(jié)與二極管
大自然的物質(zhì)類別是極其豐富的。單從導(dǎo)電能力上分,有導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。常見的導(dǎo)體有金、銀、銅、鐵、鋁等金屬類。常見的絕緣體有膠木、橡膠、陶瓷等。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的特殊物質(zhì),常用材料有鍺(Ge)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等。這些材料在現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中扮演了極為重要的角色。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.2.1二極管
在PN結(jié)上引出兩個(gè)電極并加上管殼就形成了半導(dǎo)體二極管,其外形和符號如圖1-5所示。二極管的正極也叫陽極,用字母a表示,另一邊是負(fù)極也叫陰極,用字母k表示。正極與P區(qū)相連,負(fù)極與N區(qū)相連。二極管的極性通常標(biāo)示在它的封裝上,有些二極管用黑色或白色色環(huán)表示它的負(fù)極端。
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.2.1二極管的類型
根據(jù)所用的半導(dǎo)體材料不同,可分為鍺二極管和硅二極管。按照管芯結(jié)構(gòu)不同,可分為點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型。點(diǎn)接觸型的半導(dǎo)體接觸面很小,只允許通過較小的電流(幾十毫安以下),但在高頻下工作性能很好,適用于收音機(jī)中對高頻信號的檢波和微弱交流電的整流,如國產(chǎn)的鍺二極管2AP系列、2AK系列等。圖1-5二極管的外形及電路符號
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用面接觸型二極管PN結(jié)面積較大,并做成平面狀,它可以通過較大了電流,適用于對電網(wǎng)的交流電進(jìn)行整流。如國產(chǎn)的2CP系列、2CZ系列的二極管都是面接觸型的。平面型的特點(diǎn)是在PN結(jié)表面被覆一層二氧化硅薄膜,避免PN結(jié)表面被水分子、氣體分子以及其他離子等沾污。這種二極管的特性比較穩(wěn)定可靠,多用于開關(guān)、脈沖及超高頻電路中。國產(chǎn)2CK系列二極管就屬于這種類型。根據(jù)二極管用途不同,可分為整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、光電二極管及發(fā)光二極管等。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.2.2二極管的伏安特性
圖1-6中的(a)圖和(b)圖分別是硅二極管和鍺二極管的兩端電壓與其內(nèi)部的電流的關(guān)系曲線,叫伏安特性曲線圖中縱軸的右側(cè)稱為正向特性,左側(cè)稱為反向特性。圖1-6二極管的伏安特性曲線半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用(1)正向特性正向連接時(shí),二極管的正極接電路的高電位端,負(fù)極接低電位端。當(dāng)二極管兩端的正向電壓很小的時(shí)候,正向電流微弱,二極管呈現(xiàn)很大的電阻,這個(gè)區(qū)域成為二極管正向特性的“死區(qū)”,只有當(dāng)正向電壓達(dá)到一定數(shù)值(這個(gè)數(shù)值稱為導(dǎo)通電壓,硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V)以后,二極管才真正導(dǎo)通。此時(shí),我們可以近似地認(rèn)為它是恒定的,且不隨電流的變化而變化。實(shí)際上正向電流將隨著正向電壓的增加而急速增大,如不采取限流措施,過大的電流會使PN結(jié)發(fā)熱,超過最高允許溫度(鍺管為90℃~100℃,硅管為125℃~200℃)時(shí),二極管就會被燒壞。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用(2)反向特性二極管反向連接時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài),仍然會有微弱的反向電流(鍺二極管不超過幾微安,硅二極管不超過幾十納安),它和溫度有極為密切的關(guān)系,溫度每升高10℃,反向電流約增大一倍。反向電流是衡量二極管質(zhì)量好壞的重要參數(shù)之一反向電流太大,二極管的單向?qū)щ娦阅芎蜏囟确€(wěn)定性就差,選擇和使用二極管時(shí)必須特別注意。當(dāng)加在二極管兩端的反向電壓增加到某一數(shù)值時(shí),反向電流會急劇增大,這種狀態(tài)稱為擊穿。對普通二極管而言稱為雪崩擊穿,意味著二極管喪失了單向?qū)щ娞匦远鴵p壞了。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.2.3主要參數(shù)器件的參數(shù)是用以說明器件特性的數(shù)據(jù),它是根據(jù)使用要求提出的。二極管的主要參數(shù)及其意義如下:(1)最大整流電流IF指長期運(yùn)行時(shí)晶體二極管允許通過的最大正向平均電流。(2)最大反向工作電壓URM指正常工作時(shí),二極管所能承受的反向電壓的最大值。(3)反向擊穿電壓UBR指反向電流明顯增大,超過某規(guī)定值時(shí)的反向電壓。(4)最高工作頻率fM是由PN結(jié)的結(jié)電容大小決定的參數(shù)。當(dāng)工作頻率f超過fM時(shí),結(jié)電容的容抗減小到可以和反向交流電阻相比擬時(shí),二極管將逐漸失去它的單向?qū)щ娦浴0雽?dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.3其它類型的二極管1.1.3.1穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管是用特殊工藝制造的面結(jié)合型硅半導(dǎo)體二極管。符號如圖1-7(a)所示,它主要工作在反向擊穿區(qū),而它的擊穿具有非破壞性,稱為齊納擊穿,當(dāng)外加電壓撤除后,PN結(jié)的特性可以恢復(fù)。穩(wěn)壓管在直流穩(wěn)壓電源中獲得廣泛的應(yīng)用,它的伏-安特性曲線如圖1-7(b)所示。它常應(yīng)用在直流穩(wěn)壓電源中。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用圖1-7穩(wěn)壓管的電路符號及伏安特性
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.3.2光電二極管光電二極管的PN結(jié)可以接收外部的光照。PN結(jié)工作在反向偏置狀態(tài)下,其反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。圖1-8(a)是光電二極管的代表符號,圖(b)是它的等效電路,而圖(c)則是它的特性曲線。其主要特點(diǎn)是,它的反向電流與照度成正比,靈敏度的典型值為0.1μA/lx數(shù)量級(lx即勒克斯,為照度的單位)。光電二極管可用來作為光的測量,是將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的常用器件。在自動控制和檢測系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用圖1-8光電二極管
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.3.3發(fā)光二極管
發(fā)光二極管在加上正向電壓時(shí)會發(fā)出可見光,它的PN結(jié)通常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物,如砷化鎵、磷化鎵等制成。這是由于電子與空穴直接復(fù)合而放出能量的結(jié)果。圖1-9表示發(fā)光二極管的電路符號。它常做成紅、黃、藍(lán)等顏色的指示燈,作為顯示器件使用,工作電流一般為幾個(gè)毫安至十幾毫安之間。發(fā)光二極管的另一重要用途是將電信號變?yōu)楣庑盘枺ㄟ^光纜傳輸,然后再用光電二極管接收,再現(xiàn)電信號。圖1-9發(fā)光二極管符號半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.1.3.4半導(dǎo)體器件型號命名方法
半導(dǎo)體器件的型號由五部分組成(如圖1-10所示)。第一部分用數(shù)字表示半導(dǎo)體管的電極數(shù)目,第二部分用字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性,第三部分用字母表示半導(dǎo)體管的類別,第四部分用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件的序號,第五部分用字母表示區(qū)別代號。一些特殊器件的型號只有第三、四、五部分而沒有第一二部分。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用
如2AP9表示N型鍺材料普通二極管;2CK84表示N型硅材料開關(guān)二極管。部分二極管的型號和參數(shù)如表1-1至1-4。更詳細(xì)的內(nèi)容可查閱有關(guān)電子元器件手冊。
圖1-10半導(dǎo)體器件的命名方法
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用第二部分第二部分字母
意義
字母
意義
字母
意義
AN型鍺材料P普通管D低頻大功率管(f<3MHz,Pc≥1W)BP型鍺材料V微波管CN型硅材料W穩(wěn)壓管A高頻大功率管(f≥3MHz,Pc≥1W)DP型硅材料C參量管APNP型鍺材料Z整流器T半導(dǎo)體閘流管(可控整流器)BNPN型鍺材料L整流堆Y體效應(yīng)器件CPNP型硅材料S隧道管B雪崩管DNPN型硅材料N阻尼管J階躍恢復(fù)管E化合物材料U光電器件CS場效應(yīng)器件K開關(guān)管BT半導(dǎo)體特殊器件X低頻小功率管(f<3MHz,Pc<1W)PINPIN型管FH復(fù)合管G高頻小功率管(f≥3MHz,Pc<1W)JG激光器件表1-1半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用
參數(shù)
型號最大整流電流最高反向工作電壓(峰值)反向擊穿電壓(反向電流為400μA)正向電流(正向電壓為1V)反向電流(反向電壓分別為10,100V)最高工作頻率極間電容mAVVmAμAMHzpF2AP12AP7161220100≥40≥150≥2.5≥5.0≤250≤250150150≤1≤1表1-22AP1~7檢波二極管(點(diǎn)接觸型鍺管,在電子設(shè)備中作檢波和小電流整流用)
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用
參數(shù)型號最大整流電流
最高反向工作電壓(峰值)
最高反向工作電壓下的反向電流(125℃)正向壓降(平均值)(25℃)
最高工作頻率
AVμAVkHz2CZ520.125,50,100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000,1200,1400,1600,1800,2000,22002400,2600,2800,3000
1000≤0.832CZ540.51000≤0.832CZ5751000≤0.831N400115051.01N40071100051.01N5401310050.95表1-32CZ52~57系列整流二極管,用于電子設(shè)備的整流電路中。
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用參數(shù)型號最大耗散功率PZM/W最大工作電流IZM/mA穩(wěn)定電壓VZ/V反向漏電流IR/μA正向壓降VF/V(1N4370)2CW500.25831~2.8≤10(VR=0.5V)≤11N746(1N4371)2CW510.25712.5~3.5
≤5(VR=0.5V)≤1參數(shù)型號最大耗散功率PZM/W最大工作電流IZM/mA穩(wěn)定電壓VZ/V反向漏電流IR/μA正向壓降VF/V1N747-92CW520.25553.2~4.5≤2(VR=0.5V)≤11N750-12CW530.25414~5.8≤1≤11N752-32CW540.25385.5~6.5
≤0.5≤11N7542CW550.25336.2~7.5≤0.5≤1表1-4硅穩(wěn)壓二極管
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用參數(shù)型號最大耗散功率PZM/W最大工作電流IZM/mA穩(wěn)定電壓VZ/V反向漏電流IR/μA正向壓降VF/V1N755-62CW560.25277~8.8≤0.5≤11N7572CW570.25268.5~9.5≤0.5≤11N7582CW580.25239.2~10.5
≤0.5≤11N9622CW590.252010~11.8≤0.5≤1(2DW7A)2DW2300.2305.8~6.0≤1≤1(2DW7B)2DW2310.2305.8~6.0≤1≤1(2DW7C)2DW2320.2306.0~6.5
≤1≤12DW8A0.2305~6
≤1≤1表1-4硅穩(wěn)壓二極管(續(xù))
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.2整流與濾波電路
各種電子電路和設(shè)備都需要有直流電源提供能量,而日常所用的電源一般都是工頻交流電源,這就需要應(yīng)用電子電路將其轉(zhuǎn)換為直流電源。這個(gè)過程由四部分電路完成,如圖1-11所示。
圖1-11直流電源的組成框圖
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用圖中電源變壓器的任務(wù)是將交流電的幅度變換為直流電源所需要的幅度;整流電路的任務(wù)是將雙向變化的交流電變成單向的脈動直流電;濾波電路的任務(wù)是濾除脈動直流電中的交流成份,保留直流成份;穩(wěn)壓電路的任務(wù)是使輸出電壓的幅度保持穩(wěn)定。由于變壓器的結(jié)構(gòu)和原理已在電工知識中講過,所以本節(jié)從整流電路講起。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.2.1單相半波整流
利用二極管的單向?qū)щ娦?,可以把雙向變化的交流電轉(zhuǎn)換為單向的直流電,稱為整流。圖1-12是單相半波整流電路圖。圖1-12二極管單相半波整流電路
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用圖中ui為交流電壓,其幅度一般較大,為幾伏以上。其輸入輸出波形分別為如圖1-13所示。在交流ui的正半周,二極管VD正向?qū)?,其?dǎo)通電壓可以忽略不計(jì),則uo等于ui,在ui的負(fù)半周,VD反向截止,則uo等于0,從圖1-12看出,交流輸入電壓只有一半通過整流電路,所以這種整流稱為半波整流。00ωt
ωt
ui
圖1-13半波整流電路的波形圖
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用
整流的過程只是把雙向交流電變?yōu)檩敵鲭妷浩骄礥O的計(jì)算,正弦交流電的平均電壓值為0,所以用有效值來描述,經(jīng)過半波整流后的單向脈動電壓則可以用平均值來描述,可利用高等數(shù)學(xué)中積分的方法來求得UO的平均值。即:
可得出:流過負(fù)載RL上的直流電流為:
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用整流二極管的選擇:在圖1-12中明顯看出,二極管反向時(shí)承受的最高電壓是ui的峰值電壓,承受的平均電流等于IO。實(shí)際選用二極管時(shí),還要將這兩個(gè)值乘以(1.5~2)倍的安全系數(shù),再查閱電子元器件手冊選取合適的二極管。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.2.2單相橋式整流電路
圖1-14為單相橋式整流電路。由圖可見,四個(gè)二極管VD1、VD2、VD3、VD4構(gòu)成電橋的橋臂,在四個(gè)頂點(diǎn)中,不同極性點(diǎn)接在一起與變壓器次級繞組相連,同極性點(diǎn)接在一起與直流負(fù)載相連。
(a)原理電路
(b)簡化畫法
(c)另一種畫法
圖1-14單相橋式整流電路
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.2.2.1工作原理設(shè)電源變壓器次級電壓,其波形如圖1-15。在u2正半周,A端電壓極性為正,B端為負(fù)。二極管VD1、VD3正偏導(dǎo)通,VD2、VD4反偏截止,電流通路為A→VD1→RL→VD3→B,負(fù)載RL上電流方向自上而下;在u2負(fù)半周,A端為負(fù),B端為正,二極管VD2、VD4正偏導(dǎo)通,VD1、VD3反偏截止,電流通路是B→VD4→RL→VD2→A。同樣,RL上電流方向自上而下。圖1-15單相橋式整流波形圖
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用由此可見,在交流電壓的正負(fù)半周,都有同一個(gè)方向的電流通過RL從而達(dá)到整流的目的。四個(gè)二極管中,兩個(gè)一組輪流導(dǎo)通,在負(fù)載上得全波脈動的直流電壓和電流,如圖1-15(b)、(c)。所以橋式整流電路稱為全波整流電路。1.2.2.2負(fù)載上的電壓與電流計(jì)算由于單相橋式整流輸出波形剛好是兩個(gè)半波整流的波形,所以有
UO≈0.9U2
流過負(fù)載RL的電流半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.2.2.3整流二極管的選擇
橋式整流中,每只二極管只有半周是導(dǎo)通的,流過二極管的電流平均值為負(fù)載電流的一半,即:
二極管最大反向電壓,按其截止時(shí)所承受的反向峰壓:
為了方便地使用整流電路,利用集成技術(shù),將硅整流器件按某種整流方式封裝制成硅整流堆,習(xí)慣上稱為硅堆。
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.2.3濾波電路
經(jīng)過整流得到的單向脈動直流電,包含多種頻率的交流成份。為了濾除或抑制交流分量以獲得平滑的直流電壓,必須設(shè)置濾波電路。濾波電路直接接在整流電路后面,一般由電容、電感以及電阻等元件組成。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用如圖1-16所示為橋式整流電容濾波電路,負(fù)載兩端并聯(lián)的電容為濾波電容,利用C的充放電作用,使負(fù)載電壓、電流趨于平滑。1.2.3.1電容濾波圖1-16單相橋式整流電容濾波電路
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用(1)工作原理單相橋式整流電路,在不接電容C時(shí),其輸出電壓波形如圖1-17(a)。圖1-17單相橋式整流電容濾波波形
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用接上電容器C后,在輸入電壓U2正半周;二極管VD2、VD4在正向電壓作用下導(dǎo)通,VD1、VD3反偏截止,如圖1-16(a)。整流電流分為兩路,一路向負(fù)載RL供電,另一路向C充電,因充電回路電阻很小,充電時(shí)間常數(shù)很小,C被迅速充電,如圖1-17(b)中的oa段。到t1時(shí)刻,電容器上電壓uC≈U2,極性上正下負(fù)。經(jīng)過t1時(shí)刻后,u2按正常規(guī)律迅速下降直到t2時(shí)刻,此時(shí)u2<uc,二極管VD2、VD4受反向電壓作用截止。電容C經(jīng)RL放電,放電回路如圖1-16(b)所示。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用因放電時(shí)間常數(shù)τ放==RLC較大故uC只能緩慢下降,如圖1-17(b)中ab段所示。與此同時(shí),u2負(fù)半周到來,未裝電容C時(shí),二極管VD1、VD3導(dǎo)通,但此時(shí)uC>u2,迫使VD1、VD3反偏截止,直到t2時(shí)刻u2上升到大于uC時(shí),VD1、VD3才導(dǎo)通,同時(shí)C再度充電至uC≈u2,如圖1-17(b)中bc段。而后,u2又按是正弦規(guī)律下降,當(dāng)u2<uc時(shí),VD1、VD3反偏截止,電容器又經(jīng)RL放電。電容器C如此反復(fù)地充放電,負(fù)載上便得到近似于鋸齒波的輸出電壓。接入濾波電容后,二極管的導(dǎo)通時(shí)間變短,如圖1-17(c)所示。負(fù)載平均電壓升高,交流成份減小。電路的放電時(shí)間常數(shù)τ=RLC越大,C放電過程就越慢,負(fù)載上得到的UO就越平滑。
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用(2)濾波電容的選擇根據(jù)前面分析可知,電容C越大,電容放電時(shí)間常數(shù)τ=RLC越大,負(fù)載波形越平滑。一般情況下,橋式整流可按下式來選擇C的大小,式中T為交流電周期。
濾波電容一般都采用電解電容,使用時(shí)極性不能接反。電容器耐壓應(yīng)大于U2,通常取(1.5~2)U2。此時(shí)負(fù)載兩端電壓依經(jīng)驗(yàn)公式得:半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用例1-1橋式整流電容濾波電路,要求輸出直流電壓30V,電流0.5A,試選擇濾波電容的規(guī)格,并確定最大耐壓值。(交流電源220V,50Hz)。解:由于其中:
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用取電容標(biāo)稱值1000μF,由式5-1-9,電容耐壓為(1.5~2)U2=(1.5~2)×25=37.5V~50V
最后確定選1000μF/50V的電解電容器一只。
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.2.3.2電感濾波電路
電容濾波在大電流工作時(shí)濾波效果較差,當(dāng)一些電氣設(shè)備需要脈動小,輸出電流大的直流電時(shí),往往采用電感濾波電路,如圖1-18。
圖1-18電感濾波電路
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電感元件具有通直流阻礙交流的作用,整流輸出的電壓中直流分量幾乎全部加在負(fù)載上,交流分量幾乎全部降落在電感元件上,負(fù)載上的交流分量很小。這樣,經(jīng)過電感元件濾波,負(fù)載兩端的輸出電壓脈動程度大大減小,如圖1-19所示。
圖1-19電感濾波的波形
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用不僅如此,當(dāng)負(fù)載變化引起輸出電流變化時(shí),電感線圈也能抑制負(fù)載電流的變化,這是因?yàn)殡姼芯€圈的自感電動勢總是阻礙電流的變化。所以,電感濾波適用于大功率整流設(shè)備和負(fù)載電流變化大的場合。一般來說,電感越大濾波效果越好,濾波電感常取幾亨利到幾十亨利。有的整流電路的負(fù)載是電機(jī)線圈、繼電器線圈等電感性負(fù)載,就如同串入了一個(gè)電感濾波器一樣,負(fù)載本身能起到平滑脈動電流的作用,這樣可以不另加濾波器。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.2.3.3復(fù)式濾波
為了進(jìn)一步提高濾波效果,減少輸出電壓的脈動成份,常將電容濾波和電感濾波組合成復(fù)式濾波電路。將濾波電容與負(fù)載并聯(lián),電感與負(fù)載串聯(lián)構(gòu)成常用的LC濾波器、RC濾波器等。其電路原理與前面所述基本相同。半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1.2.4直流穩(wěn)壓電路
交流電壓經(jīng)過整流濾波后,所得到的直流電壓雖然脈動程度已經(jīng)很小,但當(dāng)電網(wǎng)波動或負(fù)載變化時(shí),其直流電壓的大小也隨之發(fā)生變化。為了使輸出的直流電壓基本保持恒定需要在濾波電路和負(fù)載之間加上穩(wěn)壓電路。這里介紹用穩(wěn)壓二極管構(gòu)成的一種簡單的并聯(lián)型穩(wěn)壓電路,如圖1-20中的虛線框所示。由限流電阻R和硅穩(wěn)壓管組成穩(wěn)壓電路。
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用圖1-20硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用引起輸出電壓不穩(wěn)定的原因主要是兩個(gè):一是電源電壓的波動,二是負(fù)載電流的變化。穩(wěn)壓管對這兩種影響都有抑制作用。當(dāng)交流電源電壓變化引起UI升高時(shí),起初U0隨著升高。由穩(wěn)壓管的特性曲線可知,隨著U0的上升(即UZ上升),穩(wěn)壓管電流IZ將顯著增加,R上電流I增大導(dǎo)致R上電壓降UR也增大。根據(jù)U0=UI-UR的關(guān)系,只要參數(shù)選擇適當(dāng),UR的增大可以基本抵消UI的升高,使輸出電壓基本保持不變,上述過程可以表示為:
UI↑→Uo(UZ)↑→Iz↑→I↑→UR↑U0↓
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用反之,當(dāng)UI下降引起U0降低時(shí),調(diào)節(jié)過程與上相反。當(dāng)負(fù)載變化時(shí)電流IO在一定范圍內(nèi)變化而引起輸出電壓變化時(shí),同樣會由于穩(wěn)壓管電流IZ的補(bǔ)償作用,使U0基本保持不變。其過程描述如下:IO↑→I↑→UR↑→Uo↓→IZ↓
Uo↑←UR↓←I↓
綜上所述,由于穩(wěn)壓管和負(fù)載并聯(lián),穩(wěn)壓管總要限制U0的變化,所以能穩(wěn)定輸出直流電壓U0,這種穩(wěn)壓電路也稱為并聯(lián)型穩(wěn)壓電路。
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用技能訓(xùn)練半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用基本放大電路
第二章基本放大電路
2.1晶體三極管
2.2共發(fā)射極放大電路
2.3微變等效電路分析法
2.4分壓偏置電路和射極輸出器
2.5基本功率放大電路
2.6場效應(yīng)管及其放大電路
基本放大電路2.1晶體三極管
半導(dǎo)體三極管可分為晶體管和場效應(yīng)管兩類,前者通常用BJT(BipolarJunctionTransistor)表示,即雙極型晶體管,簡稱三極管,后者通常用FET(Field-effecttran-sistors)表示,即單極型晶體管。三極管可以用來放大微弱的信號和作為無觸點(diǎn)開關(guān)。本書中凡未加說明的“三極管”,均指雙極型三極管。2.1.1三極管的結(jié)構(gòu)與符號
三極管按其結(jié)構(gòu)分為兩類:NPN型和PNP型三極管。如圖2--1所示為三極管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號。
基本放大電路圖2-1三極管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號
基本放大電路從圖中可見,三極管具有三個(gè)電極:基極b、集電極c和發(fā)射極e;對應(yīng)有三個(gè)區(qū):基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū);有兩個(gè)PN結(jié):基區(qū)和發(fā)射區(qū)之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)Je,基區(qū)和集電區(qū)之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)Jc。符號中發(fā)射極上的箭頭方向,表示發(fā)射結(jié)正偏時(shí)發(fā)射極電流的實(shí)際方向。PNP型三極管電流方向與NPN型相反,這兩個(gè)極性相反的晶體管在應(yīng)用上形成互補(bǔ)。三極管制作時(shí),通常它們的基區(qū)做得很?。◣孜⒚椎綆资⒚祝覔诫s濃度低;發(fā)射區(qū)的雜質(zhì)濃度則比較高;集電區(qū)的面積則比發(fā)射區(qū)做得大。這是三極管實(shí)現(xiàn)電流放大的內(nèi)部條件?;痉糯箅娐啡龢O管可以是由半導(dǎo)體硅材料制成,稱為硅三極管;也可以由鍺材料制成,稱為鍺三極管。從應(yīng)用的角度講,種類很多。根據(jù)工作頻率分為高頻管、低頻管和開關(guān)管;根據(jù)工作功率分為大功率管、中功率管和小功率管。常見的三極管外形如圖2-2所示。
圖2-2常見的三極管外形基本放大電路(a)NPN型管的直流供電電路(b)PNP型管的直流供電電路圖2-3三極管的直流供電電路之一基本放大電路1.1.2三極管的電流放大作用
三極管的主要特點(diǎn)是具有電流放大功能。所謂電流放大,就是當(dāng)基極有一個(gè)較小的電流變化(電信號)時(shí),集電極就隨之出現(xiàn)一個(gè)較大的電流變化。在電路中要求三極管的發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。對于NPN型三極管,必須UC>UB>UE;PNP型三極管
UC<UB<UE。因此,兩種類型三極管的直流供電電路如圖2-3所示?;痉糯箅娐穼?shí)際三極管放大電路從經(jīng)濟(jì)實(shí)用角度,把電路改為單電源供電,如圖2-4所示。由同一個(gè)電源Ucc既提供IC又提供IB,只要改變RB就可以方便地調(diào)整放大器的直流量。其中RB>RC以滿足NPN型三極管放大條件。圖2-4三極管的直流供電電路
基本放大電路當(dāng)三極管按圖2-4連接時(shí),由實(shí)驗(yàn)及測量結(jié)果可以得出以下結(jié)論:基極電流IB/mA00.0100.0200.0400.0600.0800.100集電極電流IC/mA<0.0010.4950.9951.9902.9903.9954.965發(fā)射極電流IE/mA<0.0010.5051.0152.0303.0504.0755.065表2-1三極管各電極電流的實(shí)驗(yàn)測量數(shù)據(jù)
(1)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中的每一列數(shù)據(jù)均滿足關(guān)系:IE=IC+IB;(2)每一列數(shù)據(jù)都有IC>>IB,而且有IC與IB的比值近似相等,大約等于50。定義,稱為三極管的直流電流放大系數(shù)?;痉糯箅娐罚?)對表2-1中任兩列數(shù)據(jù)求IC和IB變化量的比值,結(jié)果仍然近似相等,約等于50。也就是說三極管可以實(shí)現(xiàn)電流的放大及控制作用,因此通常稱三極管為電流控制器件。定義,稱為三極管的交流電流放大系數(shù)。一般有三極管的電流放大系數(shù):(4)從表2-1中可知,當(dāng)IB=0(基極開路)時(shí),集電極電流的值很小,稱此電流為三極管的穿透電流ICEO。穿透電流ICEO越小越好。
基本放大電路上述實(shí)驗(yàn)結(jié)論可以用載流子在三極管內(nèi)部的運(yùn)動規(guī)律來解釋。如圖2-5所示為三極管內(nèi)部載流子的傳輸與電流分配示意圖。
圖2-5三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動規(guī)律
基本放大電路由于發(fā)射結(jié)正向偏置,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子自由電子不斷擴(kuò)散到基區(qū),并不斷從電源補(bǔ)充電子,形成發(fā)射極電流IE。同時(shí)基區(qū)的多數(shù)載流子空穴也要擴(kuò)散到發(fā)射區(qū),但基區(qū)空穴的濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于發(fā)射區(qū)自由電子的濃度,空穴電流很小,可以忽略不計(jì)。一般基區(qū)很薄,且雜質(zhì)濃度低,自由電子在基區(qū)與空穴復(fù)合的比較少,大部分自由電子到達(dá)集電結(jié)附近。一小部分自由電子與基區(qū)的空穴相遇而復(fù)合,基區(qū)電源不斷補(bǔ)充被復(fù)合掉的空穴,形成基極電流IB。由于集電結(jié)反向偏置,阻止集電區(qū)和基區(qū)的多數(shù)載流子向?qū)Ψ絽^(qū)域擴(kuò)散,但可將從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)并到達(dá)集電區(qū)邊緣的自由電子拉入集電區(qū),從而形成集電極電流IC。
基本放大電路從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子,只有一小部分在基區(qū)與空穴復(fù)合掉,絕大部分被集電區(qū)收集。另外,由于集電結(jié)反偏,有利于少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動。集電區(qū)的少數(shù)載流子空穴漂移到基區(qū),基區(qū)的少數(shù)載流子自由電子漂移到集電區(qū),形成反向電流ICBO。ICBO很小,受溫度影響很大,常忽略不計(jì)。若不計(jì)反向電流ICBO,則有:IE=IC+IB。即集電極電流與基極電流之和等于發(fā)射極電流?;痉糯箅娐?.1.3三極管的伏安特性曲線
三極管的伏安特性曲線是指三極管各電極電壓與電流之間的關(guān)系曲線。工程上最常用的是輸入特性和輸出特性曲線。下面以共發(fā)射極放大電路為例進(jìn)行描述。(a)輸入特性曲線(b)輸出特性曲線圖2-6NPN型硅管的共發(fā)射極接法特性曲線
基本放大電路(1)輸入特性曲線族(InputCharacteristics)它是指一定集電極和發(fā)射極電壓UCE下,三極管的基極電流IB與發(fā)射結(jié)電壓UBE之間的關(guān)系曲線。實(shí)驗(yàn)測得三極管的輸入特性如圖2-6(a)所示。從圖中可見:①這是UCE≥1V時(shí)的輸入特性,這時(shí)三極管處于放大狀態(tài)。當(dāng)UCE>1V后,三極管的輸入特性基本上是重合的。②三極管輸入特性的形狀與二極管的伏安特性相似,也具有一段死區(qū)。只有發(fā)射結(jié)電壓UBE大于死區(qū)電壓時(shí),三極管才會出現(xiàn)基極電流IB,這時(shí)三極管才完全進(jìn)入放大狀態(tài)。此時(shí)UBE略有變化,IB變化很大,特性曲線很陡。基本放大電路(2)輸出特性曲線族(OutputCharacteristics)輸出特性是在基極電流iB一定的情況下,三極管的輸出回路中(此處指集電極回路),集電極與發(fā)射極之間的電壓uCE與集電極電流iC之間的關(guān)系曲線。如圖2-6(b)是NPN型硅管的輸出特性曲線。由圖可見,各條特性曲線的形狀基本相同,現(xiàn)取一條(例如40μA)加以說明。當(dāng)IB一定(如IB=40μA)時(shí),在其所對應(yīng)曲線的起始部分,隨UCE的增大IC上升;當(dāng)UCE達(dá)到一定數(shù)值后,IC幾乎不再隨UCE的增大而增大,IC基本恒定(約1.8mA)。這時(shí),曲線幾乎與橫坐標(biāo)平行。這表示三極管具有恒流特性?;痉糯箅娐芬话惆讶龢O管的輸出特性分為三個(gè)工作區(qū)域:①截止區(qū)此時(shí)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反向偏置。這時(shí),
IC=ICEO(穿透電流)。若忽略不計(jì)穿透電流ICEO,IB、IC近似為0;三極管的集電極和發(fā)射極之間電阻很大,三極管相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)斷開。②放大區(qū)此時(shí)三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。基極電流IB微小的變化會引起集電極電流IC較大的變化,有電流關(guān)系式:;表現(xiàn)為恒流特性。對NPN型硅三極管有發(fā)射結(jié)電壓,鍺三極管有?;痉糯箅娐发埏柡蛥^(qū)此時(shí)三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正向偏置;三極管的電流放大能力下降,通常有。UCE的值很小,稱此時(shí)的電壓UCE為三極管的飽和壓降,用UCES表示。一般硅三極管的UCES約為0.3V,鍺三極管的UCES約為0.1V。三極管的集電極和發(fā)射極近似短接,三極管相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)導(dǎo)通。三極管作為開關(guān)使用時(shí),通常工作在截止和飽和導(dǎo)通狀態(tài);作為放大元件使用時(shí),一般要工作在放大狀態(tài)?;痉糯箅娐?.1.4三極管的主要參數(shù)
三極管的參數(shù)是選擇三極管、設(shè)計(jì)和調(diào)試電子電路的主要依據(jù)。主要參數(shù)有下面幾個(gè):(1)電流放大系數(shù)β(或hfe)電流放大系數(shù)可分為直流電流放大系數(shù)和交流電流放大系數(shù)β,由于兩者十分接近,在實(shí)際工作中往往不作區(qū)分,手冊中也只給出直流電流放大系數(shù)值。它們的定義是:基本放大電路對于小功率三極管,β值一般在20~200之間。嚴(yán)格地說,β值并不是一個(gè)不變的常數(shù),測試時(shí)所取的工作電流IC不同,測出的β值也會略有差異。β值還與工作溫度有密切關(guān)系,溫度每升高1℃,β值約增加0.5~1%。(2)穿透電流Iceo當(dāng)三極管接成圖2-7所示電路時(shí),即斷開基極電路,則Ib=0,但I(xiàn)C往往不等于零,這種不受基極電流控制的寄生電流稱為穿透電流Iceo(即集電極—發(fā)射極反向飽和電流)。圖2-7三極管的穿透電流基本放大電路小功率的鍺三極管,一般小于500微安(0.5毫安),小功率的硅三極管則只有幾微安。Iceo雖然不算很大,但它與溫度卻有密切的關(guān)系,大約溫度每升高10℃,Iceo會增大一倍。Iceo還與β值有關(guān),β值越大的三極管,穿透電流也越大。為此,選用高β值的三極管,溫度穩(wěn)定性將會很差。所以在選擇三極管時(shí),Iceo越小越好。(3)集電極最大允許電流ICMICM是指三極管集電極允許的最大電流。當(dāng)電流超過ICM時(shí),管子性能將顯著下降,甚至有燒壞管子的可能?;痉糯箅娐饭ぷ鳡顟B(tài)放大區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)工作條件發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏(IB>IBS)發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏(IB≈0)工作特點(diǎn)集電極電流IC=βIB
IC≈0
管壓降等效電路c、e間等效內(nèi)阻可變很小,約為數(shù)百歐,相當(dāng)于開關(guān)閉合很大,約為數(shù)百千歐,相當(dāng)于開關(guān)斷開表10-1三極管三種工作狀態(tài)的特點(diǎn)(NPN型)
基本放大電路2.2共發(fā)射極放大電路
2.2.1放大電路的性質(zhì)
放大電路也稱為放大器,其作用是將微弱的電信號放大成幅度足夠大且與原來信號變化規(guī)律一致的信號。例如擴(kuò)音系統(tǒng),當(dāng)人對著話筒講話時(shí),話筒會把聲音的聲波變化轉(zhuǎn)換成以同樣規(guī)律變化的電信號(弱小的),經(jīng)擴(kuò)音機(jī)電路放大后輸出給揚(yáng)聲器(主要是放大振幅),則揚(yáng)聲器放出更大的聲音,這就是放大器的放大作用。這種放大還要求放大后的聲音必須真實(shí)地反映講話人的聲音和語調(diào),是一種不失真地放大。若把擴(kuò)音機(jī)的電源切斷,揚(yáng)聲器不發(fā)聲,可見揚(yáng)聲器得到的能量是從電源能量轉(zhuǎn)換而來的,故放大器還必須加直流電源?;痉糯箅娐贩糯箅娐冯m然應(yīng)用的場合及其作用不同,但信號的放大過程是相同的,可以用下面的框圖來表示:
電壓放大電路功率放大電路負(fù)載工作微弱信號直流電壓源由此可見,信號放大是指只放大微弱信號的幅度,而其頻率不變,即不失真放大。電壓放大電路的基本形式有三種:共發(fā)射極放大電路、共集電極電路、共基極電路?;痉糯箅娐?.2.2共發(fā)射極放大電路2.2.2.1電路的組成原則
(1)用晶體管組成放大電路的基本原則
a.必須滿足三極管的放大條件,即發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。
b.輸入信號在傳遞過程中,要求損耗小,在理想情況下,損耗為零
c.放大電路的工作點(diǎn)穩(wěn)定,失真(即放大后的輸出信號波形與輸入信號波形不一致的程度)不超過允許范圍?;痉糯箅娐穲D2-8為根據(jù)上述要求由NPN型晶體管組成的電壓放大電路。因輸入信號ui是通過C1與三極管的B—E端構(gòu)成輸入回路,輸出信號uo是通過C2經(jīng)三極管的C—E端構(gòu)成輸出回路,而輸入回路與輸出回路是以發(fā)射極為公共端的,故稱為共發(fā)射極放大電路。圖2-8共發(fā)射極放大電路
基本放大電路(2)元器件的作用
a.三極管:起電流放大作用,是放大電路的核心元件。b.直流電源:通過RB給發(fā)射結(jié)提供正向偏置電壓,通過Rc給集電結(jié)提供反向偏置電壓,以滿足三極管放大條件。c.基極偏置電阻RB:RB為三極管提供基極偏置電流。改變RB將使基極電流變化,這對放大器影響很大,因此它是調(diào)整放大器工作狀態(tài)的主要元件。
d.集電極負(fù)載電阻RC:一方面通過RC為集電結(jié)提供反向偏壓;另一方面將放大的電流轉(zhuǎn)換成電壓。因?yàn)槿龢O管的集電極是輸出端,圖2-8中UCE=Ucc-IcRc,若Rc=0,則UCE=Ucc,即輸出電壓恒定不變,失去電壓放大作用?;痉糯箅娐?/p>
e.耦合電容C1、C2:電容的容抗,與頻率f有關(guān),對于直流,f=0,則X=∞,對于交流,頻率f較高,且C較大時(shí),Xc→0,故耦合電容具有隔直流通交流作用,它阻隔了直流電流向信號源和負(fù)載的流動,使信號源和負(fù)載不受直流電流的影響。一般耦合電容選得較大,約幾十微法。故用電解電容,使用中電解電容的正極必須接高電位端,負(fù)極接低電位端,正、負(fù)極性不可接反。
f.接地“⊥”:表示電路的參考零電位,它是輸入信號電壓,輸出信號電壓及直流電源的公共零電位點(diǎn),而不是真正與大地相接,這與電工技術(shù)接地含義不同,電子設(shè)備通常選機(jī)殼為參考零電位點(diǎn)?;痉糯箅娐?.2.2.2電壓、電流等符號的規(guī)定放大電路中(如圖2-8所示)即有直流電源UCC,又有交流電壓ui,電路中三極管各電極的電壓和電流包含直流量和交流量兩部分。為了分析的方便,各量的符號規(guī)定如下:(1)直流分量:用大寫字母和大寫下標(biāo)表示。如IB表示三極管基極的直流電流。圖2-8共發(fā)射極放大電路
基本放大電路(2)交流分量:用小寫字母和小寫下標(biāo)表示。如ib表示三極管基極的交流電流。(3)瞬時(shí)值:用小寫字母和大寫下標(biāo)表示,它為直流分量和交流分量之和。如iB表示三極管基極的瞬時(shí)電流值,iB=IB+ib。(4)交流有效值:用大寫字母和小寫下標(biāo)表示。如Ib表示三極管基極正弦交流電流有效值?;痉糯箅娐?.2.2.3靜態(tài)工作點(diǎn)的分析計(jì)算放大電路只有直流信號作用,未加輸入信號(ui=0)時(shí)的電路狀態(tài)叫靜態(tài)。靜態(tài)下三極管各極的電流值和各極之間的電壓值,稱為靜態(tài)工作點(diǎn)。表示為IBQ、ICQ、、UCEQ,因它們在輸入特性和輸出特性曲線上對應(yīng)于一點(diǎn)Q,故得此名,如圖2-9所示。圖2-9輸入、輸出特性曲線上對應(yīng)的靜態(tài)工作點(diǎn)基本放大電路設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)的目的是為了保證三極管處于線性放大區(qū),為放大微小的交流信號做準(zhǔn)備。否則,若三極管處在截止區(qū),微小的交流信號或交流信號負(fù)半周輸入時(shí)三極管不能導(dǎo)通,電路的輸出電壓為零,無法完成不失真放大。(1)放大電路的直流通路計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)先畫出放大電路的直流通路。只考慮直流信號作用,而不考慮交流信號作用的電路稱直流通路。畫直流通路有兩個(gè)要點(diǎn):a.電容視為開路。電容具有隔離直流的作用,直流電流無法通過它們。因此對直流信號而言,電容相當(dāng)于開路?;痉糯箅娐穊.電感視為短路。電感對直流電流的阻抗為零,可視為短路。如圖2-10中,(a)圖是基本放大電路,(b)圖是其直流通路。(a)(b)圖2-10基本放大電路及其直流通路基本放大電路(2)計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)例題2-1在圖2-10(b)中的直流通路中,設(shè)RB=300KΩ,Rc=4KΩ,Ucc=12V,β=40。三極管為硅管,試求靜態(tài)工作點(diǎn)。根據(jù)基爾霍夫電壓定律列出輸入回路和輸出回路方程為:
Ucc=IBQRB+UBEQ
Ucc=ICQRC+UCEQ
則基本放大電路ICQ=βIBQ=40×40×10-3=1.6mA
UCEQ
=Ucc-ICQRC
=Ucc-βIBQRC
=12-40×0.04×4=5.6V因?yàn)閁CC>>UBE,所以可用估算法近似地計(jì)算出靜態(tài)值,即忽略UBE。實(shí)際電路中一般將基極偏置電阻串接一個(gè)可調(diào)電阻,以方便調(diào)試靜態(tài)工作點(diǎn)?;痉糯箅娐?.2.2.3基本電壓放大原理如圖2-11所示,當(dāng)輸入正弦交流信號ui時(shí),放大電路在靜態(tài)時(shí)各點(diǎn)的電壓及電流的數(shù)值都不變化,圖中陰影部分是輸入電壓ui的變化引起的三極管各電極電流和電壓的變化量,即交流分量。相當(dāng)于在原直流量上疊加的增量?;痉糯箅娐穲D2-11放大電路實(shí)現(xiàn)信號放大的工作過程基本放大電路設(shè)ui=Uimsinωt(v),信號經(jīng)耦合電容無損耗,即容抗。則電路各處電壓、電流的瞬時(shí)值均為直流量與交流量瞬時(shí)值之和。因?yàn)閡i電壓變化范圍小,由圖2-12看出,uBE變動范圍a~b相當(dāng)一段直線,所以電流與電壓成線性關(guān)系,電壓ui為正弦波,由電壓產(chǎn)生的電流ib也是正弦波。各極的電壓與電流關(guān)系為:
uBE=UBEQ+ube=UBEQ+uI
iB=IB+ib
ic=IC+ic=βIC+βib
uCE=UCE+uce=Ucc-iCRC=Ucc-(IC+ic)Rc
=Ucc-ICRC-icRc=UCE+(-icRc)iB、ic、uCE的波形如圖2-11所示?;痉糯箅娐穲D2-12輸入特性線性情況基本放大電路iB、ic、uCE的波形如圖2-11所示。由于uCE的直流分量UCE被耦合電容C2隔斷,其交流量uce經(jīng)C2允許通過,且無損耗,所以
uo=uce=-icRc
式中負(fù)號表明uo與ui的相位相反。整個(gè)放大過程為:弱小的輸入信號ui
引起三極管基極電流產(chǎn)生增量ib,則三極管集電極產(chǎn)生更大的電流增量ic=βib,而ic經(jīng)過Rc轉(zhuǎn)換為電壓增量,即為輸出電壓uo,顯然uo是ui被放大的結(jié)果。這就是電壓放大原理?;痉糯箅娐肪C上分析得出共射單管放大電路的特點(diǎn)為:
a.既有電流放大,也有電壓放大;
b.輸出電壓uO與輸入電壓ui相位相反。c.除了ui和uo是純交流量外,其余各量均為脈動直流電,故只有大小的變化,無方向或極性的變化??傊?,交流信號的放大是利用三極管的電流放大作用將直流電源的能量轉(zhuǎn)換來的。三極管的放大作用實(shí)質(zhì)上是種能量控制作用。從這個(gè)意義上說,放大電路是一種以較小能量控制較大能量的能量控制與轉(zhuǎn)換裝置?;痉糯箅娐?.2.3靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置對波形的影響
(a)輸入信號與ic波形圖(b)輸入信號與輸出信號波形圖
圖2-13靜態(tài)工作點(diǎn)的選擇基本放大電路圖2-13(a)表示出工作點(diǎn)偏高或偏低對輸出波形的影響。為簡單起見,只畫出ic
的波形,其它波形可以對應(yīng)推想出來。工作點(diǎn)ICQ
過低,因iC不可能為負(fù)值,集電極電流ic可以增加,但沒有減小的空間。信號較小時(shí)不失真,信號稍大,下半部就產(chǎn)生失真。該現(xiàn)象是由于輸入信號的負(fù)半周進(jìn)入截止區(qū)而造成的失真,故稱為截止失真。相反,工作點(diǎn)ICQ過高,因uCE=Ucc-iCRC,使iC有一個(gè)最大值:集電極電流ic可以減小,但沒有增大的空間。
基本放大電路信號較小時(shí)不失真。信號稍大,上半部就產(chǎn)生失真。該現(xiàn)象是由于輸入信號的正半周進(jìn)入飽和區(qū)而造成的失真,故稱為飽和失真。只有ICQ選在一個(gè)最佳點(diǎn)上,使上下半周同時(shí)達(dá)到最大值,若再增大輸入信號會同時(shí)產(chǎn)生失真,這個(gè)點(diǎn)就是放大器的最佳工作點(diǎn)。任何狀態(tài)下,不失真的最大輸出稱為放大器的動態(tài)范圍。實(shí)際工作中常用示波器觀察輸出波形,如圖2-13(b)所示,再稍稍調(diào)整偏流電阻RB,輸出波形會出現(xiàn)上下峰均略有相同程度的失真,此時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn),就是最佳工作點(diǎn)?;痉糯箅娐?.3微變等效電路分析法
放大電路的分析包含靜態(tài)和動態(tài)工作情況分析。靜態(tài)分析主要是確定電路的靜態(tài)工作點(diǎn)Q的值,判定Q點(diǎn)是否處于合適的位置,這是三極管進(jìn)行不失真放大的前提條件;動態(tài)分析主要是確定微弱信號經(jīng)過放大電路放大了多少倍(如Au)、放大器對交流信號所呈現(xiàn)的輸入電阻Ri、輸出電阻Ro等。定量分析放大電路的動態(tài)性能時(shí),常采用微變等效電路法,“微變”指微小變化的信號。當(dāng)小信號輸入時(shí),放大器運(yùn)行于靜態(tài)工作點(diǎn)的附近,在這一范圍內(nèi),三極管的特性曲線可以近似為一直線。這種情況下,可以把非線性元件晶體管組成的放大電路等效為一個(gè)線性電路。
基本放大電路2.3.1三極管的微變等效電路
2.3.1.1輸入回路的等效由圖2-12可看出,當(dāng)輸入信號ui較小時(shí),動態(tài)變化范圍小,則Q1~Q2間的一小段曲線可看成是直線,即△iB與△uBE
近似成線性關(guān)系,即:該常數(shù)若用rbe表示三極管輸入端口的動態(tài)電阻,即為三極管輸入端的等效線性電阻。基本放大電路這個(gè)公式只能用來計(jì)算動態(tài)的三極管基極與發(fā)射極的輸入電阻,即它是交流電阻。絕對不可以用來計(jì)算靜態(tài)的基極和發(fā)射極之間的電阻。
由上分析可得出結(jié)論:三極管的B、E兩端可等效為一個(gè)線性電阻rbe,如圖2-14(b)所示。實(shí)用中rbe可用下面公式進(jìn)行估算:
rbe的值一般為數(shù)百歐到數(shù)千歐,在半導(dǎo)體手冊中常用hie表示?;痉糯箅娐?.3.1.2輸出回路的等效由圖2-6(b)輸出特性曲線可看出,三極管工作在線性放大區(qū)時(shí),輸出特性是一組等距離的平行線,且β為一常數(shù)。從特性曲線上可以看出iB一定時(shí),因iC=βiB與uCE無關(guān),是個(gè)常數(shù)。則三極管C、E兩端可等效為一個(gè)受控電流源,電流值用βib表示。綜上所述,一個(gè)非線性元件三極管可以用圖2-14(b)所示簡化的線性等效電路來代替,適用條件是小信號交流信號,三極管必須工作在線性放大區(qū)?;痉糯箅娐肺⒆兊刃щ娐肥菍涣鞯刃?,只能用來分析交流動態(tài),計(jì)算交流分量,而不能用來分析直流分量。圖2-14三極管及其微變等效電路基本放大電路2.3.2放大電路的交流通路
在交流信號電壓或電流作用下,只考慮交流信號通過的電路稱為交流通路。如圖2-15(a)所示。信號在傳遞的過程中,交流電壓、電流之間的關(guān)系是從交流通路得到的。(a)交流通路(b)微變等效電路圖2-15用微變等效電路法對放大電路的動態(tài)分析基本放大電路2.3.4放大電路主要動態(tài)性能指標(biāo)的計(jì)算
放大電路的性能指標(biāo)有放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻等,它們反映放大電路對交流信號所呈現(xiàn)的特性。仍以圖2-10(a)電路為例,先作出其微變等效電路如圖2-15(b)所示。再利用電工學(xué)中的線性電路分析方法進(jìn)行計(jì)算。2.3.4.1計(jì)算電壓放大倍數(shù)Au放大倍數(shù)是衡量放大電路對信號放大能力的主要技術(shù)參數(shù)。電壓放大倍數(shù)是最常用的一項(xiàng)指標(biāo)。定義為:輸出電壓相量與輸入電壓相量的比值(為書寫方便,本節(jié)內(nèi)容有關(guān)交流電壓、電流相量略去表示相量的)。基本放大電路由圖2-15(b)的輸入回路得:Ui=Ube=Ibrbe
由輸出回路得:Uo=-βIb(Rc∥RL)則:
式中負(fù)號表示uo與ui相位相反。由上式可知,空載時(shí)RL=∞,空載電壓放大倍數(shù)為:基本放大電路顯然,ㄧAuㄧ<ㄧAouㄧ,即帶載后,電壓放大倍數(shù)要下降。Au與Aou比較下降越小,說明放大電路帶載能力越強(qiáng),反之,帶載能力差。實(shí)際的放大電路必須要解決提高帶載能力的問題。若考慮信號源內(nèi)阻時(shí)的電壓放大倍數(shù)Aus:當(dāng)信號源內(nèi)阻RS可忽略時(shí),Aus=Au;考慮內(nèi)阻Rs時(shí),Aus<Au,說明信號源內(nèi)阻使電壓放大倍數(shù)下降。工程上為了表示的方便,常用分貝(dB)來表示電壓放大倍數(shù),這時(shí)稱為增益。電壓增益=20log|Au|(dB)基本放大電路2.3.4.2輸入電阻Ri
放大電路對于信號源而言,相當(dāng)于信號源的一個(gè)負(fù)載電阻。此電阻即為放大電路的輸入電阻。換句話說,輸入電阻相當(dāng)于從放大電路的輸入端看進(jìn)去的等效電阻。關(guān)系式:ui為實(shí)際加到放大電路兩輸入端的輸入信號電壓,ii為輸入電壓產(chǎn)生的輸入電流,二者的比值即為放大電路的輸入電阻Ri?;痉糯箅娐穼τ谝欢ǖ男盘栐措娐罚斎腚娮鑂i越大,放大電路從信號源得到的輸入電壓ui就越大,放大電路向信號源索取電流的能力也就越小。圖2-16放大電路的輸入電阻基本放大電路由圖2-15(b)得共射放大電路的輸入電阻:一般情況下rbe<<RB,則Ri≈rbe圖2-17放大電路的輸出電阻基本放大電路2.3.4.3輸出電阻Ro當(dāng)負(fù)載電阻RL變化時(shí),輸出電壓uo也相應(yīng)變化。即從放大電路的輸出端向左看,放大電路內(nèi)部相當(dāng)于一個(gè)含有內(nèi)阻為Ro,端電壓為
的電壓源,此內(nèi)阻即為放大電路的輸出電阻Ro。圖2-17所示為放大電路輸出電阻的示意圖。Ro的兩種計(jì)算方法:方法一:在放大電路的輸入端加正弦波信號,測出負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓uo/,接上負(fù)載RL,再測輸出端的電壓Uo,可計(jì)算出:基本放大電路此方法一般用于實(shí)驗(yàn)中定量測量Ro。方法二:令負(fù)載開路(RL→∞),信號源短路(uS=0),在放大電路的輸出端加測試電壓UT,則產(chǎn)生相應(yīng)的電流IT,二者的比值即為放大電路的輸出電阻。即:圖2-18所示為求解放大電路輸出電阻的等效電路。圖2-18輸出電阻的求解電路基本放大電路如圖2-15(b)所示的微變等效電路,斷開負(fù)載RL,將信號源電壓短路,即us=0,則ib=0,βib=0,受控電流源相當(dāng)于開路,此時(shí)從輸出端看進(jìn)的電阻就是輸出電阻Ro,即:Ro=Rc當(dāng)放大電路作為一個(gè)電壓放大器使用時(shí),其輸出電阻Ro的大小決定了放大電路的帶負(fù)載能力。Ro越小,放大電路的帶負(fù)載能力越強(qiáng)。即放大電路的輸出電壓uo受負(fù)載的影響越小。共射放大電路的輸入電阻較小,輸出電阻較大。基本放大電路例題2-2如圖2-10(a)電路,已知RS=1KΩ,RB=500KΩ,RC=6KΩ,RL=6KΩ,Ucc=20V,β=50,三極管為硅管。(1)計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)。(2)計(jì)算Au、Aus、Ri、Ro。解:(1)畫直流通路,參看圖2-10(b)。基本放大電路(2)畫微變等效電路,參看圖2-15(b)。
因?yàn)?/p>
IEQ≈ICQ,所以:基本放大電路2.4分壓偏置電路和射極輸出器2.4.1分壓式偏置電路2.4.1.1靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的必要性:
合理選定靜態(tài)工作點(diǎn)并保持其穩(wěn)定,是放大電路能夠正常工作和避免失真的先決條件。Q點(diǎn)的影響因素有很多。如電源波動、偏置電阻的變化、管子的更換、元件的老化等等,不過最主要的影響則是環(huán)境溫度的變化。三極管是一個(gè)對溫度非常敏感的器件,隨溫度的變化,三極管參數(shù)會受到影響,從而引起靜態(tài)工作點(diǎn)的移動,導(dǎo)致放大電路性能不穩(wěn)定和出現(xiàn)失真等不正?,F(xiàn)象。
基本放大電路
例如:環(huán)境溫度t↑→β↑→ICQ↑→Q上移ICEO↑UBEQ↓穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)有兩種辦法:一是采用恒溫設(shè)備,造價(jià)高,一般不采用。二是分壓式偏置電路來實(shí)現(xiàn),它是目前應(yīng)用較廣的一種電路。
基本放大電路2.4.1.2分壓偏置電路結(jié)構(gòu)圖2-19分壓式偏置電路圖2-20直流通路基本放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的分壓式放大電路如圖2-19所示,為穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn),一般取I1>>IBQ,靜態(tài)時(shí)有:
當(dāng)UCC、Rb1、Rb2確定后,UB也就基本確定,不受溫度的影響。假設(shè)溫度上升,使三極管的集電極電流IC增大,則發(fā)射極電流IE也增大,IE在發(fā)射極電阻Re上產(chǎn)生的壓降UE也增大,使三極管發(fā)射結(jié)上的電壓UBE=UB-UE減小,從而使基極電流IB減小,又導(dǎo)致IC減小。這就是負(fù)反饋的作用,即將輸出量變化反饋到輸入回路,削弱了輸入信號。反饋元件是發(fā)射極電阻RE,其作用是穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)。其工作過程可描述為:基本放大電路溫度T↑→IC↑→IE↑→UE↑→UBE↓→IB↓IC↓分壓偏置式放大電路具有穩(wěn)定Q點(diǎn)的作用,在實(shí)際電路中應(yīng)用廣泛。實(shí)際應(yīng)用中,為保證Q點(diǎn)的穩(wěn)定,要求電路:I1>>IBQ,常用(1+β)RE與RB1∥RB2的大小關(guān)系來判斷I1>>IB是否成立。一般對于硅材料的三極管:I1=(5~10)IBQ。
由此可見,工作點(diǎn)穩(wěn)定的實(shí)質(zhì)是:(1)RE的直流負(fù)反饋?zhàn)饔茫?)要求I1>>IBQ,一般對于硅材料的三極管I1=(5~10)IBQ?;痉糯箅娐?.4.1.3分析與計(jì)算通過下面例題來進(jìn)行分壓偏置電路的靜態(tài)分析與動態(tài)指標(biāo)計(jì)算。例題2-3如圖2-19所示電路β=100,Rs=1kΩ,RB1=62KΩ,RB2=20kΩ,Rc=3kΩ,RE=1.5KΩ,RL=5.6KΩ,Ucc=15V,三極管為硅管。(1)估算靜態(tài)工作點(diǎn)。(2)分別求出有、無CE兩種情況下Au、Ri、Ro、Aus。
(3)若管子壞了,手頭沒有完全相同的管子,現(xiàn)用β=50的三極管來替換,其他參數(shù)不變,靜態(tài)工作點(diǎn)是否變化?基本放大電路解:(1)直流通路參看圖2-20得:基本放大電路(2)有、無CE微變等效電路,如圖2-21。(a)有CE微變等效電路(b)無CE微變等效電路圖2-21分壓偏置電路微變等效電路基本放大電路①有CE的動態(tài)指標(biāo)計(jì)算:基本放大電路②無CE的動態(tài)指標(biāo)計(jì)算輸入電阻的求法:為了方便,先求,基本放大電路輸出電阻Ro的求法:將RL斷開,令us=0,則ib=0,βib=0,受控電流源相當(dāng)于開路,輸出端口的電阻為Ro=Rc=3KΩ基本放大電路比較兩種情況下的電壓放大倍數(shù)Au的值,可以看出差異很大。第二種情況下,由于微變等效電路中存在RE,使Au下降。其原因是ui有很大一部分壓降降到RE上,只有一小部分電壓加到三極管的發(fā)射結(jié)上,故產(chǎn)生的ib小,產(chǎn)生的ic小,使uo降低而造成的。而第一種情況下,僅直流通路中存在RE,起直流負(fù)反饋?zhàn)饔?,穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)。交流通路中RE被旁路電容短路,即RE不存在,輸入信號ui直接加到發(fā)射結(jié)上,故轉(zhuǎn)換成的ic、uo較大,使得電壓放大倍數(shù)Au提高,滿足電路具有較大放大能力的要求。通過分析,分壓式偏置電路常在RE的兩端并接一個(gè)旁路電容CE,目的是提高電壓放大倍數(shù)?;痉糯箅娐罚?)當(dāng)β=50,UB、ICQ、UCE與⑴相同,即與β值無關(guān),故UB=3.7V,ICQ≈IEQ=2mA,UCEQ=6V,靜態(tài)工作點(diǎn)ICQ,UCEQ不變。但是,
而⑴中IBQ=20μA,即基極電流隨β而變。此例說明,更換管子所引起的β變化,分壓式偏置電路能夠自動改變IBQ,以抵消
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