半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜編制說(shuō)明

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》編制說(shuō)明（征求意見(jiàn)稿）一、工作簡(jiǎn)況1、立項(xiàng)目的和意義半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝是一種摻雜技術(shù)，它是將所需雜質(zhì)按要求的濃度與分布摻入到半導(dǎo)體材料中，以達(dá)到改變材料電學(xué)性能，形成半導(dǎo)體器件的目的。傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝一般是使用傳統(tǒng)化學(xué)品，后來(lái)發(fā)展出片狀擴(kuò)散源技術(shù)，僅德國(guó)、美國(guó)公司控制片狀擴(kuò)散工藝技術(shù)，后又發(fā)展出膜擴(kuò)散技術(shù)，美國(guó)菲諾士公司掌握膜擴(kuò)散技術(shù)20多年，對(duì)我國(guó)進(jìn)行長(zhǎng)期的技術(shù)封鎖?！笆奈濉币?guī)劃綱要的“第四章強(qiáng)化國(guó)家戰(zhàn)略科技力量”的“集成電路”領(lǐng)域明確提出核心電子器件、高端通用芯片等寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展?！缎虏牧袭a(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》中三、發(fā)展方向(二)中明確提及寬禁帶半導(dǎo)體材料；《新材料標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)航行動(dòng)計(jì)劃(2018-2020年)》中的“二(二)4先進(jìn)半導(dǎo)體材料”中“建立碳化硅、氮化鎵、氮化硼等第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)……”；《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》中“關(guān)鍵戰(zhàn)略材料”中“284碳化硅外延片、285碳化硅單晶襯底”。半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“擴(kuò)散膜”）的技術(shù)突破，對(duì)加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式、保障國(guó)家安全、提升綜合國(guó)力具有重大戰(zhàn)略意義。擴(kuò)散膜屬于半導(dǎo)體芯片制造的重要原材料，是芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)的重要組成部分，擴(kuò)散膜是芯片摻雜基礎(chǔ)材料是擴(kuò)散源的一種新型產(chǎn)品，來(lái)源于片狀源卻不同于片狀源。擴(kuò)散膜具有擴(kuò)散摻雜均勻度好，擴(kuò)散摻雜重復(fù)性好，擴(kuò)散特性容易控制，通過(guò)特定的工藝，把擴(kuò)散膜含有的雜質(zhì)原子擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體材料的內(nèi)部，形成具有一定摻雜濃度和梯度的的半導(dǎo)體材料，在擴(kuò)散過(guò)程中，膜被分解和燃燒掉。相對(duì)于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體擴(kuò)散材料，具有清潔環(huán)保、不易燃，不易爆，便于儲(chǔ)存、運(yùn)輸，并能有效提升芯片的特性，使用技術(shù)簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)。同時(shí)在超高濃度擴(kuò)散以及復(fù)合源擴(kuò)散方面有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。特別適合于制造：超高壓器件、高均勻摻雜、復(fù)合源摻雜的工藝中。另外安全、環(huán)保方面非常突出，可以使用無(wú)毒無(wú)害的化學(xué)品作為擴(kuò)散膜?？煽匦院?、高均勻性是其應(yīng)用特性。目前，臺(tái)灣、日本超高壓器件芯片都在使用擴(kuò)散膜，擴(kuò)散膜在制造芯片的“技術(shù)參數(shù)優(yōu)越性”“芯片可靠性”方面有很大的優(yōu)勢(shì)，加之其安全和環(huán)保特性，會(huì)成為未來(lái)發(fā)展的主流方向。二極管芯片制造和市場(chǎng)上高端芯片都已經(jīng)使用擴(kuò)散膜。國(guó)內(nèi)擴(kuò)散膜的制備技術(shù)發(fā)展迅速，已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，具備了制定擴(kuò)散膜產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)突破了擴(kuò)散膜制造的設(shè)備、配方、制造工藝等多方的的限制，對(duì)膜狀源產(chǎn)品特性和應(yīng)用非常了解，滿足擴(kuò)散膜產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的需求供應(yīng)。可以完全替代美國(guó)菲諾士公司的產(chǎn)品，能較好的解決半導(dǎo)體材料“卡脖”的問(wèn)題。目前，安徽安芯電子科技股份有限公司、山東芯源微電子有限公司等掌握半導(dǎo)體擴(kuò)散膜制造的核心技術(shù)，可以完全替代美國(guó)菲諾士公司的產(chǎn)品。擴(kuò)散膜是芯片產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，應(yīng)用非常廣泛，因此，制定《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展具有重要意義，能較好的解決半導(dǎo)體材料“卡脖”的問(wèn)題。半導(dǎo)體擴(kuò)散膜市場(chǎng)需求旺盛，生產(chǎn)企業(yè)越來(lái)越多，但沒(méi)有相關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊，嚴(yán)重影響了產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。因此申請(qǐng)制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范和引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2、任務(wù)來(lái)源2.1計(jì)劃來(lái)源及要求根據(jù)《工業(yè)和信息化部2023年第一批行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制修訂和外文版項(xiàng)目計(jì)劃》（工信廳科〔2023〕18號(hào)）的要求，由安徽安芯電子科技股份有限公司，負(fù)責(zé)《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》的編制，項(xiàng)目編號(hào)：2023-0082T-YS，要求2025年完成。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)提出并歸口，全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)具體組織編制。3、主要參加單位和工作成員及其所做的工作3.2主要參加單位情況本項(xiàng)目主編單位安徽安芯電子科技股份有限公司成立于2012年10月,注冊(cè)資本3041.6954萬(wàn)元。占地面積100余畝、員工800余人,是一家集半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體關(guān)鍵材料膜狀擴(kuò)散源于一體的綜合性半導(dǎo)體研發(fā)和制造企業(yè)。產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車(chē)電子、智能家居、5G通訊、LED照明、消費(fèi)類(lèi)電子、智能電網(wǎng)、無(wú)人機(jī)、軍工等高端電源領(lǐng)域，大量產(chǎn)品均已實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，是中國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體芯片及元器件制造商之一。公司已成功通過(guò)ISO/ITF16949:2009汽車(chē)行業(yè)質(zhì)量體系認(rèn)證和ISO14001:2004環(huán)境體系認(rèn)證，擁有兩個(gè)生產(chǎn)廠區(qū)，下核五個(gè)半導(dǎo)體制造工廠：兩個(gè)整流芯片及快恢復(fù)芯片制造工廠、一個(gè)TVS芯片制造工廠和兩個(gè)元器件封裝工廠。公司功率二極管芯片產(chǎn)品主要為光阻法GPP芯片，產(chǎn)能在國(guó)內(nèi)排名第二，安徽省排名第一，填補(bǔ)了安徽省高可靠性半導(dǎo)體分立器件芯片制造的空白。其生產(chǎn)技術(shù)及品質(zhì)管理在半導(dǎo)體二極管領(lǐng)域處于領(lǐng)先水平，在技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展方向上引領(lǐng)GPP芯片行業(yè)潮流。安芯電子擁有安徽省第一批高科技人才團(tuán)隊(duì)，領(lǐng)軍人才汪良恩為國(guó)家首批“萬(wàn)人計(jì)劃”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才。公司在創(chuàng)新發(fā)展過(guò)程中，成果轉(zhuǎn)化顯著。已獲得15項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利、90多項(xiàng)實(shí)用新型專(zhuān)利，公司建有“安徽省功率半導(dǎo)體分立器件工程試驗(yàn)室”和“安徽省功率半導(dǎo)體分立器件企業(yè)技術(shù)中心”等研發(fā)平臺(tái)，是國(guó)家專(zhuān)精特新重點(diǎn)“小巨人”企業(yè)，“國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)企業(yè)”，“國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)”，曾獲得“第四屆中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽”優(yōu)秀獎(jiǎng)、2020年安徽省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、池州市質(zhì)量獎(jiǎng)、“安徽省名牌產(chǎn)品”等榮譽(yù)。標(biāo)準(zhǔn)編制單位合肥增財(cái)智能科技有限公司，山東芯源微電子有限公司，安徽工匠質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)研究院有限公司，在標(biāo)準(zhǔn)的編制過(guò)程中，能積極主動(dòng)收集國(guó)內(nèi)外的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，到一些有代表性的企業(yè)進(jìn)行半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的生產(chǎn)和使用等方面的調(diào)研并收集現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，根據(jù)了解的現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際情況，編制實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)表，公司帶領(lǐng)編制組成員單位認(rèn)真細(xì)致修改標(biāo)準(zhǔn)文本，征求多家企業(yè)的修改意見(jiàn)，最終帶領(lǐng)編制組完成標(biāo)準(zhǔn)的編制工作。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)，安徽大學(xué)參與標(biāo)準(zhǔn)編制，提出了寶貴意見(jiàn)，并對(duì)標(biāo)準(zhǔn)附錄中的試驗(yàn)方法進(jìn)行了復(fù)驗(yàn)。浙江中晶科技股份有限公司參與了標(biāo)準(zhǔn)編制，對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容提出了修改意見(jiàn)。3.2主要工作成員負(fù)責(zé)的工作情況本標(biāo)準(zhǔn)的主要起草人及工作職責(zé)見(jiàn)表1。表1主要起草人及工作職責(zé)起草人工作職責(zé)全面負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)的工作，包括標(biāo)準(zhǔn)的編寫(xiě)、試驗(yàn)方案確定及組織協(xié)調(diào)標(biāo)準(zhǔn)框架的制定和后期編寫(xiě)的指導(dǎo)負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)起草過(guò)程中技術(shù)內(nèi)容的確定與指導(dǎo)負(fù)責(zé)提供企業(yè)的現(xiàn)場(chǎng)調(diào)研及配合標(biāo)準(zhǔn)編寫(xiě)開(kāi)展現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)驗(yàn)證及數(shù)據(jù)積累工作開(kāi)展附錄中試驗(yàn)方法的驗(yàn)證參與標(biāo)準(zhǔn)編制，反饋意見(jiàn)，并對(duì)標(biāo)準(zhǔn)附錄中的試驗(yàn)方法進(jìn)行復(fù)驗(yàn)4、主要工作過(guò)程4.1起草階段本項(xiàng)目在下達(dá)計(jì)劃之日起，標(biāo)準(zhǔn)編制組內(nèi)部于2023年5月27日召開(kāi)了關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)起草的工作會(huì)議，布置了標(biāo)準(zhǔn)起草的相關(guān)工作。根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)的起草原則，編制組對(duì)我國(guó)目前生產(chǎn)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜產(chǎn)品的相關(guān)企業(yè)進(jìn)行調(diào)研和統(tǒng)計(jì)，參考國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)結(jié)合相關(guān)企業(yè)的一些技術(shù)指標(biāo)和檢驗(yàn)數(shù)據(jù)起草了本標(biāo)準(zhǔn)討論稿初稿。2023年6月5日，起草單位將標(biāo)準(zhǔn)討論稿初稿發(fā)送給編制組其他成員征求意見(jiàn)，經(jīng)過(guò)編制組的多次討論和多版修改形成了討論稿。2023年7月19日編制組主要成員在參加了半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)工作會(huì)議之后，又召集編制組適時(shí)的按照新的規(guī)范要求對(duì)討論稿初稿進(jìn)行了適應(yīng)性的修改，增加了磷擴(kuò)散膜、硼擴(kuò)散膜和擴(kuò)散膜主元素等術(shù)語(yǔ)和定義，修改完善了擴(kuò)散膜主元素濃度的試驗(yàn)方法。2023年11月13日，在安徽銅陵召開(kāi)標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)，會(huì)后標(biāo)準(zhǔn)編制組依據(jù)研討會(huì)意見(jiàn)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)文本進(jìn)行修改完善，增加了擴(kuò)散膜分類(lèi)、代號(hào)和產(chǎn)品表示方法。2024年1月18日，標(biāo)準(zhǔn)編制組成員和標(biāo)委會(huì)相關(guān)技術(shù)人員，前往安徽池州進(jìn)行應(yīng)用端實(shí)地調(diào)研，對(duì)擴(kuò)散膜主元素濃度要求進(jìn)行了規(guī)范，簡(jiǎn)化了擴(kuò)散膜型號(hào)型號(hào)和濃度要求。2024年4月7日，標(biāo)準(zhǔn)編制組成員和標(biāo)委會(huì)相關(guān)技術(shù)人員，前往濟(jì)南章丘進(jìn)行實(shí)地調(diào)研，并驗(yàn)證了標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)要求。2024年7月2日，形成標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿，并提交至全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)秘書(shū)處。二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則本標(biāo)準(zhǔn)起草單位自接受起草任務(wù)后，成立了標(biāo)準(zhǔn)編制組負(fù)責(zé)收集生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)、檢驗(yàn)數(shù)據(jù)、市場(chǎng)需求及客戶要求等信息，初步確定了《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》標(biāo)準(zhǔn)起草所遵循的基本原則和編制依據(jù)：（1）查閱相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)內(nèi)外客戶的相關(guān)技術(shù)要求；（2）根據(jù)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜生產(chǎn)企業(yè)的具體情況，力求做到標(biāo)準(zhǔn)的合理性和實(shí)用性；（3）根據(jù)技術(shù)發(fā)展水平及測(cè)試數(shù)據(jù)確定技術(shù)指標(biāo)取值范圍；（4）按照GB/T1.1和有色加工產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)編寫(xiě)示例的要求進(jìn)行格式和結(jié)構(gòu)編寫(xiě)標(biāo)準(zhǔn)；（5）細(xì)化半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜產(chǎn)品質(zhì)量要求，根據(jù)行業(yè)水平和用戶需求，對(duì)擴(kuò)散膜摻雜元素種類(lèi)以及含量的要求進(jìn)行確定；（6）融入較為成熟半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜分析檢測(cè)方法，提供準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)，更好的指導(dǎo)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的生產(chǎn)；（7）規(guī)定半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的質(zhì)量驗(yàn)收內(nèi)容，避免低劣產(chǎn)品擠占優(yōu)秀產(chǎn)品生產(chǎn)空間，促進(jìn)行業(yè)健康發(fā)展；（8）結(jié)合我國(guó)半導(dǎo)體材料工業(yè)實(shí)際生產(chǎn)水平，同時(shí)根據(jù)產(chǎn)品用戶的意見(jiàn)反饋，正確兼顧好彼此之間的關(guān)系，追求技術(shù)的先進(jìn)性、指標(biāo)的合理性和嚴(yán)謹(jǐn)性的統(tǒng)一。三、確定標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的依據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合我國(guó)行業(yè)內(nèi)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的實(shí)際生產(chǎn)和使用情況，考慮半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的發(fā)展和行業(yè)現(xiàn)狀制定而成。標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容的確定依據(jù)詳述如下：1、標(biāo)準(zhǔn)題目與適用范圍本文件規(guī)定了半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的術(shù)語(yǔ)和定義、技術(shù)要求、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容，描述了相應(yīng)的試驗(yàn)方法。本文件適用于用沉淀、掛膜等制造方法制造的用于制備光電子、微電子等器件的半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜。2、分類(lèi)、代號(hào)和產(chǎn)品表示方法2.1分類(lèi)擴(kuò)散膜按摻雜元素分為兩類(lèi)，分別是磷擴(kuò)散膜和硼擴(kuò)散膜。2.2系列代號(hào)磷擴(kuò)散膜：P。硼擴(kuò)散膜：B。2.3產(chǎn)品表示方法產(chǎn)品型號(hào)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)表示。XXYS/TXXXX—XXXX示例：磷擴(kuò)散膜，濃度為2.30*1021個(gè)/cm3，表示為：P40YS/TXXXX—XXXX。3、技術(shù)要求3.1表面質(zhì)量表面應(yīng)無(wú)裂紋、夾雜、凹坑、孔洞、缺邊、沾污等。3.2顏色磷膜：粉色或粉紅色；硼膜白色或藍(lán)色或灰色；也可雙方約定，并在訂單中說(shuō)明。3.3尺寸偏差尺寸允許偏差不應(yīng)大于1mm。客戶若有特殊需求，則由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。3.4擴(kuò)散膜主元素濃度磷膜主元素濃度應(yīng)符合表1的要求，硼膜主元素濃度應(yīng)符合表2的要求?？蛻羧粲刑厥庑枨?，則由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。磷膜主元素濃度要求型號(hào)P原子濃度（個(gè)/cm3）A級(jí)品B級(jí)品C級(jí)品P402.30*1021±5%±6%±10%P502.77*1021P602.59*1021P70-12.97*1021P70-22.87*1021P752.85*1021硼膜主元素濃度要求型號(hào)B原子濃度（個(gè)/cm3）A級(jí)品B級(jí)品C級(jí)品B101.60*1021±5%±6%±10%B202.04*1021B303.08*1021B404.55*1021（2）主要驗(yàn)證情況分析批次產(chǎn)品摻雜主元素含量范圍：編制組對(duì)多片擴(kuò)散膜產(chǎn)品的摻雜主元素含量實(shí)測(cè)值進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)，不同型號(hào)擴(kuò)散膜摻雜主元素實(shí)際含量測(cè)量方法：使用電子分析天平準(zhǔn)確測(cè)量擴(kuò)散膜試樣（以下簡(jiǎn)稱(chēng)試樣）質(zhì)量（m）（精確到0.01g），使用游標(biāo)卡尺測(cè)量試樣直徑（d）（精確到0.01cm）和厚度（T）（精確到0.001cm），按照J(rèn)Y/T0567—2020的中規(guī)定的方法測(cè)量試樣中主元素質(zhì)量百分比濃度（C），試樣中主元素原子濃度（X）以個(gè)每立方厘米（個(gè)/cm3）表示，按式（1）計(jì)算： X=m×C×nπ式中：X——試樣主元素原子濃度，單位為個(gè)每立方厘米（個(gè)/cm3）；m——試樣質(zhì)量，單位為克（g）；C——試樣中主元素質(zhì)量百分比濃度；d——試樣的直徑，單位為厘米（cm）；T——試樣的厚度，單位為厘米（cm）；M——主元素的摩爾質(zhì)量，單位為克每摩爾（g/mol）；n——摩爾數(shù)為6.02*1023（個(gè)/mol）。主元素B和P的摩爾質(zhì)量和摩爾數(shù)見(jiàn)表3。主元素摩爾質(zhì)量主元素摩爾質(zhì)量（g/mol）B10.81P30.97摻雜主元素實(shí)際含量測(cè)試值表序號(hào)型號(hào)A級(jí)：中心值±5%B級(jí)：中心值±6%C級(jí)：中心值±10%實(shí)際測(cè)試值結(jié)論1B10(1.52-1.68)*1021（1.5-1.7）*1021（1.44-1.76）*10211.52*1021達(dá)到A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)2B20(1.94-2.14)*1021（1.92-2.16）*1021（1.84-2.24）*10212.06*1021達(dá)到A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)3B30(2.93-3.23)*1021（2.9-3.26）*1021（2.77-3.39）*10213.23*1021達(dá)到A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)4B40(4.32-4.78)*1021（4.28-4.82）*1021（4.10-5.01）*10214.77*1021達(dá)到A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)5P40(2.19-2.42)*1021（2.16-2.44）*1021（2.07-2.53）*10212.41*1021達(dá)到A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)6P50(2.63-2.91)*1021（2.60-2.94）*1021（2.49-3.05）*10212.91*1021達(dá)到A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)7P60(2.46-2.73)*1021（2.43-2.75）*1021（2.33-2.85）*10212.72*1021達(dá)到A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)8P70-1(2.82-3.12)*1021（2.79-3.15）*1021（2.67-3.27）*10213.12*1021達(dá)到A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)9P70-2(2.73-3.01)*1021（2.70-3.04）*1021（2.58-3.16）*10213.01*1021達(dá)到A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)10P75(2.71-2.99)*1021（2.68-3.02）*1021（2.57-3.14）*10212.89*1021達(dá)到A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)從產(chǎn)品的多批次實(shí)測(cè)結(jié)果看，摻雜主元素的實(shí)際含量符合標(biāo)準(zhǔn)中要求的指標(biāo)值，主元素含量遠(yuǎn)高于摻雜需求的雜質(zhì)濃度含量，這可以充分滿足客戶的不同摻雜工藝條件下達(dá)到目標(biāo)摻雜濃度。摻雜主元素實(shí)際含量主要是結(jié)合產(chǎn)品用戶要求以及不同半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜生產(chǎn)方的水平確定的，多個(gè)用戶對(duì)此指標(biāo)的要求一致。3.5單片擴(kuò)散膜摻雜主元素濃度分布均勻性誤差單片擴(kuò)散膜摻雜主元素濃度分步均勻性誤差：邊緣與中心差值小于15%。更高均勻度的要求，由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。測(cè)試方法：以直徑等分為3等分，分為中心區(qū)、1/2半徑區(qū)，邊緣區(qū)，按照6.4中規(guī)定的方法，分別測(cè)量三個(gè)區(qū)的主元素原子濃度進(jìn)行數(shù)據(jù)對(duì)比。主要驗(yàn)證情況分析：編制組抽測(cè)多片擴(kuò)散膜產(chǎn)品的主元素濃度分布實(shí)測(cè)值進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)。單片擴(kuò)散膜摻雜主元素濃度分布均勻度測(cè)試統(tǒng)計(jì)表型號(hào)檢測(cè)位置摩爾濃度（mol/kg）原子濃度（個(gè)/立方厘米）濃度分布均勻度結(jié)論B10中心區(qū)2.57151.52*10211.32%<15%/合格1/2半徑區(qū)2.60851.54*1021邊緣區(qū)2.55301.51*1021B20中心區(qū)4.17172.06*10212.43%<15%/合格1/2半徑區(qū)4.08842.02*1021邊緣區(qū)4.06992.01*1021B30中心區(qū)6.29913.23*10214.64%<15%/合格1/2半徑區(qū)6.00313.08*1021邊緣區(qū)6.06793.11*1021B40中心區(qū)10.90564.77*10212.10%<15%/合格1/2半徑區(qū)10.65584.67*1021邊緣區(qū)10.77614.72*1021P40中心區(qū)5.38592.41*10212.07%<15%/合格1/2半徑5.47302.45*1021邊緣區(qū)5.48922.46*1021P50中心區(qū)5.74752.91*10212.06%<15%/合格1/2半徑區(qū)5.64422.86*1021邊緣區(qū)5.86052.97*1021P60中心區(qū)5.88962.72*10211.84%<15%/合格1/2半徑區(qū)5.88632.71*1021邊緣區(qū)6.00582.77*1021P70-1中心區(qū)6.34163.12*10212.56%<15%/合格1/2半徑區(qū)6.24803.07*1021邊緣區(qū)6.17693.04*1021P70-2中心區(qū)5.72493.01*10213.65%<15%/合格1/2半徑區(qū)5.50532.90*1021邊緣區(qū)5.57312.93*1021P75中心區(qū)5.00812.89*10214.15%<15%/合格1/2半徑區(qū)4.79822.77*1021邊緣區(qū)5.18572.99*1021單片擴(kuò)散膜摻雜主元素濃度分布均勻性誤差主要是結(jié)合產(chǎn)品用戶要求以及不同半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜生產(chǎn)方的水平確定的，多個(gè)用戶對(duì)此指標(biāo)的要求一致。綜上所述，本標(biāo)準(zhǔn)能滿足我國(guó)與摻雜主元素濃度相關(guān)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的客觀要求，既體現(xiàn)了我國(guó)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜制備技術(shù)的先進(jìn)水平，又兼顧我國(guó)現(xiàn)階段的具體實(shí)際。本標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施后，將進(jìn)一步保障行業(yè)需求，也有利于將我國(guó)的半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜產(chǎn)品推向國(guó)外市場(chǎng)。4檢驗(yàn)規(guī)則4.1檢查和驗(yàn)收產(chǎn)品應(yīng)由供方或第三方進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件及訂貨單的規(guī)定。需方可對(duì)收到的產(chǎn)品按照本文件的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)。如檢驗(yàn)結(jié)果與本文件或訂貨單的規(guī)定不符，應(yīng)以書(shū)面形式向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。屬于外形尺寸或表面質(zhì)量的異議，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起1個(gè)月內(nèi)提出，屬于其他性能的異議，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起3個(gè)月內(nèi)提出。如需仲裁，仲裁取樣應(yīng)由供需雙方共同進(jìn)行。4.2組批產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由供需雙方一致確認(rèn)的相同技術(shù)指標(biāo)的擴(kuò)散膜組成。4.3檢驗(yàn)項(xiàng)目每批擴(kuò)散膜應(yīng)對(duì)表面質(zhì)量、顏色、尺寸偏差、摻雜主元素含量和濃度分布均勻度進(jìn)行檢驗(yàn)。4.4取樣每批擴(kuò)散膜的檢驗(yàn)按照GB/T2828.1抽樣檢查，或按供需雙方商定的方法抽樣。如需對(duì)其他項(xiàng)目進(jìn)行檢驗(yàn)，可由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。4.5檢驗(yàn)結(jié)果的判定如需方抽檢有任一不合格，判該批產(chǎn)品為不合格。5、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件5.1標(biāo)志每個(gè)擴(kuò)散膜包裝盒上都有標(biāo)簽，標(biāo)簽上注明公司名稱(chēng)、公司地址及聯(lián)系電話、產(chǎn)品名稱(chēng)、保存條件、保質(zhì)期、擴(kuò)散膜批號(hào)、型號(hào)、尺寸、數(shù)量。5.2包裝每批次檢驗(yàn)合格的擴(kuò)散膜，裝入包裝袋后密封，再裝入適當(dāng)?shù)陌b盒內(nèi)，以免損傷，再將包裝盒裝入包裝箱內(nèi)，附上隨行文件。5.3運(yùn)輸產(chǎn)品在運(yùn)輸過(guò)程中