芯片封裝工（中級(jí)）理論考試題及答案

芯片封裝工（中級(jí)）理論考試題及答案單選題1.在晶體硅中摻入元素（）雜質(zhì)后，能形成N型半導(dǎo)體。A、鍺B、磷C、硼D、錫參考答案：B2.（）是一種性能優(yōu)良的熱沉材料。A、陶瓷B、晶體硅C、碳化硅鋁D、水銀參考答案：C3.倒裝焊產(chǎn)品還具有優(yōu)越的電學(xué)和（）性能。A、熱學(xué)B、能量學(xué)C、光學(xué)D、鑲嵌學(xué)參考答案：A4.氮?dú)馐且环N（）氣體。A、還原性B、氧化性C、惰性D、可燃參考答案：C5.三極管的ICEO大，說明其（）。A、工作電流大B、擊穿電壓高C、壽命長D、熱穩(wěn)定性差參考答案：D6.半導(dǎo)體中的自由電子和空穴的數(shù)目相等，這樣的半導(dǎo)體稱為（）。A、P型半導(dǎo)體B、N型半導(dǎo)體C、本征半導(dǎo)體D、P型和N型摻雜濃度相等的半導(dǎo)體參考答案：C7.碳化硅鋁有（）不易變形和質(zhì)量輕的優(yōu)點(diǎn)。A、密度大B、密度小C、堅(jiān)硬D、柔軟參考答案：B8.穩(wěn)壓管（）。A、是二極管B、不是二極管C、是特殊二極管參考答案：C9.大部分環(huán)氧塑封料需要在170～175℃之間進(jìn)行（）的后固化工藝以實(shí)現(xiàn)完全固化。A、4～8hB、8～12hC、1～4hD、12～24h參考答案：C10.（）結(jié)構(gòu)是目前國內(nèi)外光電外殼最通用的封裝結(jié)構(gòu)形式。A、陶瓷熔封B、塑封C、陶瓷平封D、陶瓷扁平封裝參考答案：A11.金屬陶瓷封裝一般采用（）制造，用90%~95%氧化鋁陶瓷作絕緣，氧化鈹陶瓷做導(dǎo)熱，金屬作底盤和引線。A、多層共燒陶瓷工藝、氧化鈹金屬化工藝和釬焊工藝B、多層共燒陶瓷工藝C、釬焊工藝參考答案：A12.產(chǎn)品質(zhì)量（）。A、是設(shè)計(jì)出來的B、是制造出來的C、是檢驗(yàn)出來的D、是多種質(zhì)量因素的綜合反應(yīng)參考答案：D13.常用的電阻焊有電焊、突緣電阻焊和（）。A、平行縫焊B、四邊焊C、平行焊D、焊料焊參考答案：A14.熱壓焊只能用（）。A、金絲B、鋁絲C、硅鋁絲D、銅絲參考答案：A15.塑封料與芯片間的應(yīng)力隨芯片面積的增大而（）。A、增大B、減小C、不變D、變化但是不定性參考答案：A16.網(wǎng)印刮板材料，目前最常用的刮板材料是（）。D、A.B和CA、不銹鋼B、尼龍C、聚氨基甲酸脂參考答案：C17.將鐵的化合物溶于鹽酸，滴加KSCN溶液不發(fā)生顏色變化，再加入適量氯水，溶液立即呈紅色的是（）。A、Fe203B、FeCI3C、Fe2（S04）3D、Fe0參考答案：D18.底部填充膠可以有效緩解芯片和基板的（）。A、結(jié)合力大小B、熱膨脹系數(shù)C、熱失配D、熱疲勞壽命參考答案：C19.產(chǎn)品質(zhì)量的好壞包含（）。A、技術(shù)性能指標(biāo)B、可靠性指標(biāo)C、經(jīng)濟(jì)指標(biāo)參考答案：D20.平行封焊的圓錐形電極最好使用（）。A、鎢銅B、黃銅C、紫銅D、合金鋼參考答案：A21.MOS場效應(yīng)器件是利用半導(dǎo)體表面的（）來工作的。A、積累層B、耗盡層C、反型層參考答案：C22.封帽完成的電路在（）設(shè)備下檢測空洞是否合格。A、金相顯微鏡B、掃描電鏡C、X射線D、體視顯微鏡參考答案：C23.膠封工藝流程如下：器具、工件清洗→稱量配膠→攪拌→排氣→（）→（）→（）→檢驗(yàn)。A、涂膠固化膠粘B、涂膠粘合固化C、粘合涂膠固化D、涂膠固化粘合參考答案：B24.如在半導(dǎo)體中以長聲學(xué)波為主要散射機(jī)構(gòu)是，電子的遷移率n與溫度的（）。A、平方成正比B、2/3次方成反比C、平方成反比D、2/3次方成正比參考答案：B25.錫膏的保質(zhì)期為6個(gè)月，必須存儲(chǔ)存溫度（）無霜的情況下。A、0-5℃B、≤5℃C、≤10℃D、0-10℃參考答案：D26.貯能焊封裝底座為銅材料，殼帽為4J29不能直接封焊，應(yīng)采取的措施是（C）。A、銅鍍鎳B、銅底座加4J29封裝環(huán)C、先鍍鎳而后鍍金D、帽鍍鎳層加厚參考答案：C27.芯片共晶焊接工藝所用的金-錫合金熔點(diǎn)為（）。A、280℃B、220℃C、320℃D、350℃參考答案：A28.生產(chǎn)、經(jīng)營、儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用危險(xiǎn)化學(xué)品和處置廢棄危險(xiǎn)化學(xué)品單位的（）對(duì)本單位危險(xiǎn)化學(xué)品的安全負(fù)責(zé)。A、保衛(wèi)部門負(fù)責(zé)人B、安全部門負(fù)責(zé)人C、主要負(fù)責(zé)人D、生產(chǎn)部門負(fù)責(zé)人參考答案：C29.由于平行縫焊的焊縫在外殼邊緣，被熔焊的區(qū)域很小，屬局部加熱，因此對(duì)芯片的（）小。A、熱沖擊B、機(jī)械沖擊C、影響參考答案：A30.經(jīng)過室溫靜置的濕膜，即可進(jìn)行干燥。干燥的目的是（）。A、使?jié){料中易揮發(fā)的有機(jī)溶劑蒸發(fā)掉B、使印刷好的漿料膜硬化C、使圖形固定D、便于移動(dòng)參考答案：A31.如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。A、施主B、復(fù)合中心C、陷阱D、兩性雜質(zhì)參考答案：D32.使用顯微鏡時(shí)，（）。A、應(yīng)用小倍數(shù)鏡頭開始調(diào)整，然后換成大倍數(shù)鏡頭B、直接用大倍數(shù)鏡頭觀察C、應(yīng)用大倍數(shù)鏡頭開始調(diào)整，然后換成小倍數(shù)鏡頭D、無所謂大小倍數(shù)鏡頭的調(diào)整參考答案：A33.某電路的內(nèi)腔高度0.91mm,按照GJB548B2020.1條件APIND條件是（）。A、加速度20g,頻率130HZB、加速度10g,頻率130HZC、加速度20g,頻率120HZD、加速度10g,頻率120HZ參考答案：A34.在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）。A、焊接電流、焊接電壓和電極壓力B、焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力C、焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)間D、焊接電流、焊接溫度和焊接時(shí)間參考答案：B35.任何單位或個(gè)人對(duì)事故隱患或者安全生產(chǎn)違法行為，（）。A、均有權(quán)向負(fù)有安全生產(chǎn)監(jiān)督管理職責(zé)的部門報(bào)告或舉報(bào)；B、只能向其所在單位的安全管理部門報(bào)告；C、不能匿名舉報(bào)。參考答案：A36.一個(gè)阻值為25Q的電阻，允許加的最高電壓為5V,則其額定功率為（B）。A、10WB、2.0WC、1.0WD、0.5W參考答案：B37.陶瓷封裝一般采用（）工藝制造，用90%~95%氧化鋁陶瓷做絕緣，有黑色和白色陶瓷之分。A、共燒多層陶瓷B、陶瓷C、金屬化參考答案：A38.《中華人民共和國安全生產(chǎn)法》自（）起施行。A、2002年9月1日B、2002年10月1日C、2002年11月1日D、2002年12月1日參考答案：C39.封裝管殼的任意兩引線間的絕緣電阻應(yīng)（）。A、大于1×109QB、小于1×109QC、大于1×1010QD、小于1×1010Q參考答案：C40.防靜電手鐲和地線之間應(yīng)該（）。A、導(dǎo)通B、有一個(gè)10Q左右的電阻C、有一個(gè)1MQ電阻D、有一個(gè)10MQ左右的電阻參考答案：C41.集成電路的絲網(wǎng)印刷中圖像是微型的，要求印刷精度高，所以印刷機(jī)、印版、承印物（基板）、漿料等都需要高精度的，印刷場所也一定要保持恒溫，并清除（）。A、閑雜人員B、塵埃C、不用的設(shè)備參考答案：B42.細(xì)檢漏使用（）氣體施加壓力。A、氧氣B、氦氣C、氬氣D、氮?dú)鈪⒖即鸢福築43.重空穴是指（）。A、質(zhì)量較大的原子組成的半導(dǎo)體中的空穴B、價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴C、價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴D、自旋一軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴參考答案：C44.粗檢漏使用（）氣體施加壓力。A、氧氣B、氦氣C、氬氣D、氮?dú)鈪⒖即鸢福篋45.表面粗糙度中，Ra的單位為（）A、米B、毫米C、微米D、厘米參考答案：C46.下列關(guān)于Na和Na+的敘述中，錯(cuò)誤的是（）。A、具有相同的質(zhì)子數(shù)B、它們的化學(xué)性質(zhì)相似C、鈉離子是鈉原子的氧化產(chǎn)物A、100%D、灼燒時(shí)火焰都呈黃色參考答案：B47.全密封金屬外殼封裝時(shí)，（）封裝形式對(duì)外殼的表面條件要求最高。A、激光焊B、釬焊C、玻璃熔封D、貯能焊參考答案：A48.X射線照相時(shí)，應(yīng)采用（）放大倍數(shù)觀察X射線照片。A、2-8倍B、4-20倍C、6-25倍D、8-30倍參考答案：C49.密封外殼腔體內(nèi)部水分是引起器件腐蝕失效的（）。A、一個(gè)原因B、主要原因C、次要原因D、必然原因參考答案：B50.共晶粘片時(shí)，焊料尺寸應(yīng)該是芯片尺寸的（）左右。B、80%C、60%D、50%參考答案：B51.滴定管正確的讀數(shù)方法是從水平方向讀取彎月面的（）數(shù)值。A、最高點(diǎn)B、最低點(diǎn)C、平均D、加權(quán)參考答案：B52.我司SMT工序的的溫濕度要求分別是（）。A、22±3℃.30-65%B、25±3℃.45-65%C、25±3℃.40-60%D、26±3℃.40-70%參考答案：C53.模塑料預(yù)熱，一般采用高頻加熱方式，預(yù)熱溫度為（）,預(yù)熱后的模塑料應(yīng)迅速放入模具中。A、60~65℃B、70~75℃C、90~105℃參考答案：B54.（）是會(huì)破壞部分或全部封裝的密封微電子封裝的缺陷和失效分析方法。A、破壞性評(píng)價(jià)B、兩者均可C、非破壞性評(píng)價(jià)D、兩者都不是參考答案：C55.超聲鍵合對(duì)鍵合表面清潔度要求（）。A、較高B、較低C、不要求D、目檢合格參考答案：A56.功率電路散熱底座上的螺孔是為了（）。A、以便外接散熱器B、節(jié)省材料C、美觀D、加強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度參考答案：A57.軍用混合微電路生產(chǎn)線產(chǎn)品質(zhì)量要具有可追溯性，必須（）。A、填寫流程卡B、填寫工序原始記錄表C、填寫工作日記D、A和B參考答案：D58.集成電路組裝工序大體是（）。A、中測—?jiǎng)澠I合一封裝一成品測試B、劃片一中測—鍵合一封裝—成品測試C、劃片—鍵合一封裝—中測一成品測試D、中測—?jiǎng)澠徽称I合一封裝—成品測試參考答案：D59.決定原子軌道的形狀，并在多電子原子中與主量子數(shù)n共同決定軌道能級(jí)的量子數(shù)為：（）。A、B、mC、sD、I和m參考答案：A60.平行縫焊蓋板的基材通常是（）。A、銅合金B(yǎng)、鋁合金C、金D、可伐合金參考答案：D61.用滴管把液體樹脂滴涂到鍵合后的芯片上，經(jīng)加熱固化成型，此方法稱（）。A、澆鑄法B、遞模成型法C、填充法D、滴涂法參考答案：D62.半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是良好的電性能，外殼應(yīng)有小的（A）,使器件的電特性得到有效發(fā)揮。A、寄生參數(shù)B、電參數(shù)C、結(jié)構(gòu)參數(shù)參考答案：A63.芯片共晶焊接工藝中所用的金-硅合金的熔點(diǎn)是（）。A、183℃B、221℃C、370℃D、397℃參考答案：C64.超聲鍵合的尾絲不能超過鋁絲直徑的（）。A、一倍B、兩倍C、三倍D、三倍半?yún)⒖即鸢福築65.錫膏攪拌的目的是（）。A、使金屬顆粒與助焊劑充分混合B、使氣泡揮發(fā)C、提高黏稠性D、將金屬顆粒磨細(xì)參考答案：A66.電對(duì)人體的傷害種類是（）。A、電擊B、電弧灼傷C、電傷D、A+C參考答案：D67.粗檢漏壓完后將電路放進(jìn)（）中進(jìn)行檢漏。A、丙酮B、氟油C、酒精D、去離子水參考答案：B68.對(duì)于一定的n型半導(dǎo)體材料，溫度一定時(shí)，減少摻雜濃度，將導(dǎo)致（）靠近Ei。A、ECB、EvC、EgD、EF參考答案：D69.影響平行封焊質(zhì)量的主要因素是（）。A、焊接電流、焊接速度、電極錐度和直徑B、焊接電流與環(huán)境條件C、個(gè)人因素與管殼材料D、機(jī)器性能參考答案：A70.按照焊膏的合金成分分類，焊膏材料主要分為有鉛焊膏和（）兩種A、無鉛焊膏B、有錫焊膏C、無錫焊膏D、有銅焊膏參考答案：A71.在空氣不流通的狹小地方使用二氧化碳滅火器可能造成的危險(xiǎn)是（）。A、中毒B、缺氧C、爆炸D、火災(zāi)參考答案：B72.倒裝焊球的直徑大致在（）范圍內(nèi)。A、100~150μmB、50~300μmC、80~300μmD、80~150μm參考答案：C73.環(huán)焊時(shí)提高充電電壓可以（）。A、增強(qiáng)焊接強(qiáng)度B、防止金屬飛濺C、防止表面污點(diǎn)D、防止觸頭沾熔參考答案：A74.環(huán)焊前應(yīng)用（）打磨電極。A、水砂紙B、粗砂紙C、銼刀D、紗布參考答案：A75.硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。A、位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個(gè)球形等能面B、一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的6個(gè)球形等能面C、一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的8個(gè)橢球等能面D、位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個(gè)橢球等能面參考答案：D76.混合集成電路金屬封裝有（）、淺腔型、扁平型和圓型A、平板型B、平面型C、底盤型參考答案：A77.在阻值調(diào)整后，還應(yīng)進(jìn)行直流負(fù)荷試驗(yàn)。即在電阻上加相當(dāng)于（）額定功率的直流電壓，負(fù)荷時(shí)間為5s。但對(duì)阻值低于200Q的電阻，不進(jìn)行此項(xiàng)試驗(yàn)。A、1倍以下B、2～5倍C、10～100倍D、1000倍左右參考答案：B78.為了將物體的外部形狀表達(dá)清楚，一般采用（）個(gè)視圖來表達(dá)。A、二B、三C、四D、五參考答案：A79.CCGA主要焊柱90Pb10Sn材質(zhì)主要特點(diǎn)是（）。A、較硬B、較軟C、較長D、較短參考答案：B80.以下哪種不是氣密性封裝的主要材料?（）。A、金屬B、陶瓷C、玻璃D、碳化硅參考答案：D81.環(huán)焊電極度提升時(shí)打火，應(yīng)（）。A、提高電壓B、降低電壓C、改進(jìn)電極度形狀D、調(diào)整放電時(shí)間參考答案：D82.氦質(zhì)譜檢漏工藝步驟如下：（1）將器件置于壓力箱中并抽低真空；（2）給壓力箱充（）并保持一段時(shí)間；（3）取出器件將表面吸附的氦氣體吹掉。A、氦氣B、氬氣C、氮?dú)釪、氫氣參考答案：A83.外部互聯(lián)主要由最早的（）方式發(fā)展到目前的表面粘裝方式。A、鑲嵌B、粘接C、插裝D、封裝參考答案：D84.熱壓鍵合法的機(jī)理是（）。A、低溫?cái)U(kuò)散B、塑性流動(dòng)C、低溫?cái)U(kuò)散和塑性流動(dòng)結(jié)合D、機(jī)械壓力參考答案：C85.關(guān)鍵過程是（）。A、形成關(guān)鍵特性的主要過程B、指對(duì)形成產(chǎn)品質(zhì)量起決定性作用的過程C、指關(guān)鍵工序的所有過程D、指生產(chǎn)過程中的銜接環(huán)節(jié)參考答案：B86.金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸的一種方式是使半導(dǎo)體的參雜濃度大于（）。A、1015cm3B、1017cm3C、1019cm3D、1021cm3參考答案：C87.一塊半導(dǎo)體壽命t=15μs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。A、1/4B、1/eC、1/e2D、1/2參考答案：C88.陶瓷扁平封裝代號(hào)是（）。A、WB、PC、FD、K參考答案：C89.對(duì)大注入條件下，在一定的溫度下，非平衡載流子的壽命與（）。A、平衡載流子濃度成正比B、非平衡載流子濃度成正比C、平衡載流子濃度成反比D、非平衡載流子濃度成反比參考答案：D90.一般來說，集成電路的散熱方式以（）為主。A、輻射B、對(duì)流C、傳導(dǎo)D、對(duì)流和輻射參考答案：A91.實(shí)驗(yàn)室用氯化鈉固體配制100g溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8%的氯化鈉溶液，下列說法錯(cuò)誤的是（）。A、實(shí)驗(yàn)的步驟為計(jì)算、稱量、量取、溶解B、量取水時(shí)，用規(guī)格為100mL的量筒C、若用量筒量取水時(shí)俯視凹液面的最低處，則配制溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)小于8%D、溶解過程中玻璃棒攪拌的作用是加快氯化鈉的溶解參考答案：C92.鋁絲超聲焊的尾絲不能超過鋁絲直徑的（）。A、一倍B、兩倍C、三倍D、四倍參考答案：B93.CMOS電路組裝中禁止的是（）。A、穿防靜電工作服B、帶防靜電手鐲C、用防靜電周轉(zhuǎn)箱D、用塑料板鋪設(shè)工作臺(tái)參考答案：D94.環(huán)焊時(shí)壓力與被焊部位電阻的關(guān)系是（）。A、壓力大、電阻大B、壓力大、電阻小C、壓力大、電阻不變D、壓力小、電阻小參考答案：B95.一個(gè)阻值為100Q的電阻，允許加最高電壓為10V,則其額定功率為（）。A、10WB、1WC、0.1WD、2W參考答案：B96.在塑封工藝中，為完全固化大部分環(huán)氧模塑料，需要在（）的后固化。A、170~175℃、進(jìn)行4小時(shí)B、175~180℃、進(jìn)行2小時(shí)C、160~170℃、進(jìn)行6小時(shí)參考答案：A97.《安全生產(chǎn)法》規(guī)定，生產(chǎn)經(jīng)營單位不得使用國家明令淘汰、什么?（）。A、工藝，設(shè)備B、工具C、原材料D、設(shè)備參考答案：A98.扁平封裝結(jié)構(gòu)的最大厚度為（）。A、2.0mmB、2.1mmC、4mmD、4.2mm參考答案：B99.HIC電路老煉是指（）。A、按HIC產(chǎn)品技術(shù)要求在額定溫度和時(shí)間內(nèi)對(duì)電路通電工作的方式B、將HIC產(chǎn)品在高溫條件下放置數(shù)小時(shí)C、將HIC產(chǎn)品在高溫條件下加電測試D、將HIC產(chǎn)品在高溫下工作數(shù)小時(shí)后，再放在低溫下工作數(shù)小時(shí)參考答案：A100.厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（）,從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。A、降低B、升高C、保持不變參考答案：A101.因生產(chǎn)安全事故受到損害的從業(yè)人員除依法享有工傷社會(huì)保險(xiǎn)外，（）。A、有權(quán)向本單位提出賠償要求；B、可以解除勞動(dòng)合同；C、提出對(duì)責(zé)任人的處理要求。參考答案：A102.《安全生產(chǎn)法》規(guī)定生產(chǎn)經(jīng)營單位的從業(yè)人員應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格遵守本單位的（）。A、安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程B、勞動(dòng)紀(jì)律C、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參考答案：A103.SMT印刷完錫膏的產(chǎn)品必須在幾小時(shí)內(nèi)完成貼裝及焊接（）。A、30minB、2hC、1hD、1.5h參考答案：B104.有效復(fù)合中心的能級(jí)必靠近（）。A、禁帶中部B、導(dǎo)帶C、價(jià)帶D、費(fèi)米能級(jí)參考答案：A105.氣密密封方法常用（）和玻璃熔封工藝方法。非氣密密封方法通常用膠粘法和塑封法。A、釬焊、熔焊、平行縫焊B、釬焊、激光焊、超聲焊C、平行縫焊、點(diǎn)焊、激光焊D、平行縫焊、點(diǎn)焊、超聲焊參考答案：A106.從業(yè)人員在作業(yè)過程中不應(yīng)當(dāng)（）。A、遵守安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程；B、服從管理；C、不怕困難，勇于犧牲；D、正確佩戴和使用勞動(dòng)防護(hù)用品。參考答案：C107.柯伐合金用于各類管殼材料，合金由下列組成（）。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-W-CuD、Fe-W-Sn參考答案：B108.國內(nèi)外常用的焊球材料主要分為（）和（）兩類。A、有鉛和無鉛B、有鉛和有錫C、有鉛和無錫D、無鉛和有錫參考答案：A109.從金屬利用的歷史來看，先是青銅器時(shí)代，而后是鐵器時(shí)代，鋁的利用是近百年的事。這個(gè)先后順序跟下列有關(guān)的是（）。①地殼中的金屬元素的含量；②金屬活動(dòng)性；③金屬的導(dǎo)電性；④金屬冶煉的難易程度；⑤金屬的延展性；A、①③B、②⑤C、③⑤D、②④參考答案：D110.一般可以認(rèn)為，在溫度不很高時(shí)，能量大于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)基本上（）,而能量小于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)基本上為（）,而電子占據(jù)費(fèi)米能級(jí)的概率在各種溫度下總是（）,所以費(fèi)米能級(jí)的位置比較直觀地標(biāo)志了電子占據(jù)量子態(tài)的情況，通常就說費(fèi)米能級(jí)標(biāo)志了電子填充能級(jí)的水平。A、沒有被電子占據(jù)，電子所占據(jù)，1/2B、電子所占據(jù)，沒有被電子占據(jù)，1/2C、沒有被電子占據(jù)，電子所占據(jù)，1/3D、電子所占據(jù)，沒有被電子占據(jù)，1/3參考答案：A111.釬焊密封工藝溫度控制包括（）。A、釬焊溫度、保溫時(shí)間和升降溫速度B、升溫速度、保溫時(shí)間和降溫速度C、釬焊溫度、升溫速度和降溫速度D、預(yù)熱溫度、升溫速度和降溫速度參考答案：A112.實(shí)驗(yàn)室用氧化鈉配制50g質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%的氯化鈉溶液。下列說法中不正確的是（）。A、所需氯化鈉的質(zhì)量為3gB、氯化鈉放在托盤天平的左盤稱量C、俯視量筒讀數(shù)會(huì)使所配溶液偏稀D、所需玻璃儀器有燒杯、玻璃棒、量筒等參考答案：C113.塑封內(nèi)部互連用金絲是因?yàn)椋ǎ?。A、金延展性好B、金耐腐蝕C、金絲的耐磨性好D、水汽首先腐蝕芯片表面的鋁層參考答案：D114.柯伐合金用于各類管殼材料，合金由下列組成（）。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-Co-CuD、Fe-PB-Sn參考答案：B115.鋁具有較強(qiáng)的抗腐蝕性能，主要是因?yàn)椋ǎ?。A、與氧氣在常溫下不反應(yīng)B、鋁性質(zhì)不活潑C、鋁表面能形成了一層致密的氧化膜D、鋁耐酸耐堿參考答案：C116.芯片共晶焊接工藝中所用的金-鍺合金熔點(diǎn)為（）。A、320℃B、356℃C、380℃D、280℃參考答案：B117.金錫共晶焊料的熔點(diǎn)為（）。A、150℃B、280℃C、350℃D、400℃參考答案：B118.下面情況下的材料中，室溫時(shí)功函數(shù)最大的是（）。A、含硼1×1015cm-3的硅B、含磷1×1016cm-3的硅C、含硼1×1015cm-3,磷1×1016cm-3的硅D、純凈的硅參考答案：A119.半導(dǎo)體溫差致冷器的作用是（）。A、整流B、致冷C、抽真空D、分壓參考答案：B120.（）封裝不需由外殼廠進(jìn)行配套，因而工作量大為降低。A、熔封B、平行封焊C、焊料焊D、塑料參考答案：D121.球柵陣列封裝英文簡稱是（）。A、QFPB、0IPC、DIPD、BGA參考答案：D122.目前航天用陶瓷封裝工藝線的凈化等級(jí)為（）級(jí)。A、千級(jí)B、萬級(jí)C、十萬D、百萬參考答案：B123.焊料焊的（）性能比熔焊差。A、機(jī)械沖擊B、耐腐蝕性C、耐鹽霧D、耐老化參考答案：A124.低熔玻璃屬于（）。A、冷焊B、有機(jī)樹脂封裝C、熔焊D、焊料焊參考答案：D125.引出端識(shí)別標(biāo)志很少采用（）。A、凹口B、凸點(diǎn)C、缺角D、文字參考答案：D126.CCGA主要焊柱80Pb20Sn材質(zhì)主要特點(diǎn)是（）。A、較硬B、較軟C、較長D、較短參考答案：A127.改進(jìn)環(huán)焊電極度平行可以防止（）。A、熔化金屬飛濺B、電極觸頭沾熔C、產(chǎn)生焊料縫空隙D、提升打火參考答案：C128.基片應(yīng)具有良好的絕緣性能，即要有高的（）。A、強(qiáng)度B、導(dǎo)電性C、密度D、絕緣電阻率參考答案：A129.平行縫焊的焊輪椎頂角可影響（）的大小。A、焊接壓力和焊點(diǎn)B、焊接速度C、焊接電流D、焊接溫度參考答案：A130.化學(xué)反應(yīng)速率等于逆反應(yīng)速率，意味著（）。A、化學(xué)反應(yīng)達(dá)到平衡B、反應(yīng)進(jìn)行完全C、正、逆反應(yīng)的焓變相等D、反應(yīng)物濃度等于生成物濃度參考答案：A131.我司的產(chǎn)品主要由（）組成。A、控制板和外殼B、主板和顯示板C、變壓器和繼電器D、主板和變壓器參考答案：B132.軍用電路生產(chǎn)線產(chǎn)品質(zhì)量要具有可追溯性，必須（）。A、填寫流程卡，工序原始記錄B、填寫工作日記C、記重要事件D、所做工作全部記錄參考答案：A133.焊料焊時(shí)施加的壓力應(yīng)根鋸（）而定。A、焊接面積B、焊料熔化溫度C、金屬厚度D、管殼種類參考答案：A134.以下哪種不是芯片鍵合技術(shù)?（）A、WBB、TABC、ILBD、FCB參考答案：C135.平行縫焊的焊接速度與焊點(diǎn)直徑成正比，而焊點(diǎn)直徑又與焊接電流大小有關(guān)，因此焊接速度可隨（）的不同加以選擇。A、蓋板材料B、蓋板尺寸C、焊接電流D、蓋板硬度參考答案：C136.共晶粘片時(shí)，通常采用的保護(hù)氣體是（）。A、N2B、氬氣C、H2D、96%N2+4%H2參考答案：A137.與平行封焊的焊接速度無關(guān)的是（）。A、電極直徑B、電流大小C、脈沖寬度D、脈沖頻率參考答案：A138.封電路蓋板焊料環(huán)使用材料通常是（）。A、錫鉍合金B(yǎng)、錫銀銅合金C、金錫合金D、鐵鎳合金參考答案：C139.鏈?zhǔn)饺鄯鉅t通常是在氣氛下進(jìn)行封帽（）。A、氧氣B、氦氣C、氬氣D、氮?dú)鈪⒖即鸢福篋140.三氧化二鉻是一種（）。A、脫模劑B、著色劑C、固化劑D、填充劑參考答案：B141.用紙盒包裝電路必須使用（）紙。A、酸性B、中性C、堿性D、非中性參考答案：B142.目前使用的錫膏每瓶重量（）。A、500gB、250gC、800gD、1000g參考答案：A143.氦氣是一種（）氣體。A、還原性B、氧化性C、惰性D、可燃參考答案：C144.塑封料中包含離子污染物，包括來自用于樹脂環(huán)氧化過程中的環(huán)氧氯丙烷中的（）.作為阻燃劑添加入樹脂的（）。A、氯離子，溴離子B、碘離子，氯離子C、溴離子，氯離子D、鐵離子，碘離子參考答案：A145.要改變可逆反應(yīng)A+B=C+D的標(biāo)準(zhǔn)平衡常數(shù)，可以采取的措施是（）。A、改變系統(tǒng)的總壓力B、加入催化劑C、改變A/B/C/D的濃度D、升高或降低溫度參考答案：D146.在突緣電阻焊中，模具結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)遵循原則之一是保證外殼管帽與底座（）。A、連接B、緊密接觸C、同心參考答案：C147.產(chǎn)品質(zhì)量是（）。A、是設(shè)計(jì)出來的B、是制造出來的C、是檢驗(yàn)出來的D、是多種因素的綜合反應(yīng)參考答案：D148.及時(shí)將芯片工作所產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，可以保證電路的性能和（）。A、可靠性B、作用C、安全性D、連通參考答案：A149.在二極管特性的正向?qū)▍^(qū)，二極管相當(dāng)于（）。A、大電阻B、接通的開關(guān)C、斷開的開關(guān)參考答案：B150.圓片減薄是對(duì)圓片進(jìn)行（）減薄。A、正面B、背面C、側(cè)面D、邊緣參考答案：B判斷題1.印制電路或印制線路成品板統(tǒng)稱為印制板。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A2.根據(jù)《安全生產(chǎn)法》規(guī)定從業(yè)人員在作業(yè)過程中，應(yīng)當(dāng)服從管理，所以對(duì)違章指揮仍要服從。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B3.接地線：每個(gè)接點(diǎn)應(yīng)牢固焊接，可與電源的地線共用。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B4.檢漏技術(shù)分細(xì)檢漏和粗檢漏。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A5.氧化鋁可以作為陶瓷外殼的材料。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A6.銀漿燒結(jié)是一種流傳較廣的方法，它適用于大功率晶體管。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B7.平行縫焊包括直焊和圓焊兩種焊法。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A8.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴＃ǎ〢、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A9.厚膜介質(zhì)材料主要是以簡單的交疊結(jié)構(gòu)或以復(fù)雜的多層結(jié)構(gòu)用作導(dǎo)體間的絕緣體。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A10.內(nèi)部目檢和封裝之前的時(shí)間間隔里，器件應(yīng)貯存在受控的環(huán)境內(nèi)，對(duì)H級(jí)受控環(huán)境，相對(duì)濕度應(yīng)小于等于65%,潔凈度為1000級(jí)。檢驗(yàn)和準(zhǔn)備環(huán)境，相對(duì)濕度小于等于65%,潔凈度10萬級(jí)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A11.可伐合金材料的線膨脹系數(shù)與陶瓷、玻璃的較接近。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A12.當(dāng)一塊半導(dǎo)體中的一部分是P型，P型區(qū)與N型區(qū)界面附近的區(qū)域叫做PN結(jié)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A13.觸電分為電傷和電擊兩大類。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A14.超聲波清洗，通過超聲波的空化作用，對(duì)物體表面上的污物進(jìn)行撞擊剝離，以達(dá)到清洗的目的。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A15.厚膜和薄膜的混合集成電路的組裝順序有所差異。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A16.內(nèi)部水汽含量試驗(yàn)?zāi)康氖菧y定金屬或陶瓷器件內(nèi)部氣體中的水汽含量。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A17.為了使軍用產(chǎn)品在批生產(chǎn)過程中質(zhì)量穩(wěn)定、處于高可靠性、高成品率受控狀態(tài)，維持良好的生產(chǎn)過程，必須加強(qiáng)混合集成電路工藝環(huán)境清潔度、環(huán)境控制、貯存環(huán)境和暴露時(shí)間的控制。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A18.電源電動(dòng)勢(shì)的方向是由電源的正極到電源負(fù)極。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B19.產(chǎn)品質(zhì)量是多種質(zhì)量因素的綜合反應(yīng)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B20.施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供空穴。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B21.平行封焊的每個(gè)焊點(diǎn)間重疊量為三分之一到二分之一為佳。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A22.超聲鍵合可以焊接粗細(xì)不等的鋁絲鋁帶和金絲金帶。而熱壓焊接只能鍵合細(xì)金絲。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A23.化鍍鎳比電鍍鎳的熔點(diǎn)低。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A24.半水清洗是利用全自動(dòng)清洗機(jī)先進(jìn)行溶劑清洗，然后不使用去離子水進(jìn)行漂洗的過程。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B25.氣體平均自由程與氣體的壓強(qiáng)成正比關(guān)系。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B26.晶體三極管具有兩個(gè)PN結(jié)，二極管具有一個(gè)PN結(jié)，因此可以把兩個(gè)二極管反向連接起來當(dāng)作一只晶體三極管使用。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B27.可用萬用表測試場效應(yīng)管的管腳。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B28.做PIND時(shí)，以腔體體積作為實(shí)驗(yàn)條件的選取依據(jù)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B29.在混合集成電路終極版起著承載厚膜元件互聯(lián)以及外貼元件等作用，在大功率電路中，還有散熱的作用。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A30.多余物是指生產(chǎn)過程中或生產(chǎn)完成后，由外部進(jìn)入或內(nèi)部產(chǎn)生的與產(chǎn)品設(shè)計(jì)圖樣，技術(shù)條件無關(guān)的物質(zhì)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A31.掃頻振動(dòng)的目的是測定在規(guī)定頻率范圍內(nèi)，振動(dòng)對(duì)器件的影響。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A32.平行縫焊蓋板的基材為金錫合金。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B33.電子是帶負(fù)電的粒子。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A34.平行縫焊過程中發(fā)生“打火”會(huì)嚴(yán)重影響密封質(zhì)量。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A35.國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的安全色有紅、藍(lán)、黃、綠四種顏色。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A36.集成電路封裝使用的塑粉從冷庫取出后直接可以使用。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B37.若上工序流到外檢產(chǎn)品數(shù)量與流程卡上的數(shù)量不附，可以自己重新核對(duì)，填上實(shí)際數(shù)量檢驗(yàn)后入庫。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B38.非晶玻璃系較少應(yīng)用于實(shí)際工程中。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A39.高溫共燒陶瓷基板具有結(jié)構(gòu)高強(qiáng)度熱導(dǎo)效率高，化學(xué)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A40.場效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A41.基板貼裝工藝分為合金焊料焊接和膠粘工藝兩種。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A42.晶體二極管因所加反向電壓大而擊穿燒毀的現(xiàn)象稱為熱擊穿。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A43.防靜電接地和電源保護(hù)接地是一回事。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B44.生產(chǎn)經(jīng)營單位的主要負(fù)責(zé)人對(duì)本單位的安全生產(chǎn)工作負(fù)領(lǐng)導(dǎo)責(zé)任。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B45.化學(xué)試劑用做清洗時(shí)，對(duì)純度沒有什么要求。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B46.場效應(yīng)管的放大能力不能像晶體管一樣，用電流放大系數(shù)表示，而是用動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)gm表示的。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A47.若某些原件是用焊料焊接，而其他元件使用膠粘工藝時(shí)，溫度較高的焊料貼裝應(yīng)該先進(jìn)行加工。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A48.晶體二極管的反向電壓上升到一定值時(shí)，反向電流劇增，二極管被擊穿，就不能再使用了。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A49.普通的LED所能承受的靜電電壓是500-1000V。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A50.高溫貯存和功率老化都是環(huán)境應(yīng)力篩選。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B51.凡是普通三極管可以使用的場合，原則上也可使用場效應(yīng)器件。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A52.可靠性是產(chǎn)品在規(guī)定的條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi)，完成規(guī)定功能的能力，器件失去規(guī)定的功能叫失效。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A53.航天用集成電路通常采用平行縫焊的儲(chǔ)能焊。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A54.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A55.在smt生產(chǎn)中，焊膏印刷質(zhì)量是體現(xiàn)焊接質(zhì)量的一項(xiàng)重要指標(biāo)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A56.氧化鋁多層陶瓷基板，該羈絆技術(shù)工藝成熟，介質(zhì)材料成本高，熱導(dǎo)效率和抗彎強(qiáng)度較高。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B57.鐵一鎳合金可替代可伐合金做為外殼材料。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A58.激光劃片是利用高能量的激光束，束斑直徑若干微米，其能量大于105～106W/cm2,使硅片熔化并揮發(fā)穿孔，留下一排整齊的小孔。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A59.安全生產(chǎn)管理，堅(jiān)持“安全第一、預(yù)防為主、綜合治理”的方針。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A60.人工目檢不是焊點(diǎn)檢查的，最基本的檢測手段。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B61.有機(jī)樹脂封裝的最大優(yōu)點(diǎn)是絕緣性好。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A62.硅二極管的正向壓降為1V。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B63.金屬-低摻雜半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生整流接觸；金屬-高摻雜半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生歐姆接觸。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A64.要使三極管工作于放大狀態(tài)，其發(fā)射結(jié)、集電結(jié)分別處于正向、反向偏執(zhí)狀態(tài)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A65.發(fā)生危險(xiǎn)化學(xué)品事故，有關(guān)地方公安消防部門應(yīng)當(dāng)做好指揮、領(lǐng)導(dǎo)工作。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B66.封裝時(shí)，材料的機(jī)械特性、熱膨脹系數(shù)尤其重要。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A67.BGA是四方扁平引線封裝封裝的簡稱。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B68.非離子性污染物是不會(huì)被電離為離子的一類物質(zhì)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A69.因生產(chǎn)安全事故受到損害的從業(yè)人員，向本單位提出賠償要求，可以在依法享有工傷社會(huì)保險(xiǎn)或者依照有關(guān)民事法律獲得賠償兩者之間任選一種。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B70.光學(xué)顯微鏡可以檢測封帽空洞。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B71.在Si中摻入P,則引入的雜質(zhì)能級(jí)靠近導(dǎo)帶底。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A72.最終密封前檢驗(yàn)應(yīng)保證在前面各次檢驗(yàn)后的后續(xù)處理中產(chǎn)生的缺陷，能在封裝前檢驗(yàn)中被發(fā)現(xiàn)和拒收。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A73.印制板的質(zhì)量對(duì)電子產(chǎn)品的性能和可靠性有重要影響。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A74.環(huán)氧樹脂的缺點(diǎn)是：（1）不適合高溫下工作；（2）高頻性能和耐濕性差。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A75.生產(chǎn)經(jīng)營單位發(fā)生生產(chǎn)安全事故造成人員傷亡、他人財(cái)產(chǎn)損失的，應(yīng)當(dāng)依法承擔(dān)賠償責(zé)任；拒不承擔(dān)或者其負(fù)責(zé)人逃匿的，由公安部門依法強(qiáng)制執(zhí)行。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B76.平行封焊的電流大小僅與封接溫度有關(guān)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B77.通常認(rèn)為。1μm以下厚度的膜為薄膜，以上者為厚膜。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B78.封裝時(shí)材料的機(jī)械特性與膨脹系數(shù)尤其重要。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A79.細(xì)檢漏技術(shù)通常采用示蹤氣體檢漏法。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A80.封蓋后的產(chǎn)品外觀不須再檢驗(yàn)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B81.塑封材料的發(fā)展方向是高純度、低應(yīng)力、低α射線。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A82.固化性能，即獲得固化所需溫度和時(shí)間，還包括固化后需有一定粘接強(qiáng)度和盡可能小的收縮率，以減少應(yīng)力產(chǎn)生。另外固化時(shí)不應(yīng)有氣體放出，避免產(chǎn)生針孔。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A83.特大安全事故發(fā)生后，對(duì)調(diào)查組提出的調(diào)查報(bào)告，省、自治區(qū)、直轄市人民政府應(yīng)當(dāng)自調(diào)查之日起30日內(nèi)，對(duì)有關(guān)責(zé)任人員作出處理決定。。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A84.銀漿燒結(jié)是一種流傳較廣的方法，它適用于大功率晶體管。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B85.靜電中和：用離子風(fēng)吹向帶靜電表面，達(dá)到靜電荷中和的目的。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A86.設(shè)備清洗，根據(jù)不同的清洗機(jī)里又分為汽相清洗，水清洗等離子清洗超聲波清洗等方法。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A87.密封外殼腔體內(nèi)部水分是引起器件腐蝕失效的主要原因。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A88.在數(shù)字電路中，高、低電平是指一定的電壓范圍，而不是一個(gè)不變的數(shù)值。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A89.鍵合引線所用的金絲，化學(xué)穩(wěn)定性不好，易腐蝕。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B90.職業(yè)健康檢查應(yīng)當(dāng)由縣級(jí)以上人民政府衛(wèi)生行政部門批準(zhǔn)的醫(yī)療衛(wèi)生機(jī)構(gòu)承擔(dān)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B91.在組裝壓焊過程中，防靜電措施有設(shè)備接地，操作人員要穿防靜電工作服，要戴防靜電手鐲。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A92.在三相電路中，Y形連接負(fù)載的相電流等于線電流。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B93.按封裝材料的不同，集成電路封裝可以分為玻璃封裝、金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A94.芯片粘接強(qiáng)度的大小與芯片粘接面積有關(guān)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A95.顆粒狀污染物一般采用機(jī)械方法，如強(qiáng)力噴射，洗刷等方法即可清除。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A96.低熔玻璃的封接溫度僅由玻璃的組成決定。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B97.金—鋁鍵合系統(tǒng)的缺點(diǎn)是在高溫下容易形成金—鋁間的化合物，使鍵合強(qiáng)度不高，造成鍵合質(zhì)量下降，長時(shí)間以后易脫焊失效。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A98.場效應(yīng)晶體管是靠少數(shù)載流子來工作的。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B99.為評(píng)價(jià)分析產(chǎn)品的可靠性而進(jìn)行的試驗(yàn)，叫做可靠性試驗(yàn)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A100.在三相電路中，△形連接負(fù)載的相電流等于線電流。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A101.在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B102.平行封焊封裝的電路滾輪壓過的邊部不易銹蝕。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B103.塑料封裝被稱為非氣密封裝。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A104.表面涂敷工藝是指在芯片壓焊內(nèi)引線之后，在其表面涂敷一層黏度適中的保護(hù)膠，并牢固地緊貼在芯片表面上的工藝。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A105.航天電子產(chǎn)品的清洗方法可以分為手工清洗和設(shè)備清洗兩大類。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A106.粗檢漏壓完后將電路放進(jìn)酒精中進(jìn)行檢漏。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B107.用電器銘牌上的標(biāo)稱的電壓，電流值是指交流電的峰值。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B108.若用環(huán)氧貼裝方法，將全部芯片先貼裝在基板上，然后將基板安裝在外殼上。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A109.DIP塑料封裝引線節(jié)距為2.54mm。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A110.電子是帶正電的粒子。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B111.小于二千伏的靜電人體是有感覺的。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B112.塑封樹脂料保管的技術(shù)條件是干燥、無污染、低溫1～5℃。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A113.用乙醇或丙酮清洗用具時(shí)，可以在電爐上直接加熱。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B114.在動(dòng)力電源線中，中線可以作為地線。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B115.塑封是典型的氣密性封裝。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B116.場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A117.生產(chǎn)、經(jīng)營、儲(chǔ)存、使用危險(xiǎn)物品的車間、倉庫不得與員工宿舍在同一座建筑物內(nèi)，并應(yīng)當(dāng)與員工宿舍保持安全距離。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A118.平行封焊產(chǎn)品的質(zhì)量只與工藝參數(shù)有關(guān)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B119.剪切強(qiáng)度屬于非破壞性試驗(yàn)。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：B120.靜電手腕帶的測試：被測人雙腳踏地，雙手離開操作臺(tái)，身體不能與操作臺(tái)相接觸。（）A、正確B、錯(cuò)誤參考答案：A填空題1.塑料封裝基本流程：裸芯片制作→芯片貼裝→打線鍵合→()→烘烤成型→引腳鍍錫→引腳切割成型。答：鑄模成型2.催化劑對(duì)反應(yīng)速率的影響是()。答：同等程度地加快正向反應(yīng)和逆向反應(yīng)38.3.載流子在電場作用下的運(yùn)動(dòng)為()運(yùn)動(dòng)。答：漂移4.半導(dǎo)體載流子在輸運(yùn)過程中|會(huì)受到各種散射機(jī)構(gòu)的散射|主要散射機(jī)構(gòu)有()、()、中性雜質(zhì)散射、位錯(cuò)散射、載流子間的散射和等價(jià)能谷間散射。答：電離雜質(zhì)的散射|晶格振動(dòng)的散射5.將芯片及其他要素在框架和基板上布置|粘貼固定以及連接|引出接線端子并且通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定的過程是()_|在此基礎(chǔ)上|將封裝體與裝配成完整的系統(tǒng)和設(shè)備|這個(gè)過程為()。答：狹義封裝|廣義封裝6.插裝元器件與表面貼裝元器件主要區(qū)別是：()()()答：表面貼裝元器件體積小|便于小型化生產(chǎn)|便于減小成品尺寸。7.通孔插裝式安裝器件又分為以下幾種：塑料雙列直插式封裝；();塑料針柵封裝答：單列直插式封裝8.載帶自動(dòng)鍵合與倒裝芯片鍵合共同的關(guān)鍵技術(shù)是芯片的制作工藝|這些工藝包括蒸發(fā)/濺射、電鍍、置球、化學(xué)鍍、激光法、()、疊層制作凸點(diǎn)法等。答：移植法9.氰化物和堿性的高度能夠()錫須在鍍鋅的生長率。答：降低10.錫須不僅可能發(fā)生在純錫表面|在一些()上也可能發(fā)生。答：錫合金11.根據(jù)所使用材料的不同|元器件封裝主要分為金屬封裝、陶瓷封裝和()三種類型答：塑料封裝12.電解Ni/Au包含了一個(gè)電解Ni的內(nèi)層加上一個(gè)電解Au的外層|通常表示成()。答：是EG13.在一定溫度下|與費(fèi)米能級(jí)持平的量子態(tài)上的電子占據(jù)概率為()|高于費(fèi)米能級(jí)2kT能級(jí)處的占據(jù)概率為()。答：1/2|1/1+exp(2)14.圓片的減薄厚度常取得較厚時(shí)|會(huì)使器件串聯(lián)電阻()|串聯(lián)電感()|熱阻()為此必須把圓片厚度減薄到芯片的()厚度。答：大|大|上升|設(shè)計(jì)15.二極管的主要特性是具有()。二極管外加正向電壓超過死區(qū)電壓以后|正向電流會(huì)迅速增大|這時(shí)二極管處于()。答：單向?qū)щ妡導(dǎo)通狀態(tài)16.JFET按導(dǎo)電載流子類型不同|可分為()和()兩種。答：N型溝道|P型溝道17.細(xì)檢壓檢漏使用的氣體為()。答：氦氣18.先進(jìn)的可靠性模型和()將帶來更全面和更有效的鑒定過程。答：預(yù)計(jì)方法19.ASTMD_3123或SEMIG11_88試驗(yàn)是讓流動(dòng)的塑封料穿過橫截面為半圓形的()直到停止流動(dòng)。答：螺旋管20.金屬封裝由于在最嚴(yán)酷的使用條件下具有杰出的可靠性而被廣泛用于軍事和()。答：民用領(lǐng)域21.SAM技術(shù)基于超聲波在各種材料中的反射和()而成像|基于SAM技術(shù)的顯微鏡稱掃描聲學(xué)顯微鏡。答：傳輸特性22.BGA根據(jù)焊料球的排列方式分為：()、()、()。答：周邊型|交錯(cuò)型|全陣列型23.調(diào)整厚膜電阻的阻止有改變電阻膜()和改變電阻膜()兩類方法。答：幾何圖形|結(jié)構(gòu)24.半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)式多種多樣的|常見的Ge和Si材料|其原子均通過共價(jià)鍵四面體相互結(jié)合|屬于()結(jié)構(gòu)；與Ge和Si晶格結(jié)構(gòu)類似|兩種不同元素形成的化合物半導(dǎo)體通過共價(jià)鍵四面體還可以形成()和纖鋅礦等兩種晶格結(jié)構(gòu)。答：金剛石|閃鋅礦25.硅中天然地而易于破裂的面是()面。答：{111}26.除了銅擴(kuò)散|()的增加也會(huì)導(dǎo)致錫須生長。答：碳含量27.當(dāng)PN結(jié)正向連接時(shí)|阻擋載流子擴(kuò)散的PN結(jié)空間電荷層()_|允許PN結(jié)上有()_的電流通過；當(dāng)PN結(jié)反向連接時(shí)|阻擋載流子擴(kuò)散的PN結(jié)空間電荷層()_|PN結(jié)上只允許()_漏電流通過。答：變窄|較大|展寬|較小28.兩種不同半導(dǎo)體接觸后，費(fèi)米能級(jí)較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶()電|達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級(jí)()。答：正|相等29.BGA是指()封裝。答：球柵陣列30.空間兩直線的相對(duì)位置有()、()、()三種。答：平行|相交|交叉31.具有()作用和()作用的三端或四端半導(dǎo)體器件|稱為晶體管。答：放大|開關(guān)32.平行縫焊時(shí)若蓋板平整度差|容易發(fā)生()現(xiàn)象。答：打火33.生產(chǎn)經(jīng)營單位應(yīng)當(dāng)在有較大危險(xiǎn)因素的生產(chǎn)經(jīng)營(場所)和有關(guān)()上|設(shè)置明顯的()。答：設(shè)施、設(shè)備|安全警示標(biāo)志34.生產(chǎn)經(jīng)營單位必須執(zhí)行依法制定的保障安全生產(chǎn)的()或者()。答：國家標(biāo)準(zhǔn)|者行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)35.DCA技術(shù)也是一種超微細(xì)間距BGA形式|是將C4技術(shù)得到的裸芯片直接貼裝在各類基板(PCB)上進(jìn)行直接安裝|且與SMT工藝()。答：相兼容36.合金燒結(jié)法是采用()作焊料的一種釬焊方法。答：共晶合金37.陶瓷針柵陣列封裝的簡稱是()。答：CPGA38.在給定時(shí)間內(nèi)通過單位面積聚合物膜的()隨時(shí)間的變化曲線稱為滲透曲線。答：潮氣量39.組裝工藝的好壞將影響到器件和集成電路的()、()、()和()。答：直流性能|頻率性能|熱性能|可靠性40.塑料封裝注模工藝：轉(zhuǎn)移成型技術(shù)|噴射成型技術(shù)|()。答：預(yù)成型技術(shù)41.電子是帶()電的粒子。答：負(fù)42.芯片封裝所使用的材料有：()、()、()、()。答：金屬|(zhì)陶瓷|玻璃|高分子塑料43.倒裝芯片有三種主要的連接形式：()、直接芯片連接和倒裝芯片。答：控制塌陷芯片技術(shù)44.阿貝成像原理可以簡單地描述為兩次干涉作用：平行光束受到有周期性特征物體的散射作用形成衍射譜()通過干涉重新在像平面上形成反映物的特征的像。答：各級(jí)衍射波45.薄膜型CSP封裝主要結(jié)構(gòu)是()和焊料凸點(diǎn)。答：LSI芯片、模塑樹脂46.集成電路的發(fā)展趨勢(shì)是體積越來越()、電路工作速度越來越()、電路規(guī)模越來越()、電路功能越來越()。其目標(biāo)就是要小型化、高速、低成本和高可靠性。答：小|快|大|強(qiáng)47.物質(zhì)按導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱可分為()、()和()三大類。答：導(dǎo)體|絕緣體|半導(dǎo)體48.常見的芯片互連技術(shù)包括載帶自動(dòng)鍵合、打線鍵合、()三種。答：倒裝芯片鍵合49.PBGA采用塑料材料和塑封工藝制作|是最常用的()。答：BGA封裝形式50.生產(chǎn)經(jīng)營單位應(yīng)當(dāng)對(duì)從業(yè)人員進(jìn)行()|保證從業(yè)人員具備必要的安全生產(chǎn)知識(shí)。答：安全教育和培訓(xùn)51.封裝材料的性能可以分為4類：()、()、()_、()。答：工藝性能|濕-|熱機(jī)械性能|電學(xué)性能和化學(xué)性能52.制造性能主要包括螺旋流動(dòng)長度、滲透和填充、凝膠時(shí)間、()、熱硬化以及后固化時(shí)間和溫度。答：聚合速率53.在()設(shè)備下可以觀察封帽空洞的大小。答：X射線檢測54.對(duì)于Au-Au熱超聲引線鍵合|鍵合能力隨著表面Au的硬度的增加而()。答：下降55.表面粗糙度中|Ra的單位為()。答：微米56.涂覆的Ni具有很多優(yōu)勢(shì)，如表面較平|高穩(wěn)定|性好的貨架壽命和()|并且在安裝時(shí)少了橋接。答：焊接能力較強(qiáng)57.比例1:2是指實(shí)物尺寸是圖形尺寸的()倍|屬于()比例。答：2|縮小58.一般而言|Kirkendall空洞是由于()擴(kuò)散進(jìn)IMC層后|在IMC層上的焊料里出現(xiàn)的。答：Sn59.半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子運(yùn)動(dòng)為()。答：擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)60.集成電路封裝關(guān)系到電路的()和()|并對(duì)電路的電性能和熱性能以及對(duì)整機(jī)的小型化和集成化均有重要作用。答：可靠性|穩(wěn)定性61.平行縫焊化鍍鎳蓋板的熔點(diǎn)約為()。答：880℃62.粗檢壓檢漏完畢后|將電路置于()中|觀察電路的漏氣情況。答：高溫氟油63.對(duì)()來講|尤其是高引腳數(shù)目框架和微細(xì)間距框架器件|一個(gè)突出的問題是引腳的非共面性。答：SMT裝配64.DIP是指()封裝。答：雙列直插式65.反向偏置pn結(jié)|當(dāng)電壓升高到某值時(shí)|反向電流急劇增加|這種現(xiàn)象稱為pn結(jié)擊穿|主要的擊穿機(jī)理有兩種：()擊穿和()擊穿。答：雪崩|隧道66.()分為熱固性和熱塑性兩類。答：封裝用塑料材料67.比例是指圖中()與()之比。答：圖形尺寸|實(shí)物尺寸68.尺寸標(biāo)注中的符號(hào)：R表示()|φ表示()。答：半徑|直徑69.能帶中載流子的有效質(zhì)量反比于能量函數(shù)對(duì)于波矢的()|引入有效質(zhì)量的意義在于其反映了晶體材料的()的作用。答：二階導(dǎo)數(shù)|內(nèi)部勢(shì)場70.半導(dǎo)體襯底上的氧化層厚度通常小于1um(幾個(gè)到幾百納米)|所以用這些分析技術(shù)能較好地探測到()。答：氧化層失效71.影響超聲鍵合的質(zhì)量主要因素有()、()、()、()()等。答：引線材料|劈刀|鍵壓面|質(zhì)量|外殼質(zhì)量72.金屬凸點(diǎn)制作工藝中|多金屬分層為：()、()、()。答：黏著層|擴(kuò)散阻擋層|表層金保護(hù)層73.半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子濃度取決于導(dǎo)帶的()(即量子態(tài)按能量如何分布)和()(即電子在不同能量的量子態(tài)上如何分布)。答：狀態(tài)密度|費(fèi)米分布函數(shù)74.在無電鍍鎳中的磷與回流焊中含()焊料之間會(huì)發(fā)生很強(qiáng)烈的界面反應(yīng)。答：錫75.在倒裝焊技術(shù)中|()凸點(diǎn)是另一種普遍使用的凸點(diǎn)金屬。答：鋁-鎳釩-銅76.未經(jīng)安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)合格的從業(yè)人員|不得()。答：上崗作業(yè)77.()雜質(zhì)可顯著改變載流子濃度；()雜質(zhì)可顯著改變非平衡載流子的壽命|是有效的復(fù)合中心。答：淺能級(jí)|深能級(jí)78.平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接功率、焊接壓力、脈沖寬度、()和電極速度。答：脈沖周期79.在完成打碼工序后|所有器件都要進(jìn)行測試。這些測試包括一般的()。答：目檢、老化試驗(yàn)和最終的產(chǎn)品測試80.晶圓級(jí)封裝以BGA技術(shù)為基礎(chǔ)|是一種特殊類型的()又稱為圓片級(jí)芯片尺寸封裝。答：CSP封裝型式簡答題1.簡述減薄后的芯片具備的優(yōu)點(diǎn)。答：1、薄的芯片更有利于散熱；2、減小芯片封裝體積；3、提高機(jī)械性能、硅片減薄、其柔韌性越好，受外力沖擊引起的應(yīng)力也越小；4、晶片的厚度越薄，元件之間的連線也越短，元件導(dǎo)通電阻將越低，信號(hào)延遲時(shí)間越短，從而實(shí)現(xiàn)更高的性能；5、減輕劃片加工量減薄以后再切割，可以減小劃片加工量，降低芯片崩片的發(fā)生率。2.什么是引線材料?答：用于集成電路引線的材料，需要注意的特性為電特性、絕緣性質(zhì)、擊穿、表面電阻熱特性，玻璃化轉(zhuǎn)化溫度、熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)，機(jī)械特性，揚(yáng)氏模量、泊松比、剛度、強(qiáng)度，化學(xué)特性，吸潮、抗腐蝕，3.在60℃時(shí)，將450g某CuS04溶液恒溫蒸發(fā)掉310g水后，溶液恰好飽和；此溫度下另取45g該CuS04溶液，加入25g膽礬，完全溶解后溶液亦恰好飽和。60℃時(shí)CuS04的溶解度為多少克?答：設(shè)45g原溶液中有Wg溶質(zhì)；(W+25g×160g/250g)/(45g+25g)=W/(45g-31g)W=4;S=4/(14-4)×100g=40g答60℃時(shí)CuS04的溶解度為40g。4.熱固性粘接劑有什么性質(zhì)?答：熱固性粘接劑是由化學(xué)反應(yīng)固化形成交聯(lián)聚合物的材料，固化之后再加熱也不會(huì)軟化，不能重新建立粘結(jié)連接。在接近或高于熱固型粘接劑的玻璃轉(zhuǎn)變溫度，重新加熱會(huì)大大減少其粘結(jié)強(qiáng)度。5.助焊劑按固體含量來分類，主要可分為。答：助焊劑按固體含量來分類，主要可分為低固含量、中固含量、高固含量。6.封裝的層次有哪些。答：集成電路封裝的層次分為四級(jí)分別為模塊元件(Module)、電路卡工藝(Card)、主電路板(Board)、完整電子產(chǎn)品。7.什么是柯肯達(dá)爾空洞?答：是指線材、建核電金屬與金屬間化合物之間的兩種擴(kuò)散速率不同的金屬在擴(kuò)散過程中會(huì)形成缺陷，產(chǎn)生空洞。8.簡述封裝技術(shù)層次。答：第一層又稱芯片層次的封裝，是把集成電路芯片與封裝基板或引腳架之間的黏貼固定、電路連線與封裝保護(hù)的工藝。第二層，將數(shù)個(gè)第一層次完成的封裝與其他電子元器件組成一個(gè)電路卡工藝。第三層，將數(shù)個(gè)第二層次完成的電路卡組合在一個(gè)電路板上，使之成為一個(gè)部件或子系統(tǒng)的工藝。第四層，將數(shù)個(gè)子系統(tǒng)組裝成一個(gè)完整電子產(chǎn)品的工藝過程。9.CSP的封裝技術(shù)答：所謂CSP(ChipSizePackage),即芯片尺寸封裝。CSP是在BGA基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，是接近LSI芯片尺寸的封裝產(chǎn)品。這種產(chǎn)品具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：(1)體積?。篊SP是目前體積最小的LSI芯片封裝之一。(2)可容納的引腳最多：相同尺寸的LSI芯片的各類封裝中，CSP的引腳最多。(3)電性能好：CSP寄生電容很小，信號(hào)傳輸延遲時(shí)間短。(4)散熱性能優(yōu)良：大多數(shù)CSP都將芯片面向下安裝，能從芯片背面散熱，且效果良好10.封裝中涉及到的主要材料有哪些。答：引線材料，引線框架材料，芯片粘結(jié)材料，模塑料，焊接材料，封裝基板材料。11.什么是間接復(fù)合過程?有哪四個(gè)微觀過程?答：間接復(fù)合：非平衡載流子通過復(fù)合中心的復(fù)合；四個(gè)微觀過程：俘獲電子，發(fā)射電子，俘獲空穴，發(fā)射空穴；12.通過厚膜與薄膜技術(shù)的比較分析，簡述它們各自的優(yōu)缺點(diǎn)。答：薄膜技術(shù)使用光刻工藝形成的圖形具有更窄、邊緣更清晰的線條。這一特點(diǎn)促進(jìn)了薄膜技術(shù)在高密度和高頻率的使用。薄膜工藝比厚膜工藝成本高，多層結(jié)構(gòu)的制造極為困難，受限于單一的方塊電阻率。13.三極管放大電路如圖2-31所示，已知UCC=12V,RC=3kΩ,RB=240kΩ2,三極管的β=40,試求：(1)估算各靜態(tài)值IB,IC,UCE;(2)在靜態(tài)時(shí)，C1和C2上的電壓各為多少?極性如何?答：(1)從已知電路可畫出它的直流通路，接著計(jì)算出IB=(UCC-UBE)/RB=UCC/RB=0.05mAIC=βIB=2mAUCE=UCC-ICRC=6V。(2)在靜態(tài)時(shí)，UC1=UBE=0.7V,UC2=UCE=6V。答IB為0.05mA,IC為2mA,UCE為6V;靜態(tài)時(shí)，C1上的電壓為0.7V,C2上的電壓為6V。14.簡述焊接過程中生成的界面金屬間化合物對(duì)焊點(diǎn)力學(xué)性能產(chǎn)生的影響?答：在400-600um直徑SAC/Cu焊點(diǎn)中，Ag3Sn化合物形態(tài)基本呈樹枝網(wǎng)狀，而在300um以下直徑SAC/Cu焊點(diǎn)，Ag3Sn相則基本呈顆粒分布，可見隨著焊點(diǎn)體積的減小，Ag3Sn化合物有逐漸細(xì)化的趨勢(shì)。第二相質(zhì)點(diǎn)呈樹枝網(wǎng)狀分布將使材料的脆性增強(qiáng)，而彌散分布的顆粒狀第第二相質(zhì)點(diǎn)不僅具有第二相強(qiáng)化作用，而且能使材料保持良好的塑性，材料的力學(xué)性能較好。因此，Ag3Sn化合物形態(tài)在不同體積焊點(diǎn)中的差異必將引起不同體積焊點(diǎn)力學(xué)行為的顯著變化。別外，界面處的Cu6Sn5化合物層也有細(xì)微差別，小體積焊點(diǎn)的Cu6Sn5比大體積焊點(diǎn)更加細(xì)密，這將大大增加金屬間化合物層與釬料基體的接觸面積，也會(huì)提高焊點(diǎn)的剪切強(qiáng)度。因此，小體積焊點(diǎn)的剪切強(qiáng)度要高于大體積焊點(diǎn)。在焊點(diǎn)內(nèi)部發(fā)現(xiàn)的六棱柱狀的c化合物，也將對(duì)焊點(diǎn)裂紋擴(kuò)展產(chǎn)生一定的阻礙作用。15.簡述芯片減薄的常用工藝技術(shù)。答：硅片的背面減薄技術(shù)主要有磨削、研磨、干式拋光、化學(xué)機(jī)械平坦工藝、電化學(xué)腐蝕、濕法腐蝕、等離子增強(qiáng)化學(xué)腐蝕、常壓等離子腐蝕等。16.倒裝芯片有幾種連接方式?答：控制塌陷芯片連接(C4)、直接芯片連接(DCA)和膠粘劑連接倒裝芯片。17.BGA、CSP與PWB進(jìn)行焊球連接的主要缺陷有哪些。答：橋連，焊料過量，鄰近焊球之間形成橋連。連接不充分，焊料太少，不能在焊球和基板之間形成牢固的連接。空洞，沾污及焊膏問題造成空洞。斷開，基板過分翹曲，又沒有足夠的焊料使斷開的空隙連接起來。浸潤性差，焊區(qū)或焊球的浸潤性差，造成連接斷開。形成焊料小球，小的焊料球由再流焊時(shí)濺出的焊料形成。誤對(duì)準(zhǔn)，焊球重心不在焊區(qū)中心。18.芯片粘接方法分為哪幾類?粘接的介質(zhì)有何不同?答：Au-Si合金共熔法。芯片背面淀積Au層，基板上也要有金屬化層。Pb-Sn合金片焊接法。芯片背面用Au層或Ni層均可，基板導(dǎo)體除Au、Pd-Ag外，也可用Cu。導(dǎo)電膠粘接法。導(dǎo)電膠。有機(jī)樹脂基粘接法。有機(jī)樹脂基。19.某材料燒結(jié)前的長度為20.2mm,燒結(jié)后長度為20mm,求材料的收縮率。答：h=(L1-L2)/L2×100%=(20.2-20)/20×100%=1%答收縮率為1%。20.什么是模塑料?答：模塑料與常見的熱塑性塑料相比，模塑料具有更高的幾何尺寸穩(wěn)定性、更耐極端高熱高濕復(fù)雜環(huán)境、耐化學(xué)品腐蝕、高機(jī)械強(qiáng)度等特點(diǎn)。其基本構(gòu)成為：基體(10-30%)(高分子化合物樹脂)、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、1,2-聚丁二烯酯樹脂、添加劑(60-90%)、固化劑、催化劑、填充劑(Si02)、阻燃劑、脫模劑、染色劑。21.錫膏中主要成份分為哪兩大部分。答：錫膏中主要成份分為兩大部分合金焊料粉末和助焊劑。22.如下圖所示，將三個(gè)大小相等的電阻R連接成三角形，如果在它的兩個(gè)頂點(diǎn)施加100V的電壓，已知流出3A的電流，問電阻R的值應(yīng)為多少歐?答：電路的等效電阻R'=U/I=100/3又據(jù)R’=R(R+R)/(R+(R+R))=(2/3)R故R=50Q答電阻R的值為50Q。23.真空室的真空壓力為2.4E-5mbar,試將壓力單位轉(zhuǎn)化為Pa(1mbar=100Pa)。答：由1mbar=100Pa可得：2.4E-5mbar=2.4E-3Pa答壓力單位轉(zhuǎn)化后為2.4E-3Pa。24.磷元素對(duì)焊接裂紋的影響?答：磷元素極易引起結(jié)晶偏析，還能形成多種低熔化合物或共晶，在結(jié)晶期極易形成液態(tài)薄膜，對(duì)各種裂紋都敏感。25.3D封裝是什么。答：是指在不改變封裝體尺寸的前提下，在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù)，它起源于快閃存儲(chǔ)器(NOR/NAND)及SDRAM的疊層封裝。26.將70克由Na202和Na20組成的混合物跟98克H20充分反應(yīng)后，所得NaOH溶液中溶質(zhì)的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50%,試計(jì)算原混合物中Na202和Na20的質(zhì)量。答：設(shè)混合物中有Na202的物質(zhì)的量為xmol,Na20的物質(zhì)的量為ymol由題意可得，78x+62y=70解得，x=0.5moly=0.5mol答混合物中Na202的質(zhì)量為39克，Na20的質(zhì)量為31克。27.焊接裂紋按形成機(jī)理可分成幾類?答：熱裂紋、冷裂紋、再熱裂紋、層狀撕裂、應(yīng)力腐蝕裂紋。28.簡述電子封裝中強(qiáng)制使用無鉛焊料的原因?答：環(huán)保和健康的要求國內(nèi)外立法的要求全球無鉛化的強(qiáng)制要求1)無鉛釬料的熔點(diǎn)較高。比Sn37Pb提高34~440C。高的釬焊溫度使固/液界面反應(yīng)加劇。2)無鉛釬料中Sn含量較高。SnAg中96.5%Sn,SnPb中63%Sn),因?yàn)镻b不參與固/液和固/固界面反應(yīng)，高Sn含量使固/液、固/固界面反應(yīng)均加速。3)小尺寸釬料在大電流密度的作用下會(huì)導(dǎo)致電遷移的問題。29.用溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%的氯化鈉溶液配制50g溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的氯化鈉溶液，需溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%的氯化鈉溶液多少g？答：根據(jù)配制過程中溶質(zhì)的質(zhì)量不變，設(shè)需要6%的氯化鈉溶液質(zhì)量為x列方程：50gx