1+X集成電路理論測試題與參考答案

1+X集成電路理論測試題與參考答案一、單選題（共30題，每題1分，共30分）1、重力分選機(jī)自動裝料步驟中將待測料管放在篩選機(jī)的入料區(qū)內(nèi)，料管隨傳送帶上升到（）。A、廢料區(qū)B、激光檢測區(qū)C、顯示區(qū)D、入料區(qū)正確答案：B2、在原理圖編輯器內(nèi)，用鼠標(biāo)左鍵選擇每一個(gè)元件，當(dāng)選中一個(gè)元件時(shí)，在對話框的右邊的封裝管理編輯框內(nèi)設(shè)計(jì)者可以（）當(dāng)前選中元件的封裝。A、添加、刪除、編輯B、添加、刪除C、添加、刪除、復(fù)制、編輯D、添加、刪除、復(fù)制正確答案：A3、在全自動探針臺上進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí)，若發(fā)現(xiàn)探針整體偏移，則對應(yīng)的處理方式是：()。A、利用搖桿微調(diào)扎針位置B、相關(guān)技術(shù)人員手動撥針，使探針移動至相應(yīng)位置C、更換探針測試卡D、調(diào)節(jié)扎針深度正確答案：A答案解析：扎針調(diào)試時(shí)通過對焦圖檢查到針印整體偏移，需要用搖桿微調(diào)整體的扎針位置。4、LK32T102最大支持（）個(gè)I/O端口。A、64B、36C、72D、48正確答案：D5、根據(jù)以下隨件單信息可知，從待檢查品貨架上找到的編號為()的中轉(zhuǎn)箱。A、7LK8B、57493C、1586D、1568正確答案：D答案解析：由隨件單信息可知，該批次的中轉(zhuǎn)箱號為1568。6、重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí)，上料的第一步是()。A、設(shè)置參數(shù)B、吸取芯片C、裝料D、上料夾具夾持正確答案：C答案解析：裝料是上料的第一步。裝料是將待測料管放入上料槽內(nèi)。裝料完成后由上料夾具夾持上料。7、若遇到需要編帶的芯片，在測試完成后的操作是()。A、測試B、上料C、編帶D、外觀檢查正確答案：C答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。8、去飛邊的目的是（）。A、去除激光打字后標(biāo)識打印有瑕疵的部分B、去除注塑工序塑封周圍、引線之間的多余溢料C、去除電鍍后引腳鍍層外圍多余的鍍料D、去除引腳周圍長出的晶須正確答案：B9、扎針測試的步驟是：()。A、輸入晶圓信息→測試→清零→檢查扎針情況（有異常）→異常情況處理→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果B、輸入晶圓信息→測試→檢查扎針情況（有異常）→異常情況處理→清零→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果C、輸入晶圓信息→檢查扎針情況（無異常）→測試→清零→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果D、輸入晶圓信息→清零→測試→檢查扎針情況（無異常）→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果正確答案：D答案解析：扎針測試時(shí)，在界面輸入晶圓信息并進(jìn)行核對，核對信息一致后需要進(jìn)行清零，清零是為了保證晶圓的零點(diǎn)與檢測MAP圖上的零點(diǎn)位置一致，防止出現(xiàn)探針未按照設(shè)定運(yùn)行軌跡進(jìn)行扎針測試的現(xiàn)象。確認(rèn)清零后，點(diǎn)擊開始按鈕進(jìn)行扎針測試。當(dāng)測至500顆左右時(shí)需檢查扎針情況，若無異常則繼續(xù)進(jìn)行測試，測試完成后記錄測試結(jié)果，若有異常則需要進(jìn)行相應(yīng)處理后再繼續(xù)測試。10、芯片完成編帶并進(jìn)行清料后，會將完成編帶的芯片放在()上。A、已檢查品貨架B、待檢查品貨架C、待外檢貨架D、合格品貨架正確答案：B答案解析：芯片完成編帶并進(jìn)行清料后，將將編帶盤、隨件單放入對應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱中，并將中轉(zhuǎn)箱放在待檢查品貨架上等待外觀檢查。11、用編帶機(jī)進(jìn)行編帶前預(yù)留空載帶的原因是()。A、比較美觀B、防止芯片散落C、確認(rèn)編帶機(jī)正常運(yùn)行D、節(jié)省人工檢查時(shí)間正確答案：B答案解析：空余載帶預(yù)留設(shè)置是為了防止卷盤上編帶的兩端在操作過程中可能會出現(xiàn)封口分離的情況，導(dǎo)致端口的芯片散落。12、激光打字在打標(biāo)前需要調(diào)整（）的位置。A、場鏡和收料架B、場鏡和光具座C、顯示器和收料架D、光具座和顯示器正確答案：B13、如果遇到需要加溫的晶圓，對晶圓的加溫是在扎針調(diào)試()。A、之前B、之后C、過程中D、都可以正確答案：A答案解析：根據(jù)熱脹冷縮的原理，需要加溫的晶圓要在加溫結(jié)束后再進(jìn)行扎針調(diào)試。若先進(jìn)行扎針調(diào)試再加溫可能會扎透鋁層。14、風(fēng)淋室在運(yùn)行時(shí)，風(fēng)淋噴嘴可以噴出（）的潔凈強(qiáng)風(fēng)。A、高溫烘烤B、車間內(nèi)部C、低溫處理D、高效過濾正確答案：D答案解析：風(fēng)淋是為了吹出人體表面的灰塵，故其噴出的風(fēng)必須是經(jīng)過高效過濾，除掉掉微塵的潔凈風(fēng)。15、下列關(guān)于重力式分選設(shè)備描述錯(cuò)誤的是（）。A、自動裝料減少了人工補(bǔ)料的次數(shù)，節(jié)省了取塞釘與擺放料管的時(shí)間，降低了人工成本B、手動裝料需要操作人員取下待測料管一端的塞釘，并將料管整齊地?cái)[放在操作臺C、裝料時(shí)不需要注意芯片方向和管腳朝向D、重力式分選機(jī)手動上料的步驟分為兩步，裝料和上料夾具夾持正確答案：C16、在使用萬用表之前先應(yīng)（）。A、選擇合適的擋位B、機(jī)械調(diào)零C、選擇合適的量程D、表筆短接正確答案：B17、重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí)，測試機(jī)對芯片測試完畢后，將檢測結(jié)果通過()把結(jié)果傳回分選機(jī)。A、GPIBB、數(shù)據(jù)線C、串口D、VGA正確答案：A答案解析：重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí)，測試機(jī)對芯片測試完畢后，將芯片檢測結(jié)果通過GPIB傳回分選機(jī)18、裝有晶圓的花籃需要放在氮?dú)夤裰袃Υ娴闹饕康氖牵ǎ?。A、作為生產(chǎn)工藝的中轉(zhuǎn)站B、防塵C、防氧化D、合理利用生產(chǎn)車間的空間正確答案：C19、若防靜電點(diǎn)檢未通過則需要（）。A、重新啟動檢測儀器，再次檢測B、請其他員工檢測，門開啟后一同進(jìn)入C、找管理部門手動打開D、檢查著裝并消除靜電，重新檢測正確答案：D答案解析：防靜電點(diǎn)檢未通過時(shí)，應(yīng)該檢查自身著裝并消除靜電，然后重新檢測。不可隨其他檢測通過的人員一起進(jìn)入，否則自身超標(biāo)的靜電會對對車間內(nèi)的芯片造成損害。20、載帶的預(yù)留長度一般是()。A、50-70cmB、10-30cmC、30-50cmD、70-90cm正確答案：A21、下列選項(xiàng)中不屬于“5s”管理要求的是（）。A、培訓(xùn)B、清掃C、整理D、素養(yǎng)正確答案：A答案解析："5S管理起源于日本，是指在生產(chǎn)現(xiàn)場對人員、機(jī)器、材料、方法等生產(chǎn)要素進(jìn)行有效管理的一種管理方式。5S即整理（SEIRI）、整頓（SEITON）、清掃（SEISO）、清潔（SEIKETSU）、素養(yǎng)（SHITSUKE），因?yàn)檫@5個(gè)詞日語中羅馬拼音的第一個(gè)字母都是"S"，所以簡稱為"5S"。"22、Cadence中庫管理由高到低分別是（）。A、庫-單元-視圖B、庫-視圖-單元C、單元-庫-視圖D、單元-視圖-庫正確答案：A23、在扎針測試時(shí)，如果遇到需要加溫的晶圓，對晶圓的加溫是（）。A、在扎針調(diào)試過程中B、在扎針調(diào)試之前C、在扎針調(diào)試之后D、在扎針調(diào)試前后都可以正確答案：B24、晶圓檢測工藝的測試車間符合()潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。A、10萬級B、萬級C、千級D、100萬級正確答案：B答案解析：晶圓檢測工藝對環(huán)境的要求：測試車間符合10萬級潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)，溫度常年保持在22±3℃，濕度保持在45±15%。25、使用轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時(shí)，其測試環(huán)節(jié)的流程正確的是（）。A、芯片分選→測前光檢→測后光檢→測試B、測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選C、測前光檢→測后光檢→芯片分選→測試D、測前光檢→測后光檢→測試→芯片分選正確答案：B26、管裝芯片外觀檢查步驟錯(cuò)誤的是（）。A、①取一捆待檢查電路，平整地排放于桌面，使定位標(biāo)記朝左，打印面朝操作者；②以一邊為支點(diǎn)，將料管斜起45度左右后放回桌面（使電路排緊密）；B、①將料管旋轉(zhuǎn)90度，②重復(fù)步驟1，使電路兩邊方向管腳均按步驟1進(jìn)行檢查。C、逐根翻轉(zhuǎn)料管90度，使打印面朝上，平鋪。D、將檢查合格的電路用牛皮筋捆扎好。正確答案：B27、編帶外觀檢查的步驟正確的是()。A、檢查外觀→歸納放置→固定卷盤→編帶回料→編帶固定B、歸納放置→固定卷盤→檢查外觀→編帶回料→編帶固定C、固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料→編帶固定D、編帶固定→固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料正確答案：B答案解析：編帶外觀檢查的步驟：歸納放置→固定卷盤→檢查外觀→編帶回料→編帶固定。28、反應(yīng)離子刻蝕的過程簡單來說是（）。A、電離→解吸、排放→轟擊→擴(kuò)散、反應(yīng)B、轟擊→電離→擴(kuò)散、反應(yīng)→解吸、排放C、電離→擴(kuò)散、反應(yīng)→轟擊→解吸、排放D、電離→轟擊→擴(kuò)散、反應(yīng)→解吸、排放正確答案：D答案解析：反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，氣體分子在反應(yīng)室內(nèi)電離出離子、電子和游離活性基（電離），電粒子受電場加速，以較大能量垂直地射到硅片表面，進(jìn)行物理轟擊，破壞原子鍵以增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)和各向異性（轟擊），同時(shí)活性基擴(kuò)散并吸附到硅片表面，與其薄膜發(fā)生反應(yīng)，進(jìn)行化學(xué)刻蝕（擴(kuò)散、反應(yīng)），反應(yīng)生成氣體離開硅片表面，通過真空泵排出（解吸、排放）。29、晶圓檢測工藝中，在進(jìn)行烘烤之后，需要進(jìn)行的操作是()。A、真空入庫B、扎針測試C、打點(diǎn)D、外檢正確答案：D答案解析：晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫。30、單晶爐加熱過程中爐體冷卻水中斷或流量不足，提示水流量低報(bào)警，該故障是（）。A、斷水B、打火C、液面過低D、電極故障正確答案：A二、多選題（共60題，每題1分，共60分）1、塑料封裝的主要特點(diǎn)有（）、（）和（）。A、成本低廉、質(zhì)量輕B、便于自動化生產(chǎn)C、工藝簡單D、外殼堅(jiān)硬防劃傷E、防水、耐高溫F、材料柔和，不損害芯片正確答案：ABC2、新建keil環(huán)境下工程目錄需要添加文件，把Windows目錄內(nèi)的文件一一對應(yīng)添加到新建的Keil目錄內(nèi)如（）文件。A、HeadersB、CoreC、SrcD、User正確答案：ABCD3、下列屬于電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)項(xiàng)目的是（）。A、PCB項(xiàng)目B、CAD項(xiàng)目C、嵌入式項(xiàng)目D、內(nèi)核項(xiàng)目正確答案：ACD4、平移式分選機(jī)在進(jìn)行參數(shù)設(shè)置時(shí)，需要設(shè)置：()。A、吸嘴的真空值B、測壓手臂C、分選區(qū)的分選情況D、空余載帶的預(yù)留長度正確答案：ABC答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備測試前的參數(shù)設(shè)置包含了吸嘴的真空值、測壓手臂的設(shè)置，分選模塊的設(shè)置，確保測試可以順利進(jìn)行。5、晶圓貼膜的主要目的是以下（）兩個(gè)。A、保證晶圓切割時(shí)不發(fā)生移動B、保護(hù)墊作用，防止晶圓磕碰而損傷C、防止操作員作業(yè)時(shí)晶圓劃片橡膠手套D、粘附切割后的晶粒，防止其散落正確答案：AD6、為減少自摻雜現(xiàn)象，可以采取的措施有：（）。A、襯底背面用高純硅或二氧化硅覆蓋B、用兩步外延法C、低壓外延法D、降低外延生長溫度正確答案：ABC答案解析：降低外延生長溫度可以減少外擴(kuò)散現(xiàn)象，減少外延層的自摻雜現(xiàn)象可采取以下措施：①襯底背面用高純硅或二氧化硅覆蓋；②用兩步外延法；③低壓外延法。7、編帶外觀檢查結(jié)束后，打印的標(biāo)簽需要貼在()上。（多選題）A、編帶盤B、防靜電鋁箔袋C、內(nèi)盒D、料盤正確答案：ABC答案解析：編帶外觀檢查結(jié)束后，需打印標(biāo)簽，一式三份，分別貼在編帶盤、防靜電鋁箔袋、內(nèi)盒上。8、防靜電鋁箔袋具有()三大功能。A、防潮B、防靜電C、防電磁干擾D、防塵正確答案：ABC答案解析：防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特點(diǎn)，可以最大程度地保護(hù)靜電敏感元器件免受潛在靜電危害。9、以下LED流水燈程序少了一部分代碼，應(yīng)增加那一部分的代碼（）。A、在點(diǎn)亮LED后，增加一段延時(shí)時(shí)間B、使用PWM輸出控制LED亮滅C、在點(diǎn)亮LED燈后用定時(shí)器控制LED燈點(diǎn)亮?xí)r間D、循環(huán)較短，再增加一個(gè)循環(huán)語句正確答案：AC10、在晶圓在進(jìn)行扎針測試的過程中，在MAP圖界面可能會看到（）。A、沿邊直接剔除區(qū)域B、故障區(qū)域C、待測區(qū)域D、測試合格區(qū)域正確答案：ABCD11、下列情況中，需要更換點(diǎn)膠頭的有（）。A、點(diǎn)膠頭工作超過2小時(shí)B、點(diǎn)膠頭損壞C、更換銀漿類型D、點(diǎn)膠頭堵塞正確答案：BCD12、影響顯影工藝的因素有（）。A、曝光度B、顯影液濃度C、顯影方法D、工序的溫度和時(shí)間正確答案：ABCD答案解析：影響顯影工藝的因素有：軟烘焙時(shí)間和溫度、曝光度、顯影液濃度、時(shí)間、溫度以及顯影方法。13、金屬薄膜制備中常見的蒸發(fā)方式有（）。A、電阻絲加熱蒸發(fā)B、電子束蒸發(fā)C、金屬蒸發(fā)D、離子束蒸發(fā)正確答案：AB答案解析：常見的蒸發(fā)方式有電阻絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)。14、編帶由()和()組成。A、載帶B、蓋帶C、塑料帶D、薄膜正確答案：AB答案解析：編帶由蓋帶和載帶組成，將待編芯片放入載帶內(nèi)，再對載帶上的蓋帶進(jìn)行熱封，防止芯片散落。15、編帶外觀檢查的內(nèi)容有（）。A、脫膠B、蓋帶皺紋C、載帶破損D、壓痕正確答案：ABCD16、編帶外觀檢查的主要內(nèi)容有（）。A、載帶是否有破裂、沾污、破損B、編帶原材料是否與卷盤不符C、編帶中有無不良品或放反芯片等不合格情況D、蓋帶是否有壓定位孔或露出底邊、起皺、壓痕、氣泡、脫膠正確答案：ACD17、引線鍵合時(shí)的鍵合壓力、時(shí)間、溫度等參數(shù)時(shí)根據(jù)（）和（）進(jìn)行設(shè)定的。A、劈刀材料B、車間溫度C、引線材料D、焊盤材料正確答案：CD答案解析：根據(jù)引線材料和焊盤材料，在顯示區(qū)設(shè)置鍵合的壓力、時(shí)間、溫度以及超聲功率等參數(shù)，參數(shù)是否合適決定著鍵合質(zhì)量的好壞。18、以下屬于晶圓盒包裝的步驟的有：()。A、打開真空包裝機(jī)的電源開關(guān)，設(shè)置參數(shù)B、將晶圓包裝盒放入防靜電鋁箔袋中C、在晶圓盒內(nèi)放干燥劑等防潮材料D、每兩層tyvek紙之間放一片晶圓正確答案：CD答案解析：打開真空包裝機(jī)的電源開關(guān)，設(shè)置參數(shù)和將晶圓包裝盒放入防靜電鋁箔袋中屬于抽真空的步驟，其余選項(xiàng)均為晶圓盒包裝步驟。19、下列屬于平移式分選機(jī)周保養(yǎng)項(xiàng)目的是（）。A、風(fēng)扇B、電源供應(yīng)C、電源線D、機(jī)械手臂正確答案：AD20、在單片機(jī)程序裝載中，使用SW串口下載程序需注意（）。A、需要在魔法棒按鈕的debug中選setting設(shè)置地址范圍B、需要在魔法棒按鈕的outout中設(shè)置生成batch文件C、需要在魔法棒按鈕的output中設(shè)置生成hex文件D、需要在魔法棒按鈕的debug中選擇sw串口而不是j-link正確答案：AB21、晶圓切割完成后需要先經(jīng)過（）和（）工序，方可進(jìn)入芯片粘接工序。A、晶圓清洗B、晶圓拋光C、第一道光檢D、第二道光檢正確答案：AD答案解析：晶圓切割之后需先經(jīng)過晶圓清洗將切割過程中產(chǎn)生的硅粉塵清除，以及第二道光檢將切割過程產(chǎn)生的不良品剔除，方可進(jìn)入芯片粘接工序22、晶圓制造過程中，檢測刻蝕質(zhì)量的好壞，一般通過以下幾個(gè)方面體現(xiàn)出來：（）。A、刻蝕均勻性B、圖形保真度C、刻蝕選擇比D、刻蝕的潔凈度正確答案：ABCD23、在整個(gè)烘烤環(huán)節(jié)會用到的工具有：()。A、高溫實(shí)心花籃B、高溫銅質(zhì)花籃C、常溫花籃D、晶圓框架盒正確答案：ABC答案解析：在烘烤時(shí)會用到高溫花籃和常溫花籃，高溫花籃分為高溫銅質(zhì)花籃和高溫實(shí)心花籃，在烘箱中使用，烘烤完后，要將晶圓從高溫花籃轉(zhuǎn)移到常溫花籃中。晶圓框架盒是在封裝工藝晶圓貼膜環(huán)節(jié)用到的工具。24、探針卡焊接沒到位的情況有（）。A、探針卡針焊不到位。B、背面有突起物，焊錫線頭。C、基板上銅箔剝落，針焊接不牢固，或焊錫沒有焊好而造成針虛焊。D、探針卡布線斷線或短路。正確答案：ABCD25、對于電阻、電容、電感等電子元器件性能參數(shù)進(jìn)行測量，其中有關(guān)的性能參數(shù)有（）。A、顏色與質(zhì)量B、標(biāo)稱值C、極限值與額定值D、伏安特性曲線正確答案：BCD26、在集成電路制造工藝中，測量二氧化硅膜厚度的方法有（）。A、橢圓偏振法B、四探針法C、比色法D、光干涉法正確答案：ACD27、料盤真空入庫操作時(shí)，需要將料盤裝入防靜電鋁箔袋內(nèi)，同時(shí)還需要裝入的有（）。A、標(biāo)簽B、海綿C、濕度卡D、干燥劑正確答案：CD28、以下屬于抽真空質(zhì)量不合格的情況的是()。（多選題）A、防靜電鋁箔袋破損B、防靜電鋁箔袋褶皺C(jī)、防靜電鋁箔袋周邊存在空氣殘留D、防靜電鋁箔袋外形整齊正確答案：ABC答案解析：如果發(fā)現(xiàn)真空包裝好的卷盤不整齊或不光滑，有彎曲、變形現(xiàn)象或鋁箔袋周邊存在明顯的空氣殘留、褶皺、破損等現(xiàn)象，需要重新抽真空。29、AltiumDesigner系統(tǒng)可以載入自定義元件庫，下列是自定義元件庫的是（）。A、MiscellaneousDevices.IntLibB、MotorolaAnalogTimerCircuit.IntLibC、MiscellaneousConnectors.IntLibD、MotorolaAmplifierOperationalAmplifier.IntLib正確答案：BD30、摻雜的目的是（）。A、形成PN結(jié)B、改變材料的電阻率C、改變材料的某些特性D、形成一定的雜質(zhì)分布正確答案：ABCD答案解析：摻雜的目的是形成PN結(jié)、改變材料的電阻率、改變材料的某些特性、形成一定的雜質(zhì)分布。31、編帶外觀檢查結(jié)束后，打印的標(biāo)簽需要貼在（）上。A、防靜電鋁箔袋B、內(nèi)盒C、編帶盤D、料盤正確答案：ABC32、AltiumDesigner的PCB編輯器是一個(gè)規(guī)則驅(qū)動環(huán)境，AltiumDesigner都會監(jiān)測每個(gè)動作如（），并檢查設(shè)計(jì)是否仍然完全符合設(shè)計(jì)規(guī)則。A、添加元件B、放置導(dǎo)線C、移動元件D、自動布線正確答案：BCD33、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)有2個(gè)()和()。A、測試位B、光檢位C、旋轉(zhuǎn)糾姿位D、上料位正確答案：BC答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試時(shí)，需要經(jīng)過測前光檢和測后光檢，測前光檢和測后光檢都會檢測芯片的方向，對芯片方向錯(cuò)誤的芯片會在下一個(gè)旋轉(zhuǎn)糾姿位中進(jìn)行糾正。34、下列平移式分選機(jī)的日常維護(hù)頻率錯(cuò)判的是（）。A、高壓空氣：每日B、測試壓座：每月C、機(jī)械手臂：每日D、電源供應(yīng)：每周正確答案：BCD35、高溫回流-般用于()。A、平滑處理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正確答案：AB答案解析：高溫回流一般用于平滑處理或部分平坦化。36、ESD防靜電門禁支持（）的靜電測試。A、手指B、手掌C、左腳D、右腳E、人臉正確答案：ACD答案解析：ESD防靜電門禁支持左右腳和手指靜電測試。37、以下屬于半自動探針臺的扎針調(diào)試步驟的是：()。A、將晶圓放置在載片臺上，關(guān)閉真空閥門控制開關(guān)B、使用控制旋鈕移動載片臺，將待測點(diǎn)移動到顯微鏡下C、將顯微鏡切換為高倍物鏡，通過微調(diào)使待測點(diǎn)清晰地出現(xiàn)在視場中心D、調(diào)節(jié)探針座，目檢探針移動到待測點(diǎn)附近正確答案：BCD答案解析：在進(jìn)行半自動探針臺的調(diào)試時(shí)，將晶圓放置在載片臺上，開啟真空閥門控制開關(guān)，其余選項(xiàng)均為半自動探針臺的扎針調(diào)試的步驟。38、重力式分選機(jī)日常保養(yǎng)項(xiàng)目有（）。A、軌道入口B、測試壓座灰塵清理C、梭子出入口的傳感器維護(hù)D、分粒區(qū)正確答案：ACD39、OUTEN是單片機(jī)GPIO接口的輸出使能寄存器，它的功能是（）。A、1：將GPIO引腳配置為輸入B、0：將GPIO引腳配置為輸出C、0：將GPIO引腳配置為輸入D、1：將GPIO引腳配置為輸出正確答案：CD40、切割機(jī)顯示區(qū)可以進(jìn)行（）、（）等操作。A、給其他操作人員發(fā)送消息B、設(shè)置參數(shù)C、切割道對位D、操作過程中做筆記正確答案：BC41、進(jìn)行芯片檢測時(shí)，在測試環(huán)節(jié)涉及到的設(shè)備有()。（多選題）A、金手指B、測試機(jī)C、分選機(jī)D、上料夾具正確答案：ABC答案解析：芯片檢測主要由測試夾具（金手指）、分選機(jī)、測試機(jī)組成。42、單晶硅生長是將電子級純的多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶硅錠，要實(shí)現(xiàn)這一條件需滿足三個(gè)條件：A、原子具有一定的動能B、要有一個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn)C、排列好的原子能穩(wěn)定下來D、不能含有任何雜質(zhì)正確答案：ABC答案解析：單晶硅生長是把電子級純的多晶硅轉(zhuǎn)化成單晶硅錠，要實(shí)現(xiàn)這一條件必須滿足：①原子具有一定的動能，以便重新排列；②要有一個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn)；③排列好的原子能穩(wěn)定下來。43、DUT板卡描述正確的是（）。A、DUT板卡實(shí)現(xiàn)被測芯片與測試機(jī)測試信號之間信號處理與轉(zhuǎn)接B、集成電路測試的轉(zhuǎn)接塊則需針對實(shí)際測試接口不一致情況定制設(shè)計(jì)C、DUT板卡不需要添加除被測芯片外的元件，選擇不同的測試機(jī)即可滿足測試要求D、根據(jù)不同芯片需求設(shè)計(jì)測試外圍：濾波電容位置；元器件合理排布；PCB的RC特性等等。正確答案：ABD44、典型芯片包裝形式有（）三種。A、塑封包裝B、管裝包裝C、料盤包裝D、編帶包裝正確答案：BCD45、下列對平移式分選機(jī)描述正確的是（）。A、平移式分選機(jī)一般采用料盤收料B、平移式分選機(jī)是在水平面上完成芯片的轉(zhuǎn)移、測試與分選的設(shè)備C、平移式分選機(jī)的轉(zhuǎn)移方式是真空吸嘴吸取D、平移式分選機(jī)測試方式是測壓手臂進(jìn)行壓測，最后將芯片根據(jù)測試結(jié)果轉(zhuǎn)移到分選機(jī)正確答案：ABCD46、第四道光檢主要是針對哪些工藝的檢查？A、激光打字B、芯片粘接C、切筋成型D、塑封E、引線鍵合F、去飛邊及電鍍正確答案：ACDF答案解析：切筋成型之后需要進(jìn)行第四道光檢，針對后段工序的產(chǎn)品進(jìn)行檢查、剔除。后段工序包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、切筋成型。芯片粘接和引線鍵合主要是通過第三道光檢進(jìn)行檢查47、以下屬于技術(shù)文件的是（）。A、各個(gè)層的定義B、符號化層的定義C、層、物理和電學(xué)規(guī)則等的定義D、版圖轉(zhuǎn)換成GDSII時(shí)所用到的層號和定義正確答案：ABCD48、用晶圓鑷子夾取晶圓時(shí)，晶圓鑷子的()應(yīng)置于晶圓正面，()應(yīng)置于晶圓背面，夾晶圓的空白部分，不可傷及晶圓。A、長邊、短邊B、短邊、長邊C、鋸狀頭、平頭D、平頭、鋸狀頭正確答案：BC答案解析：用晶圓鑷子夾取晶圓時(shí)，晶圓鑷子的“短邊”(鋸狀頭)應(yīng)置于晶圓正面，“長邊”(平頭)應(yīng)置于晶圓背面，夾晶圓的空白部分，不可傷及晶圓。49、封裝工藝中，下面屬于激光打標(biāo)時(shí)的注意事項(xiàng)的是（）。A、框架條進(jìn)入打標(biāo)區(qū)禁止拉動框架條B、選擇的打標(biāo)文件必須與該批次產(chǎn)品相對應(yīng)C、激光打開后，禁止人體直接接觸激光區(qū)域D、打標(biāo)之前框架條要先進(jìn)行預(yù)熱正確答案：ABC50、封裝工藝中，電鍍的主要目的是增強(qiáng)暴露在塑封體外面的引線的（）。A、耐高溫能力B、抗氧化性C、防水性D、抗蝕性正確答案：BD51、防靜電鋁箔袋的作用是（）。A、防靜電B、防電磁干擾C、防潮D、防水正確答案：ABCD答案解析：防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特點(diǎn)，可以最大程度地保護(hù)靜電敏感元器件免受潛在靜電危害。52、相較于高溫銅質(zhì)花籃，高溫實(shí)心花籃有（）等特點(diǎn)。A、花籃本身較重B、質(zhì)輕C、制造成本低D、制造成本高正確答案：BC53、一般情況下，30mil的墨管適用于直徑是()的晶圓。A、120mmB、