項目名稱：表面等離子體超分辨成像光刻基礎(chǔ)研究首席科學(xué)家

項目名稱：羅先剛起止年限：2011.1本項目以國家在國民經(jīng)濟(jì)和國防高科技領(lǐng)域?qū)π畔⒖茖W(xué)技術(shù)中新一代微納信息器件的重大需求為牽引，研究P“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”兩個重大專項對微納制造技術(shù)的重P（衍射極限問題、分辨極限問題、感光機(jī)制問題、損耗問題、P超分辨成像器件和創(chuàng)新性貢獻(xiàn)，建立相應(yīng)的研究基地和人才隊伍，形成具有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的P光刻技術(shù)平臺。通過本項目研究，使我國在P超分辨成像光刻理論、技新一代光學(xué)光刻技術(shù)路線，為采用光學(xué)方法突破16nm、甚至10nm以下光刻線寬節(jié)點奠定基礎(chǔ)。建立SP超衍射和超分辨成像理論和技術(shù)體系，為16nm線寬節(jié)點以下光SPSP光刻分辨力極限、SP感光培養(yǎng)一支該領(lǐng)域高水平研究人才隊伍和一批學(xué)術(shù)帶頭人，建立SP超分辨5～1016nm線寬SP超分辨成像理論模型，建立超衍射與衍射受限光學(xué)成像一體化設(shè)SP超分辨光刻感光機(jī)理模型，并用于研究對比度、焦深、工作距等SP光學(xué)光刻工藝?yán)碚摵图夹g(shù)。（1）365nm32nmSP超分辨成像器件；（2）制作特征尺寸為32nm的光柵、NEFO16nm線寬分辨力SP光學(xué)成像設(shè)計結(jié)果。SCI10010065國新一代微納光子功能材料和器件的長遠(yuǎn)發(fā)展奠定堅實的基礎(chǔ)。973PPPPP成像光刻器件原理和方法以及P超衍射光學(xué)光刻技術(shù)和工藝等關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，獲得32nm線寬分辨力P超分辨成像器件，制作特征尺寸為32nm的光柵、O字符等集成電路常用典型圖形結(jié)構(gòu)兩項標(biāo)志性成果，并建立P超分辨成像應(yīng)用基礎(chǔ)研究的理論和技術(shù)平臺、研究基地以及人才隊伍。繼續(xù)發(fā)展矢量楊顧算法，使其能適用于分析亞波長范圍的超衍射電磁PSM以及微區(qū)RamaFTIR-可見-米金屬微結(jié)構(gòu)的形貌、尺寸、周期性、介電參數(shù)等對超衍射行為的影響。類比傳統(tǒng)材料科學(xué)中原子、分子、晶胞、缺陷、復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)劃分（的影響，總結(jié)歸納結(jié)構(gòu)類型和特征規(guī)律，為單元結(jié)構(gòu)電磁振蕩模型提供思路。在超衍射材料結(jié)構(gòu)與電磁物性之間的關(guān)系模型上，主要從電偶極子、對比分析。超衍射光學(xué)材料的一般電磁特性的結(jié)構(gòu)逆向設(shè)計，例如介電常數(shù)、磁利用色散匹配的復(fù)合單元結(jié)構(gòu)等進(jìn)一步對其優(yōu)化。超衍射光學(xué)材料的損耗優(yōu)化，用高分辨力的暗場顯微鏡研究納米結(jié)構(gòu)對光超衍射散射，用透射顯微的P超衍射行為特征。從單層薄膜制備技術(shù)入手，包括單一組份、多種組份共存的膜層制備成分比例控制等方面的要求，攻關(guān)相關(guān)工藝技術(shù)問題。針對曲面膜層超衍射材料結(jié)構(gòu)，發(fā)展面形可控的曲面膜層制備技術(shù)。量的薄膜沉積技術(shù)獲得特定厚度分布的薄膜結(jié)構(gòu)。利用掃描電子顯微鏡（M、原子力顯微鏡（AM）等精密納米測層致密性、膜層厚度、納米圖形層結(jié)構(gòu)尺寸等。利用X射線散射分析方法測試部缺陷。利用紫外光頻段多光譜橢偏儀精確測試超衍射材料單元膜層結(jié)構(gòu)的光在超分辨成像原理、物理機(jī)制、成像特性和規(guī)律研究方面采用理論分析和實驗相結(jié)合的方案，從一些典型亞波長金屬薄膜結(jié)構(gòu)的P參數(shù)空間分布下的光波傳輸行為的數(shù)理公式利用多重級數(shù)展開和微擾近似理論（關(guān)系曲線。建立系統(tǒng)的超衍射材料中光波匯聚的理論模型，考察理想?yún)R聚焦點的在研究超分辨成像器件與傳統(tǒng)光學(xué)元件的組合成像特性和一體化分析系的對接，為一體化成像設(shè)計提供理論指導(dǎo)。超分辨成像器件結(jié)構(gòu)建模和計算機(jī)輔助設(shè)計基本平臺。在分析和歸納本運行環(huán)境。光線超衍射追跡方法成像分析方法和模擬計算軟件。結(jié)合超衍射行為針對分辨力、焦深、放大率、畸變等超分辨成像器件關(guān)鍵光學(xué)特性，析方法，展開器件各種像差的數(shù)值模擬和仿真分析。建立超分辨成像器件光學(xué)設(shè)計軟件與傳統(tǒng)光學(xué)設(shè)計軟件的接口，在超精確計算和模擬，可以在兩者之間進(jìn)行協(xié)同設(shè)計和優(yōu)化。根據(jù)理論模型結(jié)合自行編制的電磁計算模擬軟件，全面分析不同結(jié)構(gòu)利用高倍率鏡頭將傳統(tǒng)星點/分辨力檢驗靶投影到超分辨成像器件的物面上，然后再成像到像面上，進(jìn)而檢測器件的星點/分辨力聚焦情況。通過高分辨圖像采集設(shè)備獲得星點/分辨力的光強(qiáng)信息和分布特性。此方法同時適用于等倍率和縮上，再通過高倍率鏡頭進(jìn)行觀察。利用特殊設(shè)計和制作的接近式分辨力檢驗靶檢測超分辨成像器件的實過分辨力靶的光成像在像面上。再通過高分辨圖像采集設(shè)備獲得分辨力圖像。利用特殊設(shè)計和制作的接近式星點檢驗靶檢測超分辨成像器件的星點分布特性。超分辨成像器件的光學(xué)調(diào)制傳遞函數(shù)檢驗采用對刀口擴(kuò)展函數(shù)進(jìn)行掃M(jìn)在減小SPSP優(yōu)化材料結(jié)構(gòu)中的特征參數(shù)，根據(jù)P超衍射傳輸和耦合的物理機(jī)制和模型，減少局域電磁模式中的磁流損耗環(huán)路，將電磁能量集中在非損耗區(qū)域，減少電磁能在共振環(huán)路中的局域特性。365nm193nm等光刻波長下的增益材料和技術(shù)，通過在超衍射材料中嵌入有源材料實現(xiàn)SP波能量補償，理論和實通過在感光層與超分辨成像器件之間建立局域共振模式，利用SP成在基于新現(xiàn)象的SP表面等離子體亞波長高分辨光學(xué)成像及光刻過程中的焦深調(diào)控和能量損耗補償問題。結(jié)合超分辨結(jié)構(gòu)(Super-RENS)技術(shù)，引入非線性光學(xué)效應(yīng)及有SP的發(fā)展針對高分辨光學(xué)光刻結(jié)構(gòu)的新測試手段和方法。發(fā)展如P光刻實驗系統(tǒng)的關(guān)鍵單元技術(shù)方案主要有基于近場光學(xué)光纖探針納米測和光學(xué)光刻實驗應(yīng)用研究演示。光刻工藝是P光學(xué)光刻技術(shù)的重要組成部分。超分辨成像器件具有利用傳統(tǒng)長波長光源實現(xiàn)32nmP學(xué)光刻工藝。本項目提出的P32nm線寬分辨力的P超分辨成像器件及其實驗驗證，得到16nm線寬節(jié)點的超分辨成像設(shè)計結(jié)果，為未來16nm、甚至10nm以下線寬的光學(xué)光刻技術(shù)奠定了理論和方法基礎(chǔ)，同時也為我國中長期科技戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃中的“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”和“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”兩個重大專項提供前沿制造技術(shù)基礎(chǔ)。項目提出建立衍射受限與超衍射光學(xué)成像統(tǒng)一的理論和技術(shù)體系，可以P面地開展PP理論和技術(shù)基礎(chǔ)。針對PP率的P光學(xué)光刻成像器件能夠有效地解決掩模制備工藝中特征尺寸為32nm結(jié)衍射受限光學(xué)光刻系統(tǒng)的集成奠定了理論和技術(shù)基礎(chǔ)。目前，P超分辨成像技術(shù)絕大部分是等倍率縮放，或在曲面結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)縮小倍率成像（如等，對實際應(yīng)用帶來巨大困難。本項目提出平面結(jié)構(gòu)的縮小PPP分辨成像光刻技術(shù)的“波前工程”理論技術(shù)體系，同時結(jié)合P耦合匹配膜層結(jié)構(gòu)思想，拓展P超分辨成像的工作距和焦深，解決P光學(xué)光刻應(yīng)用方面的重大SP光學(xué)光刻技術(shù)向?qū)嵱没较虬l(fā)展。目前，這方面的研目總體目標(biāo)和關(guān)鍵科學(xué)問題開展研究，或者從P成像光刻分辨力、光刻介質(zhì)、光圍繞P超分辨成像光刻研究的重大科技問題開展協(xié)同研究，彼此既有關(guān)聯(lián)又有各自主攻的科研目標(biāo)。SPSP分辨力極限的物理SP光刻分辨力研究的理論基石。第二課題研究PP型，并分析光刻材料對光刻分辨力的影響特性。該課題是研究P光刻工藝的理論基礎(chǔ)。SP材料介電常數(shù)、損耗等特性的物理機(jī)制和途徑，SP超分辨成像器件的研究提供材料基礎(chǔ)。第四課題研究波前工程技術(shù)、P超衍射光學(xué)光刻工藝技術(shù)等提高P光刻圖形論和實驗基石。SPSP成像器件的物理原理和實現(xiàn)方法，為4-1課題1、限制SPSPSP成像分辨力、視場、焦深受限的物理因素并給出理論解決途徑，研究影響SP成像和光刻分辨力極限的建立一套完整的P超衍射、超分辨成像理論仿真和優(yōu)化設(shè)計平臺。提供描述436nm、365nm、248nm或193nm波長入射光波前分布、偏振狀態(tài)、膜層出能夠?qū)崿F(xiàn)波前調(diào)控提高P出實現(xiàn)P光刻長焦深器件設(shè)計軟件和詳細(xì)說明。提供一種拓展SP成像焦深（>100nm@32nm線寬）的有效方法，并為項35~451010~15SPSP超分辨成建立基于P光學(xué)的超分辨成像模型，系統(tǒng)地描述P超衍射成像光刻的物理過程，發(fā)展并完善SP超衍射成像的數(shù)值計算方法和理論模型，研究P體與電磁瞬逝波相互作用機(jī)理及其傳播、耦合特性，研究限制P超衍射成像性能的因素，對P超衍射成像光刻分辨力的理論極限進(jìn)行預(yù)測和分析。針對P超衍射成像的機(jī)理，在436nm、365nm、248nm或193nm波長光源條件下，提出P365nm波長光源條件下建立優(yōu)化P光刻技術(shù)的銜接，探索利用傳統(tǒng)光學(xué)的波前調(diào)控和預(yù)畸變技術(shù)提高P研究各種因素對SP利用內(nèi)容（1）建立的理論模型和數(shù)值計算平臺系統(tǒng)研究各種因素對P成P緣形貌、圖形質(zhì)量等對P光刻質(zhì)量的影響，為制定P掩模設(shè)計和工藝標(biāo)準(zhǔn)提供依據(jù)。研究膜層厚度、重復(fù)周期、平整度、均勻度等因素對成像質(zhì)量的影響，為PPP光刻質(zhì)量提供前提。探索進(jìn)一步提高SP在前面工作的基礎(chǔ)上，同課題4，5結(jié)合，研究提高P光刻質(zhì)量的理論機(jī)PPP成像的長焦深成像器件、相移器件等亞波長光學(xué)器件，用于改善P成像P擴(kuò)展SPSP365nm波長光源條件下通過在傳統(tǒng)光刻輸入端SP成像時對相位進(jìn)行調(diào)制，擴(kuò)展成像焦深，改進(jìn)工作距離。同其他課題合作，SP成像的特性，實現(xiàn)長焦深成像。研發(fā)一種焦深檢測的系學(xué)術(shù)骨干：課題2、SP與光刻介質(zhì)相互作用的機(jī)理研究本課題針對表面等離子體超分辨成像光刻中SP光場與光刻介質(zhì)相互作用，研究在365nm波長光源條件下SP與光刻介質(zhì)相互作用過程中電磁能量轉(zhuǎn)換機(jī)制，分析光刻介質(zhì)性能參數(shù)與光刻分辨力和圖形質(zhì)量之間的關(guān)系，建立SP光刻過程的物理描述和分析方法；基于光學(xué)非線性等效應(yīng)，發(fā)展新型SP光刻介質(zhì)，SP光刻的分辨力和靈敏度。獲得SP與光刻介質(zhì)相互作用過程中電磁能量轉(zhuǎn)換機(jī)制，以及光刻介質(zhì)性能參數(shù)與光刻分辨力和圖形質(zhì)量之間的關(guān)系。建立SP與光刻介質(zhì)相互作用過程P光刻分辨力和靈敏度的新型P刻介質(zhì)，為32nm線寬節(jié)點以下P光刻技術(shù)提供物理和技術(shù)支撐。給出32nm報告。發(fā)表論文35-506-1010-15人才和技術(shù)隊伍。P365nm波長光源條件下P激發(fā)的過程和場分布特點；研究光刻掩模高頻分量與P的耦合、轉(zhuǎn)化以及P與P特性對P光刻過程中電磁能量利用和轉(zhuǎn)換的影響。光刻介質(zhì)的性能參數(shù)、表面平整度與P光刻圖形質(zhì)量的關(guān)系。研究并分析在365nm波長光源條件下PP光刻中相干效應(yīng)以及改善P光刻線條對比度、陡度、邊緣粗糙度的方法研究。SPP發(fā)展用于描述P）等計算分析工具。在365nmPP程及特性對成像光刻空間分辨力及局域場增強(qiáng)效應(yīng)的影響。研究非線性等效應(yīng)對P光刻介質(zhì)中局域光場分布，以及焦距、能量集中度、形狀的調(diào)控。365nmSP光刻介質(zhì)的探索研究。探索金屬納米團(tuán)簇的加入對SP光刻介質(zhì)分辨力、靈敏度焦深等性能的改進(jìn)。研究金屬納米團(tuán)簇的種類、尺寸、濃度、形狀等參數(shù)及引入方式對SP光刻介質(zhì)性能的調(diào)控。研究究所課題負(fù)責(zé)人：學(xué)術(shù)骨干：SPSP耗的物理機(jī)制和技術(shù)途徑，建立損耗影響SP光刻效率的分析方法和提高途徑,深SP材料介電常數(shù)、損耗、色散行為的物理機(jī)制和技術(shù)途徑。365nm193nmAg、Au、Al材料膜層，給出介電常數(shù)的測試結(jié)果（介電常數(shù)實部調(diào)制范圍：3~-10)，提供完整詳細(xì)可重復(fù)的提出增益補償?shù)腟P傳輸、耦合多層金屬介質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)，明確該結(jié)構(gòu)樣品的工藝制備方法以及其中SP傳輸和耦合損耗特性的測試分析方法，獲得指導(dǎo)性Commented[s1]:代替“20mm薄膜的制備”20-300nmSP（365nm和193nm），論證SP傳輸與耦合損耗小于0.2dB/Commented[s1]:代替“20mm薄膜的制備”25~401010~155SPSP傳輸、耦合結(jié)構(gòu)參量的相關(guān)性，SPSP在增益材料中的傳輸規(guī)律的研究，探索利用半導(dǎo)體增益材料補SP傳輸損耗。增益補償方式的低損耗SP12的基礎(chǔ)上，針對實現(xiàn)增益補償?shù)牡蛽p耗的傳輸、耦合，設(shè)SPSP光刻效率的應(yīng)用要求，優(yōu)低損耗SP在理論研究的基礎(chǔ)上，為有效提高SP納米光刻效率，開展制備低損耗SPSP模式的模場和損耗特性，并進(jìn)一步實驗分析造SP損耗的機(jī)理。SP在理論研究P傳輸、耦合與結(jié)構(gòu)參量關(guān)系的基礎(chǔ)上，探索調(diào)控P模式特性（包括波長、色散、能量分布、耦合等）的物理機(jī)理，研究金屬/構(gòu)中利用熱光效應(yīng)、電光效應(yīng)實現(xiàn)P調(diào)控的有效途徑。SPSPSP傳輸、耦合結(jié)構(gòu)，SP的傳輸、耦合、色散特性進(jìn)行測試。承擔(dān)單位：課題負(fù)責(zé)人：黃翊東學(xué)術(shù)骨干：課題4、提高SP光刻圖形質(zhì)量的原理和驗證方法研究高深寬比、陡直度好的高質(zhì)量P光刻圖形的原理和方法，為課題五P超分辨成像光刻技術(shù)實驗驗證奠定理論基礎(chǔ)，并提供可靠的工藝技術(shù)支持。SP32nm203510~15本課題在課題一針對PPPPSP研究基于SP超分辨光刻的配套光刻工藝和方法，研究用于提高SP光刻質(zhì)量的提高SP針對P成像光刻技術(shù)特點，研究提高P光刻圖形質(zhì)量的新機(jī)理和新方法，探響。研究波前照明技術(shù)對SP照明等波前照明技術(shù)對P法及仿真模型方式、照明偏振特性優(yōu)化方法及仿真模型及其選擇依據(jù)。提高SP分別搭建針對提高SP承擔(dān)單位：課題負(fù)責(zé)人：姚漢民學(xué)術(shù)骨干：課題5、超分辨成像光刻器件原理和方法研究闡明超分辨SP成像器件物理原理，獲得成像特性和規(guī)律，解決與超分辨搭建P16nm線寬分辨力SP光學(xué)成像設(shè)計結(jié)果。365nm32nmSP超分辨成像器件，制作32nm的光柵、NEFO字符等集成電路常用典型圖形結(jié)構(gòu)。20~303510~15本課題在前期P超分辨PSP在P超分辨成像物理機(jī)制方面主要研究內(nèi)容包括：倏逝波以P波形式作P超分辨成像光學(xué)特性的相關(guān)數(shù)理模型和計算方法。在PP系模型；有效提高P光刻分辨力、延伸P成像工作距和焦深的理論和技術(shù)途徑?？芍苽涞某直娉上窆饪唐骷Y(jié)構(gòu)設(shè)計和優(yōu)化方法，包括器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計依據(jù)、□縮小倍率超分辨成像器件和SPP納米光學(xué)聚焦透鏡中可對倏逝波光波振幅和位相調(diào)制的亞波長納米PP納米光像差分析等成像特性表征技術(shù)。SP開展超分辨成像器件與投影光學(xué)系統(tǒng)組合后實現(xiàn)縮小投影P光學(xué)光刻的工作P承擔(dān)單位：課題負(fù)責(zé)人：羅先剛學(xué)術(shù)骨干：主要涉及SP超分辨成像理論模型及物SP1、建立SP型和表征平臺，SPSP波SP2SP光刻質(zhì)量對掩模參數(shù)的依賴特性，SPSP對光刻質(zhì)量的影響，鄰近效應(yīng)修正的高質(zhì)量P統(tǒng)研究SP超分辨成像特性規(guī)律和超分41P超衍射成像光刻的物P超衍射成像的數(shù)P與電磁瞬逝波相互作用機(jī)理及其傳播、耦合特P2、研究P光刻過程中高頻信息的傳遞過程，分析光刻結(jié)構(gòu)特征參數(shù)對分辨力和圖形質(zhì)量的影響，SP光刻過程中的電磁能量轉(zhuǎn)換機(jī)制。給出P光刻微觀和料特性對光刻質(zhì)量的影響，發(fā)展365nm感光顯影數(shù)理模型和計算分析方法。5、制備金屬(Au或Ag)的納米顆粒；研制出體積百分比的均勻分散的金屬納米顆粒－料（線寬分辨力提高1.2倍以上。6、建立研究SPSP得SP模式特性和耦合特性與2、金屬納米顆粒的制備。通過物理和化學(xué)方法制備獲得一定尺寸和形狀的金屬納米顆粒。將非線性光學(xué)介質(zhì)與光刻介質(zhì)或金屬掩膜結(jié)構(gòu)復(fù)合，研究非線性等效應(yīng)對P以及焦距、能量集中度、形狀的調(diào)控。3、研究分析P模式損耗與結(jié)構(gòu)參量之間的關(guān)系；系統(tǒng)研究高質(zhì)量金屬（Ag、Au）納米膜層的制備工藝和方法；研究金屬薄膜厚度和介電常數(shù)的測試方法，系統(tǒng)研究金屬薄膜質(zhì)量的量化表征參數(shù)和受工藝條件影響的規(guī)律。4、系統(tǒng)理論分析研究影響P光刻質(zhì)量的各個因素，包括光源、照明、掩模、成像質(zhì)量、基片、感光材料、曝光顯影及處理工藝等。5、研究SP光刻中光學(xué)鄰近效應(yīng)掩模優(yōu)SP光刻掩模檢驗的光刻實驗系統(tǒng)和開展相關(guān)實驗，45nmSP光刻掩6成像機(jī)理；超衍射材料用于成像的理論和設(shè)計途徑，成像結(jié)構(gòu)的設(shè)計原則，研究超分辨成像器件的放大倍率、焦深、視場、工作距等成像特性。7SPSP20～30nm3nm，有域內(nèi)缺陷尺寸50nm～100nm9、建立光學(xué)鄰近效應(yīng)修正掩模建用于檢驗掩模質(zhì)量的實驗系掩模技術(shù)進(jìn)行實驗驗證，P光刻實現(xiàn)45nm以下線寬的高質(zhì)量一維光刻線條圖形。1045nm的SP超分辨成像器件的優(yōu)化分辨成像器件的成像性能測試45nm45nm1125～35篇，申請16～20項。SP分析和表征理論，提高分辨力、視場和焦深的物理技術(shù)途徑，發(fā)展與P關(guān)的波前工程理論和技術(shù)，P影響感光特性和質(zhì)量的規(guī)律，納米金屬顆粒對P屬介質(zhì)混合材料P1SP成像波長、振幅、SP成像質(zhì)量表征的系統(tǒng)，給SP成像、分辨料薄膜層的制備工藝和方法，研究光源P光刻質(zhì)量的影響和實驗系統(tǒng)搭建、樣品制備，45～32nm線寬P光刻掩模及光刻圖形制備，與傳統(tǒng)物鏡對接和一體化設(shè)計分析方法，研究65nm2、初步建立感光物理模型、感光材料特性影響光刻質(zhì)量的規(guī)律，初步建立365nm感光顯影數(shù)理模型計算分析軟件方法。3、分別制備出分辨力為1SP超衍射成像質(zhì)量，像差分析SP的光刻膠與金屬納米顆粒的復(fù)SPSP光刻技術(shù)的銜接，探索利用傳統(tǒng)光學(xué)的波前調(diào)控和預(yù)畸變技術(shù)提高SP光刻質(zhì)量3、研究光刻光源P激發(fā)的過程和場分PP量耦合和轉(zhuǎn)換過程；研究掩模版結(jié)構(gòu)參數(shù)、膜層結(jié)構(gòu)特點，以及光刻介質(zhì)的特性對P光刻過程中電磁能量利用和轉(zhuǎn)換的影響。4（如粘滯性、粘附性、抗蝕性、表面張力、平整度、以及力學(xué)模量等參數(shù)分辨力的影響。光刻介質(zhì)的性能參數(shù)、表面平整度與P光刻圖形質(zhì)量的關(guān)系。研究并分析P膜層參數(shù)、材料匹配以及金屬固有吸收損耗等對分辨力和圖形質(zhì)量的影響；進(jìn)行SP光刻中相干效應(yīng)以及改善SP光刻線條對比度、陡度、邊緣粗糙度的方法研究。SP4、給出旋涂速度與光刻膠厚度100nm，伽馬值：1.4～2出偏振選擇性感光材料的初步試驗效果。3～-10的6、給出有效激發(fā)真空波長為365nm、248nm、193nmSP于1nm，有效薄膜區(qū)域尺寸膜區(qū)域內(nèi)缺陷尺寸50nm～100nm的空洞數(shù)目<10，100nm波前工程技術(shù)應(yīng)用于SP光刻究多層金屬/SPSP模SP模式的傳輸損耗特性。9SP光刻的1：1實驗研究SP7、研究光源偏振態(tài)、離軸照明對SP1032nm超分辨成像器件40nmSPSP光刻質(zhì)量的影響規(guī)律、分析及45SP11分辨成像器件的測試系統(tǒng)，提供i線縮小投影式SP光刻實驗9和SP超分辨成像的對接方法和一體化1230~40篇，申請15~20項。1065nm研究基于相移等機(jī)理的長焦深SP超分P過程的數(shù)值仿真方法，研究光場空間偏P光場分布的影響，研究多層金屬介質(zhì)交替納米薄膜結(jié)構(gòu)中膜層之間物質(zhì)滲透特性和分析評價方法，研究高質(zhì)量多層金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備工藝和方法，適合365nm、248nm、193nm的P料和方法途徑，研究光刻材料處理工藝對SP光刻質(zhì)量的影響，研究P光刻配套傳遞工藝，利用光刻實驗系統(tǒng)與超分辨成像器件進(jìn)行投影光刻，開展提高光刻圖形質(zhì)量的實驗研究，根據(jù)像差補償技術(shù)和光刻實驗結(jié)果，優(yōu)化改進(jìn)超分辨成像器件制備工藝。1于表面等離子成像的長焦深成像器件、相移器件等亞波長光學(xué)器件，用于改善P成像、聚焦光刻功能器件的性能分析和優(yōu)化設(shè)計。2SP光刻工藝過程的數(shù)31、提交長焦深SP顧算法”等優(yōu)化設(shè)計算法進(jìn)行SP成像器件的設(shè)計，實現(xiàn)焦深2Lens視場SP16nm5：1，1000nm。365nm感光顯影數(shù)理模顆粒改善32nm光刻膠相關(guān)性線性系數(shù)3~10-10esu（50～100nm，伽馬值：2.0～2.5SP究徑向偏振光高效最優(yōu)SP特性對成像光刻空間分辨力及局域場增強(qiáng)效應(yīng)的影響。研究非線性等效應(yīng)對光刻介質(zhì)中局域光場分布，以及焦距、能量集中度、形狀的調(diào)控。研究金屬納米顆粒的濃度、尺寸、形狀等參數(shù)對光刻膠相關(guān)參數(shù)的影響。4/SPPurcell效應(yīng)的影響；研構(gòu)中有效激勵波長為365nm、248nm、193nmSP模式的方法；實驗研究多層金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)中SP模式的傳輸損耗特6、研究光刻材料處理工藝對P量的影響，搭建用于檢測光刻材料處理工藝結(jié)果的實驗系統(tǒng)。7、研究P光刻對圖形傳遞工藝的特殊要求及相互作用影響，利用光刻實驗系統(tǒng)與超分辨成像器件進(jìn)行投影光刻，開展提高光刻圖形質(zhì)量的實驗研究。87、制備出多層金屬/10～20nm，SiO2薄膜厚度10～20nm，總厚度>100nm度為<10nm，最大起伏小于<2nm，空洞缺陷少（1mm尺度范圍缺陷數(shù)目<1個。9的檢測系統(tǒng)（厚度、表面等，實驗研究光刻材料處理工藝評價對P光刻質(zhì)量的影響。10SP光刻圖形傳遞工藝寬比（大于2：1）的深刻蝕工11SP光刻質(zhì)量提高手段，實現(xiàn)40nm～32nm線寬SP1.5：1i線波長條件下獲得初步的32nm線寬分辨力光32nm辨成像的成像理論和像差理論，改進(jìn)32nm22nm1325~40篇，申請15～20項。拓展SP超分辨成像焦深和工作距的方1、實現(xiàn)SP學(xué)設(shè)計軟件的銜接和數(shù)據(jù)接口和詳細(xì)說明。2、實現(xiàn)利用傳統(tǒng)光學(xué)波前工程進(jìn)行P完成焦深檢測系統(tǒng)方案的實驗驗證。3365nm感光顯影表面粗糙度1nm)或金屬納米4、實現(xiàn)SP100nm2.0～2.7，1.4倍以上。SP模式傳輸損耗的補償特性，SPSPSP能量分布、耦合特性的物理機(jī)理，實驗研究增益補償?shù)腜型P究32nm線寬的光刻工藝及提高光刻圖P32nm1SP成像原理模型，通過在傳統(tǒng)光刻輸入端或SP成像時對相位進(jìn)行調(diào)2、研究基片上金屬納米薄膜或陣列（薄膜厚度和陣列參數(shù)）3等材料與結(jié)構(gòu)參數(shù)對P光刻線條寬度及光刻質(zhì)量的影響，給出優(yōu)化的理論與實驗結(jié)果。對比研究線偏振光、軸對稱偏振光在P激發(fā)方面的不同特性以及與光刻介質(zhì)相互作用的特點。開展徑向偏振光光刻的實驗研究工作。4、理論分析有源增益材料和結(jié)構(gòu)對模式傳輸損耗的補償方式，設(shè)計并制備傳輸、耦合等結(jié)構(gòu)。5、優(yōu)化多層金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)參數(shù)，摸索365nm193nm工作波長有效降低SP模式傳輸損耗的方法；實驗研究增益SPSP模SP模式SP調(diào)控的結(jié)構(gòu)。7、開展新型P光刻介質(zhì)的光刻工藝研究，實驗驗證提高線寬分辨力、光刻質(zhì)P32nm寬的光刻工藝及提高光刻圖形質(zhì)量的方法。8、理論和實驗探索研究SP與輻射電子SP>Ф5mm,金屬薄膜厚度1020nmSiO2薄膜厚度1020nm，總厚度>300nm7、制備出多層薄膜結(jié)構(gòu)，SP傳5dB/mm。8P光刻新方法和新技術(shù)以及優(yōu)化工藝流程等，實現(xiàn)深寬比達(dá)到2：1的32nm線寬的P光刻一維、二維線條和O字符圖形。916nm超分辨成像器件制備工藝的32nm超分辨成像1032nm典型集成電路SP光刻圖形的制作，得到任意字符O32nm辨成像器件的像差特性的實驗檢測結(jié)果。11、發(fā)表論文30~40篇，申請15～20項。9、完善32nm及以下超分辨成像器件的像差特性及理論模型。完善傳統(tǒng)光學(xué)和P超衍射成像系統(tǒng)的對接設(shè)計方案。設(shè)計16nm32nm以下超分辨成像器件的像差特性的實驗驗證方法及實現(xiàn)技術(shù)途徑。1032nmSPP成像光刻分辨力理P成像光刻實驗研光刻的線寬分辨力，研究金屬納米團(tuán)簇對提高光刻分辨力和質(zhì)量的影響作用，設(shè)計和制備低損的P實驗研究光刻膠感光波長下增益補償傳輸、耦合多層金屬介質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)，完善并優(yōu)化金屬/介質(zhì)多層膜的制備工藝,總結(jié)介電常數(shù)與材料和組分的關(guān)系,系統(tǒng)研究高質(zhì)量PP光刻分辨力和圖形質(zhì)量的方法和可行性，完善32/22/16nm的的超分辨成像器件的設(shè)計32nm線寬光刻圖形制備，研究探索248nm、193nm波長下1SP光刻超分SP光2、給出P感光物理模型、感光材料特性影響光刻質(zhì)量的規(guī)365nm計算分析軟件方法。3、給出滿足365nm波長下32nm光刻需要的新型光刻介質(zhì)光刻膠厚度：22～100nm2.0～3，非線性感光材料（線寬分辨力提高1.5倍以SP完成長焦深SP光刻超分辨成像器件的2、綜合前期對P光刻的感光物理模型的分析、仿真結(jié)果，以及對光刻工藝參數(shù)的模擬分析，形成可以對光刻過程進(jìn)行計算分析的程序模塊。3、探索金屬納米團(tuán)簇的加入對P光刻介質(zhì)分辨力、靈敏度等性能的改進(jìn)。研究金屬納米團(tuán)簇的種類、尺寸、濃度、形狀等參數(shù)及引入方式對P光刻介質(zhì)性能的調(diào)控。研究金屬納米團(tuán)簇與感光顆粒的微觀結(jié)構(gòu)、分布形態(tài)對光刻靈敏度的影響。試驗其在365nm刻性能，測試其最小光刻分辨本領(lǐng)。繼續(xù)開展非線性光學(xué)材料輔助的超分辨光刻的實驗研究，軸對稱偏振光源照明下的新型光刻方法研究，進(jìn)一步提高其光刻的線寬分辨力。4SP傳輸損耗、耦合損耗與結(jié)構(gòu)SP光刻效率，54、獲得SPSP傳輸、耦合結(jié)構(gòu)。>Ф5mm,金屬薄膜厚度SiO2薄膜厚度<10nm>500nm6、獲得增益補償?shù)腜將增益補償?shù)腜層結(jié)構(gòu)應(yīng)用于光刻技術(shù)的可行性，得到指導(dǎo)性結(jié)果。20300nmSP橫向傳輸波長范圍內(nèi)（工作波長365nm193nm）SP傳輸與耦合損耗0.2dB/mm的可行性。8、建立和完善P超分辨光刻工藝操作流程及評價標(biāo)準(zhǔn)，制定SP超分辨光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)草案。922nm、16nmSP作；實驗探索在光刻技術(shù)中利用增益材料有效降低P模式損耗的可行性。6/32nmNEFO字符等集成電路常用典SP7、建立系統(tǒng)的SP光刻工藝實驗平臺和實現(xiàn)高質(zhì)量SP光刻圖形制備的工藝標(biāo)32nm1130-4015-20SP等方面，完善32/22/16nm932nm超分辨成像器件的制備工SP對接的光刻實驗驗證系統(tǒng)，完成高質(zhì)量的32nm線寬光刻圖形制備，實驗探索32nm線寬以下光刻分辨力。10、研究探索248nm、193nm徑，為開發(fā)高能量利用率的超衍射材料，提出導(dǎo)向性方案。紫外/SPg線（436nm）i（365nm），其超衍射分辨能力（22nm以下）（如193nm5nm等10nm1nmP金屬PP耦合和傳輸模式行為理論分析和實驗測試等。SP在系統(tǒng)掌握亞波長超衍射材料中的超衍射行為規(guī)律和機(jī)制等方面的知識基P慧差、像散、色差等初級像差缺乏準(zhǔn)確的物理分析、數(shù)學(xué)模型和光線追跡方法，因而尚未建立合理的P分辨成像器的制作提供清晰的藍(lán)圖，并能夠有效地指導(dǎo)制作工作的完成。成像分析等方面的理論和技術(shù)接口。影響SP分辨力理論極限。P光刻是通過操縱倏逝波的傳輸、耦合模式，實現(xiàn)空間截止頻率調(diào)制，突等因素的影響對提高P道，缺乏對這些影響因素與P光刻分辨力之間關(guān)系的系統(tǒng)分析。解決P光刻分辨力極限將面臨著以下幾個關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題需要研究：由于SP光刻分辨力的實現(xiàn)首先是通過SP波與光刻介質(zhì)相互作用，進(jìn)行電PPP光刻分辨力必須面對的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題和難點。超衍射材料和SP超衍射材料和器件的主要制作手段目前仍是微細(xì)加工技術(shù)和化學(xué)自組裝技以及缺陷的人為引入一直是科研工作者努力解決的問題。超衍射材料和器件制備中關(guān)鍵科學(xué)問題包括納米模板技術(shù)制備金屬材料多是制約亞波長金屬微納結(jié)構(gòu)光學(xué)性質(zhì)研究的關(guān)鍵因素。6、基于超分辨成像的高質(zhì)量SPSPSP光刻技術(shù)走向應(yīng)用的重要條件。SP光刻的獨特物理特性，盡管于傳統(tǒng)光刻材料和工藝兼容，SP光刻的最佳設(shè)計和工藝參數(shù)，實現(xiàn)高深SPSP光刻技術(shù)應(yīng)成的各種局域、耦合P波模式分布，研究P波模式之間的相互激發(fā)、轉(zhuǎn)換規(guī)P的各種匹配條件以及相關(guān)參數(shù)與超衍射光強(qiáng)定域分布的關(guān)系。研究實現(xiàn)超衍射光學(xué)行為調(diào)控手段和結(jié)構(gòu)設(shè)計原則，包括實現(xiàn)特定方向的折射/反射、電磁波空間頻譜裁剪、倏逝波與傳輸波之間的耦合轉(zhuǎn)換、電磁波沿特定方向衍射等等。針對紫外光、深紫外頻段電磁波，研究在超衍射人工結(jié)構(gòu)中表現(xiàn)出的（究提供超衍射材料方面的光學(xué)宏觀描述方法。研究紫外到深紫外頻段下，實現(xiàn)特定宏觀光學(xué)介電常數(shù)、磁導(dǎo)率、表面阻抗和調(diào)控P計算法和分析軟件。研究紫外到深紫外頻段下，用于實現(xiàn)電磁波超衍射傳輸和調(diào)控的各種研究摻雜型復(fù)合金屬薄膜材料的制備方法和介電常數(shù)調(diào)節(jié)和測試，研究降低P傳輸耦合損耗的理論和方法技術(shù)途徑，探索增益補償方式的P傳輸耦合材料和可行性研究。研究分析超分辨P成像器件的各種成像基本特性，包括光學(xué)傳遞函/P超分辨成像的像質(zhì)評判、像差分析等方面的完整數(shù)理模型，研究各種像差（包括球差、慧差、色差等）校正和補償?shù)脑砗蛯崿F(xiàn)方法。研究超分辨成像與傳統(tǒng)衍射受限成像光學(xué)系統(tǒng)的共