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(1)用一臺(tái)電機(jī)控制兩條生產(chǎn)線(3)時(shí)間誤差:0.1秒(4)具有抗干擾能力美國(guó)Motorola公司:6801系列和6805系列美國(guó)Atmel公司:89C51等單片機(jī)美國(guó)TI(德克薩司儀器儀表)公司:TMS7000系列NS(美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體)公司:NS8070系列等等。機(jī)和美國(guó)Atmel公司的89C51單片機(jī)8031內(nèi)部包括一個(gè)8位CPU、128個(gè)字節(jié)RAM,21個(gè)特殊功能寄存器(SFR)、8751是在8031基礎(chǔ)上,增加了4K字節(jié)的EPROM,它構(gòu)成了一個(gè)程序小于4KB8031較貴。8031外擴(kuò)一片4KBEPROM的就相當(dāng)與8751,它的最大優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格低。指令系統(tǒng),片內(nèi)置通用8位中央處理器(CPU)和Flash存儲(chǔ)單元。功能強(qiáng)大AT89C512.2物位傳感器的選擇果乘以重力加速度g,就成為重力密度r,簡(jiǎn)稱為重度。容重是包含空隙在內(nèi)的每單利用物料介電常數(shù)恒定時(shí)極間電容正比與物位的原理,可構(gòu)成電容式物位傳感根據(jù)電機(jī)的結(jié)構(gòu)可將容式物位傳感器分為三中:(1)適電容C與物位成比例。也可懸掛帶重錘的軟導(dǎo)線作為電機(jī)。(2)適用與非金屬容器,電極只用于液位,粉粒體容易滯留在極間。(3)用于導(dǎo)電性物料,起外形和(1)一24C01是一種128字節(jié)串行CMOS才能選中2864A,這種線選法決定了2864A對(duì)應(yīng)多組地址空間,即來確定,地址線的低四位(A0~A3)用以選擇頁(yè)緩沖器中的16個(gè)地址單元之一。對(duì)第16個(gè)字節(jié))寫入到頁(yè)緩沖器后20ns自動(dòng)開始,把頁(yè)緩沖器的內(nèi)容寫到EEPROM圖2.12864A擴(kuò)展電路接地(或+5V);每位的段選線(a~dp)分別與一個(gè)8位的鎖存器輸出相連。所以稱編程容易。付出的代價(jià)是占用口線較多,若用I則行線電平為高電平。這是識(shí)別矩陣鍵盤按鍵是有這8個(gè)鍵,比較簡(jiǎn)單。所以就采用獨(dú)立式按鍵接口電路。第三章自動(dòng)加料機(jī)主電路主電路采用AT89C51,由于AT89C51內(nèi)含4KB容量,因此在設(shè)計(jì)中不需要外擴(kuò)主電路采用AT89C51,由于AT89C51內(nèi)含4KB容量,因此在設(shè)計(jì)中不需要外擴(kuò)電磁閥.128×8字節(jié)內(nèi)部RAM.32個(gè)可編程I/0口線.2個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器32個(gè)I/0口線,兩個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器,一個(gè)5向量?jī)杉?jí)中斷結(jié)構(gòu),一個(gè)全雙P11P12P13P14P15P168498976.PO口:PO口是一組8位漏極開路型雙向I/0,也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí),每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯門電路,對(duì)端口寫“1”可作為在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí),這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址(低8位)和數(shù)據(jù)收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門電路。對(duì)端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流(I)。Flash編程和程序校驗(yàn)期間,P1接收低8位地址。(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門電路。對(duì)端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端在訪問外部程序存儲(chǔ)器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(例如執(zhí)行MOVE@DPTR指令)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門電路。對(duì)P3口寫入“1”時(shí),它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。作輸入端時(shí),被外部拉低的P3口將用上拉電 P3口除了作為一般的I/0口線外,更重要的用途是它的第二RXD(串行輸入口)TXD(串行輸出口)INTO(外中斷0)INT1(外中斷1)TO(定時(shí)/計(jì)數(shù)器0)T1(定時(shí)/計(jì)數(shù)器1)WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通)RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通) .XTAL2:振蕩器3放大器的輸出端。3.2.4時(shí)鐘振蕩器1ND外接石英晶體(或陶瓷振蕩器)及電容C1、C2接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對(duì)外接電容C1、C2雖然沒有十分嚴(yán)格的要求,但電容容量的大小會(huì)輕使用石英晶體,則推薦電容使用30pF±10pF,而如使用陶瓷振蕩器建議選擇由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過一個(gè)2分鐘觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的,所以對(duì)外部3.2.5空閑節(jié)電模式兩種方式是控制專用寄存器PCON(即電源控制寄存器)中的PD(PCON.1)和IDL (PCON.0)位來實(shí)現(xiàn)的。PD是掉電模式,當(dāng)PD=1時(shí),激活掉電工作模式,單片機(jī)模式,即PD和I0L同時(shí)為1,則先激活掉電模式。 空閑模式內(nèi)部1數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)空閑模式外部1浮空數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)內(nèi)部0數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)外部浮空數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)保護(hù)類型1UUU沒有程序保護(hù)功能2PUU中執(zhí)行MOVC指令讀取內(nèi)部程序存儲(chǔ)器的內(nèi)容3PPU除上表功能外,還禁止程4PPP除以上功能外,同時(shí)禁止外部執(zhí)行芯片頂面標(biāo)識(shí)簽名字節(jié)P2.0—P2.3(11位地址范圍為0000H—OFFFH),數(shù)據(jù)從PO口輸入,引腳P2.6、P2.7RST保持高電平。校驗(yàn)時(shí)PO口須接上10K左右的上拉電阻。利用控制信號(hào)的正確組合并保持ALE/PROG引腳10ms的低電平脈沖寬度即可將相仿,只需將P3.6、P3.7保持低電平,返回值意義如下:(032H)=05H聲明為5V編程電壓。最高工作電壓6.6V3.3顯示電路接地(或+5V);每位的段選線(a~dp)分別與一個(gè)8位的鎖存器輸出相連。所以稱編程容易。若用I/O接口,則要占用4個(gè)8位I/O口,若用鎖存器接口,則要用4片.Q?~Q:8個(gè)信號(hào)輸出端。DQ1XX011000X0XABCDabcdefg用各種物理量的變化,將電量或非電量信號(hào)轉(zhuǎn)化為電磁力(有觸頭式)或使輸出狀態(tài)發(fā)生階躍變化(無觸頭式),從而通過其觸頭或突變量促使在同一電路或另一電路中管需要打開,將粒子送到排料漏斗。本設(shè)計(jì)共帶動(dòng)生產(chǎn)的電動(dòng)機(jī)。另一個(gè)為控制工作方向的方向閥。經(jīng)考慮采用4123無極12V直為OFFH,所以加一個(gè)74LS04反相器使得繼電器初始不產(chǎn)生閉合,使用MC1413為無設(shè)有一個(gè)6行×5列的非編碼鍵盤,其中有16個(gè)為數(shù)字鍵0~F,其余的為控制條列線為0,也就是當(dāng)PB4~PBO不為11111時(shí),就表示有鍵按下。線輸入0信號(hào),而其余各行都輸入1,并檢測(cè)每次掃描時(shí)所對(duì)應(yīng)的列信號(hào)。在圖2中就是在C口先輸出111110(PC5~PC0),然后是111101,直到最后是011111,并檢設(shè)圖2中處于第3行第1列的鍵已按下,則必須是行輸出信號(hào)為110111,檢測(cè)到的B口:含有一個(gè)8位數(shù)據(jù)輸出鎖存/緩沖器和一個(gè)8位輸入鎖存器(不鎖存)。C口:含有一個(gè)8位數(shù)據(jù)輸出鎖存/緩沖器和一個(gè)8位輸入鎖存器(不鎖存)。位和C口高4位:B組包括B口8位和C口低4位。兩組的控制電路中分別有控制寄D5D7PAlPA3PA4PA6PA74325986561 .PA?~PA?:A口數(shù)據(jù)線,雙向。.PB?~PB?:B口數(shù)據(jù)線,雙向。.PC?~PC?:C口數(shù)據(jù)/信號(hào)線,雙向。當(dāng)8255A工作于方式0時(shí),PC?~PC?分為兩組(每組4位)并行I/0數(shù)據(jù)線;當(dāng)8255A工作于方式1或方式2時(shí),PC?~PC?為A口、B0001001010輸入操作1001000100數(shù)據(jù)總線→A口01100數(shù)據(jù)總線→B口輸出操作10100數(shù)據(jù)總線→C口11100數(shù)據(jù)總線→控制口XXXX1數(shù)據(jù)總線為高阻態(tài)11010非法狀態(tài)禁止操作XX110數(shù)據(jù)總線為高阻態(tài)在連接鍵盤電路采用8255A為擴(kuò)展I/0口時(shí),要在中間加入一個(gè)74LS373,74LS373是一個(gè)三態(tài)門的8D鎖存器,它可以作為AT89C51外部的一個(gè)擴(kuò)展輸入口,借口電路使輸入數(shù)據(jù)在373中鎖存,同時(shí)信號(hào)加到AT89C51單片機(jī)的中斷請(qǐng)求INTO端,單片MOVXA,@DPTR在執(zhí)行上面的第二條指令時(shí),P2.6=0,RD有效,通過或門后加到373的OE端,即373的三態(tài)門控制端,使三態(tài)門暢通,鎖存的數(shù)據(jù)讀入到累加器A中。3.6外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展電路自動(dòng)加料機(jī)存在兩條生產(chǎn)線的輸送、排料、滿料、空料,共8個(gè)設(shè)置的重要數(shù)據(jù)需要讀/寫,并且能夠提供掉點(diǎn)保護(hù),所以就需要外闊程序存儲(chǔ)器。程序存儲(chǔ)器一般采用自讀存儲(chǔ)器,因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器在電源關(guān)斷后,仍能保存程序,在系統(tǒng)上電后,CPU可取出這些指令予以重新執(zhí)行。只讀存儲(chǔ)器簡(jiǎn)稱ROM。ROM中的信息一旦寫入之后,就不能隨意更改,特別是不能在程序運(yùn)行的過程中寫入新的內(nèi)容,故稱之為只讀存儲(chǔ)向ROM中寫入信息叫做ROM編程。根據(jù)編程的方式不同,ROM分為以下幾種:(1)掩膜ROM是在制造過程中編程。因編程是以掩膜工藝實(shí)現(xiàn)的,這種芯片存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,集成度高,但由于掩膜工藝由于成本較高,因此只適合于大批量生產(chǎn)。(2)可編程ROM(PROM)PROM芯片出廠是并沒有任何程序信息,是由用戶用獨(dú)立的編程器寫入的,但PROM只能寫入一次,寫入內(nèi)容后,就不能在進(jìn)行修改。EPROM是用電信號(hào)編程,用紫外線擦除的只讀存儲(chǔ)器芯片。在芯片外殼上的中間位置有一個(gè)圓形窗口,通過這個(gè)窗口照射紫外線射就可擦除原有的信息。這是一種用電信號(hào)編程,也用電信號(hào)擦除的ROM芯片,對(duì)E2存儲(chǔ)器幾乎沒有什么差別,只是寫入的速度慢一些,但斷電后能夠保存信息。此設(shè)計(jì)采用外擴(kuò)E2PROM的擴(kuò)展方式。E2PROM是電擦除可編程自讀存儲(chǔ)器,其突(1)維持方式(2)讀方式(3)寫方式頁(yè),每頁(yè)16個(gè)字節(jié)。頁(yè)的區(qū)分可由地址的高9位來確定,地址線的低4位用以選擇(4)數(shù)據(jù)查詢方式中使用74LS373。74LS373是一種帶有三態(tài)門的8D鎖存器,其引腳如圖所示347812569圖3.6.1鎖存器74LS373的引腳其引腳的功能如下:D7~D0:8位數(shù)據(jù)輸入線Q7~Q0:8位數(shù)據(jù)輸出線G:數(shù)據(jù)輸入鎖存選通信號(hào),高電平有效。當(dāng)該信號(hào)為高電平的時(shí)候,外部數(shù)據(jù)選通到內(nèi)部鎖存器,負(fù)跳變時(shí),數(shù)據(jù)鎖存到鎖存器中。OE:數(shù)據(jù)輸出允許信號(hào),低電平有效。當(dāng)該信號(hào)為低電平的時(shí)候,三態(tài)門打開,鎖存器中數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)輸出線。當(dāng)該信號(hào)為高電平的時(shí)候,輸出線為高阻態(tài)。74LS373的功能表見表GDQ0111010000×不變1××高阻態(tài)片機(jī)系統(tǒng)需要電源監(jiān)控電路,在掉電剛發(fā)生時(shí)能告知單片機(jī)。MAXIM公司推出的手動(dòng)9MAX813L的典型應(yīng)用電路工作溫度:叉體-40-80℃儀
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