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1+X集成電路開發(fā)與測試學(xué)習(xí)通超星期末考試章節(jié)答案2024年(1分)為了做好防靜電和防塵工作,車間內(nèi)()等都應(yīng)采用防靜電的不發(fā)塵材料。

答案:設(shè)備儀器;墻壁;天花板;地板;空調(diào)(1分)通常鉭、鈷、鎳等難熔金屬應(yīng)用于()。

答案:阻擋層輔助運(yùn)放測試法的注意事項(xiàng)如下:測量時(shí)被測運(yùn)放應(yīng)在指定條件(依據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊要求)下工作;如果待測器件的失調(diào)電壓可能超過幾mV,則輔助運(yùn)放的供電應(yīng)當(dāng)用±5V。()

答案:錯(cuò)ST板函數(shù):_turn_switch()函數(shù)原形:void_turn_switch(char*state,unsignedintn,...);函數(shù)功能:打開或關(guān)閉用戶繼電器;參數(shù)說明:*state--接點(diǎn)狀態(tài)標(biāo)志(“on”,“off”),on:接通,off:斷開n,…--繼電器編號(hào)序列(1,2,3,···32),序列以0結(jié)尾;應(yīng)用實(shí)例:_turn_switch(“on”,1,2,0);//閉合用戶繼電器1,2;()

答案:對()分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行,上料后主轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn),每轉(zhuǎn)動(dòng)一格,都會(huì)將產(chǎn)品送到各個(gè)工位,每個(gè)工位對應(yīng)不同的作用,包括上料位、光檢位、旋轉(zhuǎn)糾姿位、功能測試位等,從而實(shí)現(xiàn)芯片的測試與分選。

答案:轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)清除焊點(diǎn)周圍的碳化助焊劑時(shí)應(yīng)使用()。

答案:洗板水(1分)平移式分選機(jī)在芯片進(jìn)入測試環(huán)節(jié)時(shí),下列是不會(huì)在測試區(qū)遇到的故障有:()。

答案:吸嘴未吸起芯片;待測料盤無芯片探針卡是晶圓測試重要的材料,對測試結(jié)果起到重要作用。當(dāng)探針卡使用次數(shù)過多會(huì)影響扎針測試結(jié)果。過多使用探針卡的表現(xiàn)有()。

答案:探針針尖過短;探針針尖變粗;探針針尖斷裂使用重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片測試過程中,測試完成后,測試的結(jié)果會(huì)從測試機(jī)傳到分選機(jī)內(nèi),分選機(jī)依據(jù)測試結(jié)果控制分選梭將芯片放入相應(yīng)的位置。合格芯片由紅色透明料管進(jìn)行收料,而不合格芯片則由白色透明料管進(jìn)行收料。()

答案:錯(cuò)(1分)熱氧化工序結(jié)束后需進(jìn)行膜厚測量,機(jī)械手臂將測試圓片送入測試腔體后,若是產(chǎn)品片,設(shè)備自動(dòng)測試圓片。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)(1分)重力式分選機(jī)進(jìn)行并行測試時(shí)只能選擇2sites進(jìn)行測試。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)(1分)在扎針測試時(shí),核對信息一致后,可以直接進(jìn)行測試。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)(1分)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)上的測試工位的測試內(nèi)容是一樣的。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)(1分)扎針測試時(shí),整個(gè)晶圓都會(huì)被測試。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)根據(jù)產(chǎn)品參數(shù)特性,重力式分選機(jī)可分為并行測試和串行測試。并行測試一般是進(jìn)行單項(xiàng)測試,適用于DIP24/DIP27的芯片;串行測試一般是進(jìn)行多項(xiàng)測試,適用于普通DIP/SOP封裝等模塊電路。()

答案:錯(cuò)(1分)重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片串行測試時(shí),每個(gè)測試軌道各連接一塊不同測試程序的測試卡,不同的測試卡之間工作時(shí)互不干擾。對錯(cuò)

答案:對(1分)重力式分選機(jī)測試過程中,串行測試進(jìn)行的是單項(xiàng)測試。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)和待測芯片并行測試一樣,串行測試也是由測試夾具(金手指)夾持固定后再進(jìn)行測試,不同點(diǎn)在于串行測試區(qū)有A/B/C三個(gè)測試軌道,每個(gè)測試軌道各連接一塊測試卡,測試卡之間互不干擾,模塊電路依次進(jìn)行不同電特性參數(shù)的測試。()

答案:對(1分)扎針測試即WAT測試。對

答案:對/star3/origin/3d3bd0f5c9b9639735dc382c191cbd39.png

答案:TOTAL=6000,PASS=5820最大不失真輸出電壓測試,輸入信號(hào)步進(jìn)值(),但測試時(shí)間會(huì)隨輸入電壓步進(jìn)值()。

答案:越小越好、減小而增加()可以實(shí)現(xiàn)探針測試卡的探針和晶圓的每個(gè)晶粒上的測試模塊之間一一對應(yīng)。

答案:探針臺(tái)/star3/origin/21bce606a55264c86f657f4047fba320.jpg

答案:PASS=5920,FAIL=80(1分)平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片測試時(shí),()實(shí)現(xiàn)將測試區(qū)的芯片轉(zhuǎn)移至分選區(qū)。

答案:出料梭(1分)扎針測試的步驟是:()。

答案:輸入晶圓信息→清零→測試→檢查扎針情況(無異常)→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果(1分)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行芯片測試時(shí),進(jìn)入測試工位的前一道工序是()。

答案:旋轉(zhuǎn)糾姿(1分)平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片測試時(shí),()將“中轉(zhuǎn)站”的芯片轉(zhuǎn)移至測試區(qū)。

答案:入料梭/star3/origin/1d635cf53f69be0e358545c63a151bcd.png

答案:A測試軌道→分選梭1→B測試軌道→分選梭2→C測試軌道→分選梭3→D不合格軌道→分選梭4→不良品料管芯片測試的步驟為()。

答案:上料、測試、分選待測芯片的封裝形式?jīng)Q定了測試、分選和包裝的不同類型,而不同的性能指標(biāo)又需要對應(yīng)的測試方案進(jìn)行配套完成測試,測試完成后,經(jīng)()即可進(jìn)入市場。

答案:人工目檢、包裝(1分)扎針測試時(shí),在測試機(jī)界面輸入晶圓信息,在掃描晶圓測試隨件單的條形碼時(shí),不會(huì)出現(xiàn)的信息是()。

答案:晶圓片號(hào)/star3/origin/92086e42dec825308fd5fda8a292005e.png

答案:A測試軌道→分選梭1→B測試軌道→分選梭2→C測試軌道→分選梭3→D不合格軌道→分選梭4→不良品料管晶圓進(jìn)行扎針測試時(shí),測試機(jī)將測試結(jié)果通過()傳輸給探針臺(tái)。

答案:GPIB(1分)扎針測試時(shí),測試機(jī)將測試結(jié)果通過()傳輸給探針臺(tái)。

答案:GPIB(1分)IC封裝根據(jù)材料可分為塑料封裝、金屬封裝、陶瓷封裝、和玻璃封裝等,其中塑料封裝為常用的封裝形式。對錯(cuò)

答案:對(1分)()即方形扁平無引腳封裝,表面貼裝型封裝之一?,F(xiàn)在多稱為LCC。封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)。

答案:QFN(1分)引腳從封裝兩側(cè)引出,呈海鷗翼狀(L字形)的封裝形式是()封裝。

答案:SOP(1分)封裝按材料分一般可分為塑料封裝、()和陶瓷封裝等。

答案:金屬封裝封裝工藝中芯片粘接環(huán)節(jié)的“芯片”就是晶粒。()

答案:對(1分)四側(cè)引腳扁平封裝英文簡稱為“QFN”。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)封裝工藝中切筋的目的是要將整條引線框架上已經(jīng)封裝好的元件獨(dú)立分開,切筋后每個(gè)獨(dú)立封裝元件是一塊樹脂硬殼且其側(cè)面伸出許多外引腳。()

答案:對封裝工藝中,晶圓貼膜的主要目的有()。

答案:保證晶圓切割時(shí)不發(fā)生移動(dòng);粘附切割后的晶粒,防止其散落封裝工藝中,晶圓框架盒的作用是()。

答案:固定并保護(hù)晶圓,避免其隨意滑動(dòng)而發(fā)生碰撞;便于周轉(zhuǎn)搬運(yùn)塑料封裝的主要特點(diǎn)有()。

答案:工藝簡單;成本低廉、質(zhì)量輕;便于自動(dòng)化生產(chǎn)芯片進(jìn)行封裝的目的是()。

答案:防止?jié)駳獾韧獠咳肭?以機(jī)械方式支持導(dǎo)線架;將內(nèi)部產(chǎn)熱排除;提供可手持的形體封裝材料一般可分為()等封裝形式。

答案:金屬封裝;塑料封裝;玻璃封裝;陶瓷封裝(1分)SOP封裝的芯片一般采用()形式進(jìn)行包裝。

答案:編帶封裝工藝中,引線鍵合的前一道工序是()。

答案:芯片粘接(1分)()封裝的芯片可以進(jìn)行編帶包裝。

答案:SOP封裝工藝中,塑封一般采用()為塑封料。

答案:熱固性塑料窄間距小外形封裝的英文簡稱為()。

答案:SSOP(1分)DIP封裝一般采用()進(jìn)行包裝。

答案:料管封裝工藝中,晶圓劃片的作用是()。

答案:將完整的晶圓分割成單獨(dú)的晶粒下列芯片封裝形式錯(cuò)誤的是()。

答案:BGA直插式封裝/star3/origin/551d55bc65bf365e1bfa5dc8d8707d20.png

答案:圖2芯片封裝按材料一般分為塑料封裝、()和陶瓷封裝等。

答案:金屬封裝(1分)將烘烤完成的晶圓從烘箱中取出后,不需要核對晶圓印章批號(hào)和晶圓測試隨件單信息。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)(1分)進(jìn)行晶圓盒包裝時(shí),在最后一層tyvek紙上方需放入海綿、干燥劑、晶圓測試隨件單等輔材。對錯(cuò)

答案:對(1分)導(dǎo)片是在核對晶圓與晶圓測試隨件單上的信息一致后,將同一批次的晶圓按片號(hào)依次放入常溫花籃的過程。對錯(cuò)

答案:對(1分)在全自動(dòng)探針臺(tái)上進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí),需要根據(jù)晶圓測試隨件單在探針臺(tái)輸入界面輸入的信息有()。

答案:晶圓產(chǎn)品名稱;晶圓印章批號(hào);晶圓片號(hào);晶圓尺寸;X軸步距尺寸;Y軸步距尺寸(1分)以下選項(xiàng)中,屬于特殊晶圓測試的有:()。

答案:避光測試;加溫測試(1分)晶圓檢測工藝流程中,使用全自動(dòng)探針臺(tái)對晶圓測試時(shí),探針臺(tái)的常規(guī)設(shè)置參數(shù)不包括()。

答案:目鏡倍數(shù)(1分)在進(jìn)行晶圓盒包裝時(shí),放入晶圓測試隨件單后,蓋上包裝盒封蓋,()貼標(biāo)簽,包裝完成。

答案:在包裝盒封蓋上(1分)以下不屬于根據(jù)晶圓測試隨件單輸入晶圓信息時(shí)輸入的參數(shù)的是:()。

答案:Z軸步距尺寸/star3/origin/b4942baf40a3acbe7b8c24b27969d8b6.jpg

答案:AD36G1.1晶圓制造過程中,檢測刻蝕質(zhì)量的好壞,一般通過以下幾個(gè)方面體現(xiàn)出來:()。

答案:刻蝕均勻性;圖形保真度;刻蝕選擇比;刻蝕的潔凈度清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié),使用SC-1清洗液進(jìn)行清洗時(shí),可以去除的物質(zhì)是()。

答案:顆粒清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié),使用SC-2清洗液進(jìn)行清洗時(shí),可以去除的物質(zhì)是()。

答案:金屬清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié),使用DHF清洗液進(jìn)行清洗時(shí),可以去除的物質(zhì)是()。

答案:自然氧化物CadenceSE主要用于集成電路版圖自動(dòng)布局布線。()

答案:對標(biāo)準(zhǔn)單元版圖其主要是用于大規(guī)模數(shù)字集成電路版圖的自動(dòng)布局布線。()

答案:對/star3/origin/45405d7085b8943e21dc83439cafeb5c.jpg

答案:有源區(qū)多晶層/star3/origin/43482d7811b03e6ba8687fe0da0d525c.png

答案:圖4/star3/origin/99d36f50b5c0e1a3cd7a1d784cebaa21.png

答案:最小間距/star3/origin/eba27f2cd11bad6c6508abd703ba4cc6.jpg

答案:金屬2上方孔請同學(xué)們把運(yùn)行的界面加上你的學(xué)號(hào)和姓名貼圖上來。

答案:無基區(qū)主擴(kuò)散屬于有限表面源擴(kuò)散。()

答案:對以全自動(dòng)探針臺(tái)為例,在上片過程中,需注意花籃位置放置準(zhǔn)確,否則有可能導(dǎo)致晶圓探針錯(cuò)位、破片。()

答案:對134、(1分)熱封區(qū)域溫度過高,操作人員需注意安全,防止?fàn)C傷。

答案:對(1分)打標(biāo)時(shí)首先需要試片進(jìn)行確認(rèn),先完成一個(gè)框架條的打標(biāo),若刻寫位置無誤、刻寫線均勻、文字圖案都清晰無誤,打印沒有問題,即可開始批量生產(chǎn)。對錯(cuò)

答案:對67、(1分)點(diǎn)膠頭是通用的,不同的引線框架使用相同的點(diǎn)膠頭。

答案:錯(cuò)(1分)鋁的腐蝕液是磷酸腐蝕液。對錯(cuò)

答案:對在晶圓檢測工藝中,如果遇到需要高溫加熱的晶圓,需要根據(jù)晶圓測試隨件單上的加溫條件進(jìn)行加溫后再調(diào)整打點(diǎn)器墨點(diǎn)的位置。()

答案:對(1分)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光時(shí),拋光液呈酸性。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)防靜電點(diǎn)檢與門禁系統(tǒng)結(jié)合后可實(shí)現(xiàn)()功能。

答案:C、身份自動(dòng)識(shí)別;D、檢測人體帶有的靜電是否超出進(jìn)入車間的標(biāo)準(zhǔn)(1分)用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí),需要在上料前進(jìn)行的操作是:()。

答案:更換測試卡;更換測試程序;參數(shù)設(shè)置(1分)直徑大于8英寸的單晶硅錠可以用()方法制備出來。

答案:CZ法;直拉法(1分)將烘烤完的晶圓從高溫烘箱中取出后,需要核對的信息有:()。

答案:晶圓批號(hào);晶圓片號(hào);晶圓片數(shù)可作為引線鍵合材料的有()。

答案:銅線;鋁線;金線(1分)用晶圓鑷子夾取晶圓時(shí),晶圓鑷子的()應(yīng)置于晶圓正面,()應(yīng)置于晶圓背面,夾晶圓的空白部分,不可傷及晶圓。

答案:鋸狀頭、平頭;短邊、長邊(1分)在離子注入完成后,檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問題有()。

答案:在局部阻擋摻雜;對微小器件結(jié)構(gòu)造成溝型損傷;對器件結(jié)構(gòu)造成連接或短路(1分)離子注入過程中,常用的退火方法有()。

答案:快速熱退火;高溫退火(1分)進(jìn)入芯片封裝工藝過程中塑封之后的工序車間必須穿戴的是()和()。

答案:防靜電帽或發(fā)罩;防靜電服(1分)芯片處于裸露狀態(tài)的工藝車間,所穿戴的工作服的主要作用是()。

答案:防靜電;防塵測試風(fēng)淋設(shè)備可以對其兩側(cè)區(qū)域起到()與()的作用。

答案:D、隔離;B、緩沖(1分)進(jìn)入芯片裸露狀態(tài)的車間著裝因注意()。

答案:頭發(fā)要全部塞入帽子內(nèi);將個(gè)人物品(如鑰匙、手機(jī)、工具等)放入置物柜中;胸牌別在工作服左邊的插筆位置80、(1分)以下屬于載帶的特點(diǎn)的是:()。

答案:C、有用于索引定位的定位孔;B、有放置電子元器件的孔穴;A、等距分布(1分)制備電子級(jí)純度的多晶硅的方法主要有()、()、()。

答案:四氯化硅氫還原法;三氯氫硅氫還原法;硅烷熱分解法(1分)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由()和()組成。

答案:氣軌;振動(dòng)料斗108、(1分)料盤外觀檢查時(shí),需要檢查的內(nèi)容有:()。

答案:B、印章;A、管腳4、(1分)晶圓貼片環(huán)的主要作用是()。

答案:A、使切割后的晶圓保持原來的形狀/star3/origin/a360d5eb23fcd6f07005ce32cd3f464d.png

答案:編帶/star3/origin/e448d38c9c9b375372d7f59f430ac045.jpg

答案:圖4(1分)料盤進(jìn)行真空包裝時(shí),一般會(huì)在內(nèi)盒側(cè)面的空白處貼()個(gè)標(biāo)簽。

答案:12、(1分)既保證二氧化硅的厚度及效率,又改善表面完整性,解決光刻時(shí)的浮膠問題的氧化方式是()。

答案:D、干-濕-干氧化/star3/origin/c012f8a4a1d4e0d3be0463c98f0d8869.jpg

答案:圖228、(1分)晶圓檢測工藝中,在進(jìn)行烘烤之前,通常需要進(jìn)行的操作是()。

答案:B、打點(diǎn)/star3/origin/ea32a156fe15515a1aa67300f6252987.png

答案:A、圖1(1分)封裝工藝的車間一般采用下列選項(xiàng)中的()管理方法。

答案:5SLK32T102單片機(jī)工作頻率最高支持()。

答案:72MHz(1分)料盤外觀檢查前期,將料盤從中轉(zhuǎn)箱中取出后,將測試合格的料盤放在()。

答案:待檢品區(qū)(1分)進(jìn)行編帶包裝時(shí),一個(gè)內(nèi)盒中通常裝有()盤真空包裝完的編帶。

答案:2(1分)完善的精餾技術(shù)可將雜質(zhì)總量降低到()量級(jí)。

答案:10-7~10-10(1分)先進(jìn)的平坦化技術(shù)有()。

答案:化學(xué)機(jī)械拋光法/star3/origin/ff1dc1c1888f66ee31c84cd14929798f.png

答案:B、AD36G1.1(1分)平移式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行上料時(shí),()進(jìn)行芯片轉(zhuǎn)移。

答案:需要用料盤(1分)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行編帶的步驟是:()。

答案:芯片光檢→載帶移動(dòng)→熱封處理→編帶收料→清料(1分)用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí),通過()可以得到高純度的四氯化硅。

答案:精餾塔/star3/origin/10ef8300a3227214a463ec1ce6cf53fb.jpg

答案:圖1(1分)下面選項(xiàng)中不屬于鍍錫工序中酸洗的目的是()。

答案:消毒(1分)直拉單晶硅中放肩的工藝控制為()。

答案:采用大幅度地降低提拉速度,控制出一個(gè)均勻平滑的晶肩(1分)熱氧化生長過程中,以下對氧化速率對氧化速率影響最大的因素是()。

答案:溫度(1分)晶圓檢測工藝中,在進(jìn)行烘烤之后,通常需要進(jìn)行的操作是()。

答案:外檢/star3/origin/b0d7ef7c755b3e0bb997f66439fc40cf.png

答案:C、SOJ(1分)重力式分選機(jī)進(jìn)行自動(dòng)上料時(shí),進(jìn)入上料架,上料夾具準(zhǔn)備夾取的料管中的芯片位置()要求:()。

答案:有;芯片印章在上面15、(1分)以下不屬于根據(jù)晶圓測試隨件單輸入晶圓信息時(shí)輸入的參數(shù)的是:()。

答案:D、Z軸步距尺寸(1分)集成電路制造工藝車間的清潔要求中,進(jìn)行清潔需要使用()。

答案:清潔劑對于芯片檢測工藝的車間,操作人員在進(jìn)入前不需要()。

答案:C、風(fēng)淋(1分)可用于重力式分選機(jī)串行測試的芯片有()。

答案:模塊DIP2422、(1分)塑封料的預(yù)熱溫度為()。

答案:90-95℃3、(1分)貼膜機(jī)啟動(dòng)后首先需要設(shè)置溫度進(jìn)行加溫,其目的是()。

答案:D、增加藍(lán)膜粘性63、(1分)平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí),芯片在該區(qū)域的操作完成后會(huì)進(jìn)入()區(qū)域。

答案:D、分選(1分)在外觀檢查中發(fā)現(xiàn)料管破損,應(yīng)()。

答案:及時(shí)更換(1分)重力式分選機(jī)的測試環(huán)節(jié)是在()中進(jìn)行。

答案:測試軌道11、(1分)當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3μm時(shí),一般使用()。

答案:A、濕法刻蝕(1分)重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測的第三個(gè)環(huán)節(jié)是()。

答案:分選(1分)將上料槽最底端的待測料管推出,夾起料管,芯片根據(jù)自身重力沿送料軌下滑。上述所描述的是哪種分選機(jī)()。

答案:重力式分選機(jī)/star3/origin/716d0c320ff3aaddc724b95eccb6f7c5.png

答案:與非門/star3/origin/3bf2a8672be8c5cdeff402ee9c73db11.jpg

答案:1/star3/origin/d24d3baead8893f0ee103030248f7e7c.png

答案:分選/star3/origin/175816df904e56ed03cf0eb45bf60357.png

答案:圖4(1分)化學(xué)機(jī)械拋光中,拋光液的作用是()。

答案:與硅片表面材料反應(yīng),變成可溶物質(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^高的物質(zhì)軟化(1分)引線鍵合機(jī)內(nèi)完成鍵合的框架送至出料口的引線框架盒內(nèi),引線框架盒每接收完一個(gè)引線框架會(huì)()。

答案:自動(dòng)下移一定位置(1分)銅電鍍之前,需要沿著側(cè)壁和底部,淀積一層連續(xù)的薄種子層,若種子層不連續(xù)可能導(dǎo)致電鍍的銅產(chǎn)生。

答案:空洞/star3/origin/ee533a9e44c60ab7ce36b21b0d060d44.jpg

答案:分選區(qū)8、(1分)晶圓切割進(jìn)行“對刀”操作時(shí),應(yīng)該將主軸移到晶圓的()位置。

答案:B、中心(1分)塑封工序需要的設(shè)備有()。

答案:排片機(jī)(1分)編帶完成外觀檢查后,需要進(jìn)入()環(huán)節(jié)。

答案:真空包裝(1分)通常情況下,以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測試。

答案:DIP(1分)6inch晶圓烘烤時(shí),溫度一般設(shè)置在()℃。

答案:12012、(1分)以全自動(dòng)探針臺(tái)為例,(),承重臺(tái)上的位置指示燈開始亮起。

答案:B、花籃的卡槽與承重臺(tái)的上片槽密貼時(shí)(1分)以下哪種情況,探針針尖無法進(jìn)行修復(fù)?()

答案:探針針尖被磨平/star3/origin/ebed280b8b17e1fbef7095ed05801b3d.png

答案:D、8英寸(1分)下列哪些工藝需要進(jìn)行貼膜操作?()

答案:晶圓減薄(1分)DIP/SOP管裝芯片采用()的方式進(jìn)行檢查。

答案:抽取零頭盒+整數(shù)盒中隨機(jī)抽一盒(1分)清潔車間內(nèi)的墻面時(shí)要求使用()進(jìn)行清潔。

答案:無塵布單晶爐加熱過程中爐體冷卻水中斷或流量不足,提示水流量低報(bào)警,該故障是()。

答案:斷水(1分)晶圓檢測工藝中,在進(jìn)行打點(diǎn)之后,通常需要進(jìn)行的操作是()。

答案:烘烤54、(1分)平移式分選機(jī)設(shè)備沒有()區(qū)。

答案:D、編帶(1分)平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí),當(dāng)分選區(qū)的料盤放滿進(jìn)行收料時(shí),需要將該料盤放在收料架上的()。

答案:最底層(1分)下列不屬于晶圓劃片的注意事項(xiàng)的是()。

答案:運(yùn)行過程中要充入氮?dú)?防止氧化/star3/origin/59ff18aca0977c815019cc52ad0767ab.png

答案:上片30、(1分)使用重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí),上料完成后,設(shè)備進(jìn)行的操作是()。

答案:B、分選(1分)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測前光檢時(shí),會(huì)在光檢顯示區(qū)顯示光檢結(jié)果,其中進(jìn)行方向判斷時(shí),會(huì)在界面上顯示的角度360度。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)70、(1分)影響氧化速率的因素主要有氧化方式、氧化溫度、硅片晶向、氧化劑壓力、摻雜水平等,其中,濕氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率。

答案:錯(cuò)(1分)完成規(guī)范的著裝后,不可以直接進(jìn)入車間。對錯(cuò)

答案:對熱擴(kuò)散摻雜的工藝可以一步實(shí)現(xiàn)。()

答案:錯(cuò)溫度對氧化速率常數(shù)A、B都有影響,壓強(qiáng)只影響氧化速率常數(shù)B。()

答案:對根據(jù)光刻膠如何響應(yīng)紫外光的方式,可以將光刻膠分為正性膠和負(fù)性膠。()

答案:對蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源,其中直接加熱源的加熱體和待蒸發(fā)材料的載體為同一物體;而間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中進(jìn)行間接加熱。()

答案:對82、(1分)真空包裝機(jī)是將抽嘴放入防靜電鋁箔袋內(nèi),抽空空氣后,退出抽嘴,完成封口。封口采用氣壓式,僅2-10秒即可完成。

答案:對(1分)球鍵合一般采用75μm以下的細(xì)金屬絲,并且用于焊盤間距大于100μm的情況下。對錯(cuò)

答案:對電阻器的主要技術(shù)指標(biāo)有額定功率、標(biāo)稱阻值、允許偏差(精度等級(jí))、溫度系數(shù)、非線性度、噪聲系數(shù)等項(xiàng)。()

答案:對68、(1分)裝片機(jī)進(jìn)行芯片拾取時(shí),晶圓以及載片臺(tái)保持不動(dòng),機(jī)械吸嘴與攝像頭按照設(shè)定的步進(jìn)與吸取順序移動(dòng),每次移動(dòng)一個(gè)晶粒的距離。

答案:錯(cuò)58、(1分)間隙原子是線缺陷。

答案:錯(cuò)123、(1分)料管與編帶的防靜電鋁箔袋是一樣的。

答案:錯(cuò)(1分)需要加溫的晶圓是在扎針調(diào)試完后,再對晶圓進(jìn)行加溫。對錯(cuò)

答案:錯(cuò)編帶外觀檢查結(jié)束后,打印的標(biāo)簽需要貼在()上。

答案:編帶盤;防靜電鋁箔袋;內(nèi)盒(1分)塑封工藝中,需要進(jìn)行預(yù)熱的是()。

答案:塑封料;待塑封芯片輔助運(yùn)放測試法的注意事項(xiàng)包括以下哪些()。

答案:電阻為的平衡電阻(減少輸入電流對測量的影響),所以和需精密配對;測量時(shí)被測運(yùn)放應(yīng)在指定條件(依據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊要求)下工作;與的精度決定測試精度(1分)編帶由()和()組成。

答案:蓋帶;載帶42、(1分)在烘干箱中進(jìn)行銀漿固化時(shí),需要注意以下事項(xiàng)()、()以及()。

答案:A、烘干箱需檢查氣密性是否良好;D、烘烤過程中需要及時(shí)排出揮發(fā)物;B、在烘烤過程中需要充入氮?dú)?1分)扎針測試時(shí)檢查到扎針有異常情況,則接下來的步驟有:()。

答案:扎針調(diào)試;記錄測試結(jié)果(1分)影響顯影工藝的因素有()。

答案:顯影液濃度;曝光度;顯影方法;工序的溫度和時(shí)間(1分)平移式分選機(jī)芯片檢測結(jié)束后會(huì)進(jìn)行清料,清料結(jié)束后,會(huì)在中轉(zhuǎn)箱中放()等材料。

答案:芯片測試隨件單;料盤(1分)切片是拋光片制備中一道重要的工序,因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅片的四個(gè)重要參數(shù),即晶向、()、()、()。

答案:平行度;翹度;厚度/star3/origin/7d598bf2ee12b6817bf0b9abd6be2bff.png

答案:C、放肩晶圓檢測工藝在()無塵車間內(nèi)進(jìn)行。

答案:C、十萬級(jí)薄膜淀積完成后,需要進(jìn)行質(zhì)量評估。其中()是檢測薄膜質(zhì)量、組分及純度的有效參數(shù),可以用橢偏儀測量。

答案:折射率/star3/origin/02c284374729c5fead8c3a8a7a2ab96c.png

答案:測試(1分)裝片機(jī)運(yùn)行過程中,當(dāng)視覺識(shí)別系統(tǒng)沒有識(shí)別到芯片時(shí),則()。

答案:進(jìn)行換行識(shí)別或停止粘片(1分)既有物理反應(yīng)又有化學(xué)反應(yīng)的刻蝕方法是()。

答案:反應(yīng)離子刻蝕25、(1分)在進(jìn)行打點(diǎn)調(diào)試時(shí),需要在晶圓的()進(jìn)行打點(diǎn)調(diào)試,直至墨點(diǎn)合格。

答案:A、沿邊直接剔除區(qū)域(1分)利用高能粒子撞擊具有高純度靶材料表面,撞擊出的原子最后淀積在硅片上的物理過程是()。

答案:濺射(1分)在進(jìn)行打點(diǎn)調(diào)試時(shí),需要在晶圓的()進(jìn)行打點(diǎn)調(diào)試,直至墨點(diǎn)合格。

答案:沿邊直接剔除區(qū)域(1分)高溫回流一般用于()。

答案:金屬前介質(zhì)(1分)()是連接測試系統(tǒng)和晶圓的紐帶。

答案:探針測試卡/star3/origin/217926a54ff48c0e52566185eb19f93a.jpg

答案:引線鍵合/star3/origin/975e2955badbac5585e5e49f0746a11c.jpg

答案:粘接區(qū)/star3/origin/1e427b4d013191d06e92802bf70f41a2.jpg

答案:圖226、(1分)在一片晶圓上進(jìn)行打點(diǎn)的位置有()。

答案:C、沿邊直接剔除區(qū)域和測試不合格區(qū)域/star3/origin/5f8a4eb71fbd92877cd3a93e05495604.png

答案:QFP/star3/origin/fe8c4e4a32f27d64375ba35c5a1497f9.png

答案:圖227、(1分)以下步驟順序中,正確的電鍍流程為()。

答案:A、裝料→前期清洗→電鍍槽電鍍→后期清洗→高溫退火(1分)真空包裝時(shí),需要在包裝盒外套上()。

答案:防靜電鋁箔袋12、(1分)以下芯片粘接步驟順序正確的是()。

答案:D、放置引線框架和晶圓→參數(shù)設(shè)置→框架上料→點(diǎn)銀漿→芯片拾取→框架收料→銀漿固化(1分)若需要點(diǎn)出直徑為2mm左右的膠點(diǎn),則應(yīng)選擇內(nèi)徑為()的圓孔型點(diǎn)膠頭。

答案:1.0mm/star3/origin/fff0e44b12e5a06e0718795549f61229.png

答案:人工加紅色空料管(1分)料盤外觀全部檢查完后,對合格的料盤需要進(jìn)行臨時(shí)捆扎,臨時(shí)捆扎時(shí)將()盒料盤(不含空料盤)捆扎在一起。

答案:10(1分)扎針測試時(shí),完成晶圓信息的輸入后,需要核對()上的信息,確保三者的信息一致。

答案:MAP圖、測試機(jī)操作界面、晶圓測試隨件單(1分)請選擇光刻工序的正確操作步驟()。

答案:預(yù)處理→涂膠→軟烘→對準(zhǔn)和曝光→曝光后烘焙→顯影→堅(jiān)膜烘焙→顯影檢查(1分)編帶包裝時(shí),將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后,需要在內(nèi)盒的封口邊()處貼上“合格”標(biāo)簽。

答案:中央(1分)平移式分選機(jī)進(jìn)行料盤上料時(shí),在上料架旁的紅色指示燈亮的含義是()。

答案:上料架上有料

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