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無(wú)機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)Ⅱ?qū)W習(xí)通超星期末考試章節(jié)答案2024年計(jì)算CdI2晶體中的I-及CaTiO3的O2-電價(jià)是否飽和?(所謂飽和,即通過(guò)計(jì)算所得到陰離子所帶電荷數(shù)正好等于其所在分子式中的化學(xué)價(jià)態(tài)。)
答案:Cdl2晶體中Cd2+的配位數(shù)CN=6,每個(gè)Cd2+處在6個(gè)I-組成的八面體中心,每個(gè)I-與三個(gè)在同一邊的Cd2+相連,且I-的配位數(shù)CN=3。所以,即I-電價(jià)飽和。CaTiO3晶體中,Ca2+的配位數(shù)CN=12,Ti4+的配位數(shù)CN=6,O2-的配位數(shù)CN=6,結(jié)構(gòu)中Ca2+和O2-一起構(gòu)成面心立方最緊密堆積,Ca2+位于頂角,O2-位于面心,Ti4+位于體心,處于的配位多面體是[OCa4Ti2]。所以,即O2-電價(jià)飽和。名詞解釋?zhuān)焊惪藸柸毕菪ぬ鼗毕轃崛毕轁舛?/p>
答案:1、弗倫克爾缺陷指能量足夠大的質(zhì)點(diǎn)離開(kāi)正常格點(diǎn)后擠入晶格間隙位置,形成間隙質(zhì)點(diǎn),而原來(lái)位置上形成空位,其特點(diǎn)是空位和間隙質(zhì)點(diǎn)成對(duì)出現(xiàn),晶體的體積不發(fā)生改變。2、肖特基缺陷正常格點(diǎn)上的質(zhì)點(diǎn)獲得能量后離開(kāi)平衡位置遷移到新表面位置,在晶體表面形成新的一層,同時(shí)在晶體內(nèi)部正常格點(diǎn)上留下空位。3、熱缺陷濃度設(shè)構(gòu)成完整晶體的總節(jié)點(diǎn)數(shù)為N,在TK溫度時(shí)形成n個(gè)孤立熱缺陷,則用n/N表示熱缺陷在總節(jié)點(diǎn)中所占分?jǐn)?shù),即熱缺陷濃度。4、熱缺陷熱缺陷又稱(chēng)為本征缺陷,是指晶體溫度高于絕對(duì)0K時(shí),由于熱起伏使一部分能量較大的質(zhì)點(diǎn)(原子或離子)離開(kāi)平衡位置所產(chǎn)生的空位和/或間隙質(zhì)點(diǎn)。CeO2為螢石結(jié)構(gòu),其中加入15%(摩爾分?jǐn)?shù))CaO形成固溶體,測(cè)得固溶體密度d=7.01g/cm3,晶胞參數(shù)α=0.5417nm,試通過(guò)具體的計(jì)算判斷生成的是哪一種類(lèi)型固溶體。已知原子Ce:140.12,Ca:40.08,O:16.00。
答案:計(jì)算得到6.989g/cm3接近7.01g/cm3,形成間隙固溶體,存在間隙Ca2+離子。MgO的密度是3.58g/cm3,其晶胞參數(shù)是0.42nm,計(jì)算單位晶胞中MgO的肖特基缺陷數(shù)。已知原子量:Mg;24.31;
O是16.00.
答案:7177個(gè)空位。影響置換型固溶體形成的因素有哪些?各因素是怎么影響的?
答案:影響形成置換型固溶體主要因素:(1)晶體結(jié)構(gòu)因素?;|(zhì)晶體與外來(lái)組分結(jié)構(gòu)類(lèi)型相同,是形成完全互溶固溶體的必要條件。對(duì)部分互溶固溶體,若基質(zhì)晶體與外來(lái)組分的結(jié)構(gòu)相同,則溶解度通常較大。(2)尺寸因素。(r1-r2)/r1<15%,才有可能形成溶解度較大甚至完全互溶固溶體;(r1-r2)/r1=15%~40%,則形成部分互溶固溶體;(r1-r2)/r1>40%,則不能形成固溶體。(3)電價(jià)因素。只有等價(jià)離子置換才有可能形成完全互溶的固溶體,不等價(jià)離子置換僅可能形成部分互溶固溶體。(4)電負(fù)性因素。電負(fù)性差值小,有利于形成固溶體;電負(fù)性差值大,傾向于形成化合物。除上述因素,還有場(chǎng)強(qiáng)、能量效應(yīng)、化學(xué)親和力大小、溫度和壓力等影響因素。試述石英晶體、石英熔體、Na2O·2SiO2熔體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)上的區(qū)別。
答案:結(jié)構(gòu)上,石英晶體中硅氧四面體按共頂方式,嚴(yán)格規(guī)則排列,遠(yuǎn)程有序;石英熔體處于固態(tài)和氣態(tài)之間的狀態(tài),基本結(jié)構(gòu)單元[SiO4]呈架狀結(jié)構(gòu),遠(yuǎn)程無(wú)序;Na2O·2SiO2熔體基本結(jié)構(gòu)單元為[Si6O18]12-,呈六節(jié)環(huán)或八節(jié)環(huán),遠(yuǎn)程無(wú)序。性質(zhì)上,石英晶體是固體,無(wú)流動(dòng)性,熔點(diǎn)高,硬度大,導(dǎo)電性差,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,化學(xué)穩(wěn)定性好;石英熔體具有流動(dòng)性,粘度大,電導(dǎo)率大,表面張力大;Na2O·2SiO2有流動(dòng)性,粘度小于石英熔體,電導(dǎo)率大,表面張力大。自由度
答案:在一定范圍內(nèi),可以任意改變而不引起舊相消失或新相產(chǎn)生的獨(dú)立變量稱(chēng)為自由度。確定下列已達(dá)化學(xué)平衡體系的獨(dú)立組元數(shù)、相數(shù)和自由度數(shù)。(1)加熱到2273.15K的水蒸氣,氣相中還有H2、O2、OH、O與H;(2)HgO(s)、Hg(s)和O2(g);(3)Fe(s)、FeO(s)、CO(g)和CO2(g)。
答案:(1)水蒸氣加熱到2273.15K,氣相中建立的平衡關(guān)系為:H2O(g)=H2(g)+O2(g)體系中能獨(dú)立存在的物種為H2O(g)、H2(g)和O2(g),存在濃度關(guān)系滿(mǎn)足P(H2)=2P(O2)條件,所以體系的獨(dú)立組元數(shù)C=1,相數(shù)P=1,自由度數(shù)F=2,如果溫度恒定則自由度數(shù)F=1。(2)在HgO(s)、Hg(s)和O2(g)的體系中存在下列平衡關(guān)系:HgO(s)=Hg(g)+1/2O2(g)氣相中濃度關(guān)系滿(mǎn)P(Hg)=2P(O2)條件。因此體系的獨(dú)立組元數(shù)C=1,相數(shù)P=2,自由度數(shù)F=1。(3)在Fe(s)、FeO(s)、CO(g)和CO2(g)體系中存在下列反應(yīng):FeO(s)+CO(g)=Fe(s)+CO2(g)因此獨(dú)立組元數(shù)C=3,相數(shù)P=3,自由度數(shù)F=2。已知固體硫有兩種晶型,即單斜硫、斜方硫,因此,硫系統(tǒng)可能有四個(gè)相,如果某人實(shí)驗(yàn)得到這四個(gè)相平衡共存,試判斷這個(gè)實(shí)驗(yàn)有無(wú)問(wèn)題?
答案:有問(wèn)題,根據(jù)吉布斯相律知,F(xiàn)=C-P+n=1-P+2,則當(dāng)F=0時(shí)Р取最大P=3,則硫系統(tǒng)最多只能是三相平衡共存。什么是吉布斯相律?
答案:吉布斯相律即在相平衡系統(tǒng)中,系統(tǒng)的自由度數(shù)F組元數(shù)C相數(shù)Р和對(duì)系統(tǒng)的平衡狀態(tài)能夠發(fā)生影響因素?cái)?shù)n之間的關(guān)系為:F=C-P+n。名詞解釋?zhuān)?)一致熔融化合物2)不一致熔融化合物
答案:1)一致熔融化合物是一種穩(wěn)定的化合物,與正常的純物質(zhì)一樣具有固定的熔點(diǎn),加熱這樣的化合物到熔點(diǎn)時(shí),即熔化為液態(tài),所產(chǎn)生的液相與化合物的晶相組成相同。2)不一致熔融化合物是一種不穩(wěn)定的化合物,加熱這種化合物到某一溫度便發(fā)生分解,分解產(chǎn)物是一種液相和另一種晶相﹐二者組成與原來(lái)化合物組成完全不同。/star3/origin/cca26d9d35cc8332a42d2a3bd89a653e.png
答案:(1)六方鈣長(zhǎng)石熔點(diǎn)約1280°C(B點(diǎn)),正鈣長(zhǎng)石熔點(diǎn)約1170°C(C點(diǎn)),三斜鈣長(zhǎng)石的熔點(diǎn)約為1550C(A點(diǎn))。(2)三斜與六方晶型的轉(zhuǎn)變是可逆的。因?yàn)榱骄图訜岬睫D(zhuǎn)變溫度會(huì)轉(zhuǎn)變成三斜晶型,而高溫穩(wěn)定的三斜晶型冷卻到轉(zhuǎn)變溫度又會(huì)轉(zhuǎn)變成六方晶型,兩者的多晶轉(zhuǎn)變溫度約為300°C低于兩種晶型的熔點(diǎn)。(3)正交晶型是介穩(wěn)態(tài)。因?yàn)檎痪团c相應(yīng)條件下六方和三斜晶型相比有較大的蒸氣壓,即能量較高,處于介穩(wěn)態(tài)。假定碳在α-Fe(體心立方)和γ-Fe(面心立方)中的擴(kuò)散系數(shù)分別為:Dα=0.0079exp(-83600/RT)cm2/s;Dγ=0.21exp(-141284/RT)cm2/s,計(jì)算800℃時(shí)各自的擴(kuò)散系數(shù),并解釋其差別。
答案:【解】將T=1073K代入題中兩式分別得Dα1073=6.7×10-7cm2/sDγ1073=2.7×10-8cm2/s。原因:擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)對(duì)擴(kuò)散有很大影響。α-Fe為體心立方,而γ-Fe為面心立方,體心立方較面心立方疏松。結(jié)構(gòu)疏松,擴(kuò)散阻力小而擴(kuò)散系數(shù)大。實(shí)驗(yàn)測(cè)得不同溫度下碳在鈦中的擴(kuò)散系數(shù)分別為2×10-9cm2/s(736°C)、5×10-9cm2/s(782°C)、1.3×10-8cm2/s(838°C)。(1)判斷該實(shí)驗(yàn)結(jié)果是否合理;(2)計(jì)算擴(kuò)散活化能,并求出在500°C時(shí)碳的擴(kuò)散系數(shù)。
答案:【解】(1)D1=2×10-9
cm2/s
(T1=1009K)D2=5×10-9
cm2/s
(T2=1055K)D3=1.3×10-8
cm2/s
(T3=1111K)將D1、D2和T1、T2代入公式D=D0exp(-Q/RT)可求得Q1=176290J/mol;同理將D2、D3和T2、T3代入公式D=D0exp(-Q/RT)可求得Q2=166274J/mol。Q1≈Q2,可以認(rèn)為該實(shí)驗(yàn)符合公式;(2)
由上步可知Q=2342787J/mol;將T=773K代入公式D=D0exp(-Q/RT)可求得D733=1.87×1010-46
cm2/s。Zn2+在ZnS中擴(kuò)散時(shí),563℃時(shí)的擴(kuò)散系數(shù)為3×10-4cm2/s;450°C時(shí)的擴(kuò)散系數(shù)為1.0×10-4cm2/s,求:(1)擴(kuò)散活化能和D0;(2)750℃時(shí)的擴(kuò)散系數(shù);(3)根據(jù)你對(duì)結(jié)構(gòu)的了解,請(qǐng)從運(yùn)動(dòng)的觀點(diǎn)和缺陷的產(chǎn)生來(lái)推斷活化能的含義。
答案:【解】(1)由D=D0exp(-Q/RT),得:Q=48856J/mol,D0=0.339cm2/s(2)把T=(750+273)=1023K代入D=D0exp(-Q/RT)得D1023k=1.085×10-3cm2/s(3)活化能的含義:擴(kuò)散粒子從一個(gè)位置移動(dòng)到另一個(gè)位置需要克服的能壘。解釋并區(qū)分下列概念:(1)穩(wěn)定擴(kuò)散與不穩(wěn)定擴(kuò)散;(2)本征擴(kuò)散與非本征擴(kuò)散;(3)自擴(kuò)散與互擴(kuò)散;(4)擴(kuò)散系數(shù)與擴(kuò)散通量。
答案:(1)穩(wěn)定擴(kuò)散∶是指擴(kuò)散物質(zhì)的濃度分布不隨時(shí)間變化的擴(kuò)散過(guò)程,使用菲克第一定律可解決穩(wěn)定擴(kuò)散問(wèn)題。不穩(wěn)定擴(kuò)散:是指擴(kuò)散物質(zhì)濃度分布隨時(shí)間變化的一類(lèi)擴(kuò)散,這類(lèi)問(wèn)題的解決應(yīng)借助于菲克第二定律。(2)本征擴(kuò)散:不含有任何雜質(zhì)的物質(zhì)中由于熱起伏引起的擴(kuò)散。非本征擴(kuò)散:由于雜質(zhì)引入引起的擴(kuò)散。(3)自擴(kuò)散:一種原子或離子通過(guò)由該種原子或離子所構(gòu)成的晶體中的擴(kuò)散。互擴(kuò)散:兩種或兩種以上的原子或離子同時(shí)參與的擴(kuò)散。(4))擴(kuò)散系數(shù):當(dāng)濃度為一個(gè)單位時(shí),單位時(shí)間內(nèi),垂直通過(guò)擴(kuò)散方向x的物質(zhì)流量。擴(kuò)散通量:?jiǎn)挝粫r(shí)間垂直通過(guò)擴(kuò)散方向x的單位面積的物質(zhì)的流量。下列有關(guān)質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散的說(shuō)法,正確的是()。
答案:固溶體中,溶劑原子和溶質(zhì)原子都會(huì)發(fā)生擴(kuò)散下列元素中在γ-Fe中的擴(kuò)散系數(shù)活化能最小的是()。
答案:С對(duì)于A、B兩種原子形成的固溶體,下列說(shuō)法正確的是()。
答案:形成置換型固溶體時(shí),A、B兩種原子都會(huì)發(fā)生擴(kuò)散一般來(lái)說(shuō),下列幾種擴(kuò)散方式中,擴(kuò)散速率最快的是()。
答案:表面擴(kuò)散下列點(diǎn)陣不屬于布拉維點(diǎn)陣的是()。
答案:密排六方密排六方和面心立方均屬密排結(jié)構(gòu),它們的不同點(diǎn)是()。
答案:原子密排面的堆垛方式不同構(gòu)成層狀硅酸鹽[Si4O10]4-片中的Si4+通常被一定數(shù)目的Al3+所取代,為滿(mǎn)足鮑林第二規(guī)則(靜電價(jià)規(guī)則),在層結(jié)構(gòu)中結(jié)合有OH-和各種二價(jià)或三價(jià)金屬離子,這種以Al3+取代Si4+的現(xiàn)象稱(chēng)()。
答案:同晶置換同一種物質(zhì)在面心立方結(jié)構(gòu)晶體中的擴(kuò)散系數(shù)()在體心立方結(jié)構(gòu)晶體中的擴(kuò)散系數(shù)。
答案:小于同一種物質(zhì)在晶體中的擴(kuò)散系數(shù)()在玻璃中的擴(kuò)散系數(shù)。
答案:小于氣體通過(guò)玻璃的滲透率隨玻璃中以下物質(zhì)含量的增加而增加()。
答案:網(wǎng)絡(luò)形成離子ZrO2晶體結(jié)構(gòu)中,O2-作簡(jiǎn)單立方堆積,Zr4+填充()。
答案:1/2立方體空隙在離子型材料中,影響擴(kuò)散的缺陷來(lái)自?xún)煞矫?(1)熱缺陷(肖特基缺陷和弗侖克爾缺陷);(2)摻雜點(diǎn)缺陷(組成缺陷)。由摻雜點(diǎn)缺陷引起的擴(kuò)散稱(chēng)為()。
答案:非本征擴(kuò)散氣體通過(guò)玻璃的滲透率隨玻璃中以下物質(zhì)含量的增加而增大()。
答案:網(wǎng)絡(luò)形成離子當(dāng)溫度不變時(shí),硅酸鹽熔體中的聚合物種類(lèi)、數(shù)量與熔體組成(O/Si比)有關(guān)。O/Si比值增大,表示堿性化合物含量增加,這時(shí)熔體中的()。
答案:高聚體數(shù)量減少?gòu)逆I型考慮,形成玻璃的理想鍵型為()
答案:極性共價(jià)鍵熔體轉(zhuǎn)變成玻璃體的過(guò)程中,Tf為玻璃的軟化溫度,對(duì)應(yīng)黏度為()Pa·s。
答案:108熔體中加入具有表面活性的組分,如B2O3、PbO、K2O等,則這些組分將富集于表面層,從而()表面張力。
答案:降低在硅酸鹽熔體中,當(dāng)O/S比值增高時(shí),相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)的變化:(1)熔體中破性氧化物含量()(2)非橋氧百分?jǐn)?shù)(
A
)(3)低聚物數(shù)量(
A
)(4)熔體黏度(
C
)(5)熔體析晶傾向(
A
)
答案:升高硅酸鹽晶體與玻璃體的不同之處在于()。
答案:存在于晶體各個(gè)組成不同的構(gòu)造單元(絡(luò)陰離子團(tuán))有規(guī)律地周期性重復(fù)排列,而玻璃體中的各種構(gòu)造單元的排列是近程有序,遠(yuǎn)程無(wú)序結(jié)構(gòu)作用介于玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體和網(wǎng)絡(luò)改變體之間的氧化物(網(wǎng)絡(luò)中間體),其單鍵強(qiáng)度力()。
答案:250~335kJ/mol不能單獨(dú)形成玻璃,但能改變網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),處于網(wǎng)絡(luò)外的氧化物(即網(wǎng)絡(luò)改變體或網(wǎng)絡(luò)修飾體),其單元鍵強(qiáng)度為()。
答案:<250kJ/mol能單獨(dú)形成玻璃的氧化物(網(wǎng)絡(luò)形成體)其單鍵強(qiáng)度為()。
答案:>335kJ/mol在簡(jiǎn)單堿金屬硅酸鹽熔體R2O-SiO2中,正離子R+的含量對(duì)熔體的黏度頗具影響。當(dāng)R2O含量較高,即O/S比值較大時(shí),降低黏度的次序?yàn)?K+>Na+>Li+,這是因?yàn)?)。
答案:[SiO4]連接方式已接近島狀,四面體基本靠R-O鍵相連,R+半徑越大,R-O鍵力越弱當(dāng)熔體與組成不變時(shí),硅酸鹽熔體中各級(jí)聚合體的數(shù)量與溫度的關(guān)系是:溫度升高,()。
答案:高聚體的數(shù)量減少硅酸鹽熔體中同時(shí)存在許多聚合程度不等的負(fù)離子團(tuán),其種類(lèi)、大小和復(fù)雜程度隨熔體的組成和溫度而變。當(dāng)溫度不變時(shí),熔體中堿性氧化物含量增加,O/Si比值增大,這時(shí)熔體中()。
答案:低聚體數(shù)量增多非化學(xué)計(jì)量化合物Cdl+xO,由于在化學(xué)組成上偏離化學(xué)計(jì)量而產(chǎn)生的晶格缺陷是()。
答案:間隙正離子在Al2O3中摻入0.5%(摩爾分?jǐn)?shù))NiO和0.02%(卓爾分?jǐn)?shù))Cr2O3所制成的金黃色人造黃玉,經(jīng)分析認(rèn)為是形成了置換型固溶體,于是此人造黃玉的化學(xué)式可寫(xiě)成()。
答案:Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975體心立方(bcc)結(jié)構(gòu)的Fe中只能溶入微量C,而面心立方(fcc)結(jié)構(gòu)的Fe中的溶解度則大得多,這是因?yàn)?)。
答案:fcc間隙尺寸比較大關(guān)于晶體中間隙原子的說(shuō)法,正確的是()。
答案:間隙原子形成能較空位形成能大非化學(xué)計(jì)量化合物產(chǎn)生與缺陷濃度與下列何種因素?zé)o關(guān)()。
答案:雜質(zhì)組成固溶體的兩組完全互溶的必要條件是()。
答案:兩組元的晶體結(jié)構(gòu)相同半導(dǎo)體Fe1-xO晶體的導(dǎo)電機(jī)理是()。
答案:空穴導(dǎo)電在Fe1-xO晶體中,隨氧分壓增大,晶體的電導(dǎo)率()。
答案:升高根據(jù)硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),下面四種說(shuō)法中哪種不正確()。
答案:結(jié)構(gòu)中Si4+和A13+可以相互取代在n個(gè)球構(gòu)成的六方或面心立方最緊密堆積中,存在四面體空隙數(shù)為()。
答案:2n個(gè)在n個(gè)球構(gòu)成的六方或面心立方最緊密堆積中,存在八面體空隙數(shù)為()。
答案:n個(gè)氯化鈉(NaCl)晶體結(jié)構(gòu)中,Cl-作面心立方最緊密堆積,Na+填充()。
答案:全部八面體空隙MgO晶體結(jié)構(gòu)中,O2-作面心立方最緊密堆積,Mg2+填充()。
答案:全部八面體空隙閃鋅礦(立方ZnS)晶體結(jié)構(gòu)中,S2-作面心立方最緊密堆積,Zn2+填充()。
答案:1/2四面體空隙纖鋅礦(六方ZnS)晶體結(jié)構(gòu)中,S2-作六方最緊密堆積,Zn2+填充()。
答案:1/2四面體空隙螢石(CaF2)晶體結(jié)構(gòu)中,Ca2+作面心立方最緊密堆積,F(xiàn)-填充()。
答案:全部四面體空隙對(duì)于結(jié)構(gòu)類(lèi)型相同的離子晶體,其晶格能越
,則其熔體的表面張力越大;其單位晶胞邊長(zhǎng)越
,熔體的表面張力越大。
答案:大;小足以表示形成平衡系統(tǒng)中各相組成所需要的最少數(shù)目的物質(zhì)稱(chēng)為
。
答案:獨(dú)立組元固相反應(yīng)過(guò)程主要包括
和
兩個(gè)步驟。
答案:界面上的化學(xué)反應(yīng);產(chǎn)物內(nèi)部物質(zhì)傳遞和
是生成玻璃的重要標(biāo)志,
是形成玻璃的重要條件。
答案:黏度;熔點(diǎn);冷卻速率是區(qū)分玻璃與其他非晶態(tài)固體的重要特征。
答案:玻璃化轉(zhuǎn)變溫度根據(jù)外來(lái)組元在基質(zhì)晶體中所處位置不同,可將固溶體分為
和
兩類(lèi)。
答案:置換型固溶體;間隙型固溶體MgAl2O4尖晶石結(jié)構(gòu)中,Mg2+填入(
)的(
)空隙,Al3+填入(
)和(
)空隙。
答案:1/8;四面體;1/2;八面體NaCl晶體結(jié)構(gòu)中,(
)作面心立方密堆積,(
)填入全部八面體空隙,單位晶胞內(nèi)含有(
)個(gè)分子。
答案:Cl-;Na+;4離子配位數(shù)指的是一個(gè)離子臨近周?chē)愄?hào)離子的個(gè)數(shù)。在CsCl晶體結(jié)構(gòu)中,Cs+配位數(shù)為(
),Cl-配位數(shù)為(
),單位晶胞內(nèi)含有(
)個(gè)分子。
答案:8;8;1按構(gòu)成晶體中質(zhì)點(diǎn)的鍵型分類(lèi),晶體可分為(
)、(
)、(
)、(
)四類(lèi),他們對(duì)應(yīng)鍵的類(lèi)型分別為(
)、(
)、(
)和(
)。
答案:原子晶體;分子晶體;離子晶體;金屬晶體;共價(jià)鍵;分子鍵;離子鍵;金屬鍵點(diǎn)缺陷一般分成
、
和
。
答案:晶格位置缺陷;組成缺陷;電荷缺陷按照硅氧四面體在空間的組合情況,硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)可以分成____、____、____、____和____幾種類(lèi)型。硅酸鹽晶體就是由一定的硅氧結(jié)構(gòu)單元通過(guò)其他____聯(lián)系起來(lái)而形成的。
答案:島狀;組群狀;鏈狀;層狀;架狀;金屬離子若將離子晶體中的質(zhì)點(diǎn)視為球體,則不等徑球的最緊密堆積通常是
作等徑球的最緊密堆積,
填充空隙。
答案:陰離子;陽(yáng)離子若將離子晶體中的質(zhì)點(diǎn)視為球體,則等徑球的最緊密堆積方式有
和
兩種,這兩種堆積方式中都存在空隙,它們的空間利用率都為
。
答案:面心立方;六方密堆積;74.05%擴(kuò)散的推動(dòng)力是
,上坡擴(kuò)散指的是
。
答案:化學(xué)位梯度;低濃度向高濃度的擴(kuò)散比較下列幾種情況擴(kuò)散系數(shù)的大小,在空白處填入“大于”“等于”或“小于”:(1)同一物質(zhì)在晶體中
在玻璃中;(2)同一物質(zhì)在面心立方結(jié)構(gòu)晶體中
在體心立方結(jié)構(gòu)晶體中;(3)間隙型固溶體
置換型固溶體。
答案:小于;小于;大于一般擴(kuò)散粒子和擴(kuò)散介質(zhì)性質(zhì)差別越
,則擴(kuò)散系數(shù)就越大。
答案:大對(duì)于三元凝聚系統(tǒng),其相律的數(shù)學(xué)表達(dá)式為
,系統(tǒng)中最多為
相共存,自由度最大為
。
答案:F=4-P;4;3對(duì)于二元凝聚系統(tǒng),其相律的數(shù)學(xué)表達(dá)式為
,系統(tǒng)中最多為
相共存,自由度最大為
。
答案:F=3-P;3;2變體間的轉(zhuǎn)變可分為
和
兩類(lèi),其中對(duì)生產(chǎn)和使用影響較大的是
。
答案:重建性轉(zhuǎn)變;位移性轉(zhuǎn)變;位移性轉(zhuǎn)變從鍵型考慮,形成玻璃的理想鍵型為
,SiO2中Si-O鍵含共價(jià)鍵成分為
。
答案:極性共價(jià)鍵或半金屬共價(jià)鍵;50%熔體結(jié)晶化過(guò)程包括
和
兩個(gè)過(guò)程。
答案:晶核的形成;晶體的長(zhǎng)大根據(jù)泰曼曲線(xiàn)可知,玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件為晶體生長(zhǎng)最大速度與晶核生成最大速率所對(duì)應(yīng)的溫度相差越
,也即析晶區(qū)域越
,則越易形成玻璃。
答案:大;小溫度是區(qū)分玻璃與其他非晶態(tài)固體(如硅膠等)的重要特征。在
溫度下,玻璃可以拉制成絲。
答案:玻璃化轉(zhuǎn)變;玻璃軟化像Na2O、Li2O等沒(méi)有表面活性,能增加表面張力的物質(zhì)稱(chēng)為
。表面張力隨著溫度的升高而
。
答案:表面惰性物質(zhì);降低熔體內(nèi)原子(離子或分子)的化學(xué)鍵型對(duì)其表面張力的影響規(guī)律是:
。
答案:金屬鍵>共價(jià)鍵>離子鍵>分子鍵硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度(數(shù)量)受
和
兩個(gè)因素的影響,其黏度隨溫度的變化是
(連續(xù)/不連續(xù))的。
答案:組成;溫度;不連續(xù)在外界條件(溫度、壓力等)一定的情況下,對(duì)于氧化物系統(tǒng)而言,影響固溶度的最主要的因素是
、
、
。
答案:離子半徑大小;晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型;電價(jià)形成連續(xù)固溶體的充分必要條件是溶質(zhì)和溶劑滿(mǎn)足
和
兩個(gè)條件。
答案:結(jié)構(gòu)相同;?r<15%電性相反的缺陷距離接近到一定程度時(shí),在庫(kù)侖力作用下會(huì)產(chǎn)生
。例如在NaCl晶體中,所產(chǎn)生的該反應(yīng)過(guò)程式可表示為:
。
答案:締合中心當(dāng)質(zhì)點(diǎn)的能量足夠大,離開(kāi)正常格點(diǎn)后擠入到晶格間隙中形成間隙質(zhì)點(diǎn),而原來(lái)位置上形成空位,這種缺陷稱(chēng)之為
,其特點(diǎn)是空位和間隙質(zhì)點(diǎn)
,晶體的體積
(發(fā)生/不發(fā)生)改變。
答案:弗倫克爾缺陷;成對(duì)出現(xiàn);不發(fā)生若AB2O4為正尖晶石,則A離子占據(jù)____,B離子占據(jù)____。正尖晶石與反尖晶石互為_(kāi)___。如果用()表示四面體位置,用[]表示八面體位置,則反尖晶石結(jié)構(gòu)式可表示為_(kāi)___。
答案:四面體空隙;八面體空隙;倒反結(jié)構(gòu);(BCaF2為螢石型結(jié)構(gòu),其中Ca2+形成____立方堆積,其配位數(shù)是____,所形成的立方配位多面體結(jié)構(gòu)式為_(kāi)___。一個(gè)晶胞中所含分子數(shù)Z為_(kāi)___。
答案:面心;8;[CaF8];CaF8;4傳統(tǒng)上的無(wú)機(jī)材料是指____為主要成分制成的材料,因此又稱(chēng)硅酸鹽材料,主要有____、____、____、____四種。
答案:以SiO2及其硅酸鹽化合物;水泥;陶瓷;玻璃;耐火材料自擴(kuò)散
答案:單元系統(tǒng)中質(zhì)點(diǎn)在自身晶格中的遷移,也指質(zhì)點(diǎn)遷移的結(jié)果使各部分濃度不發(fā)生變化,相應(yīng)擴(kuò)散系數(shù)稱(chēng)為自擴(kuò)散系數(shù)。泰曼溫度
答案:稱(chēng)燒結(jié)溫度,指固態(tài)物質(zhì)開(kāi)始燒結(jié)的溫度,也即固體質(zhì)點(diǎn)具有明顯可動(dòng)性,燒結(jié)以可度量的速度進(jìn)行。本征擴(kuò)散
答案:由固體本身熱運(yùn)動(dòng)所產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷作為遷移載體的擴(kuò)散。無(wú)序擴(kuò)散
答案:不存在化學(xué)位梯度時(shí)的擴(kuò)散,即質(zhì)點(diǎn)遷移隨機(jī)地朝向任意方向進(jìn)行,相應(yīng)擴(kuò)散系數(shù)稱(chēng)為無(wú)序擴(kuò)散系數(shù)。固體表面力
答案:固體表面由于質(zhì)點(diǎn)排列的周期重復(fù)性中斷而使處于表面邊界上的質(zhì)點(diǎn)力場(chǎng)對(duì)稱(chēng)性破壞所表現(xiàn)出的剩余結(jié)合力。不可逆多晶轉(zhuǎn)變
答案:指高能量的介穩(wěn)相向能量相對(duì)較低的穩(wěn)定相之間的轉(zhuǎn)變,相圖上的特征是多晶轉(zhuǎn)變溫度(虛擬)高于兩種晶型的熔點(diǎn)。可逆多晶轉(zhuǎn)變
答案:指加熱和冷卻時(shí)在多晶轉(zhuǎn)變點(diǎn)晶型之間發(fā)生互為可逆的變化,反映在相圖上的特征是多晶轉(zhuǎn)變溫度低于兩種晶型的熔點(diǎn)。析晶
答案:也稱(chēng)結(jié)晶,指從熔體或玻璃中產(chǎn)生晶體的過(guò)程,包括晶核生成和晶體長(zhǎng)大兩個(gè)過(guò)程。分相
答案:指玻璃在冷卻過(guò)程中或在一定溫度下熱處理時(shí),由于內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)遷移,某些組分偏聚從而形成化學(xué)組成不同的兩個(gè)相。網(wǎng)絡(luò)形成體
答案:指單鍵強(qiáng)度>335kJ/mol,能單獨(dú)形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),也即能單獨(dú)形成玻璃的氧化物,其陽(yáng)離子稱(chēng)為網(wǎng)絡(luò)形成離子。網(wǎng)絡(luò)中間體
答案:指單鍵強(qiáng)度介于250~335kJ/mol
之間,能幫助擴(kuò)大玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),但不能獨(dú)自形成玻璃的氧化物,其陽(yáng)離子稱(chēng)為網(wǎng)絡(luò)中間離子。網(wǎng)絡(luò)改變體
答案:也稱(chēng)網(wǎng)絡(luò)外體,指單鍵強(qiáng)度<250kJ/mol,起破壞玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)作用并最終導(dǎo)致結(jié)晶的氧化物,其陽(yáng)離子稱(chēng)為網(wǎng)絡(luò)改變離子。單鍵強(qiáng)度
答案:定義為氧化物的離解能(離解為氣態(tài)原子時(shí)所需的總能量)除以該氧化物正離子配位數(shù)所得的商。解聚
答案:指熔體中的高聚物在升溫或游離氧作用下分化形成低聚物的過(guò)程??s聚
答案:指熔體中的復(fù)合陰離子團(tuán)(聚合物)隨溫度或游離氧的降低,其低聚物相互作用形成級(jí)次較高聚合物同時(shí)釋放出部分游離氧的過(guò)程。固溶度
答案:固溶體中溶質(zhì)的最大含量,也即溶質(zhì)在溶劑中的極限溶解度。非化學(xué)計(jì)量化合物
答案:化學(xué)式中原子組成偏離給定整數(shù)比的化合物。非本征缺陷
答案:即組成缺陷或雜質(zhì)缺陷,指由于基質(zhì)晶體中固溶引人的雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)所引起的缺陷。離子極化率
答案:指在外電場(chǎng)作用下,離子自身變形的難易程度,即變形性的大小,反映離子本身被極化的難易。離子極化
答案:當(dāng)離子作密堆積時(shí),帶電離子所產(chǎn)生的電場(chǎng)對(duì)另一個(gè)離子的電子云產(chǎn)生吸引或排斥作用,使之發(fā)生變形的現(xiàn)象。晶格能
答案:又名點(diǎn)陣能,指將一摩爾的離子晶體中各離子拆散成氣態(tài)所需的能量,是離子間結(jié)合力的一個(gè)度量。電子親和能
答案:指氣態(tài)原子獲得一個(gè)電子時(shí)所放出的能量,元素的電子親和能越大,則越易獲得電子形成負(fù)離子。試說(shuō)明“無(wú)規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說(shuō)”認(rèn)為AmBn形成玻璃須滿(mǎn)足哪些條件?
答案:答:須滿(mǎn)足五個(gè)條件:①每個(gè)O2-最多與兩個(gè)An+相結(jié)合;②圍繞An+的O2-數(shù)目不應(yīng)過(guò)多,一般3~4個(gè);③網(wǎng)絡(luò)中這些氧多面體以共頂相連,不能以共棱共面相連;④每個(gè)氧多
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