MOS管基礎(chǔ)知識單選題100道及答案解析

MOS管基礎(chǔ)知識單選題100道及答案解析1.MOS管的全稱是（）A.金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管B.金屬-氧化硅-半導(dǎo)體場效應(yīng)管C.金屬-氧化物-絕緣體場效應(yīng)管D.金屬-氧化層-半導(dǎo)體場效應(yīng)管答案：A解析：MOS管的全稱是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管。2.MOS管主要分為（）類型A.N溝道和P溝道B.增強型和耗盡型C.以上兩種分類都有D.只有增強型答案：C解析：MOS管按照溝道類型分為N溝道和P溝道，按照工作模式分為增強型和耗盡型。3.增強型MOS管的開啟電壓（）A.大于0B.小于0C.等于0D.不確定答案：A解析：增強型MOS管的開啟電壓大于0。4.耗盡型MOS管的開啟電壓（）A.大于0B.小于0C.等于0D.可為正、負(fù)或零答案：D解析：耗盡型MOS管的開啟電壓可為正、負(fù)或零。5.在N溝道增強型MOS管中，當(dāng)柵源電壓（）開啟電壓時，管子導(dǎo)通。A.大于B.小于C.等于D.以上都不對答案：A解析：在N溝道增強型MOS管中，柵源電壓大于開啟電壓時，管子導(dǎo)通。6.在P溝道增強型MOS管中，當(dāng)柵源電壓（）開啟電壓時，管子導(dǎo)通。A.大于B.小于C.等于D.以上都不對答案：B解析：在P溝道增強型MOS管中，柵源電壓小于開啟電壓時，管子導(dǎo)通。7.MOS管的柵極電流（）A.較大B.較小C.幾乎為0D.取決于工作狀態(tài)答案：C解析：MOS管的柵極電流幾乎為0，輸入電阻極高。8.以下關(guān)于MOS管輸出特性曲線的描述，錯誤的是（）A.分為三個區(qū)域B.可變電阻區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)C.飽和區(qū)對應(yīng)恒流特性D.可變電阻區(qū)的斜率不變答案：D解析：可變電阻區(qū)的斜率是變化的。9.MOS管的跨導(dǎo)反映了（）A.柵源電壓對漏極電流的控制能力B.柵漏電壓對漏極電流的控制能力C.漏源電壓對漏極電流的控制能力D.以上都不對答案：A解析：跨導(dǎo)反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力。10.當(dāng)MOS管工作在截止區(qū)時，（）A.漏極電流為0B.柵源電壓大于開啟電壓C.柵源電壓小于開啟電壓D.以上都不對答案：A解析：工作在截止區(qū)時，漏極電流為0。11.對于N溝道耗盡型MOS管，當(dāng)柵源電壓為0時，漏極電流（）A.為0B.不為0C.不確定D.以上都不對答案：B解析：N溝道耗盡型MOS管，柵源電壓為0時，漏極電流不為0。12.以下哪種情況會導(dǎo)致MOS管的閾值電壓發(fā)生變化（）A.溫度變化B.溝道長度變化C.柵氧化層厚度變化D.以上都是答案：D解析：溫度、溝道長度、柵氧化層厚度等變化都會導(dǎo)致MOS管的閾值電壓改變。13.MOS管的小信號模型中，輸出電阻（）A.很小B.很大C.為0D.不確定答案：B解析：MOS管的小信號模型中，輸出電阻很大。14.在MOS管的放大電路中，共源極放大電路的特點是（）A.輸入電阻高，輸出電阻低B.輸入電阻低，輸出電阻高C.輸入電阻高，輸出電阻高D.輸入電阻低，輸出電阻低答案：C解析：共源極放大電路輸入電阻高，輸出電阻高。15.共漏極放大電路又稱為（）A.源極跟隨器B.共射極放大電路C.共基極放大電路D.以上都不對答案：A解析：共漏極放大電路又稱為源極跟隨器。16.以下哪種電路的電壓增益小于1但接近于1（）A.共源極放大電路B.共漏極放大電路C.共柵極放大電路D.以上都不對答案：B解析：共漏極放大電路的電壓增益小于1但接近于1。17.在MOS管的開關(guān)電路中，當(dāng)輸入為高電平時，MOS管處于（）A.導(dǎo)通狀態(tài)B.截止?fàn)顟B(tài)C.不確定狀態(tài)D.以上都不對答案：A解析：輸入為高電平時，MOS管通常處于導(dǎo)通狀態(tài)。18.MOS管在數(shù)字電路中主要用于（）A.存儲數(shù)據(jù)B.邏輯運算C.放大信號D.以上都是答案：B解析：MOS管在數(shù)字電路中主要用于邏輯運算。19.以下關(guān)于CMOS電路的特點，錯誤的是（）A.靜態(tài)功耗低B.抗干擾能力強C.工作速度慢D.集成度高答案：C解析：CMOS電路工作速度不慢。20.在CMOS反相器中，當(dāng)輸入為高電平時，PMOS管處于（）A.導(dǎo)通狀態(tài)B.截止?fàn)顟B(tài)C.不確定狀態(tài)D.以上都不對答案：B解析：輸入為高電平時，PMOS管截止。21.在CMOS反相器中，當(dāng)輸入為低電平時，NMOS管處于（）A.導(dǎo)通狀態(tài)B.截止?fàn)顟B(tài)C.不確定狀態(tài)D.以上都不對答案：B解析：輸入為低電平時，NMOS管截止。22.以下哪種工藝常用于制造MOS管（）A.雙極型工藝B.CMOS工藝C.BJT工藝D.以上都不是答案：B解析：CMOS工藝常用于制造MOS管。23.MOS管的閾值電壓主要取決于（）A.柵氧化層厚度B.襯底摻雜濃度C.以上兩者都有D.以上兩者都沒有答案：C解析：MOS管的閾值電壓取決于柵氧化層厚度和襯底摻雜濃度。24.隨著柵氧化層厚度的減小，MOS管的（）A.閾值電壓降低B.閾值電壓升高C.跨導(dǎo)減小D.輸出電阻增大答案：A解析：柵氧化層厚度減小，閾值電壓降低。25.當(dāng)MOS管的溝道長度減小時，其（）A.閾值電壓升高B.閾值電壓降低C.跨導(dǎo)不變D.輸出電阻不變答案：B解析：溝道長度減小，閾值電壓降低。26.在MOS管的高頻特性中，主要的寄生電容包括（）A.柵源電容和柵漏電容B.漏源電容和柵漏電容C.柵源電容和漏源電容D.以上都是答案：D解析：MOS管的高頻特性中，主要的寄生電容包括柵源電容、柵漏電容和漏源電容。27.為了提高MOS管的工作頻率，應(yīng)（）A.減小寄生電容B.增大寄生電容C.不變寄生電容D.以上都不對答案：A解析：減小寄生電容可以提高MOS管的工作頻率。28.MOS管的熱穩(wěn)定性（）A.好B.差C.中等D.不確定答案：A解析：MOS管的熱穩(wěn)定性好。29.在MOS管的制造過程中，離子注入用于（）A.形成溝道B.調(diào)整閾值電壓C.形成源極和漏極D.以上都不是答案：B解析：離子注入在MOS管制造中用于調(diào)整閾值電壓。30.以下哪種材料常用于MOS管的柵極（）A.鋁B.銅C.多晶硅D.以上都是答案：C解析：多晶硅常用于MOS管的柵極。31.當(dāng)MOS管處于飽和區(qū)時，漏極電流（）A.隨漏源電壓增大而增大B.隨漏源電壓增大而減小C.幾乎不隨漏源電壓變化D.以上都不對答案：C解析：在飽和區(qū)，漏極電流幾乎不隨漏源電壓變化。32.增強型MOS管的柵氧化層厚度通常（）耗盡型MOS管。A.大于B.小于C.等于D.不確定答案：A解析：增強型MOS管的柵氧化層厚度通常大于耗盡型MOS管。33.對于MOS管，其襯底一般與（）相連。A.源極B.漏極C.柵極D.地答案：A解析：MOS管的襯底一般與源極相連。34.在MOS管的小信號模型中，gm表示（）A.跨導(dǎo)B.輸出電阻C.輸入電阻D.以上都不是答案：A解析：gm表示跨導(dǎo)。35.當(dāng)MOS管工作在可變電阻區(qū)時，其溝道電阻（）A.不變B.隨柵源電壓增大而增大C.隨柵源電壓增大而減小D.以上都不對答案：C解析：工作在可變電阻區(qū)時，溝道電阻隨柵源電壓增大而減小。36.以下關(guān)于MOS管的噪聲性能，描述正確的是（）A.噪聲較小B.噪聲較大C.噪聲與BJT相同D.不確定答案：A解析：MOS管的噪聲較小。37.在MOS管的版圖設(shè)計中，為了減小寄生效應(yīng)，應(yīng)（）A.增大器件面積B.減小器件面積C.合理布局布線D.以上都是答案：C解析：在版圖設(shè)計中，合理布局布線可減小寄生效應(yīng)。38.以下哪種情況下，MOS管的漏極電流會減?。ǎ〢.柵源電壓增大B.溝道長度增大C.襯底摻雜濃度增大D.以上都不對答案：B解析：溝道長度增大，漏極電流會減小。39.耗盡型MOS管的柵源電壓為零時，其溝道（）A.存在B.不存在C.不確定D.以上都不對答案：A解析：耗盡型MOS管柵源電壓為零時，溝道存在。40.在MOS管的放大電路中，輸入電阻主要由（）決定。A.柵極電阻B.源極電阻C.溝道電阻D.以上都不是答案：A解析：輸入電阻主要由柵極電阻決定。41.共柵極放大電路的輸入電阻（）A.很大B.很小C.中等D.不確定答案：B解析：共柵極放大電路的輸入電阻很小。42.以下哪種電路的輸出電阻最?。ǎ〢.共源極放大電路B.共漏極放大電路C.共柵極放大電路D.以上都不對答案：B解析：共漏極放大電路的輸出電阻最小。43.在MOS管的開關(guān)特性中，上升時間和下降時間主要取決于（）A.柵極電容充電時間B.漏極電容充電時間C.溝道載流子遷移速度D.以上都是答案：D解析：上升時間和下降時間取決于柵極電容充電時間、漏極電容充電時間和溝道載流子遷移速度等。44.當(dāng)MOS管的柵源電壓小于閾值電壓時，管子處于（）A.導(dǎo)通狀態(tài)B.截止?fàn)顟B(tài)C.放大狀態(tài)D.不確定狀態(tài)答案：B解析：柵源電壓小于閾值電壓時，管子截止。45.對于P溝道增強型MOS管，其開啟電壓（）A.大于0B.小于0C.等于0D.不確定答案：B解析：P溝道增強型MOS管的開啟電壓小于0。46.在MOS管的亞閾值區(qū)，漏極電流（）A.迅速增大B.緩慢增大C.幾乎為0D.不確定答案：B解析：在亞閾值區(qū)，漏極電流緩慢增大。47.以下哪種因素會影響MOS管的亞閾值特性（）A.柵氧化層厚度B.溫度C.襯底摻雜濃度D.以上都是答案：D解析：柵氧化層厚度、溫度和襯底摻雜濃度等都會影響MOS管的亞閾值特性。48.為了減小MOS管的短溝道效應(yīng)，應(yīng)（）A.增加溝道長度B.減小溝道長度C.增加?xùn)叛趸瘜雍穸菵.減小柵氧化層厚度答案：A解析：增加溝道長度可以減小短溝道效應(yīng)。49.以下關(guān)于MOS管的閂鎖效應(yīng)，描述錯誤的是（）A.會導(dǎo)致電路失效B.可以通過合理設(shè)計避免C.只在CMOS電路中存在D.與寄生雙極晶體管有關(guān)答案：C解析：閂鎖效應(yīng)不僅在CMOS電路中存在。50.在MOS管的可靠性方面，柵氧擊穿是一個重要問題，其主要原因是（）A.過高的電壓B.過高的電流C.過高的溫度D.以上都是答案：A解析：過高的電壓是柵氧擊穿的主要原因。51.以下哪種測試方法常用于測量MOS管的閾值電壓（）A.直流測試B.交流測試C.脈沖測試D.以上都可以答案：A解析：直流測試常用于測量MOS管的閾值電壓。52.對于MOS管的放大電路，要提高增益，可以（）A.增大跨導(dǎo)B.增大輸出電阻C.以上兩者都有D.以上兩者都沒有答案：C解析：增大跨導(dǎo)和輸出電阻都可以提高增益。53.在MOS管的高頻等效電路中，Cgs表示（）A.柵源電容B.柵漏電容C.漏源電容D.以上都不是答案：A解析：Cgs表示柵源電容。54.當(dāng)MOS管的漏源電壓增大到一定程度時，會發(fā)生（）A.擊穿B.飽和C.截止D.以上都不對答案：A解析：漏源電壓增大到一定程度會發(fā)生擊穿。55.以下哪種電路結(jié)構(gòu)可以提高MOS管的驅(qū)動能力（）A.圖騰柱輸出B.推挽輸出C.以上兩者都可以D.以上兩者都不可以答案：C解析：圖騰柱輸出和推挽輸出都可以提高MOS管的驅(qū)動能力。56.在MOS管的版圖設(shè)計中，為了提高匹配精度，應(yīng)（）A.采用對稱布局B.增大器件間距C.減小器件面積D.以上都不對答案：A解析：采用對稱布局可以提高匹配精度。57.在MOS管的應(yīng)用中，以下哪種情況需要特別關(guān)注其熱穩(wěn)定性（）A.高功率工作場景B.低電壓工作場景C.小信號處理場景D.以上都不需要答案：A解析：在高功率工作場景下，MOS管會產(chǎn)生較多熱量，需要特別關(guān)注其熱穩(wěn)定性。58.當(dāng)MOS管工作在深三極管區(qū)時，其等效電阻（）A.很大B.很小C.中等D.不確定答案：B解析：MOS管在深三極管區(qū)時，等效電阻很小。59.以下哪種因素會影響MOS管的開關(guān)速度（）A.柵極電容B.漏極電容C.源極電阻D.以上都是答案：D解析：柵極電容、漏極電容和源極電阻都會影響MOS管的開關(guān)速度。60.在MOS管的小信號等效電路中，rds表示（）A.源極電阻B.漏極電阻C.輸出電阻D.以上都不是答案：C解析：rds表示輸出電阻。61.對于N溝道MOS管，其襯底通常接（）A.高電位B.低電位C.地D.不確定答案：B解析：N溝道MOS管的襯底通常接低電位。62.增強型MOS管在未加?xùn)旁措妷簳r（）A.有導(dǎo)電溝道B.沒有導(dǎo)電溝道C.不確定是否有導(dǎo)電溝道D.以上都不對答案：B解析：增強型MOS管在未加?xùn)旁措妷簳r沒有導(dǎo)電溝道。63.耗盡型MOS管的導(dǎo)電溝道寬度（）A.固定不變B.隨柵源電壓變化C.隨漏源電壓變化D.以上都不對答案：B解析：耗盡型MOS管的導(dǎo)電溝道寬度隨柵源電壓變化。64.以下哪種情況下，MOS管的跨導(dǎo)會增大（）A.柵源電壓減小B.溝道長度增加C.溝道寬度增加D.以上都不對答案：C解析：溝道寬度增加，MOS管的跨導(dǎo)會增大。65.在MOS管的放大電路中，為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點，可以引入（）A.直流負(fù)反饋B.交流負(fù)反饋C.電流負(fù)反饋D.以上都不對答案：A解析：在MOS管的放大電路中，引入直流負(fù)反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。66.共源極放大電路的輸出電壓與輸入電壓（）A.同相B.反相C.相位差90度D.不確定答案：B解析：共源極放大電路的輸出電壓與輸入電壓反相。67.共漏極放大電路的輸出電壓與輸入電壓（）A.同相B.反相C.相位差90度D.不確定答案：A解析：共漏極放大電路的輸出電壓與輸入電壓同相。68.當(dāng)MOS管的柵極開路時，漏極電流（）A.為0B.不為0C.不確定D.以上都不對答案：A解析：柵極開路時，漏極電流為0。69.以下哪種電路結(jié)構(gòu)常用于MOS管的功率放大（）A.A類放大器B.B類放大器C.AB類放大器D.以上都是答案：D解析：A類、B類、AB類放大器都常用于MOS管的功率放大。70.在MOS管的制造過程中，光刻工藝用于（）A.形成圖形B.摻雜C.氧化D.以上都不是答案：A解析：光刻工藝在MOS管制造中用于形成圖形。71.隨著工藝尺寸的縮小，MOS管的性能（）A.提高B.降低C.不變D.不確定答案：A解析：隨著工藝尺寸縮小，MOS管性能通常會提高。72.以下哪種技術(shù)可以改善MOS管的亞閾值擺幅（）A.高K介質(zhì)B.應(yīng)變硅技術(shù)C.鰭式場效應(yīng)晶體管D.以上都是答案：D解析：高K介質(zhì)、應(yīng)變硅技術(shù)和鰭式場效應(yīng)晶體管等都可以改善MOS管的亞閾值擺幅。73.在MOS管的瞬態(tài)特性分析中，需要考慮（）A.電容充放電B.載流子遷移速度C.以上兩者都有D.以上兩者都沒有答案：C解析：在MOS管的瞬態(tài)特性分析中，需要考慮電容充放電和載流子遷移速度。74.對于MOS管的邏輯門電路，其輸出電平取決于（）A.輸入電平B.電源電壓C.負(fù)載電阻D.以上都是答案：A解析：MOS管邏輯門電路的輸出電平取決于輸入電平。75.以下哪種類型的MOS管在數(shù)字電路中應(yīng)用更廣泛（）A.增強型B.耗盡型C.兩者應(yīng)用范圍相同D.不確定答案：A解析：增強型MOS管在數(shù)字電路中應(yīng)用更廣泛。76.當(dāng)MOS管的柵源電壓超過一定限度時，可能會導(dǎo)致（）A.性能提升B.器件損壞C.無影響D.以上都不對答案：B解析：柵源電壓超過一定限度可能會導(dǎo)致器件損壞。77.耗盡型MOS管的制造工藝相對（）增強型MOS管。A.簡單B.復(fù)雜C.相同D.不確定答案：B解析：耗盡型MOS管的制造工藝相對復(fù)雜于增強型MOS管。78.在MOS管的放大電路中，輸出電阻越小，（）A.帶負(fù)載能力越強B.帶負(fù)載能力越弱C.對負(fù)載無影響D.以上都不對答案：A解析：輸出電阻越小，帶負(fù)載能力越強。79.共柵極放大電路的電壓增益（）A.大于0B.小于0C.等于0D.不確定答案：A解析：共柵極放大電路的電壓增益大于0。80.以下哪種電路結(jié)構(gòu)的輸入輸出阻抗均較高（）A.共源極放大電路B.共漏極放大電路C.共柵極放大電路D.以上都不是答案：D解析：以上三種電路結(jié)構(gòu)都不符合輸入輸出阻抗均較高的特點。81.對于MOS管的高頻應(yīng)用，需要考慮（）A.寄生電感B.寄生電容C.寄生電阻D.以上都是答案：D解析：對于MOS管的高頻應(yīng)用，需要考慮寄生電感、寄生電容和寄生電阻。82.在MOS管的自動偏置電路中，通常利用（）實現(xiàn)穩(wěn)定工作點。A.電阻分壓B.電流源C.二極管D.以上都是答案：B解析：在MOS管的自動偏置電路中，通常利用電流源實現(xiàn)穩(wěn)定工作點。83.共源極放大電路的輸出電阻主要由（）決定。A.漏極電阻B.源極電阻C.溝道電阻D.MOS管的輸出電阻答案：D解析：共源極放大電路的輸出電阻主要由MOS管的輸出電阻決定。84.以下哪種因素會導(dǎo)致MOS管的閾值電壓漂移（）A.輻射B.靜電C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：輻射和靜電都會導(dǎo)致MOS管的閾值電壓漂移。85.當(dāng)MOS管工作在飽和區(qū)時，其溝道夾斷區(qū)的長度（）A.固定不變B.隨漏源電壓增大而增大C.隨漏源電壓增大而減小D.不確定答案：B解析：當(dāng)MOS管工作在飽和區(qū)時，其溝道夾斷區(qū)的長度隨漏源電壓增大而增大。86.對于P溝道MOS管，其多數(shù)載流子是（）A.電子B.空穴C.電子和空穴D.不確定答案：B解析：P溝道MOS管的多數(shù)載流子是空穴。87.在MOS管的小信號分析中，通常將其視為（）A.線性元件B.非線性元件C.時變元件D.以上都不是答案：A解析：在小信號分析中，通常將MOS管視為線性元件。88.以下哪種電路可以實現(xiàn)MOS管的直流偏置（）A.分壓式偏置電路B.自偏置電路C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：分壓式偏置電路和自偏置電路都可以實現(xiàn)MOS管的直流偏置。89.共漏極放大電路的輸出電阻與（）有關(guān)。A.負(fù)載電阻B.源極電阻C.柵源電壓D.以上都是答案：B解析：共漏極放大電路的輸出電阻與源極電阻有關(guān)。90.增強型MOS管的閾值電壓受（）影響較大。A.柵極電壓B.漏極電壓C.襯底電壓D.以上都是答案：C解析：增強型MOS管的閾值電壓受襯底電壓影響